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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
ein erstes und mindestens ein zweites mikro- oder nanostrukturiertes
Bauelement umfassenden Bauteils. Das Verfahren umfasst die Schritte
des Bereitstellens des ersten und des zweiten Bauelements, das Anordnen
des ersten Bauelements auf einer Trägerschicht, das Anordnen
mindestens des zweiten Bauelements auf oder neben dem ersten Bauelement
und das Umhüllen des ersten und zweiten Bauelements mit
einer Umhüllmasse. Anschließend wird ein Durchkontakt
durch die Umhüllmasse hindurch zu den elektrischen Kontakten
des zweiten Bauelements aufgebaut und eine elektrisch leitende Verbindung
zwischen den beiden Bauelementen hergestellt. Die Erfindung betrifft
weiterhin ein durch solch ein Verfahren erhältliches Bauteil,
welches ein erstes und mindestens ein zweites mikro- oder nanostrukturiertes
Bauelement umfasst.
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Stand der Technik
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In
der Endverbraucherelektronik (Consumer Elektronics; CE) werden mikroelektronische
Bauelemente (Integrated Circuits; IC) für das First Level-Package
in der Regel auf einem Leadframe (Quad Flat Pack No Lead; QFN) oder
Laminatsubstrat (Leadless Grid Array; LGA) nebeneinander oder übereinander angeordnet
und mittels Drahtbonden oder Flip-Chip-Techniken kontaktiert. Nach
der Chipmontage werden das Leadframe oder die Leiterplatte (Printed
Circuit Board; PCB) mit Vergussmasse umspritzt und mittels Sägen
vereinzelt. Diese Anordnungen werden im Reflow-Lötverfahren
auf die Second Level-Leitplatte aufgelötet.
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Die
sogenannten „Leadless”-Gehäuse wie zum
Beispiel LGA oder QFN lösen im Bereich niedriger Anschlusszahlen,
beispielsweise von 1 bis 50 Anschlüssen, die konventionellen
Gehäuse mit Beinchen, wie Small Outline Integrated Circuit
(SOIC) oder Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC), zunehmend ab.
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Bei
der LGA-Technik handelt es sich um einen seriellen Packaging-Prozess
aus Die-Attach, Drahtbonden und Vergießen. Außerdem
wird vergleichsweise viel Platz in der Anordnung für die Drahtbondverbindungen
benötigt. Im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung
werden für Anwendungen der Mikroelektronik neue Verpackungs-Ansätze verfolgt.
Im sogenannten „Embedded Wafer Level Ball Grid Array”-Verfahren
werden die Chips in einem ”Pick and Place”-Prozess
mit der Unterseite nach unten auf eine temporäre Trägerfolie
auf einem Waferträger bestückt und anschließend
vergossen. Dieser Kunststoffwafer mit eingebetteten Chips oder „Reconstituted
Wafer” wird dann von der Trägerfolie entfernt,
um eine Umverdrahtung auf der Waferunterseite durchführen
zu können. Zur Umverdrahtung kommen die üblichen
Dünnschichttechnologien und Materialien zum Einsatz. Die
Pads werden anschließend mit Lotbumps versehen und die
Bauelemente werden aus dem Kunststoffwafer mittels Sägen
vereinzelt.
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DE 10 2007 020 656
A1 offenbart ein Werkstück mit Halbleiterchips
und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Werkstücks.
Das Herstellungsverfahren umfasst die Schritte des Bereitstellens
von mindestens zwei Halbleiterchips mit einer ersten Hauptoberfläche
und einer zweiten Hauptoberfläche, das Platzieren der Halbleiterchips
mit ihren ersten Hauptoberflächen auf der Oberseite einer Trägerplatte,
das Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht auf Bereiche der
zweiten Hauptoberflächen und das Aufbringen einer Vergussmasse
auf die elektrisch leitende Schicht.
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Möchte
man mit dieser Technologie der Kunststoffwafer Multichip-beziehungsweise
Multifunktionsmodule, also mit mehr als zwei Chips, realisieren,
wird deutlich, dass man bei dem bisherigen Konzept auf eine Anordnung
der Chips eingeschränkt ist, bei der beide Chips in einer
Ebene liegen. Der weiter hinten liegende Chip ließe sich
nicht kontaktieren. Um aber eine weitere Reduktion der Baugröße
von solchen Chipanordnungen erreichen zu können, wäre
ein Aufbau der Chips in der dritten Dimension durch Stapeltechniken
wünschenswert.
