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DE102008045336A1 - System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl - Google Patents

System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl Download PDF

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DE102008045336A1
DE102008045336A1 DE102008045336A DE102008045336A DE102008045336A1 DE 102008045336 A1 DE102008045336 A1 DE 102008045336A1 DE 102008045336 A DE102008045336 A DE 102008045336A DE 102008045336 A DE102008045336 A DE 102008045336A DE 102008045336 A1 DE102008045336 A1 DE 102008045336A1
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Holger Dr. Dömer
Stefan Martens
Walter Mack
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Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss NTS GmbH
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Abstract

Ein Bearbeitungssystem umfaßt eine Partikelstrahlsäule zum Modifizieren oder Inspirieren einer Probe sowie ein Lasersystem zum Modifizieren der Probe. Die Probe kann auf einem Positioniertisch gehaltert sein und zusammen mit dem Positioniertisch zwischen den Bearbeitungsorten für den Partikelstrahl bzw. den Laserstrahl hin- und hertransportiert werden. Es können auch Aufprallplatten vorgesehen sein, um Komponenten der Partikelstrahlsäule während der Bearbeitung mit dem Laserstrahl zu schützen.

Description

  • Bereich der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein System zur Bearbeitung einer Probe mit mehreren Energiestrahlen. Die mehreren Energiestrahlen können insbesondere einen Laserstrahl, einen Elektronenstrahl und einen Ionenstrahl umfassen. Ferner kann das System zur Untersuchung der Probe mit einem der Energiestrahlen dienen.
  • Kurze Beschreibung des verwandten Standes der Technik
  • Bei der Herstellung miniaturisierter Bauelemente besteht ein Bedarf danach, eine Probe zu modifizieren, indem von dieser Material abgetragen wird oder indem an dieser Material abgeschieden wird, wobei ein Fortgang dieser Bearbeitung mit Hilfe eines Elektronenmikroskops beobachtet werden soll.
  • Es sind Systeme bekannt, bei welchen ein Elektronenmikroskop dazu eingesetzt wird, die Probe zu untersuchen, und bei denen der von dem Elektronenmikroskop erzeugte Strahl auch dazu eingesetzt wird, ein der Probe zugeführtes Prozeßgas zu aktivieren, so daß das aktivierte Prozeßgas die Probe modifiziert. Ferner sind Systeme bekannt, welche ein Elektronenmikroskop und eine Ionenstrahlsäule umfassen, deren Strahlen gleichzeitig auf einen Ort einer zu modifizierenden Probe gerichtet werden können. Hierbei dient der Ionenstrahl dazu, die Probe zu modifizieren, wobei der Fortgang dieses Prozesses gleichzeitig mit dem Elektronenmikroskop beobachtet werden kann. Bei einem solchen System kann zudem Prozeßgas zugeführt werden, um die Probe ferner durch das Prozeßgas zu modifizieren, welches durch den Elektronenstrahl oder den Ionenstrahl aktiviert wird.
  • Ein Problem bei derartigen Systemen liegt darin, daß zwar die Bearbeitung mit dem Ionenstrahl und dem aktivierten Prozeßgas mit einer sehr hohen Präzision möglich ist, andererseits aber eine solche Bearbeitung sehr langsam ist. Wenn in einem Prozeß eine große Menge an Material der Probe abgetragen werden soll, so wird hierfür eine relativ lange Zeit benötigt.
  • Aus dem Stand der Technik sind auch Systeme bekannt, bei welchen ein Laserstrahl dazu dient, von einer Probe Material abzutragen. Ein Materialabtrag mit einem Laserstrahl ist in vielen Fällen wesentlich schneller möglich als mit einem Ionenstrahl oder mit einem aktivierten Prozeßgas. Allerdings weist die Bearbeitung mit dem Laserstrahl in der Regel eine wesentlich geringere Präzision auf als die Bearbeitung mit einem Ionenstrahl oder einem aktivierten Prozeßgas.
  • Es besteht deshalb ein Bedarf nach einem System, welches die Vorteile der vorangehend genannten Bearbeitungsmöglichkeiten einer Probe kombiniert.
