DE102015201833A1

DE102015201833A1 - Haltetisch

Info

Publication number: DE102015201833A1
Application number: DE102015201833.4A
Authority: DE
Inventors: Saki Kimura; Toshio Tsuchiya; Takeshi Dejima
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2014-02-05
Filing date: 2015-02-03
Publication date: 2015-08-06
Anticipated expiration: 2035-02-04
Also published as: KR102175865B1; JP6317935B2; JP2015147231A; DE102015201833B4; CN104816100A; CN104816100B; KR20150092705A; SG10201500647RA; TWI637460B; TW201532182A; MY181072A

Abstract

Ein Haltetisch zum Halten eines Wafers, der einen Bauelementbereich, an dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, an einer Vorderseite des Wafers aufweist, wobei der Wafer ferner einen an einer Rückseite des Umfangsrandbereichs ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt aufweist. Der Haltetisch weist eine obere Oberfläche auf, die mit einer ringförmigen Austrittsnut zum Ermöglichen des Austritts eines Laserstrahls ausgebildet ist, wobei die ringförmige Austrittsnut so ausgebildet ist, dass sie einem Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt des an der oberen Oberfläche des Haltetischs gehaltenen Wafers entspricht, und ein unteres Ende der Austrittsnut angeschrägt und mit feinen Unebenheiten zum Streuen des Laserstrahls ausgebildet ist.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Haltetisch zur Verwendung bei einem Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der einen Bauelementbereich und einen um den Bauelementbereich herum ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt aufweist, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wird.
Beschreibung des Stands der Technik
Mehrere Bauelemente, wie zum Beispiel ICs und LSIs, sind an der Vorderseite eines Wafers ausgebildet. Der Wafer, der somit die Bauelemente aufweist, wird durch Verwendung einer Zerteilvorrichtung oder dergleichen in die einzelnen Bauelemente geteilt. Diese Bauelemente werden in verschiedene elektronische Geräte eingebaut und weit verbreitet verwendet. Um die Größe und das Gewicht elektronischer Geräte zu verringern, wird die Dicke des Wafers zum Beispiel auf 50 μm bis 100 μm verringert. Jedoch weist solch ein dünner Wafer eine verringerte Steifigkeit auf und bewirkt dieser eine Verkrümmung, so dass der Wafer schwer zu handhaben ist und eine Möglichkeit der Beschädigung des Wafers während des Transports des Wafers besteht. Um dieses Problem zu lösen, wurde ein Verfahren zum Vergrößern der Steifigkeit eines Wafers vorgeschlagen, wobei der Wafer einen Bauelementbereich, an dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, an der Vorderseite des Wafers aufweist und die Rückseite des Bauelementbereichs geschliffen wird, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt auszubilden, der dem Umfangsrandbereich entspricht (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2007-19461 ).
Außerdem wurde ein Verfahren zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts von dem Wafer vor dem Teilen des Wafers entlang von Trennlinien vorgeschlagen (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2012-23175 ). Bei dem in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2012-23175 beschriebenen Verfahren wird ein Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt (dem Umfangsrandbereich) mit einer Schneidklinge geschnitten, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt von dem Bauelementbereich des Wafers zu trennen. Nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt somit von dem Wafer entfernt wurde, wird der Wafer, der nun nur den Bauelementbereich aufweist, von der Vorderseite des Wafers aus durch Verwendung der Schneidklinge entlang der Trennlinien geschnitten, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelemente geteilt wird.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Je dünner jedoch der Wafer in dem Bauelementbereich bei dem in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2012-23175 beschriebenen Verfahren ist, desto größer ist die Stufe zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt. Bei einer Zunahme der Höhe dieser Stufe muss der Randvorstehbetrag der Schneidklinge um die Höhe der Stufe größer als der übliche Betrag eingestellt werden, um so den Kontakt zwischen einer Klingennabe und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt zu verhindern. Jedoch wird, wenn der Wafer in dem Zustand geschnitten wird, in dem der Randvorstehbetrag der Schneidklinge groß ist, eine Überbelastung auf die Schneidklinge ausgeübt, wodurch eine Möglichkeit des Mäanderns und des Brechens der Schneidklinge hervorgerufen wird. Es kann angenommen werden, dass ein Vergrößern der Dicke der Schneidklinge ein solches Mäandern und Brechen der Schneidklinge verhindert. Jedoch wird in diesem Fall die Breite einer durch die Schneidklinge ausgebildeten, geschnittenen Nut um einen Betrag vergrößert, welcher der Vergrößerung der Dicke der Schneidklinge entspricht, wodurch ein Problem dahingehend hervorgerufen wird, dass der Bauelementbereich verringert wird.
Insbesondere wurde in den letzten Jahren beabsichtigt, den Durchmesser des Wafers zu vergrößern, um so eine Chipgröße und die Produktivität zu erhöhen. Eine Vergrößerung des Durchmessers des Wafers bewirkt eine Vergrößerung der Dicke des Wafers. Dementsprechend wird angenommen, dass die Höhe der Stufe wegen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts vergrößert werden kann, indem die Dicke des Wafers in dem Bauelementbereich verringert wird. Als Folge dessen wird der Randvorstehbetrag der Schneidklinge weiter vergrößert, so dass eine Schwierigkeit beim geeigneten Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts von dem Wafer hervorgerufen wird.
Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Haltetisch zur Verwendung bei einem Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das einen Wafer mit einem Bauelementbereich und einem um den Bauelementbereich herum ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt bearbeiten kann, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt stabil von dem Wafer entfernt werden kann, ohne den Bauelementbereich zu verringern.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Haltetisch zum Halten eines Wafers bereitgestellt, der einen Bauelementbereich, an dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, an einer Vorderseite des Wafers aufweist, wobei der Wafer ferner einen an einer Rückseite des Umfangsrandbereichs ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt aufweist; der Haltetisch eine obere Oberfläche aufweist, die mit einer ringförmigen Austrittsnut zum Ermöglichen des Austritts eines Laserstrahls ausgebildet ist, wobei die ringförmige Austrittsnut so ausgebildet ist, dass sie einem Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt des an der oberen Oberfläche des Haltetischs gehaltenen Wafers entspricht, und ein unteres Ende der Austrittsnut angeschrägt und mit feinen Unebenheiten zum Streuen des Laserstrahls ausgebildet ist.
