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DE102023206603A1 - Method for processing a semiconductor wafer and mounting template - Google Patents

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DE102023206603A1
DE102023206603A1 DE102023206603.3A DE102023206603A DE102023206603A1 DE 102023206603 A1 DE102023206603 A1 DE 102023206603A1 DE 102023206603 A DE102023206603 A DE 102023206603A DE 102023206603 A1 DE102023206603 A1 DE 102023206603A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chips
wafer
template
structures
support structures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102023206603.3A
Other languages
German (de)
Inventor
Jochen Tomaschko
Marcus Pritschow
Raphael Schuler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
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Priority to PCT/EP2024/062376 priority patent/WO2025011798A1/en
Priority to TW113125670A priority patent/TW202516649A/en
Publication of DE102023206603A1 publication Critical patent/DE102023206603A1/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers (100) mit einem Bereitstellen des Wafers mit Strukturen für eine Mehrzahl von Chips (120) und einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche, einem Bereitstellen einer Schablone (300) mit einem Boden (320) und darauf angeordneten ein oder mehreren Tragestrukturen (310), einem Vereinzeln des Wafers in die Chips, wobei jeder Chip eine zu schützende Oberfläche (122b) aufweist, einem Entnehmen der Chips aus dem Wafer, einem Platzieren zumindest eines Teils der entnommenen Chips auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen der Schablone um eine gewünschte Anordnung der platzierten Chips zu erreichen derart, dass die zu schützenden Oberflächen zum Boden der Schablone hin gerichtet sind und nicht mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen in direktem Kontakt stehen, und einem anschließendes Verbinden der platzierten Chips mit einem gemeinsamen Bauelement, wobei die Anordnung der platzierten Chips zueinander erhalten bleibt.

Figure DE102023206603A1_0000
The invention relates to a method for processing a wafer (100) with providing the wafer with structures for a plurality of chips (120) and a first surface and a second surface opposite the first surface, providing a template (300) with a base (320) and one or more support structures (310) arranged thereon, separating the wafer into chips, each chip having a surface (122b) to be protected, removing the chips from the wafer, placing at least some of the removed chips on the one or more support structures of the template in order to achieve a desired arrangement of the placed chips such that the surfaces to be protected are directed towards the base of the template and are not in direct contact with the one or more support structures, and then connecting the placed chips to a common component, wherein the arrangement of the placed chips relative to one another is maintained.
Figure DE102023206603A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Herstellung von Chips aus Wafern, insbesondere für mikroelektromechanische Vorrichtungen, und betrifft ein Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers und eine Schablone zur Platzierung von Chips.The present invention relates to the field of manufacturing chips from wafers, in particular for microelectromechanical devices, and concerns a method for processing a wafer and a template for placing chips.

Stand der TechnikState of the art

Der Einsatz von Vorrichtungen mit mikroelektromechanischen Systemen (MEMS, microelectromechanical system), beispielsweise Mikrospiegel-Arrays oder Mikrospiegelaktoren, erfolgt heutzutage in einer Vielzahl von Vorrichtungen, beispielsweise in Smartphones, Projektoren, Head-up-Displays, Barcodelesern, Maskenbelichtern in der Halbleiterfertigung und Mikroskopen. Entsprechende Mikrospiegel-Arrays sind beispielsweise aus den Schriften DE 10 2013 208 446 A1 , EP 0 877 272 A1 und WO 2010/049076 A2 bekannt. Die DE 10 2006 032 195 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Strukturen. In der DE 10 2009 029 202 A1 ist ein mikromechanisches System sowie ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Systems offenbart. Aus der DE 10 2015 206 996 A1 ist der sogenannte EPyC-Prozess (EPyC: epitaxial polysilicon cycle) zum Herstellen von mikroelektromechanischen Strukturen mit großer vertikaler Ausdehnung bekannt, der epitaktisches Polysilizium als Funktions- und Opfermaterial nutzt und mittels sich wiederholender Zyklen eine Schichtstruktur aus epitaktischen Polysiliziumschichten (EpiPoly-Schichten) aufbaut.Devices with microelectromechanical systems (MEMS), such as micromirror arrays or micromirror actuators, are used today in a wide range of devices, for example in smartphones, projectors, head-up displays, barcode readers, mask exposure devices in semiconductor production and microscopes. Corresponding micromirror arrays are known, for example, from the documents DE 10 2013 208 446 A1 , EP 0 877 272 A1 and WO 2010/049076 A2 known. The DE 10 2006 032 195 A1 describes a process for the production of MEMS structures. In the DE 10 2009 029 202 A1 A micromechanical system and a method for producing a micromechanical system are disclosed. DE 10 2015 206 996 A1 The so-called EPyC process (EPyC: epitaxial polysilicon cycle) is known for the production of microelectromechanical structures with large vertical extension, which uses epitaxial polysilicon as functional and sacrificial material and builds up a layer structure of epitaxial polysilicon layers (EpiPoly layers) by means of repeating cycles.

Bei der Herstellung der einzelnen mikroelektromechanischen Systeme auf der Basis von Wafern muss ein fortwährender Schutz der mikroelektromechanischen Strukturen dieser Systeme sichergestellt werden, um ungewollte Beschädigungen der MEMS-Chips zu vermeiden. Aus diesem Grund werden zu schützende Oberflächen typischerweise durch geeignete Schutzstrukturen temporär geschützt, die aber den Füllfaktor des Endproduktes, also den hergestellten Chips, stark reduzieren.When manufacturing individual microelectromechanical systems based on wafers, continuous protection of the microelectromechanical structures of these systems must be ensured in order to avoid unwanted damage to the MEMS chips. For this reason, surfaces to be protected are typically temporarily protected by suitable protective structures, which, however, greatly reduce the fill factor of the end product, i.e. the manufactured chips.

Offenbarung der Erfindungdisclosure of the invention

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers und eine Schablone zur Platzierung von Chips mit zu schützenden Oberflächen vorgeschlagen.According to the invention, a method for processing a wafer and a template for placing chips with surfaces to be protected are proposed.

Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiter-Wafers (im Rahmen dieser Erfindung auch kurz als Wafer bezeichnet) vorgeschlagen. Hierbei umfasst das Verfahren ein Bereitstellen des Wafers, der vorzugsweise Silizium aufweist oder aus Silizium besteht. Der Wafer weist Strukturen für eine Mehrzahl von Halbleiterchips (im Rahmen dieser Erfindung auch kurz Chips) sowie eine erste Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweiten Oberfläche auf. Die erste und die zweite Oberfläche sind also die zwei unterschiedlichen Grundflächen des Wafers. Weiterhin erfolgt ein Bereitstellen einer Montageschablone (im Rahmen dieser Erfindung auch kurz als Schablone bezeichnet) mit einem Boden, beispielsweise in Form einer Bodenplatte, und darauf angeordneten ein oder mehreren Tragestrukturen. Nach einem Vereinzeln des Wafers in die Chips, wobei jeder Chip eine zu schützende Oberfläche aufweist, erfolgt ein Entnehmen der Chips aus dem Wafer. Jeder Chip wird also dem restlichen Wafer (Rest des Wafers) entnommen. Hierbei ist eine zu schützende Oberfläche eines Chips eine Oberfläche des Chips, für die ein Schutz angestrebt wird. Die eine oder die mehreren Tragestrukturen der Schablone können beispielsweise die Form von durchgehenden oder unterbrochenen Wänden, Bögen, Gittern, Streben und/oder Stützen haben, die vorzugsweise in einem Raster angeordnet sind. Insbesondere können die eine oder die mehreren Tragestrukturen die Form eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Rahmen und/oder eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Gitter aufweisen. Insbesondere können im Fall von mehreren Tragestrukturen alle Tragestrukturen der Schablone die gleiche Form aufweisen, beispielsweise die Form eines rechteckigen, dreieckigen, sechseckigen oder trapezförmigen Rahmens oder eines rechteckigen, dreieckigen, sechseckigen oder trapezförmigen Gitters.According to a first aspect of the invention, a method for processing a semiconductor wafer (also referred to as wafer for short in the context of this invention) is proposed. The method comprises providing the wafer, which preferably has silicon or is made of silicon. The wafer has structures for a plurality of semiconductor chips (also referred to as chips for short in the context of this invention) as well as a first surface and a second surface opposite the first surface. The first and second surfaces are therefore the two different base surfaces of the wafer. Furthermore, an assembly template (also referred to as template for short in the context of this invention) is provided with a base, for example in the form of a base plate, and one or more support structures arranged thereon. After the wafer has been separated into chips, each chip having a surface to be protected, the chips are removed from the wafer. Each chip is therefore removed from the rest of the wafer (remainder of the wafer). A surface of a chip to be protected is a surface of the chip for which protection is sought. The one or more support structures of the template can, for example, have the shape of continuous or interrupted walls, arches, grids, struts and/or supports, which are preferably arranged in a grid. In particular, the one or more support structures can have the shape of one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal frames and/or one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal grids. In particular, in the case of several support structures, all support structures of the template can have the same shape, for example the shape of a rectangular, triangular, hexagonal or trapezoidal frame or a rectangular, triangular, hexagonal or trapezoidal grid.

Anschließend erfolgt ein Platzieren zumindest eines Teils der entnommenen Chips auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen der Schablone um eine gewünschte Anordnung, also eine Position und Ausrichtung, der platzierten Chips zu erreichen derart, dass die zu schützenden Oberflächen der platzierten Chips zum Boden der Schablone hin gerichtet sind und nicht mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen in direktem Kontakt stehen. Anschließend erfolgt ein Verbinden der platzierten Chips mit einem gemeinsamen Bauelement wie einer Elektronik, wobei die Anordnung der platzierten Chips zueinander erhalten bleibt. Das vorgeschlagene Verfahren dient also dazu, mittels einer Schablone eine optimierte und definierte Anordnung der vereinzelten Chips zueinander zu erreichen. Vorzugsweise ist die Schablone so ausgeführt, dass die Chips nach dem Platzieren auf den Tragestrukturen in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind und insbesondere hinsichtlich einer Achse senkrecht zu den zu schützenden Oberflächen nivelliert werden.Subsequently, at least some of the removed chips are placed on the one or more support structures of the template in order to achieve a desired arrangement, i.e. a position and alignment, of the placed chips such that the surfaces of the placed chips to be protected are directed towards the bottom of the template and are not in direct contact with the one or more support structures. Subsequently, the placed chips are connected to a common component such as electronics, whereby the arrangement of the placed chips relative to one another is maintained. The proposed method therefore serves to achieve an optimized and defined arrangement of the isolated chips relative to one another by means of a template. The template is preferably designed such that the chips are arranged in a common plane after being placed on the support structures and are leveled in particular with respect to an axis perpendicular to the surfaces to be protected.

Vorteilhafterweise weist der Wafer Haltestrukturen auf und/oder es erfolgt vor oder während des Vereinzelns des Wafers ein Ausbilden von Haltestrukturen im Wafer, wobei die Haltestrukturen ausgestaltet sind, mögliche Bewegungen der Chips nach dem Vereinzeln in zumindest einer Richtung senkrecht zu der ersten Oberfläche des Wafers einzuschränken. Eine Haltestruktur kann beispielsweise durch geeignete Vorsprünge (Auffangstege) des Chips und/oder des restlichen Wafers ausgeprägt sein. Eine Haltestruktur kann beispielsweise an einem Rand eines durch die Vereinzelung zu lösenden Chips angeordnet und/oder Teil des restlichen Wafers sein und sorgt für ein Verhaken des Chips mit dem restlichen Wafer nach Durchführung der Vereinzelung, wodurch ein freies Bewegen des Chips in einer Richtung senkrecht zur ersten Oberfläche des Wafers verhindert wird. Auf diese Weise kann beispielsweise verhindert werden, dass Chips herausfallen, wenn der Wafer horizontal (also senkrecht zur Gravitationsrichtung) ausgerichtet ist. In diesem Fall sind die Haltestrukturen, wenn sie Teil des restlichen Wafers sind, vorzugsweise so gestaltet, dass sie die zu schützende Oberfläche des Chips bei einem Verhaken nicht berühren.Advantageously, the wafer has holding structures and/or before or during of singulating the wafer, forming holding structures in the wafer, wherein the holding structures are designed to restrict possible movements of the chips after singulation in at least one direction perpendicular to the first surface of the wafer. A holding structure can be formed, for example, by suitable projections (catching webs) of the chip and/or the rest of the wafer. A holding structure can be arranged, for example, on an edge of a chip to be released by singulation and/or be part of the rest of the wafer and ensures that the chip hooks onto the rest of the wafer after singulation has been carried out, thereby preventing the chip from moving freely in a direction perpendicular to the first surface of the wafer. In this way, for example, it can be prevented that chips fall out when the wafer is aligned horizontally (i.e. perpendicular to the direction of gravity). In this case, the holding structures, if they are part of the rest of the wafer, are preferably designed such that they do not touch the surface of the chip to be protected if they hook.