  • Überblick über die Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Bearbeitungssysteme vorzuschlagen, bei welchen mehrere Energiestrahlen zur Bearbeitung und/oder Inspektion auf eine Probe gerichtet werden können.
  • Gemäß Ausführungsformen der Erfindung umfaßt ein Bearbeitungssystem eine Partikelstrahlsäule zur Erzeugung eines auf einen ersten Bearbeitungsort gerichteten Partikelstrahls und ein Lasersystem zur Erzeugung eines auf einen zweiten Bearbeitungsort gerichteten Laserstrahls.
  • Gemäß spezieller Ausführungsform hierin kann die Partikelstrahlsäule eine Elektronenstrahlsäule und eine Ionenstrahlsäule umfassen, wobei diese Partikelstrahlsäulen beispielsweise auch als ein Elektronenmikroskop oder ein Ionnenmikroskop konfiguriert sein können, indem sie einen Sekundärteilchendetektor umfassen. Der Sekundärteilchendetektor kann beispielsweise ein Elektronendetektor oder ein Ionendetektor sein.
  • Gemäß Ausführungsformen der Erfindung fallen der erste Bearbeitungsort und der zweite Bearbeitungsort im wesentlichen zusammen, so daß ein zu bearbeitender Ort der Probe an den Bearbeitungsort bewegt werden kann und dort im wesentlichen gleichzeitig mit dem Laserstrahl bearbeitet und mit dem Partikelstrahl ebenfalls bearbeitet oder inspiziert werden kann.
  • Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin ist wenigstens eine Schutzvorrichtung vorgesehen, welche Komponenten des Systems vor dem Auftreffen von Partikeln oder vor Verunreinigung durch Partikel schützt, welche während der Laserbearbeitung der Probe entstehen können. Bei der Laserbearbeitung können nämlich relativ große Mengen an Partikeln entstehen, welche von dem Bearbeitungsort an der Probe freigesetzt werden und sich an empfindlichen Komponenten des Systems niederschlagen können. Empfindliche Komponenten des Systems sind beispielsweise Komponenten der Partikelstrahlsäule und insbesondere Elektroden derselben. An Elektroden der Partikelstrahlsäule abgeschiedene Ablagerungen können dazu führen, daß die teilchenoptischen Eigenschaften, wie beispielsweise Fokussierung und Abbildungsqualität, der Partikelstrahlsäule verschlechtert werden.
  • Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin umfaßt die Schutzvorrichtung eine Aufprallfläche und einen Antrieb, durch welchen die Aufprallfläche zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position hin und her bewegbar ist. In der ersten Position ist die Aufprallfläche dann in einer zurückgezogenen Position, in welcher sie eine Bearbeitung bzw. Inspektion der Probe mit der Partikelstrahlsäule im wesentlichen nicht beeinträchtigt. In der zweiten Position ist die Aufprallfläche dann so angeordnet, daß sie während der Bearbeitung mit dem Laserstrahl hierbei entstehende Partikel auffängt und damit eine Verunreinigung von Komponenten der Partikelstrahlsäule verringert.
  • Gemäß weiterer Ausführungsformen ist der erste Bearbeitungsort, auf den der Partikelstrahl gerichtet ist, mit Abstand von dem zweiten Bearbeitungsort angeordnet, auf welchen der Laserstrahl gerichtet ist. Bei diesen Ausführungsformen wird eine Verunreinigung von Komponenten der Partikelstrahlsäule dadurch verringert, daß die Bearbeitung der Probe mit dem Laserstrahl an dem zweiten Bearbeitungsort stattfindet, der einen größeren Abstand von der Partikelstrahlsäule aufweist als der erste Bearbeitungsort. Gemäß beispielhafter Ausführungsformen kann auch hierbei eine Schutzvorrichtung der vorangehend erläuterten Art zum Einsatz kommen, um das Auftreffen von bei der Laserstrahlbearbeitung entstehenden Partikeln auf Komponenten der Partikelstrahlsäule zu reduzieren. Im Vergleich zu der vorangehend erläuterten Ausführungsform, wo der erste und der zweite Bearbeitungsort im wesentlichen zusammenfallen, erlaubt es der Abstand zwischen dem ersten Bearbeitungsort und dem zweiten Bearbeitungsort größere und mehr Raum einnehmende Schutzvorrichtungen vor Komponenten der Partikelstrahlsäule zu plazieren, was insbesondere dann von Vorteil ist, wenn ein Arbeitsabstand der Partikelstrahlsäule, das heißt ein Abstand zwischen dem ersten Bearbeitungsort und einer der diesem am nächsten angeordneten Komponente der Partikelstrahlsäule, gering ist.