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Offenbarung der Erfindung
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Erfindungsgemäß vorgeschlagen
wird daher ein Verfahren zur Herstellung eines ein erstes und mindestens
ein zweites mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden
Bauteils, umfassend die Schritte:
- a) Bereitstellen
eines ersten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements, welches
einen zur elektrischen Kontaktierung mit dem zweiten mikro- oder
nanostrukturierten Bauelement vorgesehenen Bereich umfasst;
- b) Bereitstellen mindestens eines zweiten mikro- oder nanostrukturierten
Bauelements, welches einen zur elektrischen Kontaktierung mit dem
ersten mikro- oder nanostrukturierten Bauelement vorgesehenen Bereich
umfasst;
- c) Anordnen des ersten Bauelements auf einer Trägerschicht,
wobei das erste Bauelement so auf der Trägerschicht angeordnet
ist, dass der zur elektrischen Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement
vorgesehene Bereich an der Trägerschicht angrenzend vorliegt;
- d) Anordnen des zweiten Bauelements auf oder neben dem ersten
Bauelement, wobei der zur elektrischen Kontaktierung mit dem ersten
Bauelement vorgesehene Bereich des zweiten Bauelements einen größeren
Abstand zur Trägerschicht aufweist als der zur elektrischen
Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement vorgesehene Bereich des
ersten Bauelements;
- e) zumindest teilweises Umhüllen des ersten und zweiten
Bauelements mit einer Umhüllmasse;
- f) Aufbauen eines Durchkontakts durch die Umhüllmasse
hindurch zu dem zur elektrischen Kontaktierung mit dem ersten Bauelement
vorgesehenen Bereich des zweiten Bauelements;
- g) Aufbauen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den
zur elektrischen Kontaktierung miteinander vorgesehenen Bereichen
des ersten und des zweiten Bauelements.
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Im
erfindungsgemäßen Verfahren können Chips
gestapelt und elektrische Anschlüsse kontaktiert werden,
die nicht an der freiliegenden Oberfläche der Umhüllmasse
liegen. Dieses eröffnet die Möglichkeit, Sensorchips
aufzubauen, deren Anschlusskontakte aufgrund ihrer Wafertechnologie nicht
in der freiliegenden Ebene der Kunststoffwafer liegen. Das Aufbauen
der Durchkontakte in der Umhüllmasse ermöglicht
das Stapeln von Chips in dieser Verpackungstechnologie und es können
somit die Miniaturisierungsvorteile dieser Technologie insbesondere
für Multichip-Module genutzt werden. Es ist im Rahmen der
vorliegenden Erfindung natürlich vorgesehen, dass neben
dem zweiten Bauelement auch noch weitere Bauelemente vorhanden sind,
die mikro- oder nanostrukturiert sein können, aber nicht
sein müssen und dass diese auch im erfindungsgemäßen Verfahren
mit eingesetzt werden. Solche weiteren Bauelemente können
unter anderem integrierte Schaltungen, zusätzliche Sensorelemente,
passive Bauelemente, keramische Kondensatoren, Widerstände
oder Aktoren sein.
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Im
erfindungsgemäßen Verfahren können die
in einem Multichip-Modul gestapelten Chips einer innenliegenden
Ebene kontaktiert werden. Sensorchips, deren Anschlussbereiche aufgrund
ihrer Wafertechnologie, beispielsweise Kappenwafer, in einer anderen
Ebene als ihrer Auflagefläche liegen, können auch
kontaktiert werden. Die Herstellung von Multifunktionssensoren in
Form von Multichip-Bauelementen lässt sich unter Nutzung
von Batch-Prozessen durchführen.
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Schließlich
ergibt sich auch noch der Vorteil, dass keine Durchkontaktierungen
durch Silizium notwendig sind (Through Silicon Vias; TSV), sondern
in technologisch wesentlich einfacheren Prozessen durch Kontaktierungen
durch die Umhüllmasse realisiert werden können.
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Schritt
a) des erfindungsgemäßen Verfahrens beinhaltet
das Bereitstellen eines ersten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements.
Mikrostrukturierte Bauelemente im Sinne der vorliegenden Erfindung
sind insbesondere Bauelemente mit internen Strukturabmessungen im
Bereich von ≥ 1 μm bis ≤ 1000 μm.
