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DE102017211336B4 - Leistungsmodul mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen - Google Patents

Leistungsmodul mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen Download PDF

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Abstract

Leistungsmodul mit einem oberseitig und/oder unterseitig elektrisch zu kontaktierenden Halbleiterträgerelement (17), dadurch gekennzeichnet, dass über mindestens ein oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement (14, 15, 16) das Halbleiterträgerelement (17) mit einer Leiterplatte (21) in einem automatisierten Prozess, einem Pick&Place-Prozess elektrisch kontaktiert ist,wobei die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) in unterschiedlichen Bauformen ausgebildet sind undwobei sowohl die Bestückung mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen (14, 15, 16) als auch die Integration eines Halbleiterchips auf einem Halbleiterträgerelement (17) im gleichen Prozess, einem Pick&Place-Prozess umgesetzt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul mit einem oberseitig und/oder unterseitig elektrisch zu kontaktierenden Halbleiterträgerelement.
  • Das Interesse gilt vorwiegend insbesondere Leistungsmodulen, die im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt werden. Der Bereich der Leistungselektronik beschäftigt sich üblicherweise mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden Halbleiterbauelementen. Diese Halbleiterbauelemente, die auch als leistungselektronische Bauelemente bezeichnet werden, können beispielsweise als Leistungsdioden, Leistungs-MOSFETs oder IGBTs ausgebildet sein. Dabei können ein oder mehrere Halbleiterbauelemente, welche auch als Chips bezeichnet werden, auf einem Substrat angeordnet sein und somit ein sogenanntes Leistungsmodul bilden. Das Substrat, auf dem das oder die Halbleiterbauelemente mittels einer Aufbau- und Verbindungstechnik mechanisch befestigt sind, kann auch zur elektrischen Verbindung der Halbleiterbauelemente dienen. Solche Substrate können beispielsweise ein Trägerelement aus einer Keramik umfassen, welches zur elektrischen Kontaktierung und mechanischen Befestigung der Halbleiterbauelemente mit Leiterbahnen und elektrischen Kontaktelementen, die beispielsweise aus Kupfer gebildet sind, beschichtet ist.
  • Insbesondere bei der elektrischen Kontaktierung der Halbleiterbauelemente auf der Oberseite ist es erforderlich, eine zuverlässige elektrische Verbindung und damit einen Stromfluss zu den Anschlüssen beziehungsweise Kontaktelementen herzustellen. Die Eigenschaften der elektrischen Verbindungen zwischen der Oberseite des Halbleiterbauelements beziehungsweise des Chips und einem Kontaktelement des Substrats begrenzen häufig die Haltbarkeit des Leistungsmoduls. Aus dem Stand der Technik ist es beispielsweise bekannt, für diese elektrischen Verbindungen entsprechende Aluminium-Dickdrähte zu verwenden, welche auf dem Halbleiterbauelement und dem Kontaktelement fixiert werden. Neuere Technologien sehen beispielsweise das Kupfer-Dickdraht-Bonden oder das sogenannte „Bändchenbonden“ vor. Andere Lösungen bestehen aus gesinterten, metallisierten Kunststofffolien. Weiterhin sind gelötete Stromschienen aus dickem Kupfer bekannt. Außerdem ist die sogenannte SIPLIT-Technologie (Siemens Planar Interconnect Technology) bekannt.
  • Bisher wurde die Kontaktierung des DCB-Substrats mit der Leiterplatte durch lötbare Pins, Press-Pins, Rundfedern oder gebogene Metallfedern gelöst. Dabei werden die Löt-Pins bzw. Einpress-Pins zunächst im Modul-Gehäuse mechanisch fixiert bzw. im Gehäuse mit Aluminium-Bonddrähten verbunden. Die Löt-Pins werden danach in einem Wellenlötprozess in die Leiterplatte gelötet. Die Press-Pins werden bei der Endmontage des entsprechenden Geräts mittels einer Hydraulikpresse eingepresst. Diese Pins können einseitig in die Leiterplatte gelötet werden, wobei die andere Seite mit einem Bonddraht verbunden wird. Im Gegensatz dazu werden die Rundfeder bzw. die gebogene Metallfeder in ein Modul-Gehäuse eingelegt. Die eine abgerundete Seite der beiden Federn drückt durch die Vorspannkraft gegen die Leiterplatte, während die andere unter Spannung das DCB-Substrat kontaktiert.
