DE102024200534A1 - OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM - Google Patents
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Abstract
Ein optisches System (200), aufweisend ein Bauteil (202) und einen Schwingungsdämpfer (204) zum Dämpfen von Schwingungen des Bauteils (202), welcher auf einer Oberfläche (212) des Bauteils (202) befestigt ist, wobei der Schwingungsdämpfer (204) einen Mehrschichtaufbau mit mehreren piezoelektrischen Schichten (214) und mindestens eine vorzugsweise an dem Mehrschichtaufbau angeordnete Tilgermasse (216) aufweist, und wobei mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten (214) mit einer Anregungsfrequenz, die eine bauteileigene Schwingungsfrequenz umfasst, anregbar ist. An optical system (200) comprising a component (202) and a vibration damper (204) for damping vibrations of the component (202), which is fastened to a surface (212) of the component (202), wherein the vibration damper (204) has a multilayer structure with several piezoelectric layers (214) and at least one damper mass (216) preferably arranged on the multilayer structure, and wherein at least one of the several piezoelectric layers (214) can be excited with an excitation frequency which includes an inherent vibration frequency of the component.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System und eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System.The present invention relates to an optical system and a lithography system with such an optical system.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to produce microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system that has an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate, such as a silicon wafer, that is coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system in order to transfer the mask structure onto the light-sensitive coating of the substrate.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the pursuit of ever smaller structures in the manufacture of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed that use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm. Since most materials absorb light of this wavelength, such EUV lithography systems must use reflective optics, i.e. mirrors, instead of - as previously - refractive optics, i.e. lenses.
Die Spiegel können z. B. an einem Tragrahmen (Engl.: force frame) befestigt und wenigstens teilweise manipulierbar ausgestaltet sein, um eine Bewegung eines jeweiligen Spiegels in bis zu sechs Freiheitsgraden und damit eine hochgenaue Positionierung der Spiegel zueinander, insbesondere im pm-Bereich, zu ermöglichen. Somit können etwa im Betrieb der Lithographieanlage auftretende Änderungen der optischen Eigenschaften, z. B. infolge von thermischen Einflüssen, kompensiert werden.The mirrors can be attached to a support frame (force frame) and designed to be at least partially manipulable in order to enable movement of each mirror in up to six degrees of freedom and thus highly precise positioning of the mirrors relative to one another, particularly in the pm range. This means that changes in the optical properties that occur during operation of the lithography system, e.g. as a result of thermal influences, can be compensated.
Durch Effekte innerhalb wie außerhalb der Lithographieanlage können parasitäre Schwingungen entstehen. Diese können sich auf unterschiedliche Weise negativ auf den Mikrolithographieprozess auswirken: Einerseits können die parasitären Schwingungen direkt auf die Position eines entsprechenden Spiegels und/oder einer Linse Einfluss nehmen. Andererseits können sie eine stabile Positionsregelung der entsprechenden Linse und/oder des entsprechenden Spiegels bzw. eine Positionsregelung mit hoher Regelgüte erschweren.Parasitic oscillations can arise from effects inside and outside the lithography system. These can have a negative impact on the microlithography process in various ways: On the one hand, the parasitic oscillations can have a direct influence on the position of a corresponding mirror and/or lens. On the other hand, they can make stable position control of the corresponding lens and/or mirror or position control with high control quality more difficult.
Entsprechend ist man bestrebt, kritische Bauteile, wie etwa die Spiegel, im Hinblick auf die parasitären Schwingungen zu isolieren (sog. Schwingungsisolation). Die
Zudem sind aus dem Stand der Technik Schwingungsdämpfer bekannt, die als Feder-Masse-Systeme ausgebildet sind, und zumeist auf eine einzelne feste oder mehrere dicht beieinander liegende Resonanzfrequenzen ausgelegt sind. Somit können diese Schwingungsdämpfer nach Ingebrauchnahme nicht mehr an veränderte Systembedingungen adaptiert werden. Es ist insbesondere nicht möglich, nachträglich eine Dämpferfrequenz und/oder eine Dämpferfrequenzbreite und/oder eine Dämpfungsamplitude zu verändern.In addition, vibration dampers are known from the state of the art that are designed as spring-mass systems and are usually designed for a single fixed resonance frequency or several resonance frequencies that are close to each other. This means that these vibration dampers can no longer be adapted to changed system conditions after they have been put into use. In particular, it is not possible to subsequently change a damper frequency and/or a damper frequency width and/or a damping amplitude.
Ebenfalls werden in bekannten Schwingungsdämpfern als Dämpfungsmaterialien oftmals sogenannte p-Phasen-Materialen, insbesondere polyetherbasierte Materialen, eingesetzt. Diese Materialgruppe wird aufgrund von negativen Umwelteinflüssen zunehmend kritisch betrachtet, und soll in den kommenden Jahren hinsichtlich ihres Einsatzspektrums stark beschränkt werden.So-called p-phase materials, especially polyether-based materials, are also often used as damping materials in known vibration dampers. This group of materials is increasingly viewed critically due to negative environmental influences and its range of applications is set to be severely restricted in the coming years.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System bereitzustellen.Against this background, an object of the present invention is to provide an improved optical system.