Unter den internen Strukturabmessungen sind hierbei die Abmessungen
von Strukturen innerhalb des Bauelements wie zum Beispiel Gräben
oder Leiterbahnen gemeint. Beispiele für solche Bauelemente
sind Bauelemente der Mikrosystemtechnik oder mikroelektromechanische
Systeme. Nanostrukturierte Bauelemente im Sinne der vorliegenden
Erfindung sind insbesondere Bauelemente mit internen Strukturabmessungen
im Bereich von > 1
nm bis < 1000 nm.
Unter den internen Strukturabmessungen sind hierbei die Abmessungen
von Strukturen innerhalb des Bauelements wie zum Beispiel Gräben
oder Leiterbahnen gemeint. Beispiele für solche Bauelemente
sind elektronische Bauelemente mit internen Leiterbahnbreiten im
Bereich von 100 nm. Das erste Bauelement umfasst einen Bereich,
welcher zur elektrischen Kontaktierung mit einem zweiten mikro-
oder nanostrukturierten Bauelement vorgesehen ist. Solch ein Bereich
kann auch als Anschlusspad oder Anschlusskontakt bezeichnet werden.
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Schritt
b) des erfindungsgemäßen Verfahrens betrifft das
Bereitstellen eines zweiten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements.
Dieses umfasst einen komplementären Anschlusspad, welcher also
zur Kontaktierung mit einem Anschlusspad des ersten Bauelements
vorgesehen ist.
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Wenngleich
hier und im Folgenden immer von einem zur Kontaktierung vorgesehenen
Bereich oder Anschlusspad die Rede ist, so umfasst die vorliegende
Erfindung selbstverständlich auch den Fall, dass die Bauelemente
mehrere zur Kontaktierung miteinander vorgesehene Bereiche umfassen
und auch noch weitere Anschlusspads umfassen können.
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Als
Nächstes wird in Schritt c) das erste Bauelement auf einer
Trägerschicht angeordnet. Hierbei liegt der zur elektrischen
Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement vorgesehene Bereich an
der Trägerschicht angrenzend. Mit anderen Worten liegt
das entsprechende Anschlusspad auf der Trägerschicht. Nach
dem Entfernen der Trägerschicht liegt dann dieser zur elektrischen
Kontaktierung vorgesehene Bereich frei.
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Eine
weitere mögliche Variante ist die Kombination aus einem
temporären Träger mit einer funktionalen Schicht
(RCC), die auf dem Bauteil verbleibt. Solch eine Trägerschicht
kann eine auf ein Substrat laminierte Folie sein. Beispielsweise
kann die Folie eine mit Harz beschichtete Kupferfolie sein (Resin Coated
Copper; RCC).
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Im
nächsten Schritt d) des Verfahrens wird das zweite Bauelement
auf oder neben dem ersten Bauelement angeordnet. Hierbei kommt es
darauf an, dass der zur elektrischen Kontaktierung mit dem ersten
Bauelement vorgesehene Bereich des zweiten Bauelements, also der
entsprechende Anschlusspad, einen größeren Abstand
zur Trägerschicht aufweist als sein Gegenstück
an dem ersten Bauelement. Der Abstand zur Trägerschicht
ist hierbei als der geringst mögliche Abstand zu verstehen.
Bildlich gesprochen liegt der zur Kontaktierung mit dem ersten Bauelement
vorgesehene Bereich des zweiten Bauelements in einer tiefer- oder
weiter hinten liegenden Ebene relativ zur Trägerschicht
als der entsprechende Bereich an dem ersten Bauelement.
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Im
Schritt e) werden das erste und das zweite Bauelement mit einer
Umhüllmasse zumindest teilweise umhüllt. Im Rahmen
der vorliegenden Erfindung umfasst der Begriff ”umhüllen” hierbei
die Verfahren des Umspritzens, Spritzpressens, Vergießens und,
unter Verwendung der englischen Fachbegriffe, molding, transfer
molding und injection molding. Analog wären die Umhüllmassen
beispielsweise Moldmassen, Umspritzmassen, Spritzpressmassen oder Vergießmassen.
Hierbei eignen sich die üblichen eingesetzten Umhüllmassen
in der Halbleitertechnik, beispielsweise ein Epoxidharz. Dadurch,
dass der Anschlusspad des zweiten Bauelements nicht auf der Trägerschicht
anliegend angeordnet ist, wird er beim Umhüllen mit der
Umhüllmasse bedeckt. Der Anschlusspad des ersten Bauelements
hingegen wird nicht bedeckt. Bevorzugte Verfahren sind Pressgieß-Verfahren
wie Spritzpressen (transfer molding) und compression molding.