  • Gemäß beispielhafter Ausführungsformen umfaßt das Bearbeitungssystem, bei welchem der erste Bearbeitungsort mit Abstand von dem zweiten Bearbeitungsort angeordnet ist, eine Tür, welche einen Vakuumraum, in welchem der erste Bearbeitungsort angeordnet ist, von einem Vakuumraum trennen kann, in welchem der zweite Bearbeitungsort angeordnet ist. Gemäß beispielhafter Ausführungsform hierin kann die Tür eine Vakuumschleuse umfassen, wobei an den beiden Vakuumräumen separate Anschlüsse für Vakuumpumpen vorgesehen sind.
  • Bei Ausführungsformen, bei denen der erste Bearbeitungsort mit Abstand von dem zweiten Bearbeitungsort angeordnet ist, muß die Probe zwischen den beiden Bearbeitungsorten hin und her transportiert werden, um einen Wechsel zwischen der Bearbeitung durch den Partikelstrahl und der Bearbeitung durch den Laserstrahl zu ermöglichen.
  • Gemäß beispielhafter Ausführungsformen ist die Probe an einer Halterung eines Positioniertisches gehaltert, wobei die Halterung durch wenigstens einen Antrieb relativ zu einem Sockel des Positioniertisches verlagerbar ist. Der Positioniertisch kann dann relativ zu der Partikelstrahlsäule positioniert werden, so daß durch Betätigen des Antriebs verschiedene Orte der Probe an dem ersten Bearbeitungsort des Partikelstrahls positioniert werden, ohne den Sockel des Positioniertisches hierbei zu verlagern, so daß dieser auf einer Unterlage in einer stationären ersten Position ruhen kann.
  • Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin umfaßt das Bearbeitungssystem eine Transportvorrichtung, welche dazu konfiguriert ist, den Positioniertisch zwischen der ersten Position und einer zweiten Position hin und her zu transportieren. Die zweite Position des Positioniertisches ist hierbei eine Position des Positioniertisches, in der die an der Halterung des Positioniertisches gehalterte Probe in der Nähe des zweiten Bearbeitungsortes des Laserstrahls positioniert ist. Bei dieser Ausführungsform kann somit die Probe zwischen dem ersten und dem zweiten Bearbeitungsort hin und her transportiert werden, ohne die Probe aus der Halterung des Positioniertisches zu entfernen, indem der Positioniertisch zusammen mit der Probe durch die Transportvorrichtung von dessen erster Position in dessen zweite Position transportiert wird. Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin umfaßt die Transportvorrichtung einen Aktuator, welcher eine Translation des Positioniertisches auslöst, sowie einen Träger, welcher den Positioniertisch während dessen Translation gegen die Schwerkraft abstützt.
  • Gemäß weiterer Ausführungsformen des Bearbeitungssystems, bei dem der erste und zweite Bearbeitungsort mit Abstand voneinander angeordnet sind, umfaßt eine Transportvorrichtung einen Greifer, der dazu konfiguriert ist, die Probe zu ergreifen und zwischen einem ersten Positioniertisch und einem zweiten Positioniertisch hin und her zu transportieren, wobei der erste Positioniertisch die Probe während der Bearbeitung durch den Partikelstrahl haltert und der zweite Positioniertisch die Probe während der Bearbeitung durch den Laserstrahl haltert.
  • Bei Ausführungsformen des Bearbeitungssystems, bei denen eine Transportvorrichtung die Probe zwischen dem ersten und dem zweiten Bearbeitungsort hin und her transportiert, kann ein Aktuator zum Auslösen der Hin- und Herbewegung ein Gestänge umfassen, welches einen Vakuummantel des Systems durchsetzt. Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin ist eine Vakuumdurchführung für das Gestänge durch den Vakuummantel mit einem größeren Abstand von dem ersten Bearbeitungsort angeordnet als von dem zweiten Bearbeitungsort.