Demgemäß wird ein optisches System vorgeschlagen. Das optische System weist ein Bauteil und einen Schwingungsdämpfer zum Dämpfen von Schwingungen des Bauteils auf. Der Schwingungsdämpfer ist auf einer Oberfläche des Bauteils befestigt. Der Schwingungsdämpfer weist einen Mehrschichtaufbau mit mehreren piezoelektrischen Schichten und mindestens eine vorzugsweise an dem Mehrschichtaufbau angeordnete Tilgermasse auf. Mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten ist mit einer Anregungsfrequenz, die eine bauteileigene Schwingungsfrequenz umfasst, anregbar.Accordingly, an optical system is proposed. The optical system has a component and a vibration damper for damping vibrations of the component. The vibration damper is attached to a surface of the component. The vibration damper has a multilayer structure with several piezoelectric layers and at least one damper mass preferably arranged on the multilayer structure. At least one of the several piezoelectric layers can be excited with an excitation frequency that includes an inherent vibration frequency of the component.
Mit der hier beschriebenen Lösung werden vorzugsweise Schwingungen des insbesondere schwach gedämpften Bauteils derart gedämpft, dass sich die Strukturresonanzen und/oder Eigenfrequenzen und/oder Eigenmoden des Bauteils nicht oder nicht so stark aufschwingen. Der hier beschriebene Schwingungsdämpfer ist vorzugsweise dazu ausgebildet, auf die unterschiedlichsten Frequenzen und/oder Schwingformen des Bauteils abgestimmt zu werden. Hierdurch kann der Schwingungsdämpfer, im Unterschied zu bekannten Schwingungstilgern, auf einem um ein vielfaches breiteren Frequenzbereich eingesetzt werden. Der Mehrschichtaufbau mit den mehreren piezoelektrischen Schichten wird im Stack mitsamt der Tilgermasse an dem schwachgedämpften Bauteil befestigt und kann vorzugsweise mit einem hochfrequenten Signal angesteuert werden. Wird die Frequenz und/oder die Phasenlage dieses Signals auf mindestens eine der (Eigen-) Schwingungen des Bauteils abgestimmt, so kann der Schwingungsdämpfer dieser mindestens einen (Eigen-) Schwingung des Bauteils entgegenarbeiten und wirkt folglich als Schwingungstilger. Der Schwingungsdämpfer ist einfach aufgebaut, kompakt gestaltet und kann zur umfassenden Reduzierung von ungewünschten Schwingungen des Bauteils beitragen.With the solution described here, vibrations of the particularly weakly damped component are preferably damped in such a way that the structural resonances and/or natural frequencies and/or natural modes of the component do not oscillate or do not oscillate so strongly. The vibration damper described here is preferably designed to be tuned to the most diverse frequencies and/or vibration shapes of the component. In this way, the vibration damper, in contrast to known vibration absorbers, can operate on a frequency range that is many times wider. frequency range. The multilayer structure with the several piezoelectric layers is attached to the weakly damped component in the stack together with the damper mass and can preferably be controlled with a high-frequency signal. If the frequency and/or the phase position of this signal is adjusted to at least one of the (natural) vibrations of the component, the vibration damper can counteract this at least one (natural) vibration of the component and thus acts as a vibration damper. The vibration damper has a simple structure, a compact design and can contribute to the comprehensive reduction of unwanted vibrations of the component.
Eine der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, Schwingungen des Bauteils, insbesondere Schwingungsmoden, die auch als Eigenmoden bezeichnet werden, nicht relativ zu einer Referenz, beispielsweise einem Auflager, Rahmen oder Auflager, zu isolieren, sondern Schwingungen in dem Bauteil selbst zu dämpfen und/oder abzuschwächen und/oder zu glätten. Die mehreren piezoelektrischen Schichten besitzen im Verhältnis zu dem Bauteil eine vernachlässigbare Masse. Allerdings weist der Schwingungsdämpfer eine zusätzliche Tilgermasse auf. Die Dämpfung wird dadurch erzielt, dass bei einer Schwingung des Bauteils (also einer Verformung desselben) der Schwingungsdämpfer bzw. die piezoelektrischen Schichten aufgrund seiner/ihrer Befestigung an dem Bauteil mitverformt wird/werden und dagegen arbeitet/arbeiten. Die Befestigung an dem Bauteil erfolgt vorzugsweise dazu derart, dass der Schwingungsdämpfer bzw. die mehreren piezoelektrischen Schichten eine Kraft senkrecht in die Oberfläche des Bauteils einleiten. Die mehreren piezoelektrischen Schichten sind vorzugsweise jeweils dazu eingerichtet, für das Dämpfen der Schwingungen des Bauteils senkrecht zu der Oberfläche des Bauteils verformt zu werden.One idea underlying the present invention is not to isolate vibrations of the component, in particular vibration modes, which are also referred to as eigenmodes, relative to a reference, for example a support, frame or support, but to dampen and/or weaken and/or smooth vibrations in the component itself. The multiple piezoelectric layers have a negligible mass in relation to the component. However, the vibration damper has an additional absorber mass. The damping is achieved in that when the component vibrates (i.e. deforms it), the vibration damper or the piezoelectric layers are also deformed due to their attachment to the component and work against it. The attachment to the component is preferably carried out in such a way that the vibration damper or the multiple piezoelectric layers introduce a force perpendicularly into the surface of the component. The plurality of piezoelectric layers are preferably each configured to be deformed perpendicular to the surface of the component for damping the vibrations of the component.