Bei diesem Aufbau wird der Laserstrahl entlang des Grenzabschnitts zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt (dem Umfangsrandbereich) auf den Wafer aufgebracht, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Bauelementbereich des Wafers getrennt wird. Wenn der Laserstrahl aufgebracht wird, kann, da das angeschrägte untere Ende der ringförmigen Austrittsnut mit feinen Unebenheiten ausgebildet ist, reflektiertes Licht des Laserstrahls, das von dem unteren Ende der Austrittsnut reflektiert wird, nicht zu einer Laserquelle zurückkehren und wird die Intensität des reflektierten Lichts verringert, um dadurch zu verhindern, dass die Laserquelle beschädigt wird.
Der ringförmige Verstärkungsabschnitt kann von dem Bauelementbereich getrennt werden, ohne eine Schneidklinge zu verwenden, so dass es nicht erforderlich ist, wie in dem Fall der Verwendung der Schneidklinge den Randvorstehbetrag und die Dicke der Schneidklinge zu berücksichtigen. Ferner kann, da der Wafer durch Aufbringen des Laserstrahls bearbeitet wird, ein Bearbeitungsbereich minimiert werden, um dadurch das Problem zu beseitigen, dass der Bauelementbereich verringert wird. Ferner kann, sogar falls die Dicke des Wafers bei einer Vergrößerung des Durchmessers des Wafers vergrößert wird, der ringförmige Verstärkungsabschnitt stabil entfernt werden.
Der Haltetisch der vorliegenden Erfindung ist zu verwenden, wenn eine Rückseite des Wafers, die dem Bauelementbereich entspricht, geschliffen wird, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt, der den Umfangsrandbereich beinhaltet, auszubilden, und der ringförmige Verstärkungsabschnitt entfernt wird, indem der Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, in Richtung auf den Grenzabschnitt aufgebracht wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Laserstrahl entlang des Grenzabschnitts zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt auf den Wafer aufgebracht, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Bauelementbereich getrennt wird, so dass der ringförmige Verstärkungsabschnitt stabil von dem Wafer entfernt werden kann, ohne den Bauelementbereich zu verringern.
Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, studiert werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung;
2A und 2B sind Ansichten zum Veranschaulichen eines Haltetischs;
3 ist eine Seitenschnittdarstellung zum Veranschaulichen eines Waferanbringschritts;
4 ist eine Seitenschnittdarstellung zum Veranschaulichen eins Ausrichtungsschritts;
5A bis 5C sind Ansichten zum Veranschaulichen eins Schritts zum Trennen eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
6 ist eine Seitenschnittdarstellung zum Veranschaulichen eines Schritts zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
7 ist eine Seitenschnittdarstellung zum Veranschaulichen eines Bauelementbereichhalteschritts;
8 ist eine Seitenschnittdarstellung zum Veranschaulichen eines Teilungsschritts; und
9A und 9B sind schematische Schnittdarstellungen zum Veranschaulichen einer an dem Haltetisch ausgebildeten Austrittsnut.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Nachfolgend wird ein Waferbearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird an einem sogenannten TAIKO-Wafer durchgeführt, der durch Schleifen der Rückseite eines ursprünglichen Wafers außer an dessen Umfangsabschnitt ausgebildet ist, und dieses Verfahren ist ein Verfahren zum Entfernen des Umfangsabschnitts eines solchen TAIKO-Wafers. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung zur Verwendung in dem Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform. Der Aufbau einer Laserbearbeitungsvorrichtung zur Verwendung in dem Waferbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf den in 1 gezeigten beschränkt, sondern jeder Aufbau, der zum Bearbeiten des Wafers wie bei dieser bevorzugten Ausführungsform geeignet ist, kann verwendet werden.
Wie in 1 gezeigt ist, beinhaltet die mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnete Laserbearbeitungsvorrichtung ein Laserstrahlaufbringmittel 2 zum Aufbringen eines Laserstrahls auf einen an einem Haltetisch 5 gehaltenen Wafer W, wobei das Laserstrahlaufbringmittel 2 und der Haltetisch 5 relativ bewegt werden, um den Wafer W zu bearbeiten. Der Wafer W ist ein im Wesentlichen scheibenförmiges Element, das eine Vorderseite 80 und eine Rückseite 81 aufweist. Mehrere sich kreuzende Trennlinien 82 sind an der Vorderseite 80 des Wafers W ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren (siehe 8). In diesen durch die Trennlinien 82 definierten, getrennten Bereichen sind jeweils mehrere Bauelemente an der Vorderseite 80 in dem mittleren Bereich des Wafers W ausgebildet. Das heißt, die Vorderseite 80 des Wafers W besteht aus einem Bauelementbereich 83, an dem die mehreren Bauelemente ausgebildet sind, und einem Umfangsrandbereich 84, der den Bauelementbereich 83 umgibt (siehe 2B).
Wie in 1 und 2B gezeigt ist, ist eine kreisförmige Aussparung durch Schleifen an der Rückseite 81 des Wafers W in einem mittleren Bereich, der dem Bauelementbereich 83 entspricht, ausgebildet, und ist ein ringförmiger Vorsprungsabschnitt als ein Verstärkungsabschnitt 85 an der Rückseite 81 des Wafers W in einem Umfangsbereich, der dem Umfangsrandbereich 84 entspricht, ausgebildet. Dementsprechend weist nur der mittlere Bereich des Wafers W eine verringerte Dicke auf und ist die Steifigkeit des Wafers W durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 verbessert. Als Folge dessen wird die Dicke des Bauelementbereichs 83 des Wafers W verringert und die Verkrümmung des Wafers W durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 unterdrückt, um dadurch eine Beschädigung des Wafers W während des Transports zu verhindern. Der Wafer W kann ein Halbleiterwafer, der aus Silizium, Galliumarsenid etc. ausgebildet ist, oder ein Optikbauelementwafer, der aus Keramik, Glas, Saphir etc. ausgebildet ist, sein.