  • Ausführungsbeispiele
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren erläutert. Hierbei zeigt:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Probenhalterung von vorne, welche gemäß Ausführungsformen der Erfindung zur Halterung einer Probe für deren Bearbeitung durch einen Partikelstrahl eingesetzt werden kann,
  • 2 eine schematische Detailansicht von der Seite der in 1 gezeigten Probenhalterung,
  • 3 eine der 2 entsprechende schematische Darstellung gemäß einer weiteren Ausführungsform eines Probenhalters,
  • 4 eine schematische Darstellung von der Seite eines Bearbeitungssystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
  • 5 eine schematische Darstellung von der Seite eines Bearbeitungssystems gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, und
  • 6 eine schematische Darstellung von der Seite eines Bearbeitungssystems gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der Erfindung im Zusammenhang mit den Figuren erläutert. Hierbei werden Komponenten, die sich hinsichtlich ihrer Struktur und Funktion entsprechen, mit Bezugszeichen versehen, die gleiche Ziffern aufweisen, zur Unterscheidung jedoch mit einem zusätzlichen Buchstaben ergänzt sind. Zur Erläuterung der Komponenten wird deshalb auch auf die gesamte jeweils vorangehende und nachfolgende Beschreibung Bezug genommen.
  • 1 ist eine schematische Darstellung von vorne von einem Teil eines Bearbeitungssystems 1 und dient zur Erläuterung einer Funktionalität einer Probenhalterung 3, welche gemäß Ausführungsformen der Erfindung zur Halterung einer Probe 5 vor einer Partikelstrahlsäule 7 eingesetzt werden kann. Die Partikelstrahlsäule 7 ist bei dem hier erläuterten Ausführungsbeispiel eine Elektronenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf einen ersten Bearbeitungsort 9 gerichteten Elektronenstrahls 11. Die Probenhalterung 3 ist dazu konfiguriert, eine Oberfläche der Probe 5 an dem Bearbeitungsort 9 anzuordnen und sowohl in eine x-Richtung und in eine y-Richtung zu verlagern und um eine parallel zu der y-Richtung orientierte Achse 13 zu verschwenken, welche nahe dem Bearbeitungsort 9 angeordnet ist oder diesen durchsetzt. Hierbei ist die Probe 5 durch eine Halterung 15 eines Positioniertisches 17 gehaltert. Die Probe 5 kann an der Halterung an Anschlägen anliegen und durch Haftung oder Klemmung ausreichend fixiert sein.
  • Die Positioniervorrichtung 17 umfaßt einen Sockel 19, relativ zu welchem eine Zwischenkomponente 21 in y-Richtung durch einen in 1 nicht dargestellten Antrieb hin und her verlagerbar ist, wie dies durch einen Pfeil 23 angedeutet ist. Die Halterung 15 ist relativ zu der Zwischenkomponente 21 in x-Richtung durch einen in 1 nicht gezeigten Antrieb hin und her verlagerbar, wie dies durch einen Pfeil 25 in 2 schematisch angedeutet ist.
  • Der Sockel 19 ruht auf einem Träger 27, welcher an einer Basis 29 des Probenhalters 3 durch ein Schwenklager 31 getragen und um die Achse 13 verschwenkbar ist. Zusätzlich kann die Positioniervorrichtung 17 noch eine weitere Zwischenkomponente umfassen, um die Probe 5 relativ zu der Basis 29 in z-Richtung zu verlagern.
  • Die Verschwenkbarkeit um die Achse 13 ist in 2 durch einen Pfeil 24 angedeutet.
  • 4 ist eine schematische Übersichtsdarstellung des Bearbeitungssystems 1, wobei allerdings die anhand der 1 erläuterte Basis 29 der Probenhalterung 3 nicht gezeigt ist.
  • Das Bearbeitungssystem 1 umfaßt zwei Partikelstrahlsäulen, nämlich die Elektronenstrahlsäule 7 zur Erzeugung des Elektronenstrahls 11 und eine Ionenstrahlsäule 41 zur Erzeugung eines Ionenstrahls 43, welcher wie der Elektronenstrahl 11 auf den Bearbeitungsort 9 gerichtet ist.