Das Bauteil kann vorzugsweise ein optisches Element, beispielsweise eine Linse oder ein Spiegel, und/oder eine mit einem optischen Element verbundene Lagerung und/oder eine Sensorhalterung und/oder ein Halterahmen und/oder Aktorik und/oder Sensorik und/oder Wärmequelle und/oder Wärmesenke und/oder ein Projektionsobjektiv aufweisen.The component can preferably have an optical element, for example a lens or a mirror, and/or a bearing connected to an optical element and/or a sensor holder and/or a holding frame and/or actuators and/or sensors and/or heat source and/or heat sink and/or a projection lens.
Der Mehrschichtaufbau umfasst vorzugsweise mindestens zwei, und damit mehrere piezoelektrische Schichten. Die piezoelektrischen Schichten sind vorzugsweise aus einem piezoelektrischen Material gebildet. Der Mehrschichtaufbau mit den mehreren piezoelektrischen Schichten kann auch als Piezo-Stack bezeichnet werden. Der Mehrschichtaufbau bzw. die mehreren piezoelektrischen Schichten werden vorzugsweise als Aktuator zur Aktuierung des Bauteils verwendet. Der Schwingungsdämpfer hat vorzugsweise eine Eigenfrequenz im kHz-Bereich. Die mehreren piezoelektrischen Schichten können vorzugweise jeweils in einem breiten Frequenzbereich von beispielsweise 0 - 100 kHz, 0 - 200 kHz, 0 - 500 kHz oder 0 - 1 MHz betrieben werden, so dass eine Dämpfung durch den Schwingungsdämpfer in einem breiten Frequenzbereich, insbesondere dynamisch geregelt, ermöglicht ist.The multilayer structure preferably comprises at least two, and thus several piezoelectric layers. The piezoelectric layers are preferably made of a piezoelectric material. The multilayer structure with the several piezoelectric layers can also be referred to as a piezo stack. The multilayer structure or the several piezoelectric layers are preferably used as an actuator for actuating the component. The vibration damper preferably has a natural frequency in the kHz range. The several piezoelectric layers can preferably each be operated in a wide frequency range of, for example, 0 - 100 kHz, 0 - 200 kHz, 0 - 500 kHz or 0 - 1 MHz, so that damping by the vibration damper in a wide frequency range, in particular dynamically controlled, is possible.
Gemäß einer Ausführungsform ist die mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten mit unterschiedlichen Anregungsfrequenzen anregbar, wenn die Schwingungen des Bauteils unterschiedliche Schwingungsfrequenzen aufweisen. Alternativ oder ergänzend sind die mehreren piezoelektrischen Schichten jeweils mit unterschiedlichen Anregungsfrequenzen anregbar, wenn das Bauteil mehrere unterschiedliche Schwingungsfrequenzen aufweist.According to one embodiment, the at least one of the multiple piezoelectric layers can be excited with different excitation frequencies if the vibrations of the component have different vibration frequencies. Alternatively or additionally, the multiple piezoelectric layers can each be excited with different excitation frequencies if the component has multiple different vibration frequencies.