Ein Halteband T1 ist an der Vorderseite 80 des Wafers W angebracht und ein ringförmiger Rahmen F1 mit einer mittleren Öffnung ist an dem Umfangsabschnitt des Haltebands T1 angebracht. Der Wafer W wird in dem Zustand zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 geführt, in dem der Wafer W durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 gehalten ist. Wie in 2B gezeigt ist, ist ein Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem Umfangsrandbereich 84 ausgebildet, so dass eine Stufe wegen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 in dem Grenzabschnitt 86 ausgebildet ist. In dem Fall einer mechanischen Zerteilung unter Verwendung einer Schneidklinge kann eine Klingennabe störend mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 in Kontakt kommen, wodurch eine Schwierigkeit beim Durchführen eines geeigneten Vorgangs hervorgerufen wird. Unter diesem Gesichtspunkt verwendet diese bevorzugte Ausführungsform Laserablation zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 von dem Wafer W.
Wie in 1 gezeigt ist, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 eine rechteckige Basis 11 auf. An der oberen Oberfläche der Basis 11 ist ein Haltetischbewegungsmechanismus 4 zum Bewegen des Haltetischs 5 in der X-Richtung, die sich entlang einer in 1 gezeigten X-Achse erstreckt, und in der Y-Richtung, die sich entlang einer in 1 gezeigten Y-Achse erstreckt, vorgesehen. Der Haltetischbewegungsmechanismus 4 beinhaltet ein Paar paralleler Führungsschienen 41, die so an der oberen Oberfläche der Basis 11 vorgesehen sind, dass sie sich in der X-Richtung erstrecken, und einen motorgetriebenen X-Tisch 42, der verschiebbar an den Führungsschienen 41 gehalten ist. Der Haltetischbewegungsmechanismus 4 beinhaltet ferner ein Paar paralleler Führungsschienen 43, die so an der oberen Oberfläche des X-Tischs 42 vorgesehen sind, dass sie sich in der Y-Richtung erstrecken, und einen motorgetriebenen Y-Tisch 44, der verschiebbar an den Führungsschienen 43 gehalten ist.
Mutterabschnitte (nicht gezeigt) sind an den unteren Oberflächen des X-Tischs 42 und des Y-Tischs 44 ausgebildet und Kugelgewindespindeln 45 und 46 stehen jeweils mit diesen Mutterabschnitten des X-Tischs 42 und des Y-Tischs 44 in Schraubeingriff. Antriebsmotoren 47 und 48 sind jeweils mit den Endabschnitten der Kugelgewindespindeln 45 und 46 verbunden. Dementsprechend wird, wenn die Kugelgewindespindeln 45 und 46 jeweils durch die Antriebsmotoren 47 und 48 drehend angetrieben werden, der Haltetisch 5 jeweils in der X-Richtung und der Y-Richtung entlang der Führungsschienen 41 und 43 bewegt. Ein θ-Tisch 49 ist an der oberen Oberfläche des Y-Tischs 44 so vorgesehen, dass er um eine in 1 gezeigte Z-Achse drehbar ist. Der Haltetisch 5 zum Halten des Wafers W ist an der oberen Oberfläche des θ-Tischs 49 vorgesehen.
Der Haltetisch 5 ist ein kreisförmiges Element, das aus einem Metallmaterial, wie zum Beispiel Edelstahl, ausgebildet ist. Der Haltetisch 5 weist eine obere Oberfläche auf, die als eine Halteoberfläche 51 zum Halten des Wafers W daran wirkt. Die Halteoberfläche 51 ist mit mehreren Ansaugnuten 57 und 58 (siehe 2A) ausgebildet, wobei ein Vakuum in den Ansaugnuten 57 und 58 erzeugt wird, um dem Wafer W an der Halteoberfläche 51 unter Ansaugen zu halten. Ferner sind vier luftgetriebene Klemmen 60 an dem äußeren Umfang des Haltetischs 5 vorgesehen. Die vier Klemmen 60 wirken so, dass sie den ringförmigen Rahmen F1, der den Wafer W durch das Halteband T1 hält, in dem Zustand befestigen, in dem der Wafer W an der Halteoberfläche 51 unter Ansaugen gehalten wird. Ein Wandabschnitt 12 steht von der Basis 11 an deren hinterem Ende hinter dem Haltetisch 5 hervor. Ein Armabschnitt 13 steht von der vorderen Oberfläche des Wandabschnitts 12 hervor. Das Laserstrahlaufbringmittel 2 ist an dem Armabschnitt 13 so gehalten, dass es dem Haltetisch 5 gegenüberliegt.
Das Laserstrahlaufbringmittel 2 weist einen an dem vorderen Ende des Armabschnitts 13 vorgesehenen Bearbeitungskopf 21 auf. Optische Komponenten, die das Laserstrahlaufbringmittel 2 bilden, sind in dem Armabschnitt 13 und dem Bearbeitungskopf 21 vorgesehen. Spezieller ist ein Laseroszillator (nicht gezeigt) in dem Armabschnitt 13 vorgesehen und beinhaltet der Bearbeitungskopf 21 eine Fokussierlinse (nicht gezeigt) zum Fokussieren eines durch den Laseroszillator oszillierten Laserstrahls auf den an dem Haltetisch 5 gehaltenen Wafer W, wodurch der Wafer W bearbeitet wird. In diesem Fall weist der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer W auf und wird der Fokus des Laserstrahls durch die optischen Komponenten so eingestellt, dass der Laserstrahl innerhalb des an der Vorderseite 80 des Wafers W (der unteren Oberfläche in der Betrachtung der 2B) angebrachten Haltebands T1 fokussiert ist. Durch das Aufbringen des Laserstrahls auf den Wafer W tritt eine Ablation in dem Wafer W zusammen mit dem Halteband T1 auf.