  • Die Elektronenstrahlsäule 7 umfaßt eine Elektronenquelle 45 mit einer Kathode 47, einer Suppressorelektrode 49', einer Extraktorelektrode 49'' und einer Anodenelektrode 49''', ein Kondensorlinsensystem 51 zur Erzeugung des Strahls 11, einen beispielsweise innerhalb der Säule 7 angeordneten Sekundärelektronendetektor 53, eine Objektivlinse 54, um den Elektronenstrahl 11 an dem Bearbeitungsort 9 zu fokussieren. Strahlablenker 55 sind vorgesehen, um den Auftreffort des Elektronenstrahls 11 auf die Probe 5 zu variieren und beispielsweise einen Bereich der Probenoberfläche abzurastern und dabei erzeugte oder freigesetzte Teilchen, im vorliegenden Ausführungsbeispiel Sekundärelektronen, mit dem Detektor 53 zu detektieren, um ein elektronenmikroskopisches Bild der Probe 5 in dem abgerasterten Bereich an dem Bearbeitungsort 9 zu gewinnen. Neben dem innerhalb der Säule 7 angeordneten Detektor 53 können beispielsweise zusätzlich oder alternativ hierzu ein oder mehrere Sekundärteilchendetektoren, wie beispielsweise ein Elektronendetektor 57 oder eine Ionendetektor, neben der Säule 7 innerhalb einer Vakuumkammer 59 nahe dem Bearbeitungsort 9 vorgesehen sein, um ebenfalls Sekundärteilchen zu detektieren.
  • Die Ionenstrahlsäule 41 umfaßt eine Ionenquelle 61 und Elektroden 63 zur Formung und Beschleunigung des Ionenstrahls 43 sowie Strahlablenker 65 und Fokussierspulen oder Fokussierelektroden 67, um ebenfalls den Ionenstrahl 43 an dem Bearbeitungsort 9 zu fokussieren und dort über einen Bereich der Probe 5 zu rastern.
  • Eine Gaszuführungssystem 69 umfaßt ein Reservoir 71 für ein Prozeßgas, welches über eine Leitung 73, die nahe dem Bearbeitungsort endet, beispielsweise durch ein Ventil 75 gesteuert, der Probe 5 zugeführt werden kann. Das Prozeßgas kann durch den Ionenstrahl oder den Elektronenstrahl aktiviert werden, um an der Probe 5 Material abzutragen oder dort Material zu deponieren. Der Fortgang dieser Bearbeitung kann durch das Elektronenmikroskop 7 beobachtet werden. Ein Materialabtrag kann auch alleine durch Bearbeitung mit dem Ionenstrahl und ohne Zuführung von Prozeßgas erreicht werden.
  • Die Vakuumkammer 59 ist durch einen Vakuummantel 79 begrenzt, welcher einen mit einer Vakuumpumpe verbundenen Pumpstutzen 81 aufweist und welcher über einen Stutzen 83 belüftet werden kann. Um die Elektronenquelle 45 permanent unter ausreichend gutem Vakuum halten zu können, auch wenn in dem Vakuumraum 59 Prozeßgas eingeführt wird, umfaßt die Elektronensäule 7 eine Druckblende 84 und einen weiteren Pumpstutzen 85, um den Bereich der Elektronenquelle 45 durch eine separate Vakuumpumpe abzupumpen.
  • Hintergrundinformation zu Systemen, welche mehrere Partikelstrahlen zur Bearbeitung einer Probe einsetzen, kann beispielsweise aus US 2005/0184251 A1 , US 6,855,938 und DE 10 2006 059 162 A1 gewonnen werden, wobei die Offenbarung dieser Veröffentlichung vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
  • Das Bearbeitungssystem 1 umfaßt ferner ein Lasersystem 91, welches dazu konfiguriert ist, einen Laserstrahl 93 an einen zweiten Bearbeitungsort 95 zu richten. Hierzu umfaßt das Lasersystem 91 einen Laser 97 und eine Kollimationsoptik 99, um den Laserstrahl 93 zu formen. Der Laserstrahl 93 wird über einen oder mehrere Spiegel 101 oder Lichtleiter zu einem Ort nahe der Vakuumkammer 79 geleitet und trifft dort auf einen Schwenkspiegel 103, der den Strahl hin zu dem zweiten Bearbeitungsort 95 richtet und dabei, wie durch einen Pfeil 105 angedeutet, verschwenkbar ist, so daß der Strahl 93 einen Bereich auf einer an dem Bearbeitungsort 95 angeordneten Probe abrastern kann, wenn diese an dem zweiten Bearbeitungsort 95 angeordnet ist.
