DE102011055117A1 - Verfahren und Lösung zur Metallisierung von Polymeroberflächen - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Polymeroberflächen, die als Leiterbahnen oder Kontaktfläche genutzt werden sollen. Das erfindungsgemäße Verfahren, dem das bereits bekannte LDS-Beschichtungs-Verfahren zu Grunde liegt, ermöglicht eine chemische Beschichtung von Polymer-Substraten, wobei die Oberflächenrauheit der metallisierten Bereiche deutlich niedriger ist, als nach dem bereits bekannten LDS-Verfahre. Zudem reduziert das erfindungsgemäße Verfahren deutlich die Häufigkeit von Wildabscheidungen bei der Beschichtung.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung der Oberfläche eines Substrats, insbesondere zur Metallisierung der Oberfläche eines Polymer-Substrats, sowie einer chemische Lösung zur Durchführung des Verfahrens.
- Ein derartiges Verfahren wird benötigt um im Spritzgußverfahren hergestellte Bauteile aus einem, vorzugsweise elektrisch nichtleitenden, Polymer-Substrat mit metallischen, elektrisch-leitenden Bahnen zu versehen. Dieses, als MID-Technologie (Moulded Interconnection Device) bekanntes Verfahren wird verwendet um komplexe, 3-dimensionale Leiterbahnstrukturen auf Bauteilen zu erzeugen, die konventionelle gedruckten Leiterplatten ersetzen.
- In der MID-Technologie sind verschiedene Verfahren bekannt, wobei diese Erfindung sich auf das LDS-Verfahren (Laserdirektstrukturierung) bezieht.
- Das LDS-Verfahren ist in der Patentanmeldung
DE 101 32 092 A1 beschrieben. Grundlage bilden Flüssigkristallpolymere, sogenannte LCP (Liquid-Crystal-Polymer), die im Spritzgußverfahren zu Bauteilen geformt werden. Durch Bestrahlung mit einem Laser werden gezielt die Bereiche aktiviert, auf welchen Leiterbahnstrukturen entstehen sollen. Durch die Bestrahlung mit dem Laser wird Metall (z.B. Kupfer oder Palladium), das chemisch im Polymer gebunden ist, aktiviert, wobei sich Metallkeime an der Oberfläche bilden. In einem chemischen Bad bildet sich anschließend durch stromlose, chemische Abscheidung an den gebildeten Metallkeimen eine leitende Metallschicht. - Um eine möglichst gute elektrische Leitfähigkeit zu erzielen werden je nach Anwendungsgebiet meist mehrere metallische Schichten abgeschieden. Eine typische Beschichtung wäre beispielsweise eine 4 bis 10 µm dicke Kupferschicht, gefolgt von einer 3 bis 8 µm dicken Nickelschicht und einer obersten Schicht aus 0,05 bis 0,1 µm Gold.
- Des Weiteren wird in der
DE 10 2006 041 610 B3 eine LDS-beschichtete Kunststoffoberfläche beschrieben, welche eine verbesserte Anhaftung von im Bond-Verfahren kontaktierten Drähten an den metallisierten Bereiche bietet. - Die zu metallisierenden Bereiche weisen durch die Bestrahlung mit einem Laser eine erhöhte Rauheit durch Ablationsprodukte des Polymers auf, welche zwar eine bessere Anhaftung von Metall im chemischen Verfahren bewirken, jedoch aber die Kontaktierung der entstandenen metallisierten Schichten durch Bonden erschweren. Die
DE 10 2006 041 610 B3 schlägt eine nachträgliche Komprimierung der beschichteten Bereiche mittels eines Stempels vor, wodurch die Rauheit abnimmt, und gleichzeitig in der Schicht auftretende Poren und Hohlräume reduziert werden. - Nachteilig dabei ist, dass für jedes Bauteil, eine eigene Stempelform zur Komprimierung der Bereiche erstellt werden muss. Da nur die metallisierten Bereiche komprimiert werden sollen, muss das jeweilige Werkzeug genau der 3-dimensionalen Struktur des beschichteten Bauteils angepasst sein. Daher ist dieses Verfahren nicht universal einsetzbar und dadurch teuer.
- Ein weiterer Nachteil an den bisher beschriebenen Verfahren zur Metallisierung von Polymer-Substraten mit dem LDS-Verfahren ist, dass es bei der stromlosen, chemischen Abscheidung zu sogenannten Wildabscheidungen kommt.