Weiterhin kann vor dem Vereinzeln des Wafers ein Ausbilden einer einzelne Chips umschließenden und den Wafer lokal perforierenden Spaltstruktur mit mehreren Spalten im Wafer erfolgen und das Vereinzeln zumindest teilweise entlang dieser mehreren Spalten erfolgen. Hierbei werden durch das Ausbilden der lokal perforierenden Spaltstruktur vorzugsweise Stege zwischen den Spalten ausgeprägt, die jeweils horizontal oder vertikal bezüglich der ersten Oberfläche verlaufen und die Chips in dem Wafer halten. Die Stege verbinden also die Chips mit dem Rest des Wafers. Auch kann während des Vereinzelns des Wafers ein Ausbilden einer einzelne Chips umschließenden und den Wafer durchgängig durchdringenden Spaltstruktur mit einem oder mehreren Spalten im Wafer erfolgen und das Vereinzeln zumindest teilweise durch das Ausbilden der Spaltstruktur erfolgen. Bei einer durchgängig durchdringenden Spaltstruktur erfolgt im Gegensatz zu einer lokal perforierenden Spaltstruktur keine Ausprägung von Stegen. Ein aus dem Wafer herauszulösender Chip wird durch das Ausbilden der Spaltstruktur vollständig (bei einer durchgängig durchdringenden Spaltstruktur) oder partiell (bei einer lokal perforierenden Spaltstruktur) vom restlichen Wafer getrennt. Durch ein solches Vorgehen wird erreicht, dass der Chip sich später leicht aus dem Wafer herauslösen lässt, beispielsweise beim Entnehmen des Chips aus der Schutzvorrichtung. Im Fall der lokal perforierenden Spaltstruktur kann das Entnehmen der Chips der Vereinzelung entsprechen, da hier die Vereinzelung beispielsweise durch ein einfaches Brechen der Stege erreicht wird, der Chip wird hierbei einfach aus dem Wafer herausgebrochen. Durch Einsatz eines geeigneten Verfahrens zum Laserschneiden ist es auch möglich, die Stege zu verdampfen. Dies hat den Vorteil, dass die Stege vollständig entfernt werden, ohne unkontrollierte Bruchstücke der Stege entstehen zu lassen. Im Fall eines Ausbildens einer und durchgängig durchdringenden Spaltstruktur kann das Vereinzeln also durch das Ausbilden der Spaltstruktur erfolgen. Eine getrennte Vereinzelung ist folglich nicht erforderlich. Eine Spaltstruktur kann aus nicht miteinander verbundenen Ausnehmungen bestehen, beispielsweise kann um einzelne Chips jeweils eine diesen Chip umschließende spaltförmige Ausnehmung geführt sein. Die Gesamtheit dieser Spalte wird im Rahmen dieser Erfindung als Spaltstruktur bezeichnet. Eine lokal perforierende Spaltstruktur ist entsprechend eine Spaltstruktur, bei der die Spalte im Gegensatz zu einer durchgängig durchdringenden Spaltstruktur keine geschlossenen Formen ausbilden. Ein Vereinzeln des Wafers durch ein Ausbilden einer Spaltstruktur im Wafer ist besonders vorteilhaft, da hierbei die Freisetzung von Partikeln, die zur Verschmutzung von empfindlichen Strukturen auf dem Wafer führen könnte, vollständig vermieden werden kann.Furthermore, before the wafer is singulated, a gap structure enclosing individual chips and locally perforating the wafer can be formed in the wafer with a plurality of gaps, and the singulation can be carried out at least partially along these multiple columns. In this case, by forming the locally perforating gap structure, webs are preferably formed between the columns, which each run horizontally or vertically with respect to the first surface and hold the chips in the wafer. The webs therefore connect the chips to the rest of the wafer. During the singulation of the wafer, a gap structure enclosing individual chips and continuously penetrating the wafer can be formed in the wafer with one or more gaps, and the singulation can be carried out at least partially by forming the gap structure. In the case of a continuously penetrating gap structure, in contrast to a locally perforating gap structure, no webs are formed. A chip to be removed from the wafer is completely (in the case of a continuously penetrating gap structure) or partially (in the case of a locally perforating gap structure) separated from the rest of the wafer by forming the gap structure. This procedure ensures that the chip can later be easily removed from the wafer, for example when removing the chip from the protective device. In the case of the locally perforating gap structure, removing the chips can correspond to singulation, since here the singulation is achieved, for example, by simply breaking the webs; the chip is simply broken out of the wafer. By using a suitable laser cutting process, it is also possible to evaporate the webs. This has the advantage that the webs are completely removed without creating uncontrolled fragments of the webs. In the case of forming a continuously penetrating gap structure, singulation can therefore take place by forming the gap structure. Separate singulation is therefore not necessary. A gap structure can consist of recesses that are not connected to one another. For example, a gap-shaped recess can be guided around each individual chip, enclosing this chip. The entirety of these gaps is referred to as a gap structure in the context of this invention. A locally perforating gap structure is accordingly a gap structure in which the gaps do not form closed shapes, in contrast to a continuously penetrating gap structure. Separating the wafer by forming a gap structure in the wafer is particularly advantageous, since the release of particles that could lead to contamination of sensitive structures on the wafer can be completely avoided.

Im Rahmen dieser Erfindung ist unter einer Spaltstruktur eine oder mehrere Ausnehmungen des Wafers zu verstehen, die diesen in vertikaler Richtung vollständig durchdringen. Ein Vereinzeln eines Wafers entlang einer lokal perforierenden Spaltstruktur meint ein Vereinzeln derartig, dass mehrere Ausnehmungen der Spaltstruktur für ein Herauslösen eines Chips aus dem restlichen Wafer genutzt werden, indem ein Zerstören, beispielsweise ein Brechen, von noch bestehenden Verbindungen (beispielsweise in der Form von Stegen) zwischen dem Chip und dem restlichen Wafer geschieht. Spalte von Spaltstrukturen können von einfachen senkrecht durch den Wafer verlaufenden Spalten, also rechteckigen Ausnehmungen und Aussparungen, abweichen, beispielsweise sind horizontal, also parallel zur ersten Oberfläche des Wafers verlaufende Bereiche der Spalte denkbar. Insbesondere können die Spalte so gestaltet sein, dass zumindest lokal Haltestrukturen geformt werden, die wie oben beschrieben die einzelnen Chips nach der Vereinzelung des Wafers weiterhin in diesem fixieren, also die Bewegung der einzelnen Chips nach der Vereinzelung in eine bestimmte Richtung gezielt einschränken, beispielsweise um ein unbeabsichtigtes Herausfallen der einzelnen Chips aus dem Wafer bei einem Bewegen des Wafers zu verhindern. Haltestrukturen können sowohl bei Vorhandensein einer lokal perforierenden als auch einer durchgängig durchdringenden Spaltstruktur existieren.In the context of this invention, a gap structure is understood to mean one or more recesses in the wafer that completely penetrate it in the vertical direction. Separating a wafer along a locally perforating gap structure means separating it in such a way that several recesses in the gap structure are used to separate a chip from the rest of the wafer by destroying, for example breaking, any connections that still exist (for example in the form of webs) between the chip and the rest of the wafer. Gaps in gap structures can deviate from simple gaps that run vertically through the wafer, i.e. rectangular recesses and gaps; for example, areas of the gap that run horizontally, i.e. parallel to the first surface of the wafer, are conceivable. In particular, the gaps can be designed in such a way that at least locally holding structures are formed which, as described above, continue to fix the individual chips in the wafer after it has been separated, i.e. they specifically restrict the movement of the individual chips in a certain direction after separation, for example in order to prevent the individual chips from accidentally falling out of the wafer when the wafer is moved. Holding structures can exist both in the presence of a locally perforating gap structure and a continuously penetrating gap structure.

Vorzugsweise erfolgt das Ausbilden der Spalte und somit auch der durchgängig durchdringenden Spaltstruktur und/oder der lokal perforierenden Spaltstruktur mittels eines Ätzprozesses. Als Ätzverfahren kann hierbei beispielsweise reaktives lonentiefätzen (DRIE, deep reactive ion etching) eingesetzt werden. Ein solcher Ätzprozess wird vorzugsweise mit einem Ätzprozess zum Freistellen von Strukturen der Chips wie MEMS-Strukturen, beispielsweise einem Siliziumopferschichtätzen (kurz auch Opferschichtätzen), kombiniert, so dass in einem Verfahrensschritt sowohl die durchgängig durchdringende Spaltstruktur und/oder die lokal perforierende Spaltstruktur ausgebildet als auch ein die Strukturen der Chips freigestellt werden. Beispielsweise durch den EPyC-Prozess können komplexe Strukturen wie beispielsweise Haltestrukturen erzeugt werden, die im Rahmen eines solchen Opferschichtätzens freigestellt werden.Preferably, the gaps and thus also the continuously penetrating gap structure and/or the locally perforating gap structure are formed by means of an etching process. The etching process used here can be, for example, reactive deep reactive ion etching (DRIE). Such an etching process is preferably combined with an etching process for exposing chip structures such as MEMS structures, for example a silicon sacrificial layer etching (also known as sacrificial layer etching), so that in one process step both the continuously penetrating gap structure and/or the locally perforating gap structure are formed and the chip structures are exposed. For example, the EPyC process can be used to create complex structures such as holding structures, which are exposed as part of such a sacrificial layer etching.