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Anschließend
wird in Schritt f) ein Durchkontakt durch die Umhüllmasse
hindurch aufgebaut. Dieser Durchkontakt öffnet den zur
elektrischen Kontaktierung mit dem ersten Bauelement vorgesehenen Bereich
des zweiten Bauelements. Folglich wird also dieser Anschlusspad
freigelegt. Falls erforderlich, wird vor dem Aufbauen des Durchkontakts
die Trägerschicht entfernt. Dieses ist dann erforderlich, wenn
der Anschlusspad des zweiten Bauelements zur Trägerschicht
hin orientiert ist.
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Anschließend
wird in Schritt g) eine elektrisch leitende Verbindung zwischen
den entsprechenden, zur Kontaktierung miteinander vorgesehenen Bereichen
des ersten und des zweiten Bauelements aufgebaut. Es findet also
eine Kontaktierung zwischen den Anschlusspads des ersten und des zweiten
Bauelements statt. Dieses kann durch übliche Verfahren
der Metallisierung von Durchkontakten erfolgen. Weitere geeignete
elektrisch leitende Verbindungen sind Dünnfilm-Umverdrahtungen,
welche gegebenenfalls galvanisch verstärkt sein können,
sowie auflaminierte und strukturierte Kupferfolien, die gegebenenfalls
mit einer Haftvermittlerschicht wie Epoxyharzen versehen sein können.
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Liegt
ein Kunststoffwafer mit einer Vielzahl von Bauteilen vor, können
sie danach zum Beispiel mittels Sägen vereinzelt werden.
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In
einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens erfolgt das Aufbauen des Durchkontakts in Schritt f),
indem die Umhüllmasse mittels eines Lasers entfernt wird.
Dieses hat den Vorteil, dass berührungslos gearbeitet werden
kann und dass das Verfahren sehr flexibel ist. Geeignete Laser sind
insbesondere Infrarotlaser, beispielsweise mit einer maximalen Wellenlänge
von 780 nm oder 808 nm. Besonders bevorzugt ist die Verwendung eines Infrarotlasers
zusammen mit einer mit Infrarotstrahlung absorbierenden, zum Beispiel
schwarz eingefärbten, Umhüllmasse.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens erfolgt das Aufbauen des Durchkontakts im Schritt f),
indem in Schritt e) das beim Umhüllen des ersten und zweiten
Bauelements verwendete Werkzeug einen Stempel umfasst, welcher während
des Umhüllens den zur elektrischen Kontaktierung mit dem
ersten Bauelement vorgesehenen Bereich des zweiten Bauelements abdeckt. Dieser
Stempel im Werkzeug hält also während des Umhüllens
den Anschlusspad des zweiten Bauelements von der Umhüllmasse
frei. Nach dem Entfernen des Werkzeugs liegt der Durchkontakt dann
unmittelbar vor. Diese Vorgehensweise hat den Vorteil, dass zwei
Verfahrensschritte in einem Schritt zusammengelegt werden können.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens ist das erste Bauelement ein anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis (ASIC). Solch ein Schaltkreis kann beispielsweise vorgesehen
sein, um Signale von Sensoren auszuwerten und weiterzuleiten.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens ist das zweite Bauelement ein Sensorelement. Solch ein
Sensorelement kann beispielsweise ein Drucksensor, ein Beschleunigungssensor
oder dergleichen sein. Vorteilhafter Weise liegt die Kombination
vor, dass das erste Bauelement ein anwendungsspezifischer integrierter Schaltkreis
ist und das zweite Bauelement ein Sensorelement, wobei der integrierte
Schaltkreis die Signale des Sensorelements verarbeitet.
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Die
Erfindung betrifft weiterhin ein Bauteil, umfassend ein erstes und
mindestens ein zweites mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement,
welches durch ein erfindungsgemäßes Verfahren
herstellbar ist oder auch hergestellt wurde. Das erste Bauelement
umfasst einen zur elektrischen Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement
vorgesehenen Bereich. Das zweite Bauelement umfasst einen zur elektrischen
Kontaktierung mit dem ersten Bauelement vorgesehenen Bereich. Das
erste und das zweite Bauelement sind zumindest teilweise von einer
Umhüllmasse umgeben sind und ein Durchkontakt ist durch die
Umhüllmasse hindurch an dem zur elektrischen Kontaktierung
mit dem ersten Bauelement vorgesehenen Bereich des zweiten Bauelements
angeordnet ist. Weiterhin ist eine elektrisch leitende Verbindung zwischen
den zur elektrischen Kontaktierung miteinander vorgesehenen Bereichen
des ersten und des zweiten Bauelements eingerichtet, wobei der zur elektrischen
Kontaktierung mit dem ersten Bauelement vorgesehene Bereich des
zweiten Bauelements nicht in der Ebene liegt, welche durch die Seite des
ersten Bauelements gebildet wird, die den zur Kontaktierung mit
dem zweiten Bauelement vorgesehenen Bereich umfasst.