Jede oder zumindest einige der mehreren piezoelektrischen Schichten kann/können vorzugsweise jeweils separat durch ein entsprechendes Anregungssignal mit einer vorbestimmten Anregungsfrequenz und/oder einer Anregungsamplitude zur Schwingung angeregt werden. Die jeweilige Anregungsfrequenz entspricht vorzugsweise mindestens einer inversen Schwingungsfrequenz des Bauteils. Die jeweilige Anregungsamplitude zu der jeweiligen Anregungsfrequenz entspricht vorzugsweise einer jeweiligen gegenphasigen Schwingung und/oder einer jeweiligen inversen Schwingungsamplitude des Bauteils. Werden die jeweilige Anregungsfrequenz und Anregungsamplitude mit der jeweiligen Schwingungsfrequenz und Schwingungsamplitude überlagert und/oder superpositioniert, kommt es vorzugsweise zu einer im Wesentlichen destruktiven Schwingungsinterferenz, infolge derer das Bauteil gedämpft wird. Diese Ausführungsform ist insbesondere von Vorteil, wenn das Bauteil mit mehreren Schwingungsfrequenzen belastet ist. Durch den Mehrschichtaufbau aus mehreren piezoelektrischen Schichten können besonders bevorzugt mehrere (Eigen-) Frequenzen des Bauteils gedämpft werden, obgleich dies auch mit nur einer piezoelektrischen Schicht möglich ist. Vorzugsweise kann auch mindestens eine der Schichten des Mehrschichtsaufbaus zur Schwingung mit mehreren Frequenzen angesteuert sein. Der Mehrschichtaufbau gibt besonders bevorzugt die Möglichkeit, einen größeren Hub des Bauteils zur Schwingungskompensation zu erzeugen. Ferner ist es durch den Mehrschichtaufbau bevorzugt möglich, mindestens eine der Schichten als Sensor und mindestens eine andere der Schichten als Aktor zu nutzen.Each or at least some of the multiple piezoelectric layers can preferably be excited to oscillate separately by a corresponding excitation signal with a predetermined excitation frequency and/or an excitation amplitude. The respective excitation frequency preferably corresponds to at least one inverse oscillation frequency of the component. The respective excitation amplitude for the respective excitation frequency preferably corresponds to a respective antiphase oscillation and/or a respective inverse oscillation amplitude of the component. If the respective excitation frequency and excitation amplitude are superimposed and/or superposed with the respective oscillation frequency and oscillation amplitude, a substantially destructive oscillation interference preferably occurs, as a result of which the component is damped. This embodiment is particularly advantageous if the component is loaded with multiple oscillation frequencies. The multi-layer structure made up of multiple piezoelectric layers particularly preferably allows multiple (natural) frequencies of the component to be damped, although this is also possible with just one piezoelectric layer. Preferably, at least one of the layers of the multilayer structure can also be controlled to vibrate at multiple frequencies. The multilayer structure particularly preferably makes it possible to generate a larger stroke of the component for vibration compensation. Furthermore, the multilayer structure preferably makes it possible to use at least one of the layers as a sensor and at least one other of the layers as an actuator.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Tilgermasse an dem oder auf dem Mehrschichtaufbau angeordnet. Besonders bevorzugt ist die Tilgermasse an dem oder auf dem Mehrschichtaufbau, insbesondere auf einer obersten Schicht des Mehrschichtaufbaus, aufgeklebt und/oder auflaminiert.According to one embodiment, the absorber mass is arranged on or at the multilayer structure. The absorber mass is particularly preferably mass is glued and/or laminated to or on the multilayer structure, in particular to an uppermost layer of the multilayer structure.
Die Tilgermasse kann beispielsweis ein einstückig ausgebildeter Materialblock sein. Alternativ kann die Tilgermasse auch mehrere Schichten umfassen. Die Tilgermasse kann beispielsweise aus mehreren Blechen bestehen, die aufeinandergeschichtet sind. Dies kann vorteilhaft sein, da die Tilgermasse nachträglich gewichtsmäßig adaptierbar ist.The absorber mass can, for example, be a one-piece block of material. Alternatively, the absorber mass can also comprise several layers. The absorber mass can, for example, consist of several sheets that are layered on top of each other. This can be advantageous because the absorber mass can be subsequently adapted in terms of weight.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Schwingungsdämpfer mit der Oberfläche des Bauteils verklebt. Besonders bevorzugt sind auch die mehreren piezoelektrischen Schichten jeweils miteinander verklebt und/oder aufeinander laminiert.According to one embodiment, the vibration damper is glued to the surface of the component. Particularly preferably, the multiple piezoelectric layers are also glued to one another and/or laminated to one another.
Besonders bevorzugt ist der Schwingungsdämpfer an einer durch eine Isolierung gebildeten Unterseite des Schwingungsdämpfers, die vorzugsweise einer Unterseite einer untersten der mehreren piezoelektrischen Schichten entspricht, mit der Oberfläche des Bauteils verklebt. Die Verklebung erfolgt bevorzugt vollflächig. Es sind grundsätzlich auch andere Anbringungsarten denkbar.The vibration damper is particularly preferably bonded to the surface of the component on an underside of the vibration damper formed by insulation, which preferably corresponds to an underside of a lowest of the several piezoelectric layers. The bonding is preferably carried out over the entire surface. In principle, other types of attachment are also conceivable.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optische System mindestens einen Schwingungssensor, der dazu eingerichtet ist, mindestens eine bauteileigene Schwingungsfrequenz zu erfassen, auf deren Basis die mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten anregbar ist.According to one embodiment, the optical system comprises at least one vibration sensor which is designed to detect at least one component-specific vibration frequency on the basis of which the at least one of the plurality of piezoelectric layers can be excited.