- Bei der Bestrahlung des Polymer-Substrates mit einem Laser wird die oberste Schicht des Substrates abgetragen und verdampft. Dabei entstehende Ablationsprodukte. Das sind Partikel des abgetragenen Substrates die sich auf und um die bestrahlten Flächen des abgetragenen Substrats anlagern. Die Ablationsprodukte enthalten, ebenso wie die bestrahlten Bereiche, Metallkeime die zur stromlosen, chemischen Abscheidung von Metall geeignet sind.
- Durch die stromlose Abscheidung in einem chemischen Bad wird somit auch an den Ablationsprodukten auf dem Polymer-Substrat Metall abgeschieden. Diese unerwünschten Abscheidungen zwischen den Leiterstrukturen führen zu einer Verkürzung der Leiterbahnabstände und somit zu einer Verkürzung der Kriechstrecken. Je nach Ausbildung dieser Wildabscheidungen kann es sogar zu Kurzschlüssen zwischen einzelnen Leiterbahnen kommen.
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren vorzustellen, welches zur Erzeugung von Leiterstrukturen im LDS-Verfahren geeignet ist, jedoch eine geringere Rauheit der Leiterstrukturen bietet. Zudem soll die Generierung von Wildabscheidungen bei der stromlosen Abscheidung verringert werden.
- Diese Aufgabe wird durch das im Anspruch 1 beschriebene Verfahren sowie die im/in Verbindung mit der in Anspruche 5 beschriebene chemische Lösung gelöst.
- Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um ein Verfahren sowie eine in diesem Verfahren verwendete chemische Lösung zur stromlosen Metallabscheidung auf laserstrukturierten Kunststoffflächen. Dieses als LDS (Laserdirektstrukturierung) bekanntes Verfahren findet als Alternative zu konventionellen gedruckten Schaltungen zur Schaltungsgestaltung auf Spritzgießteilen Anwendung.
- Als Substratmaterial sind insbesondere LCP (Liquid Crystal Polymer = Flüssigkristallpolymer) geeignet, da sich diese durch gute mechanische, chemische, elektrische und umwelttechnische Eigenschaften auszeichnet.
- Für die erfindungsgemäße Anwendung des Verfahrens eignen sich bevorzugt die folgenden Polyamide als Substrat:
flüssigkristalline Kunststoffe (Vectra LCP von Ticona, Zenite® von DuPont), Polybutylenterephthalat (Pocan von LANXESS Deutschland GmbH), Polyethylenterephthalat (PET), Polyvinylchlorid, Polystyrol, Acril-Styrol-Acrylnitril-Copolymere (ABS), Epoxidharzen, Polyetheretherketon, Polyoxymethylen, Polyformaldehyd, Polyacetal, Polyurethan, Polyetherimid, Polyphenylsulfon, Polyphenylensulfid, Polyarylamid, Polyphthalamid (PPA) mit/ohne Glasfaserverstärkung, Polycarbonat PC, Polyethylen PE, Polypropylen PP, Polyimid, Fluorkunststoff PTFE, Textolit PT, Glastextolit. - Das zur Metallisierung vorgesehene, spritzgegossene, dreidimensionale Substrat wird mittels eines Lasers an den Bereichen strukturiert, die beschichtet werden sollen. Durch die Bestrahlung mit dem Laser werden chemisch im Substrat gebundene Metalle aktiviert und bilden Metallkeime an der Oberfläche der bestrahlten Bereiche. Die Metallkeime sind geeignet um an ihnen in einem chemischen Bad Metall abzuscheiden. Eine gängige Beschichtung der strukturierten Bereiche erfolgt zum Beispiele mit Kupfer, Nickel und Gold.
- Durch die Strukturierung der Oberfläche des Substrates mit einem Laser, weißt diese nach der Strukturierung eine höhere Rauheit auf.
- Ablationsprodukte die durch das Lasern entstehen, setzen sich sowohl auf den strukturierten Bereichen, als auch in der Umgebung der Bereiche ab. Dies führt nicht nur zu einer erhöhten Rauheit, sondern auch zu freiliegenden Metallpartikeln die sich neben den strukturierten Bereichen befinden die Beschichtung mit Metall vorgesehen sind.
- Das vorgeschlagene Verfahren sieht vor den weiteren, schon im Stand der Technik bekannten Verfahrensschritten der Reinigung und Metallabscheidung auf dem Substrat eine stark alkalische Ätzung der Oberfläche es Substrats vor. Durch dieses Ätzen findet eine gleichmäßige Abtragung der Oberfläche des Substrats statt. Die durch das Lasern entstandenen Ablationsprodukte werden entfernt, wodurch die Rauheit der Oberfläche reduziert wird. Die glattere Oberfläche des Substrates hat eine glattere Metalloberfläche nach der chemischen Abscheidung zur Folge.