Bevorzugt weisen die Strukturen für die Chips MEMS-Strukturen für mikroelektromechanische Systeme (MEMS) auf, wobei die zu schützenden Oberflächen Teil der MEMS-Strukturen sind. Ein Chip mit MEMS-Strukturen wird im Rahmen dieser Erfindung als MEMS-Chip bezeichnet. Ein Freistellen der MEMS-Strukturen erfolgt hierbei vor oder beim Vereinzeln des Wafers durch ein Opferschichtätzen und vorzugsweise zusammen mit dem Ausbilden einer einzelne Chips umschließenden und den Wafer lokal oder durchgängig durchdringenden Spaltstruktur. Besonders vorteilhaft ist es, wenn diese offenen MEMS-Strukturen MEMS-Strukturen für ein Mikrospiegel-Array umfassen.The structures for the chips preferably have MEMS structures for microelectromechanical systems (MEMS), wherein the surfaces to be protected are part of the MEMS structures. A chip with MEMS structures is referred to as a MEMS chip in the context of this invention. The MEMS structures are exposed before or during the separation of the wafer by sacrificial layer etching and preferably together with the formation of a gap structure that encloses individual chips and penetrates the wafer locally or continuously. It is particularly advantageous if these open MEMS structures comprise MEMS structures for a micromirror array.

Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird eine Schablone zur Platzierung von Chips mit zu schützenden Oberflächen, vorzugsweise zur Verwendung in einem Verfahren wie oben beschrieben, vorgeschlagen. Hierbei umfasst die Schablone einen Boden, beispielsweise in der Form einer Bodenplatte, und darauf angeordnete eine oder mehrere Tragestrukturen. Hierbei sind die Tragestrukturen so gestaltet, dass die Chips auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen so platzierbar sind, dass die zu schützenden Oberflächen der Chips nicht in direktem Kontakt mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen in Kontakt stehen.According to a second aspect of the invention, a template for placing chips with surfaces to be protected is proposed, preferably for use in a method as described above. The template comprises a base, for example in the form of a base plate, and one or more support structures arranged thereon. The support structures are designed such that the chips can be placed on the one or more support structures such that the surfaces of the chips to be protected are not in direct contact with the one or more support structures.

Bevorzugt weisen die eine oder die mehreren Tragestrukturen die Form eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Rahmen und/oder eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Gitter auf, wodurch Aussparungen in der Schablone definiert werden, die der Platzierung der Chips und dem Schutz von zu schützenden Oberflächen, beispielsweise von MEMS-Strukturen, dienen. Insbesondere können im Fall von mehreren Tragestrukturen alle Tragestrukturen der Schablone die gleiche Form aufweisen, beispielsweise die Form eines rechteckigen, dreieckigen, sechseckigen oder trapezförmigen Rahmens oder eines rechteckigen, dreieckigen, sechseckigen oder trapezförmigen Gitters. Die durch den einen oder die mehreren Rahmen und/oder das eine oder die mehreren Gitter definierten Aussparungen weisen vorzugsweise eine oder mehrere Wände (beispielsweise eine Seitenwand oder einen Boden) mit einem oder mehreren Kanälen auf, die geeignet sind, einen Unterdruck oder ein Vakuum anzulegen, um die auf den Aussparungen platzierten Chips anzusaugen. Mit Ausnahme solcher optionalen Kanäle sind die Wände der Aussparungen vorzugsweise gasdicht oder weisen nur eine geringe Permeabilität auf.Preferably, the one or more support structures have the shape of one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal frames and/or one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal grids, thereby defining recesses in the template that serve to place the chips and protect surfaces to be protected, for example MEMS structures. In particular, in the case of multiple support structures, all support structures of the template can have the same shape, for example the shape of a rectangular, triangular, hexagonal or trapezoidal frame or a rectangular, triangular, hexagonal or trapezoidal grid. The recesses defined by the one or more frames and/or the one or more grids preferably have one or more walls (for example a side wall or a bottom) with one or more channels that are suitable for applying a negative pressure or a vacuum in order to suck in the chips placed on the recesses. With the exception of such optional channels, the walls of the recesses are preferably gas-tight or have only a low permeability.

Es ist auch denkbar, dass zumindest Teile des Bodens der Schablone oder vorzugsweise der gesamte Boden oder die gesamte Schablone für Licht in einem Wellenlängenbereich zumindest teilweise transparent sind. Im Allgemeinen kann eine Schablone sowohl in einem bestimmen Wellenlängenbereich transparente als auch nichttransparente Materialien aufweisen. Hierbei ist unter Licht elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Bereich des elektromagnetischen Spektrums sowie ultraviolette als auch infrarote Strahlung zu verstehen. Dies ermöglicht es, optische Tests und Messungen an den einzelnen Chips durchzuführen. Dementsprechend ist es vorteilhaft, für Teile der Schablone, beispielsweise den Boden oder Teile des Bodens, ein in einem gewünschten Wellenlängenbereich oder bei einer gewünschten Wellenlänge transparentes Material zu verwenden. Mögliche Wellenlängenbereiche sind beispielsweise der UV-Bereich, der sichtbare Bereich und der IR-Bereich. Je nach Wellenlänge kann das Material so gewählt werden, dass eine Transparenz erreicht wird. Beispiele für geeignete optische Messverfahren sind Messungen mit einem Weißlichtinterferometer (beispielsweise im Wellenlängenbereich von 400 bis 800 nm) oder mit einem Laservibrometer (beispielsweise bei Wellenlängen von 633 oder 1550 nm). So kann zumindest ein Teil des Bodens der Schablone und vorzugsweise der gesamte Boden oder die gesamte Schablone aus einem Glas bestehen oder ein Glas aufweisen. Als Gläser kommen beispielsweise Bor-Silikatglas, Quarzglas, oder Saphirglas in Frage. Alternativ zu einem Glas sind auch andere transparente Materialien denkbar. Beispielsweise kann Silizium als IR-transparentes Material für Messungen im IR-Bereich eingesetzt werden.It is also conceivable that at least parts of the base of the stencil or preferably the entire base or the entire stencil are at least partially transparent to light in a wavelength range. In general, a stencil can have both transparent and non-transparent materials in a certain wavelength range. Light here means electromagnetic radiation in the visible range of the electromagnetic spectrum as well as ultraviolet and infrared radiation. This makes it possible to carry out optical tests and measurements on the individual chips. Accordingly, it is advantageous to use a material that is transparent in a desired wavelength range or at a desired wavelength for parts of the stencil, for example the base or parts of the base. Possible wavelength ranges are, for example, the UV range, the visible range and the IR range. Depending on the wavelength, the material can be selected so that transparency is achieved. Examples of suitable optical measuring methods are measurements with a white light interferometer (for example in the wavelength range from 400 to 800 nm) or with a laser vibrometer (for example at wavelengths of 633 or 1550 nm). At least part of the base of the template and preferably the entire base or the entire template can consist of glass or have glass. Examples of possible glasses are boron silicate glass, quartz glass or sapphire glass. Other transparent materials are also conceivable as an alternative to glass. For example, silicon can be used as an IR-transparent material for measurements in the IR range.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Die Erfindung offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung, die geeignet sind, in einem Herstellungsprozess einer Baugruppe mit Halbleiterchips, beispielsweise MEMS-Chips, diese Chips vor Beschädigung und/oder Verschmutzung zu schützen und gleichzeitig eine hohe Füllrate zu gewährleisten.The invention discloses a method and a device which are suitable for protecting semiconductor chips, for example MEMS chips, from damage and/or contamination in a manufacturing process of an assembly and at the same time ensuring a high fill rate.