Mithilfe des Schwingungssensors kann eine Schwingungsfrequenz und/oder Phase und/oder Schwingungsamplitude der zu dämpfenden Schwingung, insbesondere die Schwingungsfrequenz und/oder Phase und/oder Schwingungsamplitude ein oder mehrerer Schwingungsmoden erfasst werden. Dazu kann der Sensor beispielsweise als Beschleunigungssensor und/oder als Gyrosensor ausgebildet sein. Der Schwingungssensor ist vorzugsweise dazu eingerichtet, mindestens eine Schwingung, insbesondere mindestens eine Schwingungsfrequenz und/oder Phase und/oder Schwingungsamplitude, des Bauteils, vorzugsweise in Echtzeit und/oder fortlaufend, zu erfassen. Der Schwingungssensor erfasst und/oder misst vorzugsweise permanent die Schwingungen des Bauteils. Der Schwingungssensor erfasst die mindestens eine Schwingung des Bauteils vorzugsweise als Sensorsignal, aus dem das Anregungssignal für die Anregung des Schwingungsdämpfers ableitbar und/oder generierbar ist.With the help of the vibration sensor, a vibration frequency and/or phase and/or vibration amplitude of the vibration to be dampened, in particular the vibration frequency and/or phase and/or vibration amplitude of one or more vibration modes can be detected. For this purpose, the sensor can be designed, for example, as an acceleration sensor and/or as a gyro sensor. The vibration sensor is preferably set up to detect at least one vibration, in particular at least one vibration frequency and/or phase and/or vibration amplitude, of the component, preferably in real time and/or continuously. The vibration sensor preferably permanently detects and/or measures the vibrations of the component. The vibration sensor preferably detects the at least one vibration of the component as a sensor signal, from which the excitation signal for the excitation of the vibration damper can be derived and/or generated.
Gemäß einer Ausführungsform ist eine der mehreren piezoelektrischen Schichten als der mindestens eine Schwingungssensor ausgebildet.According to one embodiment, one of the plurality of piezoelectric layers is designed as the at least one vibration sensor.
Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da der Schwingungssensor in dem Schwingungsdämpfer, insbesondere in dem Mehrschichtaufbau bzw. Stack der mehreren piezoelektrischen Schichten, umfasst ist und derart sowohl die aktuatorische Schwingungsdämpfung als auch die sensorische Schwingungserfassung in dem Schwingungsdämpfer vereint sind. Der Schwingungssensor kann vorzugsweise als Piezofolie ausgebildet sein. Der Schwingungssensor kann beispielsweise die Schwingungsfrequenz und/oder Phase und/oder Schwingungsamplitude ein oder mehrerer Schwingungsmoden des Bauteils als Sensorsignal an eine Steuereinrichtung übermitteln, die basierend darauf das Anregungssignal erzeugt. Die Steuereinrichtung ist vorzugsweise rauscharm ausgelegt, um selbst kleinste Schwingungsamplituden (insbesondere im pm Bereich) nicht selbst zu erzeugen.This embodiment is advantageous because the vibration sensor is included in the vibration damper, in particular in the multilayer structure or stack of the multiple piezoelectric layers, and thus both the actuator vibration damping and the sensory vibration detection are combined in the vibration damper. The vibration sensor can preferably be designed as a piezo film. The vibration sensor can, for example, transmit the vibration frequency and/or phase and/or vibration amplitude of one or more vibration modes of the component as a sensor signal to a control device, which generates the excitation signal based on this. The control device is preferably designed to be low-noise so as not to generate even the smallest vibration amplitudes (in particular in the pm range) itself.
Gemäß einer Ausführungsform sind mehrere, vorzugsweise mindestens zwei, Schwingungsdämpfer voneinander beabstandet auf der Oberfläche des Bauteils und/oder an einer weiteren Fläche, beispielsweise einer Seitenfläche und/oder einer Stirnfläche und/oder einer Mantelfläche, des Bauteils angeordnet, um derart mehrere, vorzugsweise mindestens zwei, Schwingungsmoden des Bauteils zu dämpfen.According to one embodiment, several, preferably at least two, vibration dampers are arranged at a distance from one another on the surface of the component and/or on another surface, for example a side surface and/or an end surface and/or a lateral surface, of the component in order to dampen several, preferably at least two, vibration modes of the component.
Eine größere Anzahl an Schwingungsdämpfern, die an verschiedenen Positionen an dem Bauteil befestigt sind, ermöglicht es, mehrere Schwingungsmoden, insbesondere mit Eigenfrequenzen höherer Ordnung, zu dämpfen. Mit Hilfe von mehreren Schwingungsdämpfern und vorzugsweise einer entsprechenden Anzahl an Ansteuersignalen ist es vorzugsweise möglich, verschiedenen Moden gleichzeitig und/oder unabhängig voneinander zu dämpfen. Pro Mode wird vorzugsweise ein Schwingungsdämpfer eingesetzt. Der jeweilige Schwingungsdämpfer wird vorzugsweise an einer Position des Bauteils befestigt, an der ein Amplitudenmaximum der jeweiligen Schwingung vorherrscht, so dass die jeweilige Schwingung möglichst effektiv gedämpft werden kann. Durch diese Ausführungsform kann eine mehrdimensionale Schwingungsdämpfung des Bauteils ermöglicht werden. Es können beispielsweise, je nach Befestigungsposition am Bauteil, nicht nur longitudinale Schwingungen, sondern auch transversale Schwingungen des Bauteils gedämpft werden.A larger number of vibration dampers attached to the component at different positions makes it possible to dampen several vibration modes, in particular with higher order natural frequencies. With the help of several vibration dampers and preferably a corresponding number of control signals, it is preferably possible to dampen different modes simultaneously and/or independently of one another. One vibration damper is preferably used per mode. The respective vibration damper is preferably attached to a position on the component where an amplitude maximum of the respective vibration prevails, so that the respective vibration can be dampened as effectively as possible. This embodiment enables multi-dimensional vibration damping of the component. For example, depending on the attachment position on the component, not only longitudinal vibrations but also transverse vibrations of the component can be dampened.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Schwingungsdämpfer im Vakuum angeordnet.According to one embodiment, the vibration damper is arranged in a vacuum.