- Neben der Rauheit der Oberfläche werden auch die Ablationsprodukte und damit verbundenen Metallpartikel, die sich neben den strukturieren Bereichen abgesetzt haben entfernt. Dadurch sind die Bereiche zwischen den zu metallisierenden Leiterbahnen frei von Ablationsprodukten, wodurch die Qualität der Metallisierung in Hinblick auf unerwünschte Metallabscheidungen erhöht wird.
- Die erfindungsgemäße Lösung wird aus einer Basis von KOH oder NaOH gebildet, mit oder ohne Zusatz von anionischen, nichtionischen oder amphoteren Tensiden. Auch eine Mischung der Tenside ist denkbar. Die Lösung sollte dabei eine 10 bis 40%ige Konzentration des Alkalihydroxid aufweisen. Die erfindungsgemäße Lösung wird mit vorzugsweise zwei verschiedenen Tensiden der erwähnten Tensidklassen versetzt.
- Die Anreicherung der Lösung mit Tensiden dient vorrangig zur Reduzierung der Grenzflächenspannung. Zudem können nichtionische Tenside eine unerwünschte Schaumbildung vermeiden. Dies ist insbesondere bei chemischen Bädern von Vorteil, da eine schaumige Lösung den Druck von Umwälzpumpen reduziert, wodurch die Wirkung reduziert wird. Als erfindungsgemäß nichtionische Tenside wären beispielsweise Alkylpolyglukoside (z.B. Octylglucoside, Hexylglucoside), Fettalkoholalkoxylate mit einer Kettenlänge von 10-18 C-Atomen und 2–10 mol Ethylenoxid (EO)/Propylenoxid (PO) (z.B. HOESCH FA 42 LF, Ethylan CPG 660) geeignet.
- Als vorteilhaft hat sich eine Konzentration anionischer Tenside von 15 bis 500 ppm, vorzugsweise von 15 bis 50 ppm herausgestellt. Nichtionische Tenside sollten in einer Konzentration von 15 bis 500 ppm, vorzugsweise von 15 bis 100 ppm in der Lösung enthalten sein.
- In der Lösung für die Durchführung des Verfahrens sollte so durch den Zusatz von Tensiden eine Oberflächenspannung von weniger als 70 mN/m erziehlt werden. Als besonders vorteilhaft hat sich eine Oberflächenspannung der Lösung von weniger als 50 mN/m herausgestellt.
- Die Behandlungsdauer des Substrates in der Lösung sollte zwischen 10 Sekunden und 6 Minuten liegen. Vorteilhaft hat sich eine Behandlung von 15 Sekunden bis 2 Minuten erwiesen.
- Nach der Behandlung des Substrates in der erfindungsgemäßen Lösung sind die weiteren, bereits im Stand der Technik bekannten Verfahrensschritte zur Metallisierung vorgesehen. Hier seien genannt die Reinigung des Substrats in ein oder mehreren Spülstationen, wobei sich eine Reinigung unter Einsatz von Ultraschall als besonders vorteilhaft erwiesen hat, und die stromlose Metallisierung der gelaserten Bereiche auf dem Substrat in Metallisierungsbädern.
- Die durch das erfindungsgemäße Verfahren in Verbindung mit der erfindungsgemäßen Lösung erzeugten, glatten, metallischen Leiterbahnen an der Oberfläche des Substrats weisen eine bessere Löt- und Bondbarkeit als auf unbehandelten Oberflächen auf.
- Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie der erfindungsgemäßen Lösung.
- In den Versuchsbeispielen wurde jeweils ein im Spritzgußverfahren hergestelltes LCP-Substrat in einer erfindungsgemäßen Lösung gehandelt. Neben Angaben über das verwendete Substrat enthalten die folgenden Beispiele Angaben über die Zusammensetzung der verwendeten Lösung, sowie Behandlungsdauer, Temperatur der Lösung, Art und Stärke der abgeschiedenen Metallschicht, die mittlere Rauheit (Ra) der zu beschichtenden Bereiche vor der metallischen Beschichtung und die gemittelte Rautiefe (Rz) der metallisierten Leiterbahn nach der Beschichtung. Ferner wird aufgeführt ob unerwünschte Metallabscheidungen zwischen den Leiterbahnen nach der Beschichtung vorhanden sind.