  • Die DE 103 42 047 A1 und die US 2005 / 0 221 636 A1 beschreiben ein oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement, das zwei beabstandete Leiterplatten in einem automatisierten Prozess elektrisch kontaktiert, wobei die erste Leiterplatte als Halbleiterträgerelement für ein Leistungsmodul ausgebildet sein kann.
  • Der Nachteil dieser Lösungen besteht darin, dass diese elektrischen Verbindungsmittel gehäusespezifische Positionierungsmittel benötigen.
  • Demgemäß besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Leistungsmodul zu schaffen, welches auf einfache Art und Weise eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Leistungsmodul mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen, welche einzeln oder in Kombination miteinander eingesetzt werden können, sind der Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Leistungsmodul mit einem oberseitig und unterseitig elektrisch zu kontaktierenden Halbleiterträgerelement gelöst. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass über mindestens ein oberflächenmontiertes Bauelement (SMD) das Halbleiterträgerelement mit einer Leiterplatte in einem automatisierten Prozess, insbesondere einem Pick&Place-Prozess elektrisch kontaktiert ist, wobei die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktiterungselemente in unterschiedlichen Bauformen ausgebildet sind und wobei sowohl die Bestückung mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen als auch die Integration eines Halbleiterchips auf einem Halbleiterträgerelement im gleichen Pick&Place-Prozess umgesetzt ist.
  • DCBs werden heute mittels eines Pick&Place-Prozesses mit Halbleitern bestückt. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die Halbleiterträgerelemente sowohl mit den Halbleitern als auch mit den mechanisch-flexiblen SMD-Verbindungen über den gleichen Pick&Place-Prozess, d.h. im selben Herstellungsschritt, bestückt werden. Zudem wird auch derselbe Vakuumlötprozess für diese Bestückung erfindungsgemäß genutzt. Eine umfangreiche Anpassung der Fertigungsanlage an diesen Herstellungsprozess wird hierfür nicht benötigt, da die SMD-Verbindungselemente lediglich als zusätzliches Tray in den Ablauf eingeführt werden müssen. Aufgrund dieses Eingriffs in den Herstellungsablauf liegt das Erzeugnis jetzt als zumindest teilweise funktionsfähige Einheit vor und kann so auf mögliche Fehler getestet werden, so dass die fertige Einheit zwischengelagert werden kann. Zur Weiterverarbeitung werden die Erzeugnisse wieder automatisiert in einem Pick&Place-Prozess auf der Baugruppe platziert und zusammen mit anderen Bauelementen mit der Leiterplatte verlötet.
  • Der große Vorteil dieser mechanisch-flexiblen SMD-Verbindung benötigt keine kostenintensiven gehäusespezifische Montagehalterungen wie beispielsweise bei den IGBT-Modulen, da diese erfindungsgemäße Verbindung ein in sich stabiles SMD-Bauteil ist. Dadurch entfallen Investitionen für zusätzliche Werkzeuge, da diese erfindungsgemäße Variante rahmenlos gefertigt werden kann. Daraus ergibt sich die Konsequenz, dass bereits geringe Stückzahlen wirtschaftlich sinnvoll sein können. Diese erfindungsgemäße SMD-Verbindung dämpft durch ihre Federkontur sämtliche mechanische Vibrationen der Leiterplatte und entlastet somit die anfälligen Lötstellen des Geräts im Betrieb. Außerdem ermöglicht die mechanisch-flexible SMD-Verbindung höhere elektrische Ströme, da die elektrische Verbindung über eine relativ große Lotfläche realisiert wird. Zusätzlich werden aber auch kleinere Ströme bei kleinen Spannungen zuverlässig angebunden, da eine Oxidation wie beispielsweise bei MiniSkiip ausgeschlossen ist.