Die Ablation ist ein solches Phänomen, dass, wenn die Intensität eines auf eine feste Oberfläche aufgebrachten Laserstrahls größer als oder gleich groß wie ein vorgegebener Bearbeitungsschwellwert wird, die Energie des Laserstrahls in elektronische, thermische, photochemische und mechanische Energie umgewandelt wird, so dass neutrale Atome, Moleküle, positive und negative Ionen, Radikale, Cluster, Elektronen und Licht explosionsartig emittiert werden, um ein Ätzen der festen Oberfläche zu bewirken.
Unter erneuter Bezugnahme auf 1 ist ein Abbildemittel 3 zum Abbilden eines Umfangsrands 90 des Wafers W (siehe 2B) neben dem Laserstrahlaufbringmittel 2 vorgesehen. Das Abbildemittel 3 wirkt so, dass es ein Abbildelicht auf den Umfangsrand 90 des Wafers W aufbringt und von diesem reflektiertes Licht empfängt, wodurch der Umfangsrand 90 des Wafers W abgebildet wird. Ferner werden durch das Abbildemittel 3 drei beliebige Punkte an dem Umfangsrand 90 des Wafers W abgebildet und die resultierenden Bilder einer Bildverarbeitung unterzogen, um die Koordinaten der drei Punkte an dem Umfangsrand 90 zu erfassen. Gemäß den Koordinaten der drei Punkte an dem Umfangsrand 90 wird die Mitte des Wafers W berechnet und anschließend eine Ausrichtung auf Grundlage der oben berechneten Mitte des Wafers W durchgeführt.
Nachdem diese Ausrichtung durchgeführt wurde, wird der Bearbeitungskopf 21 unmittelbar oberhalb des Grenzabschnitts 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) des an dem Haltetisch 5 in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gehaltenen Wafers W angeordnet (siehe 5A). Der Laserstrahl wird von dem Bearbeitungskopf 21 in Richtung auf den Wafer W aufgebracht und der Haltetisch 5 wird gedreht, um dadurch den Wafer W zusammen mit dem Halteband T1 zu schneiden. Dementsprechend werden der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 und der ringförmige Rahmen F1 von dem Wafer W getrennt. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85, der durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 gehalten ist, zusammen mit dem ringförmigen Rahmen F1 von dem Haltetisch 5 entfernt. Daher wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Wafer W entfernt (siehe 6).
Der Haltetisch 5 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 2A und 2B näher beschrieben. 2A ist eine perspektivische Ansicht des Haltetischs 5 und 2B ist eine Schnittdarstellung des Haltetischs 5. In 2B ist der an dem Haltetisch 5 gehaltene Wafer W durch eine gestrichelte Linie gezeigt.
Wie in 2A und 2B gezeigt ist, ist die obere Oberfläche des Haltetischs 5 mit einer ringförmigen Austrittsnut 53 zum Ermöglichen des Austritts des Laserstrahls beim Durchführen der Ablation ausgebildet. Die Austrittsnut 53 ist entlang des äußeren Umfangs des Haltetischs 5 so ausgebildet, dass sie dem Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) des an dem Haltetisch 5 gehaltenen Wafers W entspricht. Der mittlere Bereich der oberen Oberfläche des Haltetischs 5 an der radialen Innenseite der Austrittsnut 53 ist als die Halteoberfläche 51 zum Halten des Wafers W ausgebildet. Die Halteoberfläche 51 ist so ausgebildet, dass sie dem Bauelementbereich 83 des Wafers W entspricht. Wie oben beschrieben wurde, weist die Halteoberfläche 51 die mehreren Ansaugnuten 57 und 58 auf. Spezieller sind die Nuten 57 als ein Paar sich kreuzender Ansaugnuten ausgebildet, die sich in der Mitte des Haltetischs 5 unter rechten Winkeln schneiden, und sind die Nuten 58 als mehrere konzentrische Ringnuten um den Schnittpunkt der sich kreuzenden Ansaugnuten 57 ausgebildet. Die sich kreuzenden Ansaugnuten 57 und die Ringansaugnuten 58 stehen miteinander in Verbindung und sind durch einen in dem Haltetisch 5 ausgebildeten Ansaugdurchlass 59 mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Dementsprechend wird ein Vakuum in den Ansaugnuten 57 und 58 erzeugt, um dadurch den Wafer W durch das Halteband T1 unter Ansaugen an der Halteoberfläche 51 zu halten. Ferner ist ein Umfangsbereich 52 der oberen Oberfläche des Haltetischs 5 an der radialen Außenseite der Austrittsnut 53 bündig mit der Halteoberfläche 51 und wirkt dieser so, dass er das Halteband T1, das von dem Wafer W radial nach außen hervorsteht, hält. Dementsprechend wird das Halteband T1 in einem horizontalen Zustand zwischen der Halteoberfläche 51 und dem Umfangsbereich 52 gehalten, so dass es möglich ist, zu verhindern, dass das Halteband T1 (nach unten) in die Austrittsnut 53 verformt wird, wodurch eine Abweichung einer Laserstrahlaufbringposition bewirkt wird.
Ein unteres Ende 54 der Austrittsnut 53 ist so geneigt, dass die Tiefe der Austrittsnut 53 in Richtung auf die Mitte des Haltetischs 5 zunimmt. Das heißt, das untere Ende 54 ist eine angeschrägte Oberfläche und ist mit feinen Unebenheiten zum Streuen des Laserstrahls ausgebildet. Diese feinen Unebenheiten können durch Sandstrahlen oder dergleichen ausgebildet werden. Dementsprechend wird der Laserstrahl unregelmäßig von dem unteren Ende 54 reflektiert und bewegt sich das resultierende reflektierte Licht von der Laserquelle (dem Bearbeitungskopf 21) weg. Ferner wird die Intensität des von dem unteren Ende 54 reflektierten Lichts verringert, so dass eine Beeinträchtigung des Laserstrahls durch das reflektierte Licht unterdrückt werden kann. Ferner wird, wie nachfolgend hierin im Einzelnen beschrieben wird, das von dem Abbildemittel 3 aufgebrachte Abbildelicht (siehe 4) beim Durchführen der Ausrichtung auch von dem unteren Ende 54 reflektiert und bewegt sich das resultierende reflektierte Licht von dem Abbildemittel 3 weg. Ferner wird die Intensität des von dem unteren Ende 54 reflektierten Lichts in diesem Fall auch verringert. Dementsprechend kann der Kontrast in dem durch das Abbildemittel 3 erhaltenen Bild des Umfangsrands 90 des Wafers W vergrößert werden.