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Im
erfindungsgemäßen Bauteil ist also, wie bereits
zum Verfahren ausgeführt, der zur Kontaktierung mit dem
ersten Bauelement vorgesehene Anschlusspad des zweiten Bauelements
gegenüber dem entsprechenden Anschlusspad des ersten Bauelements
versetzt angeordnet. Die als Bezug gewählte Ebene des ersten
Bauelements wird durch die Seite des Bauelements gebildet, welche
auch den Anschlusspad umfasst. In den Begriffen des erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahrens wäre diese Seite des ersten Bauelements
diejenige, welche auf der Trägerschicht aufliegt. Das erfindungsgemäße Bauteil
hat den Vorteil, dass eine weitere Größenreduktion
bei einer Multichip-Anordnung möglichst ist. Das Bauteil
kann beispielsweise ein Multichip-Sensormodul sein.
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In
einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bauteils ist das erste Bauelement ein anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis und das zweite Bauelement ein Sensorelement mit Kappenwafer,
welches neben dem ersten Bauelement angeordnet ist und wobei die
zur Kontaktierung miteinander vorgesehenen Bereiche des ersten und
des zweiten Bauelements zur gleichen Richtung hin orientiert sind.
Insbesondere können die Kappe des Kappenwafers und diejenige
Seite des integrierten Schaltkreises, welche den Anschlusspad trägt,
in einer Ebene angeordnet sein. Dann kann der Anschlusspad des Sensorelements
nach hinten versetzt sein.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bauteils ist das erste Bauelement ein anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis und das zweite Bauelement ein Sensorelement, welches
auf dem ersten Bauelement angeordnet ist und wobei die zur Kontaktierung
miteinander vorgesehenen Bereiche des ersten und des zweiten Bauelements
zur gleichen Richtung hin orientiert sind. Dann liegt das Sensorelement
so auf dem integrierten Schaltkreis, dass der Anschlusspad seitlich
versetzt über dem integrierten Schaltkreis vorliegt.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bauteils ist das erste Bauelement ein anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis und das zweite Bauelement ein Sensorelement, welches
auf dem ersten Bauelement angeordnet ist und wobei die zur Kontaktierung
miteinander vorgesehenen Bereiche des ersten und des zweiten Bauelements
in entgegengesetzte Richtungen hin orientiert sind. Ist der Anschlusspad
des integrierten Schaltkreises beispielsweise nach unten orientiert,
so kann der Anschlusspad des Sensorelements dann nach oben hin orientiert
sein. Auf diese Weise kann das Sensorelement vollständig
auf dem integrierten Schaltkreis angebracht werden, ohne dass lateral
zu viel Raum eingenommen wird durch versetztes Anordnen. Diese Ausführungsform
eignet sich insbesondere für solche Fälle, in
denen das Sensorelement kleinere Abmessungen als der integrierte Schaltkreis
aufweist.
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In
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bauteils verläuft die elektrisch leitende Verbindung zwischen
den zur elektrischen Kontaktierung miteinander vorgesehenen Bereichen
des ersten und des zweiten Bauelements weiterhin in derjenigen Ebene
oder parallel zu dieser, welche durch die Seite des ersten Bauelements
gebildet wird, die den zur Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement
vorgesehenen Bereich umfasst. Es ist hierbei möglich, dass
ein Vorumspritzling in der Spritzguss- oder Moldform gemeinsam mit
den Chips vergossen wird.
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Die
vorliegende Erfindung wird anhand der nachfolgenden Zeichnungen
weiter erläutert. Es zeigen:
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1 ein
erfindungsgemäßes Bauteil;
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2 ein
weiteres erfindungsgemäßes Bauteil; und
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3 ein
weiteres erfindungsgemäßes Bauteil.