  • Hierbei tritt der Laserstrahl 93 über ein Fester 107 in einen Vakuumraum 109 ein, der ebenfalls durch die Kammerwand 79 begrenzt ist, von dem Vakuumraum 59 allerdings durch eine öffenbare Tür 111 separierbar ist. 4 zeigt eine Verschlußplatte 113 der Tür 111 in durchgezogener Linie in geöffnetem Zustand der Tür und in unterbrochener Linie in geschlossenem Zustand der Tür 111. Eine Aktuatorstange 114 der Tür dient dazu, die Verschlußplatte 113 zu verlagern, um die Tür von ihrem geöffneten Zustand in ihren geschlossenen Zustand überzuführen. Die Tür 111 kann hierbei als Vakuumverschluß ausgebildet sein, indem sie gegenüber der Kammerwand 79 abgedichtet ist, um in den Vakuumräumen 59 und 109 unterschiedliche Vakuumdrücke aufrechtzuerhalten. Hierbei wird der Vakuumraum 109 über einen mit einer Vakuumpumpe verbundenen Pumpstutzen evakuiert und kann über einen weiteren Stutzen 116 belüftet werden.
  • Die Probe 5 kann durch eine Transportvorrichtung 121 zwischen dem Bearbeitungsort 9 und dem Bearbeitungsort 95 hin und her transportiert werden. Hierzu umfaßt die Transportvorrichtung 121 ein Gestänge 123, welches durch eine Vakuumdurchführung 125 in den Vakuumraum 109 eintritt. Die Vakuumdurchführung 125 ist somit näher an dem Bearbeitungsort 95 angeordnet als an dem Bearbeitungsort 9. An einem Ende des Gestänges 123 ist eine Kupplung 127 vorgesehen, welche an den Sockel 19 des Positioniertisches 17 gekoppelt ist.
  • In 4 befindet sich der Positioniertisch 17 in einer solchen Position, daß die Probe 5 an dem Bearbeitungsort 9 zur Inspektion oder Bearbeitung mit dem Elektronenstrahl 11 bzw. dem Ionenstrahl 43 angeordnet ist. In gestrichelter Darstellung ist der Positioniertisch 17 in 4 in einer solchen Position dargestellt, daß die Probe 5 an dem Bearbeitungsort 95 zur Bearbeitung durch den Laserstrahl 93 angeordnet ist. Durch die Transportvorrichtung 21 kann der Positioniertisch 17 mitsamt der Probe 5 zwischen diesen beiden Positionen hin und her bewegt werden. Hierzu umfaßt die Transportvorrichtung 121 eine Schiene 131, um den Positioniertisch 17 während des Transports und während seiner Positionierung an dem Bearbeitungsort 95 gegen seine Schwerkraft abzustützen. Wenn der Tisch in seiner Position an den Bearbeitungsort 9 angeordnet ist, wird der Tisch, wie vorangehend beschrieben, durch den Träger 27 der Probenhalterung 3 getragen.
  • Zwischen dem Träger 27 und der Schiene 131 ist in der Darstellung der 4 ein Abstand 133 vorgesehen, um das Verschwenken des Trägers 27 um die Achse 13 ohne Kollision mit der Schiene 131 zu ermöglichen, nachdem das Gestänge 123 von der Kupplung 127 gelöst und etwas (in 4 nach links) zurückgezogen wurde. Es ist jedoch möglich, den Sockel 19 der Positioniervorrichtung 17 über den Abstand hinweg auf die Schiene 131 zu ziehen. Die Schiene 131 weist ferner eine Unterbrechung 135 auf, welche die Platte 113 durchsetzt, wenn die Tür 111 in ihrer geschlossenen Position ist. Die Tür 111 kann dann geschlossen werden, wenn die Transportvorrichtung 123 die Positioniervorrichtung 17 in die Position an dem Bearbeitungsort 95 gezogen hat oder nur das Gestänge 123 in 4 vollständig nach links zurückgezogen ist, wobei Positioniervorrichtung in der Position an dem Bearbeitungsort verbleibt.