Bei dem Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Bauelementbereich 83 des Wafers W in die einzelnen Bauelemente als Chips geteilt, nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 unter Verwendung der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung 1 von dem Wafer W entfernt wurde. Das Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 3 bis 8 näher beschrieben. 3 zeigt einen Waferanbringschritt, 4 zeigt einen Ausrichtungsschritt, 5A bis 5C zeigen einen Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, 6 zeigt einen Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, 7 zeigt einen Bauelementbereichhalteschritt und 8 zeigt einen Teilungsschritt. 5A ist eine Seitenschnittdarstellung des an dem Haltetisch 5 gehaltenen Wafers W in dem Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, 5B ist eine vergrößerte Schnittdarstellung eines wesentlichen Teils des in 5A gezeigten Wafers W und 5C ist eine Draufsicht eines wesentlichen Teils des in 5A gezeigten Wafers W.
Wie in 3 gezeigt ist, wird der Waferanbringschritt zuerst durchgeführt. Bei dem Waferanbringschritt wird der Wafer W in der mittleren Öffnung des ringförmigen Rahmens F1 angeordnet und das Halteband T1 an der Vorderseite 80 des Wafers W und dem ringförmigen Rahmen F1 angebracht. Dementsprechend wird der Wafer W durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 in dem Zustand gehalten, in dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 nach oben gerichtet ist. Der somit durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 gehaltene Wafer W wird zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 geführt (siehe 1). Dieser Waferanbringschritt kann von einer Bedienperson manuell durchgeführt werden oder unter Verwendung einer Bandanbringeinrichtung (nicht gezeigt) durchgeführt werden.
Nachdem der oben beschriebene Waferanbringschritt durchgeführt wurde, wird der Ausrichtungsschritt durchgeführt, wie in 4 gezeigt ist. In dem Ausrichtungsschritt wird der durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 gehaltene Wafer W an der Halteoberfläche 51 des Haltetischs 5 in dem Zustand gehalten, in dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 nach oben gerichtet ist. Ferner wird der ringförmige Rahmen F1 durch die Klemmen 60 befestigt. Danach wird das Abbildemittel 3 unmittelbar oberhalb des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 des Wafers W angeordnet und der Umfangsrand 90 des Wafers W durch das Abbildemittel 3 abgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird das Abbildelicht von dem Abbildemittel 3 auf den Umfangsrand 90 und den nahe zu diesem liegenden Bereich aufgebracht und das von dem Umfangsrand 90 und dem nahe zu diesem liegenden Bereich reflektierte Licht durch das Abbildemittel 3 eingefangen, um dadurch ein Bild auszubilden.
Der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 weist eine horizontale obere Oberfläche 87 an der radialen Innenseite des Umfangsrands 90 auf. Das von dem Abbildemittel 3 aufgebrachte Abbildelicht wird von der oberen Oberfläche 87 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 reflektiert (das heißt, an der oberen Oberfläche 87 tritt eine Lichthofbildung auf). Andererseits liegt die Austrittsnut 53 an der radialen Außenseite des Umfangsrands 90 vor, so dass das von dem Abbildemittel 3 aufgebrachte Abbildelicht durch das Halteband T1 transmittiert und anschließend von dem angeschrägten unteren Ende 54 der Austrittsnut 53 reflektiert wird. Dementsprechend wird das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht auf die Mitte des Wafers W gerichtet. Gleichzeitig wird das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht wegen der feinen Unebenheiten an dem unteren Ende 54 gestreut. Als Folge dessen wird das reflektierte Licht an der radialen Außenseite des Umfangsrands 90 kaum durch das Abbildemittel 3 eingefangen.
In dem Bild des Umfangsrands 90 und des nahe zu diesem liegenden Bereichs ist ein Teil des Bilds, welcher der radialen Innenseite des Umfangsrands 90 entspricht, hell, da das von diesem Innenseitenbereich reflektierte Licht durch das Abbildemittel 3 eingefangen wird, während der verbleibende Teil, welcher der radialen Außenseite des Umfangsrands 90 entspricht, dunkel ist, da das von diesem Außenseitenbereich reflektierte Licht kaum durch das Abbildemittel 3 eingefangen wird. Dementsprechend ist bei dieser bevorzugten Ausführungsform der Kontrast in dem Bild des Umfangsrands 90 und des nahe zu diesem liegenden Bereichs hoch, so dass der Umfangsrand 90 klar erkannt werden kann. In ähnlicher Weise werden mehrere Punkte an dem Umfangsrand 90 des Wafers W durch das Abbildemittel 3 abgebildet. Gemäß den Bildern an diesen mehreren Punkten wird eine Bildverarbeitung durchgeführt, um die Koordinaten dieser mehreren Punkte zu erfassen. Danach wird gemäß den Koordinaten dieser mehreren Punkte an dem Umfangsrand 90 die Mitte des Wafers W berechnet, um die Ausrichtung durchzuführen.
Nachdem der oben beschriebene Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde, wird der Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts durchgeführt, wie in 5A bis 5C gezeigt ist. In dem Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird ein erster Schritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass eine laserbearbeitete Nut 92 in dem Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) des Wafers W ausgebildet wird. In dem ersten Schritt wird der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 unmittelbar unterhalb des Bearbeitungskopfs 21 angeordnet. Ferner werden die Fokusposition und eine Fleckgröße 91 des von dem Bearbeitungskopf 21 aufzubringenden Laserstrahls eingestellt. Danach wird der Laserstrahl, der die vorgegebene Fleckgröße 91 aufweist, auf den Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 des Wafers W aufgebracht, wie in 5B und 5C durch eine gestrichelte Linie gezeigt ist.