- Die mittlere Rauheit (Ra) ist dabei der arithmetische Mittelwert aller Ordinatenwerte des Rauheitsprofils innerhalb der Messstrecke. Sie stellt somit die mittlere Abweichung des Profils vom Mittelwert des Profils dar. Dahingegen ist die gemittelte Rautiefe (Rz) das arithmetische Mittel der Differenz zwischen der Höhe der größten Profilspitze und der Tiefe des größten Profiltals innerhalb von fünf Einzelmessstrecken. Beispiel 1
Beispiel 2LCP-Substrat: Vectra 840i (TICONA GmbH, Frankfurt am Main, DE) Lösung: – 400 g/l KOH – 100 ppm Isotridecanolethoxylat (Tensid ARP von der Fa. Candor Chemie GmbH) Behandlungsdauer: 5 min. Temperatur der Lösung: 20°C mittlere Rauheit (Ra): 1,0–1,4 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 9,5–5,0 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine Vergleich zum Beispiel 2LCP-Substrat: Vectra 840i (TICONA GmbH, Frankfurt am Main, DE) Lösung: – 400 g/l KOH – 200 ppm Diisooctylsulfosuccinat Natriumsalz (anionisches Tensid Pentasol SBDO-75 von der Fa. Trigon Chemie GmbH) Behandlungsdauer: 15 sec. Temperatur der Lösung: 80°C mittlere Rauheit (Ra): 1,2–1,4 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 9,8–14,5 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine Beispiel 3LCP-Substrat: Vectra 840i (TICONA GmbH, Frankfurt am Main, DE) Lösung: keine Verwendung einer Lösung Behandlungsdauer: - Temperatur der Lösung: - mittlere Rauheit (Ra): - Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 19–28 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: vorhanden Beispiel 4LCP-Substrat: Vectra 840i (TICONA GmbH, Frankfurt am Main, DE) Lösung: – 200 g/l KOH – 100 ppm Tensidkomponente SurTec 089 (von der Fa. SurTec) Behandlungsdauer: 2 min. Temperatur der Lösung: 50°C mittlere Rauheit (Ra): 1,2–1,4 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 11,7–15,3 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine LCP-Substrat: Vectra 840i (TICONA GmbH, Frankfurt am Main, DE) Lösung: – 400 g/l NaOH – 50 ppm Isotridecanolethoxylat (Tensid ARP von der Fa. Candor Chemie GmbH) – 100 ppm Diisooctylsulfosuccinat Natriumsalz (anionisches Tensid Pentasol SBDO-75 von der Fa. Trigon Chemie GmbH) Behandlungsdauer: 20 sec. Temperatur der Lösung: 80°C mittlere Rauheit (Ra): 1,0–1,5 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 10–15 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine - Ähnliche Ergebnisse wurden in analogen Versuchsreihen mit den Ätzlösungen 5, 6, 7 erzielt, wobei sich für die resultierenden Rauheiten (Rz) der Kupferschicht bei vergleichbarer Behandlung der strukturierten Oberfläche zwischen 10 und 15 µm ergaben. Beispiel 5
Beispiel 6LCP-Substrat: Pocan 7102 (LANXESS Deutschland GmbH) Lösung: – 400 g/l NaOH – 50 ppm Isotridecanolethoxylat (Tensid ARP von der Fa. Candor Chemie GmbH) – 100 ppm Diisooctylsulfosuccinat Natriumsalz (anionisches Tensid Pentasol SBDO-75 von der Fa. Trigon Chemie GmbH) Behandlungsdauer: 20 sec. Temperatur der Lösung: 80°C mittlere Rauheit (Ra): 1,0–1,5 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 10–15 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine LCP-Substrat: Pocan 7102 (LANXESS Deutschland GmbH) Lösung: – 400 g/l KOH – 150 ppm Tensidmischung SurTec 086 (Fa. SurTec) Behandlungsdauer: 20 sec. Temperatur der Lösung: 70°C mittlere Rauheit (Ra): 1,0–1,5 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 10–15 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine - Vergleichbare Ergebnisse wurden in entsprechenden Versuchsreihen mit den Ätzlösungen 2, 3 und 4 erzielt, wobei sich für die resultierenden, gemittelten Rautiefen (Rz) bei vergleichbarer Behandlung Werte zwischen 10,9 und 15,1 µm ergaben. Beispiel 7