So ermöglicht es die vorgeschlagene und im Verfahren eingesetzte Montageschablone, die Chips nach einer Vereinzelung vom zugrundeliegenden Wafer in einer vorgegebenen Weise anzuordnen und anschließend weiterzuverarbeiten, also beispielsweise mit einem weiteren gemeinsamen Bauelement zu verbinden. Ein solches Verfahren ermöglicht auch eine höhere Ausbeute der herzustellenden Baugruppe, da die Chips vor dem Verbinden mit dem gemeinsamen Bauelement selektiert werden können. Wenn die Schablone optisch transparent ausgeführt ist, können die Chips vor und/oder nach dem Verbinden mit einem weiteren gemeinsamen Bauelement optischen Tests unterzogen werden, zum Beispiel mittels Wafer-Level-Tests. Weiterhin ermöglicht eine entsprechend ausgeführte Schablone eine Nivellierung der Chips in der Achse senkrecht zu den zu schützenden Oberflächen.The assembly template proposed and used in the process enables the chips to be separated from the underlying To arrange wafers in a predetermined manner and then process them further, for example to connect them to another common component. Such a process also enables a higher yield of the assembly to be produced, since the chips can be selected before being connected to the common component. If the stencil is optically transparent, the chips can be subjected to optical tests before and/or after being connected to another common component, for example using wafer level tests. Furthermore, an appropriately designed stencil enables the chips to be leveled in the axis perpendicular to the surfaces to be protected.

Ein weiterer Vorteil ergibt sich daraus, dass ein Fügeverfahren wie ein Verkleben oder Bonden der Chips mit der Schablone typischerweise nicht erforderlich ist. Dadurch können die Tragestrukturen schmaler gestaltet werden als dies beispielsweise bei einem Verkleben oder Bonden einer Schutzkappe erforderlich wäre. Dies ermöglicht einen höheren Füllfaktor als bei vielen aus dem Stand der Technik bekannten Ansätzen. Falls gewünscht, kann die Schablone so gestaltet sein, dass ein Unterdruck oder Vakuum angelegt werden kann, um die Chips temporär zu fixieren. Durch Änderung des Schablonendesigns kann weiterhin die Anordnung der Chips zueinander und damit das Layout der herzustellenden Baugruppe kostengünstig angepasst werden.A further advantage is that a joining process such as gluing or bonding the chips to the stencil is typically not required. This means that the support structures can be made narrower than would be necessary, for example, if a protective cap were glued or bonded. This enables a higher fill factor than with many approaches known from the prior art. If desired, the stencil can be designed in such a way that a negative pressure or vacuum can be applied to temporarily fix the chips. By changing the stencil design, the arrangement of the chips in relation to one another and thus the layout of the assembly to be produced can also be adjusted cost-effectively.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description of the drawings

Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der Zeichnungen und der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.Embodiments of the invention are explained in more detail with reference to the drawings and the following description.

Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines Wafers mit Chips zur Veranschaulichung eines erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines Wafers mit Chips bei Entnehmen der Chips entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren;
  • 3 eine schematische Darstellung von Chips bei einem Platzieren auf einer erfindungsgemäßen Schablone entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren;
  • 4 eine schematische Darstellung eines Querschnitts von in einer erfindungsgemäßen Schablone platzierten Chips, die entsprechend des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einem gemeinsamen Bauelement verbunden werden; und
  • 5 in schematischer Form als Flussdiagramm ein beispielhaftes erfindungsgemäßes Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers.
They show:
  • 1 a schematic representation of a cross section of a wafer with chips to illustrate a method according to the invention;
  • 2 a schematic representation of a cross-section of a wafer with chips during removal of the chips according to the method according to the invention;
  • 3 a schematic representation of chips being placed on a template according to the invention in accordance with the method according to the invention;
  • 4 a schematic representation of a cross-section of chips placed in a template according to the invention, which are connected to a common component according to the method according to the invention; and
  • 5 in schematic form as a flow chart an exemplary inventive method for processing a wafer.

Ausführungsformen der Erfindungembodiments of the invention

In der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente in Einzelfällen verzichtet wird. Die Figuren stellen den Gegenstand der Erfindung nur schematisch dar. Weiterhin sind in den 1 bis 4 der besseren Übersicht halber die dargestellten einzelnen Elemente bei mehrfachem Vorkommen nur teilweise mit Bezugszeichen versehen.In the following description of the embodiments of the invention, identical or similar elements are designated with identical reference numerals, whereby a repeated description of these elements is omitted in individual cases. The figures only represent the subject matter of the invention schematically. Furthermore, in the 1 to 4 For the sake of clarity, the individual elements shown are only partially provided with reference symbols when they occur multiple times.

Die 1 zeigt in schematischer Darstellung einen Querschnitt eines Wafers 100 mit Chips 120 zur Veranschaulichung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Verarbeiten des Wafers 100. Die Chips 120, bei denen es sich in diesem Beispiel um MEMS-Chips 120 handelt, werden bei verschiedenen Varianten der Vereinzelung gezeigt. Hierbei ist der Wafer 100 nach einem Opferschichtätzen dargestellt, durch das Strukturen 122 freigestellt und Aussparungen 110 und Spaltstrukturen 180a, 180b, 180c mit Spalten 182a, 182b, 182c geschaffen wurden. Die Strukturen 122 können MEMS-Strukturen 122' zum Beispiel für Mikrospiegel-Arrays umfassen, die eine zu schützende Oberfläche 122b wie eine Spiegeloberfläche aufweisen. Die ursprüngliche Form des Wafers 100 vor dem Opferschichtätzen ist durch eine gestrichelte Linie 101 angedeutet, die auch den ursprünglichen Verlauf einer ersten Oberfläche 100a und einer zweiten Oberfläche 100b des Wafers 100 verdeutlicht.The 1 shows a schematic representation of a cross section of a wafer 100 with chips 120 to illustrate a method according to the invention for processing the wafer 100. The chips 120, which in this example are MEMS chips 120, are shown in different variants of the separation. Here, the wafer 100 is shown after a sacrificial layer etching, by which structures 122 were exposed and recesses 110 and gap structures 180a, 180b, 180c with gaps 182a, 182b, 182c were created. The structures 122 can comprise MEMS structures 122', for example for micromirror arrays, which have a surface 122b to be protected, such as a mirror surface. The original shape of the wafer 100 before the sacrificial layer etching is indicated by a dashed line 101, which also illustrates the original course of a first surface 100a and a second surface 100b of the wafer 100.