Gleichzeitig wird der Haltetisch 5, der den Wafer W hält, in dem Zustand gedreht, in dem der Laserstrahl auf den Wafer W aufgebracht wird. Als Folge dessen wird der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 durch den Laserstrahl, der die durch die gestrichelte Linie gezeigte Fleckgröße 91 aufweist (siehe 5C), weggeschnitten. Zu diesem Zeitpunkt dringt der Laserstrahl durch den Wafer W und das Halteband T1 und wird dieser anschließend von dem unteren Ende 54 der Austrittsnut 53 reflektiert. Das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht wird auf die Mitte des Haltetischs 5 gerichtet. Ferner wird, da das untere Ende 54 die feinen Unebenheiten aufweist, das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht gestreut und dessen Intensität verringert. Dementsprechend wird das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht kaum zu dem Bearbeitungskopf 21 zurückgeführt. Sogar wenn das von dem unteren Ende 54 reflektierte Licht zu dem Bearbeitungskopf 21 zurückgeführt wird, besteht keine Möglichkeit, dass die Laserquelle (der Bearbeitungskopf 21) durch das reflektierte Licht beschädigt werden kann.
Indem der erste Schritt wie oben beschrieben durchgeführt wird, wird der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 zusammen mit dem Halteband T1 geschnitten, um dadurch die laserbearbeitete Nut 92 auszubilden. Jedoch besteht, da die Breite der laserbearbeiteten Nut 92 klein ist, eine Möglichkeit, dass die laserbearbeitete Nut 92 durch bei der Ablation erzeugte Schmutzpartikel verstopft werden kann. Um dieses Problem zu lösen, folgt auf den ersten Schritt ein zweiter Schritt zum Vergrößern der Breite der laserbearbeiteten Nut 92, um den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 von dem Bauelementbereich 83 zu trennen. In dem zweiten Schritt wird der Bearbeitungskopf 21 (das Laserstrahlaufbringmittel 2) in der radialen Richtung des Wafers W von der Laserstrahlaufbringposition in dem ersten Schritt, wie durch die gestrichelte Linie gezeigt ist, um einen Abstand bewegt, der kleiner als die vorgegebene Fleckgröße 91 (Fleckdurchmesser) ist, wie in 5B und 5C gezeigt ist.
Danach wird der Laserstrahl von dem Bearbeitungskopf 21 an der verschobenen Position, die in 5B und 5C durch eine gestrichelte Linie gezeigt ist, auf den Wafer W aufgebracht. Gleichzeitig wird der Haltetisch 5 gedreht. Als Folge dessen wird der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 durch den Laserstrahl, der die in 5C durch die gestrichelte Linie gezeigte Fleckgröße 91 aufweist, weiter weggeschnitten. Zu diesem Zeitpunkt überlappt die Fleckgröße 91 des Laserstrahls teilweise die in dem ersten Schritt ausgebildete laserbearbeitete Nut 92. Dementsprechend werden die in der laserbearbeiteten Nut 92 verbliebenen Schmutzpartikel durch den Laserstrahl entfernt und wird gleichzeitig die Breite der laserbearbeiteten Nut 92 leicht vergrößert. Falls der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 sogar durch diese zwei Schritte der Laserbearbeitung nicht vollständig von dem Bauelementbereich 83 getrennt wird, wird der zweite Schritt nochmals durchgeführt.
Der zweite Schritt wird wiederholt, bis die Breite der laserbearbeiteten Nut 92 ausreichend vergrößert ist, um den Wafer W und das Halteband T1 vollständig entlang des Grenzabschnitts 86 zu schneiden. Daher kann, sogar wenn der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 in dem ersten Schritt des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts nicht von dem Bauelementbereich 83 des Wafers W getrennt wird, der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 zuverlässig von dem Bauelementbereich 83 getrennt werden, indem der zweite Schritt des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wiederholt wird. Zum Beispiel wird die Fleckgröße 91 des Laserstrahls in dem ersten und dem zweiten Schritt auf 90 μm eingestellt und der Linienabstand (Einteilung), der dem Verschiebungsbetrag des Laserstrahls zwischen dem ersten und dem zweiten Schritt entspricht, auf 0,015 μm eingestellt. Ferner werden in dem ersten und dem zweiten Schritt zwei Durchgänge (vier Durchläufe) der Laserbearbeitung pro Linie durchgeführt.
Nachdem der Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts durchgeführt, wie in 6 gezeigt ist. In dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird die Befestigung des ringförmigen Rahmens F1 durch die Klemmen 60 aufgehoben und ein Überführungsmittel 71, das Saugblöcke 72 aufweist, oberhalb des Haltetischs 5 angeordnet. Danach wird der ringförmige Rahmen F1 durch die Ansaugblöcke 72 des Überführungsmittel 71 unter Ansaugen gehalten und der durch das Halteband T1 an dem ringförmigen Rahmen F1 gehaltene ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 durch Betätigen des Überführungsmittels 71 von dem Haltetisch 5 entfernt. Dementsprechend wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Wafer W entfernt und nur der Bauelementbereich 83 des Wafers W an dem Haltetisch 5 belassen. Danach wird der Wafer W, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 entfernt wurde, von der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entladen (siehe 1).
Nachdem der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird der Bauelementbereichhalteschritt durchgeführt, wie in 7 gezeigt ist. In dem Bauelementbereichhalteschritt wird der Wafer W, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 (siehe 6) entfernt wurde, in der mittleren Öffnung eines weiteren ringförmigen Rahmens F2 angeordnet und ein weiteres Halteband T2 an der Rückseite 81 des Wafers W und dem ringförmigen Rahmen F2 angebracht. Dementsprechend wird der Wafer W durch das Halteband T2 an dem ringförmigen Rahmen F2 in dem Zustand gehalten, in dem die Vorderseite 80 des Wafers W nach oben gerichtet ist. Ferner wird das Halteband T1 von der Vorderseite 80 des Wafers W abgezogen. Danach wird der Wafer W, der somit durch das Halteband T2 an dem ringförmigen Rahmen F2 gehalten wird, in eine Schneidvorrichtung 73 (siehe 8) geladen. Dieser Bauelementhalteschritt kann von einer Bedienperson manuell durchgeführt werden oder unter Verwendung einer Bandanbringeinrichtung (nicht gezeigt) durchgeführt werden.