  • An dem Ort 95 findet die Bearbeitung der Probe 5 mit dem Laserstrahl 93 statt, wobei von der Probe 5 abdampfende oder sich von dieser ablösende Partikel das Vakuum in dem Vakuumraum 109 verschlechtern. Dann verhindert die geschlossene Tür 111 eine Verschlechterung des Vakuums in dem Vakuumraum 59 oder zu einer nachhaltigen Kontamination des Vakuumraums 59, wodurch unter anderem die Partikelstrahlsäulen 7 und 41 geschützt werden.
  • Die Bearbeitung der Probe 5 durch den Laserstrahl 93 wird überwacht durch eine Endpunktdetektionsvorrichtung 141, welche beispielsweise eine Lichtquelle 143 zur Erzeugung eines Lichtstrahls 144 und einen Lichtdetektor 145 umfaßt. Der Lichtstrahl 144 tritt durch ein Fenster 146 in den Vakuumraum 109 ein und ist auf den Bearbeitungsort 95 ge richtet. Der Lichtdetektor 145 empfängt von dem Bearbeitungsort 95 ausgehendes Licht 147 durch ein Fenster 148. Durch Analyse des von dem Detektor 145 empfangenen Lichts kann auf einen Bearbeitungszustand der Probe 5 durch den Laserstrahl 93 geschlossen werden und insbesondere kann diese Bearbeitung auch beendet werden. Nach Beendigung dieser Bearbeitung durch den Laserstrahl wird die Türe 111 geöffnet und die Transportvorrichtung 121 transportiert die Probe 5 mit samt dem Positioniertisch hin zu dem Bearbeitungsort 9, wo dann mit dem Ionenstrahl 43 und zugeführten Prozeßgas eine weitere Bearbeitung der Probe 5 durchgeführt wird, welche durch das Elektronenmikroskop 7 beobachtet wird.
  • Die Positionierung des Positioniertisches 17 auf den Träger 27 kann mit hoher Präzision erfolgen. 2 zeigt hierzu einen Anschlag 22, an welchen der Sockel 19 des Positioniertisches 17 durch die Transportvorrichtung 121 gedrückt werden kann, bevor die Kupplung 127 freigegeben wird.
  • 3 stellt hierzu eine alternative Ausführungsform dar. 3 zeigt einen Positioniertisch 17a in einer der 2 entsprechenden Darstellung, wobei dort eine Position eines Sockels 19a des Positioniertisches 17a relativ zu einem Träger 27a einer Probenhalterung 3a durch ein optisches Meßsystem 151 bestimmt wird. Das optische Meßsystem 151 sendet einen Lichtstrahl 152 aus, welcher von einem an dem Sockel 19a angebrachten Spiegel 153 reflektiert wird, so daß das Meßsystem 151 einen Abstand zu dem Sockel 19a bestimmen kann. Durch Betätigen des Gestänges 123 ist es somit möglich, den Positioniertisch 17a in eine vorbestimmte Position auf dem Träger 27a vor den Partikelstrahlsäulen zu bringen.
  • 5 zeigt schematisch eine weitere Ausführungsform eines Bearbeitungssystems 1b, welches einen ähnlichen Aufbau aufweist, wie das anhand der 4 erläuterte Bearbeitungssystem. Im Unterschied zu dem anhand der 4 erläuterten Bearbeitungssystem weist das Bearbeitungssystem 1b eine Transportvorrichtung 121b zum Hin- und Hertransportieren einer Probe 5b zwischen einem Bearbeitungsort 9b zur Bearbeitung durch Partikelstrahlen 11b und 43b und einen Bearbeitungsort 95b zur Bearbeitung durch einen Laserstrahl 93b auf, welche ein Gestänge 123b umfaßt, an dessen einem Ende ein Greifer 127b angebracht ist, welcher die Probe 5b lösbar ergreifen kann. Somit wird bei der in 5 dargestellten Ausführungsform die Probe 5b zwischen den beiden Bearbeitungsorten 9b und 95b hin und her transportiert, ohne hierbei einen Positioniertisch 17b zu bewegen. Der Positioniertisch 17b verbleibt bei dem Transport an dem Bearbeitungsort 9b.