  • Des Weiteren ermöglicht die SMD-Verbindung durch ihre sehr niedrige Bauhöhe, verglichen mit herkömmlichen Federelementen, ein insgesamt kompakteres Leistungsmodul. Aufgrund der stabilen Anbindung ist ein minimaler Federweg ausreichend, um mechanische Schwingungen der Leiterplatte relativ zum DCB-Substrat auszugleichen. Die heute bekannten Lösungen wie z.B. MiniSkip benötigen für diesen Toleranzausgleich einen längeren Federweg. Durch diese kürzeren Federn werden parasitäre Elemente wie Induktivität und Widerstand minimiert. Aufgrund der SMD-Verbindung können die aufgebauten Einheiten im Kurzschlussfall ein robusteres Verhalten gegenüber den heutigen Modulen zeigen. Die DCB kann über die relativ massive Verbindung auch über die Leiterplatte gekühlt werden. Durch eine geeignete Formgebung kann die Destabilisierung von Bondverbindungen durch auftretende Schwingungen verhindert werden.
  • Ein weiterer Vorteil dieser erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, dass die vorhandenen Baugruppen nur geringfügig angepasst werden müssen. Die Anpassung erfolgt lediglich in der Fläche, in welcher die heutigen Module aufliegen. Die SMD-Verbindungen können über der kompletten, zu bestückenden Baufläche des Leistungsmoduls beliebig verteilt werden. Bei heutigen Alternativen wie z.B. einem Econo Pack bestehen Einschränkungen, da die Anschlüsse nur am Rand ausgeführt werden können.
  • Zudem ermöglicht die SMD-Verbindung aufgrund ihrer Form ein sehr stabiles Reflow-Löten, so dass die Verarbeitung sehr einfach erscheint. Die mechanisch-flexible SMD-Verbindung fügt sich erfindungsgemäß leicht in bestehende, automatisierte Serien-SMD-Prozesse ein, ohne dabei neue Prozessschleifen zu erzeugen. Eine Handmontage ist nicht erforderlich, d.h., alle Bauteile können automatisiert bestückt werden. Die SMD-Verbindung wird im selben Reflow-Lötprozessschritt wie die Halbleiter-Chips auf das DCB-Substrat gelötet. In der Abfolge der weiteren Prozessschritte besteht die Möglichkeit, dass die hergestellten Einheiten gelagert werden oder alternativ weiter verarbeitet werden. Diese so gefertigte Zwischeneinheit kann nun ebenfalls über einen Pick&Place-Prozess auf einer Baugruppe platziert werden.
  • Eine spezielle Ausgestaltung dieses erfindungsgemäßen Konzepts kann darin bestehen, dass die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen mechanisch-flexibel, vorzugsweise in Form einer Feder ausgebildet sind.
  • Eine Fortführung des erfindungsgemäßen Konzepts kann vorsehen, die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente U-, S- oder W-förmig oder auch in anderen Formgebungen ausgebildet sind.
  • Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Konzepts kann darin bestehen, dass sowohl die Fixierung der oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente als auch die eines Halbleiterchips auf einem Halbleiterträgerelement im gleichen Vakuumlötprozess umgesetzt ist.
  • Eine Fortführung des erfindungsgemäßen Konzepts kann vorsehen, dass die elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiterträger und Leiterplatte über die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente in einer direkten Kontaktierung, ohne zusätzliche Montagehalterungen für die Kontaktierungselemente, ausgebildet ist.
  • Eine spezielle Ausgestaltung dieses erfindungsgemäßen Konzepts kann darin bestehen, dass die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente sowohl für kleine als auch für große elektrische Ströme ausgebildet sind.