Nachdem der Bauelementbereichhalteschritt wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird der Teilungsschritt durchgeführt, wie in 8 gezeigt ist. In dem Teilungsschritt wird der Wafer W an einem Haltetisch 74, der in der Schneidvorrichtung 73 beinhaltet ist, in dem Zustand gehalten, in dem die Vorderseite 80 des Wafers W nach oben gerichtet (freigelegt) ist. Danach wird eine in der Schneidvorrichtung 73 beinhaltete Schneidklinge 75 oberhalb des Wafers W an einer Position an der radialen Außenseite des Wafers W so angeordnet, dass die Schneidklinge 75 zu einer vorgegebenen der Trennlinien 82 ausgerichtet ist. Danach wird die Schneidklinge 75 auf eine solche Höhe abgesenkt, dass die Tiefe des Schnitts durch die Schneidklinge 75 die Mitte der Dicke des an der Rückseite 81 des Wafers W angebrachten Haltebands T2 erreicht. Danach wird der an dem Haltetisch 74 gehaltene Wafer W der Schneidklinge 75, die mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, zugeführt, so dass der Wafer W entlang der vorgegebenen Trennlinie 82 geschnitten wird, um dadurch den Wafer W in die einzelnen Bauelemente als Chips zu teilen.
Das Teilungsverfahren für den Wafer W in diesem Teilungsschritt ist nicht besonders beschränkt. Zum Beispiel kann der Wafer W halb geschnitten werden, um eine geschnittene Nut entlang jeder Trennlinie auszubilden, und wird der Wafer W anschließend durch einen Brechvorgang geteilt. Als eine Abwandlung kann der Wafer W vollständig durch Ablation geschnitten und dadurch in die einzelnen Bauelemente geteilt werden. Als eine weitere Abwandlung kann eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers W entlang jeder Trennlinie durch einen SD(Stealth Dicing)-Vorgang ausgebildet werden und eine äußere Kraft auf jede modifizierte Schicht ausgeübt werden, um dadurch den Wafer W zu teilen. Jede modifizierte Schicht ist ein Bereich, der von dessen Umgebungsbereich hinsichtlich der Dichte, des Brechungsindex, der mechanischen Festigkeit oder anderer physikalischer Eigenschaften in dem mit einem Laserstrahl bestrahlten Wafer W unterschiedlich ist, so dass die Festigkeit in diesem Bereich verringert ist. Beispiele jeder modifizierten Schicht beinhalten einen geschmolzenen Bereich, einen rissigen Bereich, einen Durchbruchsbereich und einen Bereich mit geändertem Brechungsindex. Diese Bereiche können gemischt werden.
Nachfolgend wird die Positionsbeziehung zwischen der Austrittsnut 53 des Haltetischs 5 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 des an dem Haltetisch 5 gehaltenen Wafers W unter Bezugnahme auf 9A und 9B beschrieben. 9A ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, welche die Austrittsnut 53 und den nahe zu dieser liegenden Bereich gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt, und 9B ist eine der 9A ähnliche vergrößerte Schnittdarstellung, die einen Vergleich zeigt. Bei diesem in 9B gezeigten Vergleich sind die gleichen Teile wie die in 9A gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Wie in 9A gezeigt ist, ist die Austrittsnut 53 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform breiter als der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 und so angeordnet, dass sie dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 entspricht. Eine Innenseitenoberfläche 55 der Austrittsnut 53 ist so angeordnet, dass sie um einen kleinen Abstand X1 von einer Innenseitenoberfläche 88 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 radial nach innen verschoben ist. Eine Außenseitenoberfläche 56 der Austrittsnut 53 ist so angeordnet, dass sie um einen ausreichenden Abstand X2 von einer Außenseitenoberfläche 89 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 radial nach außen verschoben ist. Auf diese Weise ist die Austrittsnut 53 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform so ausgebildet, dass die Innenseitenoberfläche 55 radial nahe zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 angeordnet ist und die Außenseitenoberfläche 56 radial entfernt von dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 angeordnet ist.
Da die Innenseitenoberfläche 55 der Austrittsnut 53 radial nahe zu der Innenseitenoberfläche 88 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 angeordnet ist, kann der Wafer W an der Halteoberfläche 51 des Haltetischs 5 in einem großen Bereich gehalten werden. Dementsprechend können beim Durchführen der Laserbearbeitung der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) und der nahe zu diesem liegende Bereich stabil an der Halteoberfläche 51 gehalten werden, so dass keine Möglichkeit besteht, dass die Laserstrahlaufbringposition an dem Grenzabschnitt 86 abweicht. Ferner ist beim Durchführen der Ausrichtung die Menge an Licht, das von dem Abbildemittel 3 (siehe 4) in die Austrittsnut 53 aufgebracht wird, groß, da die Außenseitenoberfläche 56 der Austrittsnut 53 in der radialen Richtung ausreichend von der Außenseitenoberfläche 89 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 verschoben ist. Dementsprechend wird der dunkle Bereich in dem durch das Abbildemittel 3 erhaltenen Bild klar, so dass der Umfangsrand 90 des Wafers W leicht erkannt werden kann.
Andererseits ist, wie in 9B gezeigt ist, die Austrittsnut 53 gemäß diesem Vergleich auch breiter als der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 und so angeordnet, dass sie dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 entspricht. Jedoch ist die Innenseitenoberfläche 55 der in 9B gezeigten Austrittsnut 53 so angeordnet, dass sie um einen ausreichenden Abstand X3 (X3 > X1) von der Innenseitenoberfläche 88 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 radial nach innen verschoben ist. Ferner ist die Außenseitenoberfläche 56 der Austrittsnut 53 so angeordnet, dass sie um einen kleinen Abstand X4 (X4 < X2) von der Außenseitenoberfläche 89 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 radial nach außen verschoben ist. Auf diese Weise ist die Austrittsnut 53 gemäß diesem Vergleich so ausgebildet, dass die Innenseitenoberfläche 55 radial entfernt von dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 angeordnet ist und die Außenseitenoberfläche 56 radial nahe zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 angeordnet ist.