Hierdurch ist der Schwingungsdämpfer von äußeren Einflüssen weitestgehend isoliert. Dies kann beispielsweise bei einer EUV-Lithographieanlage von Vorteil sein.This means that the vibration damper is largely isolated from external influences. This can be advantageous, for example, in an EUV lithography system.
Gemäß einer Ausführungsform sind die mehreren piezoelektrischen Schichten jeweils als passive piezoelektrische Schichten ausgebildet.According to one embodiment, the plurality of piezoelectric layers are each formed as passive piezoelectric layers.
Grundsätzlich können die mehreren piezoelektrischen Schichten des Schwingungsdämpfers aktiv oder passiv arbeiten. In ersterem Fall (aktive Variante) wird das piezoelektrische Material beispielsweise durch eine Steuereinrichtung angesteuert. Durch das von der Steuereinrichtung erzeugte elektrische Feld zieht sich das piezoelektrische Material und damit der Schwingungsdämpfer zusammen, sodass das Bauteil mit einer Kraft beaufschlagt wird. Insbesondere die Größe und Richtung der zuvor genannten, zumindest zwei zueinander entgegen gerichtete Kräfte kann mittels der Steuereinrichtung eingestellt werden. In dem zweiteren Fall (passive Variante) wird das piezoelektrische Material mit einem Widerstand oder sonstigen Verbraucher verbunden, in welchem die elektrische Energie, die das piezoelektrische Material aufgrund seiner Verformung erzeugt, insbesondere in Wärme umgewandelt wird. Die passive Variante hat den Vorteil, dass auf eine elektrische Verkabelung zur Energieversorgung und/oder Ansteuerung der einzelnen piezoelektrischen Schichten verzichtet werden kann.In principle, the multiple piezoelectric layers of the vibration damper can work actively or passively. In the first case (active variant), the piezoelectric material is controlled by a control device, for example. The electric field generated by the control device causes the piezoelectric material and thus the vibration damper to contract, so that the component is subjected to a force. In particular, the size and direction of the aforementioned at least two opposing forces can be adjusted using the control device. In the second case (passive variant), the piezoelectric material is connected to a resistor or other consumer in which the electrical energy that the piezoelectric material generates due to its deformation is converted in particular into heat. The passive variant has the advantage that electrical wiring for supplying energy and/or controlling the individual piezoelectric layers can be dispensed with.
Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einer Lithographieanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.The optical system is preferably a projection optics of the projection exposure system, in particular of a lithography system. However, the optical system can also be an illumination system. The projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 0.1 nm and 30 nm. The projection exposure system can also be a DUV lithography system. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.
Gemäß einem weiteren Aspekt ist auch eine Lithographieanlage angegeben, die mindestens ein optisches System, wie vorstehend beschrieben, umfasst.According to a further aspect, a lithography system is also provided which comprises at least one optical system as described above.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In this case, "one" is not necessarily to be understood as being limited to just one element. Rather, several elements, such as two, three or more, can also be provided. Any other counting word used here is also not to be understood as meaning that there is a limitation to the exact number of elements mentioned. Rather, numerical deviations upwards and downwards are possible, unless otherwise stated.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations of features or embodiments described above or below with respect to the exemplary embodiments that are not explicitly mentioned. The person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
-
1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; -
2A bis2C zeigen in einer schematischen Seitenansicht jeweils ein Bauteil mit einem Schwingungsdämpfer gemäß einer Ausführungsform; -
3 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein optisches System mit einem Bauteil und mit mehreren Schwingungsdämpfern gemäß einer Ausführungsform; und -
4 zeigt perspektivisch ein optisches System mit einem Bauteil und mit mehreren Schwingungsdämpfern gemäß einer weiteren Ausführungsform.
-
1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography; -
2A until2C each show a schematic side view of a component with a vibration damper according to an embodiment; -
3 shows in a schematic side view an optical system with a component and with several vibration dampers according to an embodiment; and -
4 shows in perspective an optical system with a component and with several vibration dampers according to another embodiment.