  • Das erfindungsgemäße Leistungsmodul weist eine Grundplatte auf, welche unterseitig auf einem Kühlkörper mit einer oberseitig aufgetragenen Wärmeleitpaste positioniert ist, vorzugsweise durch ein Befestigungsmittel wie beispielsweise eine Schraube. Oberseitig ist auf der Grundplatte eine Lotschicht aufgetragen, auf welcher ein Halbleiterträger in Form eines DCB-Substrats angeordnet ist. Der Halbleiterträger ist vorzugsweise in drei Schichten ausgebildet mit einem mittig angeordneten isolierten Metallsubstrat, welches oberseitig und unterseitig mit Kupfer beschichtet ist. Auf dem Halbleiterträger in Form des DCB-Substrats werden Halbleiterchips, vorzugsweise Silizium-Chips über Bonddrähte mit der Kupferschicht des DCB-Substrats verbunden. Über Anschlusselemente wird eine elektrische Kontaktierung einer vorzugsweise übergeordneten Leiterplatte (PCB) umgesetzt. Erfindungsgemäß ist dieses Anschlusselement aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt und kann in unterschiedlichen Ausführungsformen verwendet werden. Dieses Anschlusselement ist ein oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement und wird auch als SMD (surface mount device)-Verbindung bezeichnet und kann mechanisch-flexibel beispielsweise U-, S- und W-förmig ausgebildet sein.
  • Weitere Ausführungen und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels sowie anhand der Zeichnung erläutert.
  • Dabei zeigen:
    • 1 in einer schematischen Darstellung ein aus dem Stand der Technik bekanntes Leistungsmodul;
    • 2 in einer perspektivischen Darstellung ein erstes Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements (SMD) für die elektrische Kontaktierung;
    • 3 in einer perspektivischen Darstellung ein zweites Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements (SMD) für die elektrische Kontaktierung;
    • 4 in einer perspektivischen Darstellung ein drittes Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements (SMD) für die elektrische Kontaktierung;
    • 5 in einer perspektivischen Darstellung ein Halbleiterträgerelement mit erfindungsgemäßen oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen;
    • 6 in einer Draufsicht die erweiterte Darstellung nach 5 als Flachbaugruppe.
  • 1 zeigt einen Aufbau eines aus dem Stand der Technik bekannten Leistungsmoduls. Das erfindungsgemäße Leistungsmodul weist eine Grundplatte 1 auf, welche unterseitig auf einem Kühlkörper 2 mit einer oberseitig aufgetragenen Wärmeleitpaste 3 positioniert ist, vorzugsweise durch ein Befestigungsmittel 4 wie beispielsweise eine Schraube. Oberseitig ist auf der Grundplatte 1 eine Lotschicht 5 aufgetragen, auf welcher ein Halbleiterträgerelement 6 in Form eines DCB-Substrats mit einem mittig positionierten isolierten Keramiksubstrat 7, welches oberseitig und unterseitig mit einer Kupferoberfläche 8, 9 beschichtet ist, angeordnet ist. Auf dem Halbleiterträgerelement 6 werden Halbleiterchips 10, vorzugsweise Silizium-Chips über Bonddrähte 11 mit der Kupferoberfläche 8 des Halbleiterträgerelements verbunden. Über Anschlusselemente 12 wird eine elektrische Kontaktierung einer vorzugsweise übergeordneten Leiterplatte 13 (PCB) umgesetzt.
  • In 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements 14 für die elektrische Kontaktierung zwischen einer Leiterplatte und einem Halbleiterträgerelement in Form eines DCB-Substrats dargestellt. Dieses erfindungsgemäße Kontaktierungselement 14 ersetzt das Anschlusselement aus 1. Erfindungsgemäß ist dieses Anschlusselement aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt und kann in unterschiedlichen Ausführungsformen verwendet werden. 2 zeigt die U-Form des oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements 14, welches zudem mechanisch-flexibel ausgeführt ist.
  • 3 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements (SMD) 15 für die elektrische Kontaktierung zwischen Leiterplatte und Halbleiterträgerelement in S-Form.
  • In 4 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselements (SMD) 16 für die elektrische Kontaktierung zwischen Leiterplatte und Halbleiterträgerelement in W-Form.