Da die Innenseitenoberfläche 55 der Austrittsnut 53 radial entfernt von der Innenseitenoberfläche 88 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 angeordnet ist, ist der Bereich der Halteoberfläche 51 zum Halten des Wafers W kleiner als der der in 9A gezeigten Halteoberfläche 51. Dementsprechend werden beim Durchführen der Laserbearbeitung der Grenzabschnitt 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) und der nahe zu diesem liegende Bereich nicht stabil an der Halteoberfläche 51 gehalten, so dass eine Möglichkeit besteht, dass die Laserstrahlaufbringposition an dem Grenzabschnitt 86 abweichen kann. Ferner ist beim Durchführen der Ausrichtung die Menge an Licht, das von dem Abbildemittel 3 (siehe 4) in die Austrittsnut 53 aufgebracht wird, klein, da die Außenseitenoberfläche 56 der Austrittsnut 53 in der radialen Richtung leicht von der Außenseitenoberfläche 89 des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 85 verschoben ist. Dementsprechend wird der dunkle Bereich in dem durch das Abbildemittel 3 erhaltenen Bild unklar, so dass es schwierig ist, den Umfangsrand 90 des Wafers W zu erkennen.
Gemäß dem Waferbearbeitungsverfahren bei dieser oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird der Laserstrahl entlang des Grenzabschnitts 86 zwischen dem Bauelementbereich 83 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 85 (dem Umfangsrandbereich 84) auf den Wafer W aufgebracht, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Bauelementbereich 83 des Wafers W getrennt wird. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Haltetisch 5 entfernt, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Wafer W entfernt wird. Auf diese Weise kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 von dem Bauelementbereich 83 des Wafers W getrennt werden, ohne eine Schneidklinge zu verwenden. Dementsprechend ist es nicht erforderlich, wie bei dem Fall der Verwendung der Schneidklinge den Randvorstehbetrag und die Dicke der Schneidklinge zu berücksichtigen. Ferner kann, da der Wafer W durch Aufbringen des Laserstrahls bearbeitet wird, ein Bearbeitungsbereich minimiert werden, um dadurch das Problem zu beseitigen, dass der Bauelementbereich 83 verringert wird. Ferner kann, sogar falls die Dicke des Wafers W bei einer Vergrößerung des Durchmessers des Wafers W vergrößert wird, der ringförmige Verstärkungsabschnitt 85 stabil entfernt werden.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können verschiedene Abwandlungen durchgeführt werden. Die Größe, Form etc. der Teile bei der in den beigefügten Zeichnungen gezeigten obigen bevorzugten Ausführungsform dienen lediglich der Veranschaulichung und können geeignet innerhalb des Umfangs geändert werden, in dem der Effekt der vorliegenden Erfindung erzielt werden kann. Ferner kann die obige bevorzugte Ausführungsform geeignet abgewandelt werden, ohne von dem Umfang des Ziels der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Zum Beispiel kann, obwohl die Austrittsnut 53 bei der obigen bevorzugten Ausführungsform an der oberen Oberfläche des Haltetischs 5 ausgebildet ist, die Austrittsnut 53 nicht an der oberen Oberfläche des Haltetischs 5 ausgebildet sein, vorausgesetzt, dass durch die Reflexion des Laserstrahls von der oberen Oberfläche des Haltetischs 5 keine Beschädigung der Laserquelle bewirkt wird.
Ferner ist, obwohl bei der obigen bevorzugten Ausführungsform das untere Ende 54 der Austrittsnut 53 so geneigt ist, dass die Tiefe der Austrittsnut 53 in Richtung auf die Mitte des Haltetischs 5 zunimmt, der Aufbau des unteren Endes 54 der Austrittsnut 53 nicht beschränkt, vorausgesetzt, dass das von dem unteren Ende 54 beim Durchführen der Ausrichtung oder der Laserbearbeitung reflektierte Licht nicht zu dem Abbildemittel 3 oder dem Bearbeitungskopf 21 zurückkehrt. Zum Beispiel kann das untere Ende 54 der Austrittsnut 53 so geneigt sein, dass die Tiefe der Austrittsnut 53 in Richtung auf den äußeren Umfang des Haltetischs 5 zunimmt.
Ferner kann, obwohl bei der obigen bevorzugten Ausführungsform die Laserstrahlaufbringposition in dem ersten und dem zweiten Schritt des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts in der radial nach innen gerichteten Richtung eingeteilt wird, die Laserstrahlaufbringposition in dem ersten und dem zweiten Schritt in der radial nach außen gerichteten Richtung eingeteilt werden.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2007-19461 [0002]
JP 2012-23175 [0003, 0003, 0004]

Claims

Haltetisch zum Halten eines Wafers, der einen Bauelementbereich, an dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, an einer Vorderseite des Wafers aufweist, wobei der Wafer ferner einen an einer Rückseite des Umfangsrandbereichs ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt aufweist; der Haltetisch eine obere Oberfläche aufweist, die mit einer ringförmigen Austrittsnut zum Ermöglichen des Austritts eines Laserstrahls ausgebildet ist, wobei die ringförmige Austrittsnut so ausgebildet ist, dass sie einem Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt des an der oberen Oberfläche des Haltetischs gehaltenen Wafers entspricht, und ein unteres Ende der Austrittsnut angeschrägt und mit feinen Unebenheiten zum Streuen des Laserstrahls ausgebildet ist.
Haltetisch nach Anspruch 1, wobei der Haltetisch verwendet wird, wenn eine Rückseite des Wafers, die dem Bauelementbereich entspricht, geschliffen wird, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt, der den Umfangsrandbereich beinhaltet, auszubilden, und der ringförmige Verstärkungsabschnitt entfernt wird, indem der Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, in Richtung auf den Grenzabschnitt aufgebracht wird.