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1 zeigt
ein erfindungsgemäßes Bauteil mit einem ersten
Bauelement 1, beispielsweise einem anwendungsspezifischen
integrierten Schaltkreis, und daneben liegend einem zweiten Bauelement 3.
Das zweite Bauelement 3 ist hier schematisch als ein Sensorelement
in Form eines Kappenwafers mit einer Kappe 8 dargestellt.
Das erste Bauelement umfasst einen zur Kontaktierung mit dem zweiten
Bauelement vorgesehenen Bereich 2. Entsprechend umfasst
das zweite Bauelement 3 einen zur Kontaktierung mit dem
ersten Bauelement vorgesehenen Bereich 4. Die Unterseite
des ersten Bauelements 1 und die Unterseite der Kappe 8 des
Kappenwafers liegen in derselben Ebene. Dahinter zurückversetzt,
in der Zeichnung als darüber liegend dargestellt, ist der
Anschlusskontakt 4 des zweiten Bauelements. Die beiden
Bauelemente 1 und 3 sind in eine Umhüllmasse 5 eingebettet.
Bei dem zur Kontaktierung vorgesehenen Bereich 4 des zweiten
Bauelements 3 wurde in der Umhüllmasse 5 der
Durchkontakt 6 geöffnet. Hierdurch ist der zur
Kontaktierung vorgesehene Bereich 4 zugänglich
geworden. Zwischen diesem Bereich 4 und seinem Gegenstück am
ersten Bauelement 2 befindet sich die elektrisch leitfähige
Verbindung 7.
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2 zeigt
ein weiteres Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung.
Auch hier ist an der Unterseite des Bauteils zunächst das
erste Bauelement 1, beispielsweise in Form eines anwendungsspezifischen
integrierten Schaltkreises, angeordnet. Der zur Kontaktierung mit
dem zweiten Bauelement 3 vorgesehene Bereich 2 des
ersten Bauelements 1 sowie weitere Bereiche des Bauteils
sind hier zusätzlich mit Lotbumps 9 versehen.
Auf dem ersten Bauelement liegend und seitlich leicht versetzt befindet sich
das zweite Bauelement 3, welches beispielsweise ein Sensorelement
sein kann. Schematisch weiterhin eingezeichnet ist eine Durchkontaktierung 10 zu
einem aktiven Bereich des Sensorelements. Solch ein aktiver Bereich
kann beispielsweise eine seismische Masse eines Beschleunigungssensors
sein. Der zur Kontaktierung vorgesehene Bereich 4 des zweiten
Bauelements 3 ist auch hier zurückversetzt angeordnet.
Er zeigt in die gleiche Richtung wie der entsprechende Bereich 2 des
ersten Bauelements 1, in der Zeichnung als nach unten weisend
dargestellt. Der Kontaktbereich 4 des zweiten Bauelements 3 ist durch
den Durchkontakt 6 freigelegt, so dass er mit der elektrisch
leitfähigen Verbindung 7 erreicht werden kann.
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3 zeigt
ein weiteres erfindungsgemäßes Bauteil mit einem
ersten Bauelement 1 als anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis. Auch schematisch dargestellt ist das zweite Bauelement 3 als
Sensorelement. Die Durchkontaktierung 10 zu einem aktiven
Bereich des Sensorelements ist nach oben hin liegend dargestellt.
Der zur Kontaktierung mit dem zweiten Bauelement 3 vorgesehene
Bereich 2 des ersten Bauelements 1 ist in der
Zeichnung dargestellt nach unten hin orientiert. Auf dem ersten Bauelement 1 angeordnet
liegt das zweite Bauelement 3 so vor, dass der zur Kontaktierung
mit dem ersten Bauelement 1 vorgesehene Bereich 4 nach oben
zeigt, also entgegengesetzt zur Richtung seines Gegenstücks 2 im
ersten Bauelement 1. Der Zugang zum Bereich 4 innerhalb
der Umhüllmasse 5 ist auch hier durch den Durchkontakt 6 bewerkstelligt worden.
Eine Verbindung zwischen den beiden Bauelementen wird durch die
elektrisch leitfähige Verbindung 7 hergestellt.
Die Durchkontaktierung kann hier als sogenannte Preform erfolgen.
Beispielsweise kann ein Vorumspritzling, der bereits metallisierte Durchkontaktierungen
umfasst, in der Spritzguss- oder Moldform gemeinsam mit den Chips
vergossen werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - DE 102007020656
A1 [0005]