Der linke Chip 120a und der mittlere Chip 120b der MEMS-Chips 120 weisen jeweils Stege 150a, 150b auf, die sie mit einem Rest 105 des Wafers 100 verbinden. Hierbei ist der Chip 120a über die vertikalen Stege 150a und der Chip 120b über die horizontalen Stege 150b mit dem jeweiligen Rest 105 des Wafers 100 verbunden. Im Gegensatz dazu ist der rechte Chip 120c bereits vollständig vereinzelt, er wird nicht durch Stege im Wafer 100 gehalten. Bei den Spaltstrukturen 180a, 180b mit den Spalten 182a, 182b handelt es sich dementsprechend um lokal perforierende Spaltstrukturen. Bei der Spaltstruktur 180c kann es sich um eine durchgängig durchdringende Spaltstruktur 180c mit einem den Chip 120c umschließenden Spalt 182c handeln, durch die der Chip 120c aus dem Wafer 100 herausgelöst wurde. Allerdings wird die Bewegung des Chips 120c in einer Richtung 140 senkrecht zu der ersten Oberfläche 100a des Wafers 100, verdeutlicht in der Zeichnung durch einen entsprechenden Pfeil, mittels Haltestrukturen 160 in der Form von Vorsprüngen im Rest 105 des Wafers 100 eingeschränkt, die in die Spalte 182c hineinragen. Diese Haltestrukturen 160 blockieren den Weg des Chips 120c bei Bewegung in Richtung 140, wobei die Haltestrukturen 160 so gestaltet sind, dass sie nur mit Bereichen des Chips 120c in Kontakt geraten, die nicht Teil der zu schützenden Oberfläche 122b sind.The left chip 120a and the middle chip 120b of the MEMS chips 120 each have webs 150a, 150b that connect them to a remainder 105 of the wafer 100. The chip 120a is connected to the respective remainder 105 of the wafer 100 via the vertical webs 150a and the chip 120b is connected to the respective remainder 105 of the wafer 100 via the horizontal webs 150b. In contrast, the right chip 120c is already completely separated; it is not held in the wafer 100 by webs. The gap structures 180a, 180b with the gaps 182a, 182b are accordingly locally perforating gap structures. The gap structure 180c can be a continuously penetrating gap structure 180c with a gap 182c enclosing the chip 120c, through which the chip 120c was detached from the wafer 100. However, the movement of the chip 120c in a direction 140 perpendicular to the first surface 100a of the wafer 100, illustrated in the drawing by a corresponding arrow, is restricted by means of holding structures 160 in the form of projections in the remainder 105 of the wafer 100. which protrude into the gap 182c. These holding structures 160 block the path of the chip 120c when moving in the direction 140, wherein the holding structures 160 are designed such that they only come into contact with areas of the chip 120c that are not part of the surface 122b to be protected.

Weiterhin gezeigt sind Metallkontakte 124, mit denen der Wafer 100 versehen wurde, die der elektrischen Kontaktierung zu anderen Bauelementen dienen können, beispielsweise um die MEMS-Chips 120 elektronisch anzusteuern.Also shown are metal contacts 124 with which the wafer 100 was provided, which can serve for electrical contact with other components, for example to electronically control the MEMS chips 120.

2 zeigt nun eine schematische Darstellung eines Querschnitts des Wafers 100 der 1 mit den MEMS-Chips 120 bei Entnehmen der MEMS-Chips 120 entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren dar. Hierbei kann das Entnehmen beispielsweise mittels einer Vorrichtung 200 für Pick-and-Place (Pick-and-Place-Vorrichtung, beispielsweise ein Pick-and-Place-Roboter) erfolgen, die einen Unterdruck zum Bewegen der MEMS-Chips 120 erzeugt. In der 2 erfolgt gerade ein Entnehmen des linken Chips 120a, das mit einem Vereinzeln durch Brechen der vertikalen Stege 150a einhergeht. 2 now shows a schematic representation of a cross section of the wafer 100 of the 1 with the MEMS chips 120 when removing the MEMS chips 120 according to the method according to the invention. The removal can be carried out, for example, by means of a device 200 for pick-and-place (pick-and-place device, for example a pick-and-place robot), which generates a negative pressure for moving the MEMS chips 120. In the 2 The left chip 120a is currently being removed, which is accompanied by a separation by breaking the vertical webs 150a.

In 3 schematisch dargestellt sind die MEMS-Chips 120 bei beziehungsweise nach einem Platzieren durch die Pick-and-Place-Vorrichtung 200 auf einer erfindungsgemäßen Schablone 300 entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren. Diese Schablone 300 weist einen Boden 320 in Form einer Bodenplatte 320 auf, auf dem sich Tragestrukturen 310 befinden. Diese Tragestrukturen 310 können beispielsweise die Form von rechteckigen Rahmen aufweisen. Die Tragestrukturen 310 bilden mit der Bodenplatte 320 eine Mehrzahl von Aussparungen 350, die der Aufnahme der MEMS-Strukturen 122' und deren zu schützenden Oberflächen 122b dienen. Die Aussparungen 350 weisen somit Seitenwände 352 auf, die gleichzeitig die Tragestrukturen 310 bilden, und haben jeweils einen Boden 354, der einen Teil der Bodenplatte 320 darstellt.In 3 The MEMS chips 120 are shown schematically during or after placement by the pick-and-place device 200 on a template 300 according to the invention in accordance with the method according to the invention. This template 300 has a base 320 in the form of a base plate 320 on which support structures 310 are located. These support structures 310 can, for example, have the form of rectangular frames. The support structures 310 form a plurality of recesses 350 with the base plate 320, which serve to accommodate the MEMS structures 122' and their surfaces 122b to be protected. The recesses 350 thus have side walls 352, which simultaneously form the support structures 310, and each have a base 354, which represents a part of the base plate 320.

Die Schablone 300 schützt somit die zu schützenden Oberflächen 122b der MEMS-Chips 120, beispielsweise während folgender Schritte eines Herstellungsprozesses für eine auf den Chips basierende Baugruppe. Durch die Schablone 300 wird weiterhin eine definierte Anordnung der MEMS-Chips 120 erreicht. Zur besseren Fixierung der MEMS-Chips 120 können wir in der 3 gezeigt die durch die Bodenplatte 320 und die Tragestrukturen 310 erzeugten Aussparungen 350 mit Kanälen 360 in einer Wand, hier in dem Boden 354 der jeweiligen Aussparung 350, versehen sein, die dem Anlegen eines Unterdrucks oder Vakuums dienen können. Wie gezeigt können die MEMS-Chips 120 mit einem geringen Abstand zueinander auf der Schablone 300 platziert werden. Dies ermöglicht es, einen hohen Füllfaktor der MEMS-Chips 120 zu erreichen.The template 300 thus protects the surfaces 122b of the MEMS chips 120 that are to be protected, for example during subsequent steps of a manufacturing process for an assembly based on the chips. The template 300 also achieves a defined arrangement of the MEMS chips 120. For better fixing of the MEMS chips 120, we can 3 As shown, the recesses 350 created by the base plate 320 and the support structures 310 can be provided with channels 360 in a wall, here in the base 354 of the respective recess 350, which can serve to apply a negative pressure or vacuum. As shown, the MEMS chips 120 can be placed on the template 300 with a small distance from one another. This makes it possible to achieve a high fill factor of the MEMS chips 120.