In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, identical or functionally equivalent elements have been given the same reference symbols unless otherwise stated. It should also be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.A
In der
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The
Wie beispielsweise aus der
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.Between the
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The
Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without a rotational symmetry axis. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe Bx, By der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Image scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions x, y, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.Each of the
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.By arranging the
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.In the following, further aspects and details of the illumination of the
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It is possible that the
Bei der in der
Bei dem Bauteil 202 handelt es sich gemäß dem Ausführungsbeispiel um einen an seinen gegenüberliegenden Enden 208, 210 eingespannten Biegebalken. Grundsätzlich kann es sich bei dem Bauteil 202 um ein beliebiges Bauteil einer Projektionsbelichtungsanlage 1, insbesondere einer EUV- oder DUV-Lithographieanlage, wie beispielweise in
Der Schwingungsdämpfer 204 ist dazu eingerichtet, mindestens eine Schwingung des Bauteils 202 zu dämpfen. Grundsätzlich kann der Schwingungsdämpfer 204 dazu eingerichtet sein, eine beliebige Schwingung des Bauteils 202 zu dämpfen. Dabei kann es sich insbesondere um Schwingungsmoden (Eigenmoden), also Eigenschwingungen, des Bauteils 202 handeln. Ferner können mit dem Schwingungsdämpfer 204 grundsätzlich Biegeschwingungen und/oder Torsionsschwingungen und/oder laterale und/oder transversale Schwingungen des Bauteils 202 gedämpft werden. Laterale oder transversale Schwingungen meint hier Zug-Druck-Schwingungen in der Bauteilebene, d. h. Schwingungen ohne Biegung oder Torsion.The
Der Schwingungsdämpfer 204 ist auf einer Oberfläche 212 des Bauteils 202 angeordnet, insbesondere mit der Oberfläche 212 des Bauteils 202 verklebt. Die mehreren piezoelektrischen Schichten 214 sind jeweils miteinander verklebt und/oder aufeinander laminiert. Der Schwingungsdämpfer 204 weist einen Mehrschichtaufbau mit mehreren piezoelektrischen Schichten 214 auf. Der Schwingungsdämpfer 204 weist mindestens eine Tilgermasse 216 auf, die vorzugsweise an dem Mehrschichtaufbau angeordnet. Vorliegend ist die Tilgermasse 216 auf einer obersten Schicht der mehreren piezoelektrischen Schichten 214 des Mehrschichtaufbaus, betrachtet in einer z-Richtung, angeordnet. Die Tilgermasse 216 entspricht vorzugsweise 5 bis 15%, weiter vorzugsweise weniger als 10% der schwingenden Masse des Bauteils 202. Die Tilgermasse 216 kann vorzugsweise je nach Amplitude reduziert werden. Die Tilgermasse 216 ist vorzugsweise derart ausgebildet, dass sie adaptiv an eine Schwingungssituation des Bauteils 202 anpassbar ist. Insbesondere, wenn das Bauteil 202 in einem kleinen Bauraum angeordnet ist, wird die Tilgermasse 216 ggf. reduziert.The
Besonders bevorzugt ist eine der piezoelektrischen Schichten 214 ist als der Schwingungssensor 206 ausgebildet, so dass eine von dem Schwingungsdämpfer 204 beabstandete Anordnung des Schwingungssensors 206 nicht notwendig ist. Particularly preferably, one of the
Der Schwingungssensor 206 ist dann vielmehr in den Schwingungsdämpfer 204 integriert und/oder von diesem umfasst.Rather, the
Mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten 214 ist mit einer Anregungsfrequenz, die eine bauteileigene Schwingungsfrequenz umfasst, anregbar. Durch die Anregung mindestens einer der mehreren piezoelektrischen Schichten 214 kann eine Schwingungsfrequenz des Bauteils 202 gedämpft werden. Eine beispielhafte parasitäre (also an sich nicht gewollte) Schwingung des Bauteils 202 ist jeweils, in Bezug auf die in
Der Schwingungssensor 206 kann gemäß der in
Dabei handelt es sich beispielsweise um eine Transversalschwingung mit einer Ausdehnungsrichtung in y-Richtung und einer Schwingungsamplitude entlang der z-Richtung. Ein zweiter Schwingungsdämpfer 302 der mehreren Schwingungsdämpfer 204 ist an einer Seitenfläche 304 des Bauteils 202 angeordnet. Der zweite Schwingungsdämpfer 302 ist dazu ausgebildet, eine zweite Schwingung, insbesondere eine zweite Eigenfrequenz, des Bauteils 202 zu dämpfen. Dabei handelt es sich beispielsweise um eine Longitudinalschwingung mit einer Ausdehnungsrichtung in y-Richtung und einer Schwingungsamplitude entlang der y-Richtung. Durch ein jeweiliges Anregungssignal wird vorzugsweise eine jeweilige piezoelektrische Schicht 214 des jeweiligen Schwingungsdämpfers 204, 300, 302 derart zum Schwingen angeregt, dass eine jeweilige Mode des Bauteils 202 überlagert und dadurch ausnivelliert werden kann. Insbesondere wird durch den jeweiligen Schwingungsdämpfer 204, 300, 302 ein inverses Schwingungssignal erzeugt, um die jeweilige Schwingung des Bauteils 202 zu dämpfen.This is, for example, a transverse vibration with an extension direction in the y direction and an oscillation amplitude along the z direction. A second vibration damper 302 of the