  • 5 zeigt ein Halbleiterträgerelement 17 mit beliebig verteilt angeordneten einfindungsgemäßen oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen (SMD) 14, 15, 16. Das Halbleiterträgerelement 17 ist vorzugsweise in drei Schichten ausgebildet, mit einem mittig angeordneten isolierten Keramiksubstrat 18, welches oberseitig und unterseitig mit einer Kupferoberfläche 19, 20 beschichtet ist. Auf den Kupferoberflächen 19, 20 können sowohl oberseitig als auch unterseitig elektronische Bauelemente als auch oberflächenmontierte elektrische Kontaktierungselemente (SMD) 14, 15, 16 angeordnet sein.
  • In 6 ist die erweiterte Darstellung nach 5 als Flachbaugruppe dargestellt, d.h., über dem mit Bauelementen und oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen 14 bestückten Halbleiterträgerelement 17 ist eine Leiterplatte 21 angeordnet, welche über die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen 14 mit dem Halbleiterträgerelement 17 elektrisch verbunden ist.
  • Das erfindungsgemäße Leistungsmodul zeichnet sich dadurch aus, dass es sich um eine kostengünstige Lösung handelt, da das Kunststoffgehäuse entfällt und zusätzliche Investionen für weitere Werkzeuge eingespart werden können. Durch die erfindungsgemäße Lösung werden auch kleinere Stückzahlen wirtschaftlich sinnvoll. Die erfindungsgemäße SMD-Verbindung ermöglicht durch die Flexibilität der Bauteile eine kompaktere Bauform, welche in Verbindung mit der sich daraus ergebenden Variabilität dem Kunden Vorteile bringen kann. Es können zudem neue Wechselrichtertopologien in neuen Produkten verwendet werden wie beispielsweise 3 Level IGBT Module. Schließlich ermöglicht die erfindungsgemäße SMD-Verbindung genauere Messungen, einen längeren Lebenszyklus, eine durch die stabilen Lötverbindungen deutlich verbesserte Zuverlässigkeit sowie eine automatisierte und stark vereinfachte Fertigung der Verbindung zwischen DCB-Substrat und Leiterplatte.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Grundplatte
    2
    Kühlkörper
    3
    Wärmeleitpaste
    4
    Befestigungsmittel
    5
    Lotschicht
    6
    Halbleiterträgerelement
    7
    Isoliertes Keramiksubstrat
    8
    Kupferoberfläche
    9
    Kupferoberfläche
    10
    Halbleiterchips
    11
    Bonddraht
    12
    Anschlusselemente
    13
    Leiterplatte
    14
    oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement U-Form (SMD)
    15
    oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement S-Form (SMD)
    16
    oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement W-Form (SMD)
    17
    Halbleiterträgerelement
    18
    Isoliertes Keramiksubstrat
    19
    Kupferoberfläche
    20
    Kupferoberfläche
    21
    Leiterplatte

Claims (6)

  1. Leistungsmodul mit einem oberseitig und/oder unterseitig elektrisch zu kontaktierenden Halbleiterträgerelement (17), dadurch gekennzeichnet, dass über mindestens ein oberflächenmontiertes elektrisches Kontaktierungselement (14, 15, 16) das Halbleiterträgerelement (17) mit einer Leiterplatte (21) in einem automatisierten Prozess, einem Pick&Place-Prozess elektrisch kontaktiert ist, wobei die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) in unterschiedlichen Bauformen ausgebildet sind und wobei sowohl die Bestückung mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen (14, 15, 16) als auch die Integration eines Halbleiterchips auf einem Halbleiterträgerelement (17) im gleichen Prozess, einem Pick&Place-Prozess umgesetzt ist.
  2. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) mechanisch-flexibel ausgebildet sind.
  3. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente U-(14), S-(15) oder W-(16)-förmig oder auch in anderen Formgebungen ausgebildet sind.
  4. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl die Fixierung der oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) als auch die eines Halbleiterchips auf einem Halbleiterträgerelement (17) im gleichen Vakuumlötprozess umgesetzt ist.
  5. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiterträgerelement (17) und Leiterplatte (21) über die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) in einer direkten Kontaktierung, ohne zusätzliche Montagehalterungen für die Kontaktierungselemente (14, 15, 16), ausgebildet ist.
  6. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselemente (14, 15, 16) sowohl für kleine als auch für große elektrische Ströme ausgebildet sind.
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