Wie in 4 dargestellt können die so platzierten MEMS-Chips 120 mit einem gemeinsamen Bauelement 400 verbunden werden, beispielsweise mittels eines Verlötens der Metallkontakte 124. Bei diesem gemeinsamen Bauelement 400 kann es sich beispielsweise um eine Baugruppe mit elektronischen Komponenten zur Ansteuerung der MEMS-Chips 120 handeln. Eine elektrische Verbindung kann nach dem Löten beispielsweise über die nun verlöteten Metallkontakte 124' erfolgen.As in 4 As shown, the MEMS chips 120 placed in this way can be connected to a common component 400, for example by soldering the metal contacts 124. This common component 400 can be, for example, an assembly with electronic components for controlling the MEMS chips 120. An electrical connection can be made after soldering, for example via the now soldered metal contacts 124'.

5 schließlich zeigt in schematischer Form als Flussdiagramm ein beispielhaftes erfindungsgemäßes Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers 100. Zuerst wird in Schritt 510a ein Wafer 100 mit einer ersten Oberfläche 100a und einer der ersten Oberfläche 100a gegenüberliegenden zweiten Oberfläche 100b bereitgestellt. Dieser Wafer 100 weist Strukturen 122 für eine Mehrzahl von Chips 120, beispielsweise MEMS-Chips 120, mit jeweils einer zu schützenden Oberfläche 122b auf. Weiterhin bereitgestellt wird in Schritt 510b eine Schablone 300 mit einem Boden 320 und darauf angeordneten ein oder mehreren Tragestrukturen 310. 5 Finally, in schematic form as a flow chart, an exemplary method according to the invention for processing a wafer 100 is shown. First, in step 510a, a wafer 100 with a first surface 100a and a second surface 100b opposite the first surface 100a is provided. This wafer 100 has structures 122 for a plurality of chips 120, for example MEMS chips 120, each with a surface 122b to be protected. Furthermore, in step 510b, a template 300 with a base 320 and one or more support structures 310 arranged thereon is provided.

Vor einem Vereinzeln 520 des Wafers 100 kann ein Ausbilden 512 einer einzelne Chips 120 umschließenden und den Wafer 100 lokal perforierenden Spaltstruktur 180a, 180b mit mehreren Spalten 182a, 182b im Wafer 100 erfolgen. Das Vereinzeln 520 erfolgt dann zumindest teilweise entlang dieser mehreren Spalten 182a, 182b, wobei durch das Ausbilden 512 der lokal perforierenden Spaltstruktur 180a, 180b vorzugsweise Stege 150a, 150b zwischen den Spalten 182a, 182b ausgeprägt werden, die jeweils horizontal oder vertikal bezüglich der ersten Oberfläche 100a verlaufen und die Chips 120 in dem Wafer 100 halten. Mit einem solchen Schritt, der typischerweise mittels eines Ätzens durchgeführt wird, kann ein Freistellen 514 von eventuell vorhandenen MEMS-Strukturen 122' vor dem Vereinzeln 520 des Wafers 100 kombiniert werden.Before the wafer 100 is singulated 520, a gap structure 180a, 180b with a plurality of gaps 182a, 182b can be formed 512 in the wafer 100, enclosing individual chips 120 and locally perforating the wafer 100. The singulation 520 then takes place at least partially along these multiple gaps 182a, 182b, wherein the formation 512 of the locally perforating gap structure 180a, 180b preferably forms webs 150a, 150b between the gaps 182a, 182b, which run horizontally or vertically with respect to the first surface 100a and hold the chips 120 in the wafer 100. Such a step, which is typically carried out by means of etching, can be combined with a clearance 514 of possibly existing MEMS structures 122' before the dicing 520 of the wafer 100.

Nach einem Vereinzeln 520 des Wafers 100 in die Chips 120, das typischerweise nach oder mit einem Opferschichtätzen erfolgt, können in Schritt 530 die Chips 120 aus dem Wafer 100 entnommen werden.After a separation 520 of the wafer 100 into the chips 120, which typically takes place after or with a sacrificial layer etching, the chips 120 can be removed from the wafer 100 in step 530.

Schließlich wird in Schritt 540 zumindest eines Teils der entnommenen Chips 120 auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen 310 der Schablone 300 platziert, um eine gewünschte Anordnung, also eine gewünschte Position und Ausrichtung, der platzierten Chips 120 zu erreichen. Hierbei werden die zu schützenden Oberflächen 122b zum Boden 320 der Schablone 300 hin gerichtet. Sie kommen nicht mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen 310 in direktem Kontakt. Anschließend erfolgt ein Verbinden 550 der platzierten Chips 120 mit einem gemeinsamen Bauelement 400, wobei die Anordnung der platzierten Chips 120 zueinander erhalten bleibt.Finally, in step 540, at least a portion of the removed chips 120 is placed on the one or more support structures 310 of the template 300 in order to achieve a desired arrangement, i.e. a desired position and orientation, of the placed chips 120. Here the surfaces 122b to be protected are directed towards the bottom 320 of the stencil 300. They do not come into direct contact with the one or more support structures 310. The placed chips 120 are then connected 550 to a common component 400, the arrangement of the placed chips 120 relative to one another being maintained.

Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele und die darin hervorgehobenen Aspekte beschränkt. Vielmehr ist innerhalb des durch die Ansprüche angegebenen Bereichs eine Vielzahl von Abwandlungen möglich, die im Rahmen fachmännischen Handelns liegen.The invention is not limited to the embodiments described here and the aspects highlighted therein. Rather, a large number of modifications are possible within the scope specified by the claims, which are within the scope of expert action.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 10 2013 208 446 A1 [0002]DE 10 2013 208 446 A1 [0002]
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  • DE 10 2009 029 202 A1 [0002]DE 10 2009 029 202 A1 [0002]
  • DE 10 2015 206 996 A1 [0002]DE 10 2015 206 996 A1 [0002]

Claims (11)

Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers (100) mit den folgenden Schritten: a. Bereitstellen (510a) des Wafers (100) mit Strukturen (122) für eine Mehrzahl von Chips (120) und einer ersten Oberfläche (100a) und einer der ersten Oberfläche (100a) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (100b); b. Bereitstellen (510b) einer Schablone (300) mit einem Boden (320) und darauf angeordneten ein oder mehreren Tragestrukturen (310); c. Vereinzeln (520) des Wafers (100) in die Chips (120), wobei jeder Chip (120) eine zu schützende Oberfläche (122b) aufweist; d. Entnehmen (530) der Chips (120) aus dem Wafer (100); e. Platzieren (540) zumindest eines Teils der entnommenen Chips (120) auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen (310) der Schablone (300) um eine gewünschte Anordnung der platzierten Chips (120) zu erreichen derart, dass die zu schützenden Oberflächen (122b) zum Boden (320) der Schablone (300) hin gerichtet sind und nicht mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen (310) in direktem Kontakt stehen; und f. anschließendes Verbinden (550) der platzierten Chips (120) mit einem gemeinsamen Bauelement (400), wobei die Anordnung der platzierten Chips (120) zueinander erhalten bleibt.Method for processing a wafer (100) with the following steps: a. Providing (510a) the wafer (100) with structures (122) for a plurality of chips (120) and a first surface (100a) and a second surface (100b) opposite the first surface (100a); b. Providing (510b) a template (300) with a base (320) and one or more support structures (310) arranged thereon; c. Singling (520) the wafer (100) into the chips (120), each chip (120) having a surface (122b) to be protected; d. Removing (530) the chips (120) from the wafer (100); e. Placing (540) at least a portion of the removed chips (120) on the one or more support structures (310) of the template (300) in order to achieve a desired arrangement of the placed chips (120) such that the surfaces (122b) to be protected are directed towards the bottom (320) of the template (300) and are not in direct contact with the one or more support structures (310); and f. subsequently connecting (550) the placed chips (120) to a common component (400), wherein the arrangement of the placed chips (120) relative to one another is maintained. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Wafer (100) Haltestrukturen (160) aufweist und/oder vor oder während des Vereinzelns (520) des Wafers (100) ein Ausbilden (512) von Haltestrukturen (160) im Wafer (100) erfolgt, wobei die Haltestrukturen (160) ausgestaltet sind, mögliche Bewegungen der Chips (120) nach dem Vereinzeln (520) in zumindest einer Richtung (140) senkrecht zu der ersten Oberfläche (100a) des Wafers (100) einzuschränken.procedure according to claim 1 , wherein the wafer (100) has holding structures (160) and/or before or during the singulation (520) of the wafer (100) a formation (512) of holding structures (160) takes place in the wafer (100), wherein the holding structures (160) are designed to restrict possible movements of the chips (120) after the singulation (520) in at least one direction (140) perpendicular to the first surface (100a) of the wafer (100). Verfahren nach Anspruch einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Vereinzeln (520) des Wafers (100) ein Ausbilden (512) einer einzelne Chips (120) umschließenden und den Wafer (100) lokal perforierenden Spaltstruktur (180a, 180b) mit mehreren Spalten (182a, 182b) im Wafer (100) erfolgt und das Vereinzeln (520) zumindest teilweise entlang dieser mehreren Spalten (182a, 182b) erfolgt, wobei durch das Ausbilden (512) der lokal perforierenden Spaltstruktur (180a, 180b) vorzugsweise Stege (150a, 150b) zwischen den Spalten (182a, 182b) ausgeprägt werden, die jeweils horizontal oder vertikal bezüglich der ersten Oberfläche (100a) verlaufen und die Chips (120) in dem Wafer (100) halten.Method according to claim one of the preceding claims, wherein prior to the singulation (520) of the wafer (100), a formation (512) of a gap structure (180a, 180b) enclosing individual chips (120) and locally perforating the wafer (100) takes place in the wafer (100), and the singulation (520) takes place at least partially along these multiple columns (182a, 182b), wherein the formation (512) of the locally perforating gap structure (180a, 180b) preferably forms webs (150a, 150b) between the columns (182a, 182b), which each run horizontally or vertically with respect to the first surface (100a) and hold the chips (120) in the wafer (100). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei während des Vereinzelns (520) des Wafers ein Ausbilden (512) einer einzelne Chips (120) umschließenden und den Wafer (100) durchgängig durchdringenden Spaltstruktur (180c) mit einem oder mehreren Spalten (182c) im Wafer (100) erfolgt und das Vereinzeln (520) zumindest teilweise durch das Ausbilden der Spaltstruktur (180c) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein during the singulation (520) of the wafer, a formation (512) of a gap structure (180c) enclosing individual chips (120) and continuously penetrating the wafer (100) with one or more gaps (182c) takes place in the wafer (100), and the singulation (520) takes place at least partially by the formation of the gap structure (180c). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Strukturen (122) für die Chips (120) MEMS-Strukturen (122') für mikroelektromechanische Systeme umfassen und die zu schützenden Oberflächen (122b) Teil der MEMS-Strukturen (122') sind, wobei ein Freistellen (514) der MEMS-Strukturen (122') vor dem Vereinzeln (520) des Wafers (100) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the structures (122) for the chips (120) comprise MEMS structures (122') for microelectromechanical systems and the surfaces (122b) to be protected are part of the MEMS structures (122'), wherein a release (514) of the MEMS structures (122') takes place before the dicing (520) of the wafer (100). Verfahren nach Anspruch 5, wobei die offenen MEMS-Strukturen (122') MEMS-Strukturen für ein Mikrospiegel-Array umfassen.procedure according to claim 5 , wherein the open MEMS structures (122') comprise MEMS structures for a micromirror array. Schablone (300) zur Platzierung von Chips (120) mit zu schützenden Oberflächen (122b), vorzugsweise zur Verwendung in einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schablone (300) eine Boden (320) und darauf angeordnete eine oder mehrere Tragestrukturen (310) umfasst, wobei die Tragestrukturen (310) so gestaltet sind, dass die Chips (120) auf der einen oder den mehreren Tragestrukturen (310) so platzierbar sind, dass die zu schützenden Oberflächen (122b) nicht in direktem Kontakt mit der einen oder den mehreren Tragestrukturen (310) in Kontakt stehen.Template (300) for placing chips (120) with surfaces (122b) to be protected, preferably for use in a method according to one of the preceding claims, wherein the template (300) comprises a base (320) and one or more support structures (310) arranged thereon, wherein the support structures (310) are designed such that the chips (120) can be placed on the one or more support structures (310) such that the surfaces (122b) to be protected are not in direct contact with the one or more support structures (310). Schablone (300) nach Anspruch 7, wobei die eine oder die mehreren Tragestrukturen (310) die Form eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Rahmen und/oder eines oder mehrerer rechteckiger, dreieckiger, sechseckiger und/oder trapezförmiger Gitter aufweisen, wodurch Aussparungen (350) in der Schablone (300) definiert werden, die der Platzierung der Chips (120) und dem Schutz der zu schützenden Oberflächen (122b) dienen.template (300) after claim 7 , wherein the one or more support structures (310) have the shape of one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal frames and/or one or more rectangular, triangular, hexagonal and/or trapezoidal grids, thereby defining recesses (350) in the template (300) which serve to place the chips (120) and to protect the surfaces to be protected (122b). Schablone (300) nach Anspruch 8, wobei die durch den einen oder die mehreren Rahmen und/oder das eine oder die mehreren Gitter definierten Aussparungen (350) jeweils eine Wand (352, 354) mit einem Kanal (360) aufweisen, der geeignet ist, einen Unterdruck oder ein Vakuum anzulegen, um die auf den Aussparungen platzierten Chips (120) anzusaugen.template (300) after claim 8 , wherein the recesses (350) defined by the one or more frames and/or the one or more grids each have a wall (352, 354) with a channel (360) suitable for applying a negative pressure or a vacuum in order to suck in the chips (120) placed on the recesses. Schablone (300) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei zumindest Teile des Bodens (320) der Schablone (300) zumindest teilweise transparent für Licht in einem Wellelenlängenbereich ist.Template (300) according to one of the Claims 7 until 9 , wherein at least parts of the bottom (320) of the template (300) are at least partially transparent to light in a wavelength range. Schablone (300) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei zumindest Teile des Bodens (320) der Schablone (300) aus einem Glas bestehen oder ein Glas aufweisen.Template (300) according to one of the Claims 7 until 10 , wherein at least parts of the bottom (320) of the template (300) consist of a glass or have a glass.
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