Der jeweilige Schwingungsdämpfer 400, 402 erhält von einer Steuereinrichtung 408 jeweils ein Ansteuersignal, das vorzugsweise jeweils aus mindestens einem durch den Schwingungssensor 206 (oder mehrere Schwingungssensoren 206) erzeugten Sensorsignal abgeleitet wird bzw. auf einem solchen basiert.The respective vibration damper 400, 402 receives a control signal from a
Weiterhin besteht die Möglichkeit, die Schwingungsdämpfer 204, 400, 402 passiv auszugestalten. D.h., die für die Dämpfungsarbeit benötigte Energie wird der parasitären Schwingung des Bauteils 202 entzogen. Mithilfe dieser Energie werden die piezoelektrischen Schichten 214 zur Erzeugung der Kraft +F bzw. -F angesteuert.It is also possible to design the
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. Besonders bevorzugt besteht ein geschlossener Regelkreis zwischen der Steuereinrichtung 408, den piezoelektrischen Schichten 214 und dem Schwingungssensor 206. Mindestens eine der mehreren piezoelektrischen Schichten 214 kann vorzugsweise durch das Anlegen einer vorbestimmten Spannung, die durch das Anregungssignal bestimmt ist, kontrahiert werden.Although the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways. Particularly preferably, there is a closed control loop between the
BEZUGSZEICHENLISTEREFERENCE SYMBOL LIST
- 11
- Projektionsbelichtungsanlageprojection exposure system
- 22
- Beleuchtungssystemlighting system
- 33
- Lichtquellelight source
- 44
- Beleuchtungsoptiklighting optics
- 55
- Objektfeldobject field
- 66
- Objektebeneobject level
- 77
- Retikelreticle
- 88
- Retikelhalterreticle holder
- 99
- Retikelverlagerungsantriebreticle displacement drive
- 1010
- Projektionsoptikprojection optics
- 1111
- Bildfeldimage field
- 1212
- Bildebeneimage plane
- 1313
- Waferwafer
- 1414
- Waferhalterwafer holder
- 1515
- Waferverlagerungsantriebwafer relocation drive
- 1616
- Beleuchtungsstrahlungillumination radiation
- 1717
- Kollektorcollector
- 1818
- Zwischenfokusebeneintermediate focal plane
- 1919
- Umlenkspiegeldeflecting mirror
- 2020
- erster Facettenspiegelfirst faceted mirror
- 2121
- erste Facettefirst facet
- 2222
- zweiter Facettenspiegelsecond facet mirror
- 2323
- zweite Facettesecond facet
- 200200
- optisches Systemoptical system
- 202202
- Bauteilcomponent
- 204204
- Schwingungsdämpfervibration dampers
- 206206
- Schwingungssensorvibration sensor
- 208208
- EndeEnd
- 210210
- EndeEnd
- 212212
- Oberflächesurface
- 214214
- piezoelektrische Schichtpiezoelectric layer
- 216216
- Tilgermasseabsorber mass
- 300300
- Schwingungsdämpfervibration dampers
- 302302
- Schwingungsdämpfervibration dampers
- 304304
- Seitenflächeside surface
- 400400
- Schwingungsdämpfervibration dampers
- 402402
- Schwingungsdämpfervibration dampers
- 404404
- Schwingungvibration
- 406406
- Schwingungvibration
- 408408
- Steuereinrichtungcontrol device
- ∂A∂A
- Betrag einer Schwingungsamplitudemagnitude of a vibration amplitude
- +F, -F+F, -F
- positive bzw. negative Kraftpositive or negative force
- M1M1
- SpiegelMirror
- M2M2
- SpiegelMirror
- M3M3
- SpiegelMirror
- M4M4
- SpiegelMirror
- M5M5
- SpiegelMirror
- M6M6
- SpiegelMirror
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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DE 10 2015 210 408 A1 [0006]
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DE 10 2008 009 600 A1 [0047, 0051]
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EP 1 614 008 B1 [0049]
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573978B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
| US20060132747A1 (en) | 2003-04-17 | 2006-06-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element for an illumination system |
| DE102008009600A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
| DE102015210408A1 (en) | 2015-06-08 | 2016-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | LITHOGRAPHIC PLANT AND METHOD FOR DAMPING VIBRATIONS OF A COMPONENT IN A LITHOGRAPHIC PLANT |
| US20180074303A1 (en) | 2015-04-14 | 2018-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure unit including same |
| DE102017220586A1 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus |
-
2024
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573978B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
| US20060132747A1 (en) | 2003-04-17 | 2006-06-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element for an illumination system |
| EP1614008B1 (en) | 2003-04-17 | 2009-12-02 | Carl Zeiss SMT AG | Optical element for a lighting system |
| DE102008009600A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
| US20180074303A1 (en) | 2015-04-14 | 2018-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure unit including same |
| DE102015210408A1 (en) | 2015-06-08 | 2016-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | LITHOGRAPHIC PLANT AND METHOD FOR DAMPING VIBRATIONS OF A COMPONENT IN A LITHOGRAPHIC PLANT |
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