LCP-Substrat: Pocan 7102 (LANXESS Deutschland GmbH) Lösung: – 400 g/l KOH – 150 ppm Tensidmischung SurTec 086 (Fa. SurTec) Behandlungsdauer: 4 min. Temperatur der Lösung: 50°C mittlere Rauheit (Ra): 1,2–1,4 µm Abgeschiedenes Metall: Cu Metallschichtdicke: ca. 10 µm gemittelte Rautiefe (Rz): 8,2–13,8 µm Unerwünschte Metallabscheidungen: keine - Mit den erfindungsgemäßen Ätzlösungen, die zur weiteren Vergleichmäßigung der Ätzung ferner bis zu 0,03 Vol.-% eines Netzmittels enthalten können, erfolgt das Ätzen der Oberfläche von LCP-Substraten mit geringeren mittleren Rauheiten als nicht erfindungsmässig behandelte Oberfläche. Mittlere Rauheiten (Ra) zwischen 1,0 und 1,5 µm können für die gebräuchlichsten LCP-Substratmaterialien als typisch angesehen werden.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 10132092 A1 [0004]
- DE 102006041610 B3 [0006, 0007]
Claims (19)
- Verfahren zur Metallisierung der Oberfläche eines Substrats, insbesondere zur Metallisierung der Oberfläche eines Polymer-Substrats, wobei das Substrat eine metallische Dotierung aufweist, mit wenigstens den folgenden Verfahrensschritten: a) Aktivierung der zu metallisierenden Bereiche des Substrats durch Bestrahlung mit einem Lasers, b) Benetzung der aktivierten Bereiche des Substrats mit einer alkalischen Lösung, und c) Metallisierung der aktivierten Bereiche des Substrats durch chemische Abscheidung von Metall.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das gesamte Substrat komplett in die alkalische Lösung eingetaucht wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat für eine Dauer von mindestens 10 Sekunden aber maximal 10 Minuten, vorzugsweise mindestens 15 Sekunden aber maximal 5 Minuten, in die alkalische Lösung eingetaucht wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die alkalische Lösung auf eine Temperatur im Bereich zwischen 10°C und 90°C, vorzugsweise zwischen 20°C und 80°C erwärmt wird.
- Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Oberfläche der aktivierten und metallisierten Bereiche des Substrats eine gemittelte Rautiefe (Rz) mit einem Wert von 5 µm bis 17 µm, vorzugsweise von 7 µm bis 16 µm, weiter vorzugsweise von 8 µm bis 15 µm aufweist.
- Chemische Lösung zur Behandlung der Oberfläche von Substraten, insbesondere zur Behandlung von Polymer-Substraten, nach dem Verfahren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung zumindest folgende Komponenten enthält: – H2O, – ein Alkalihydroxid in einer Konzentration zwischen 100 g/l und 400 g/l, und – mindestens ein Tensid in einer Konzentration zwischen 15 ppm und 500 ppm.
- Lösung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Alkalihydroxid Natriumhydroxid (NaOH) ist.
- Lösung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Alkalihydroxid Kaliumhydroxid (KOH) ist.
- Lösung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Tensid ein anionisches Tensid ist.
- Lösung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das anionische Tensid Sulfosuccinat ist.
- Lösung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das anionische Tensid Phosphorsäureester oder Phosphorsäuresalz ist.
- Lösung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das anionische Tensid Natrium-2-Ethylhexylsulfat-Salz ist.
- Lösung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Tensid ein nichtionisches Tensid ist.
- Lösung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das nichtionische Tensid ein Fettalkoholalkoxylat mit einer Kettenländer von 10-18 C-Atomen und 2–10 Mol Ethylen- oder Propylenoxid ist.
- Lösung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das nichtionische Tensid Alkylpolyglukosid ist.
- Lösung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Tensid eine Mischung der in den Ansprüchen 9 bis 15 vorgeschlagenen Tenside ist.
- Lösung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung eine Konzentration zwischen 15 ppm und 50 ppm anionischer Tenside und eine Konzentration zwischen 15 ppm und 100 ppm nichtionischer Tenside aufweist.
- Polymer-Substrat mit einer im MID-Verfahren zumindest teilweise metallisierten Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallisierte Oberfläche eine gemittelte Rautiefe (Rz) mit einem Wert von 5 µm bis 17 µm, vorzugsweise von 7 µm bis 16 µm, weiter vorzugsweise von 8 µm bis 15 µm aufweist.
- Polymer-Substrat nach dem Ansprüche 18, dadurch gekennzeichnet, dass das MID-Verfahren ein LDS-Verfahren ist.
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