  • An dem Bearbeitungsort 95b wird die Probe 5b durch den Greifer 127b auf einem separaten Positioniertisch 18b abgelegt. Der Positioniertisch 18b kann eine einfachere Ausführung aufweisen als der Positioniertisch 17b. Insbesondere muß der Positioniertisch 18b eine Verschwenkung der Probe um eine Achse nicht ermöglichen, und er kann auch um weniger Achsen translatorisch verlagerbar sein, da der Laserstrahl 93b durch einen Schwenkspiegel 103b über einen Bereich der Oberfläche der Probe 5b gerastert werden kann, welcher größer ist als ein Bereich, über den der Elektronenstrahl 11b oder der Ionenstrahl 43b gerastert werden können. Hierbei kann auch eine Positionierung der Probe in z-Richtung unterbleiben, wenn beispielsweise die Kollimationsoptik 99b in z-Richtung verlagerbar ist.
  • 6 ist eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Bearbeitungssystems 1c, welches einen ähnlichen Aufbau aufweist wie die anhand der 4 und 5 erläuterten Bearbeitungssysteme. Im Unterschied zu diesen vorangehend erläuterten Bearbeitungssystemen ist das Bearbeitungssystem 1c jedoch derart konfiguriert, daß ein Bearbeitungsort 9c zur Bearbeitung durch einen Partikelstrahl, wie etwa einen Elektronenstrahl 11c und einen Ionenstrahl 43c, und ein Bearbeitungsort 95c zur Bearbeitung durch einen Laserstrahl 93c im wesentlichen zusammenfallen. Die Bearbeitungsorte 9c und 95c sind in einem gemeinsamen Vakuumraum 59c angeordnet. Deshalb umfaßt das Bearbeitungssystem 1c auch keine Transportvorrichtung zum Transportieren der Probe zwischen den beiden Bearbeitungsorten. Allerdings umfaßt das Bearbeitungssystem 1c eine Schutzvorrichtung 161, welche eine becherartig geformte Aufprallfläche 163 umfaßt, welche in der in 6 gezeigten Position Komponenten einer Elektronenstrahlsäule 7c teilweise umgreift. Ferner umfaßt die Schutzvorrichtung 161 eine becherartig geformte Aufprallfläche 165, welche Komponenten einer Ionenstrahlsäule 41c teilweise umgreift. Die in dieser Position angeordneten Aufprallflächen 163 und 165 schützen die Komponenten der Elektronenstrahlsäule 7c und der Ionenstrahlsäule 41c während der Bearbeitung einer Probe 5c durch einen Laserstrahl 93c. Nach Beendigung der Bearbeitung durch den Laserstrahl 93c können die Aufprallflächen 163 und 165, welche an einem Gestänge 167 befestigt sind, in eine Position zurückgezogen werden, in der sie die Bearbeitung durch den Elektronenstrahl 11c und den Ionenstrahl 43c nicht beeinträchtigen. Hierdurch durchsetzt das Gestänge 167 eine Vakuumwand 79b eines Vakuumraums 59b durch eine Vakuumdurchführung 169. Das Gestänge kann durch einen motorischen Antrieb oder von Hand bewegt werden, um die Aufprallflächen 163 und 165 in die zurückgezogene Position zu bewegen.
  • Hierbei kann auch vorgesehen sein, einen oder mehrere Teilchendetektoren, welche in dem Vakuumraum angeordnet sind, durch die Schutzvorrichtung abzudecken.
  • In den vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispielen umfaßt die Partikelstrahlsäule jeweils eine Elektronenstrahlsäule und eine Ionenstrahlsäule. Es ist jedoch auch gemäß weiterer Ausführungsformen ebenfalls vorgesehen, daß die Partikelstrahlsäule lediglich eine einzige Partikelstrahlsäule umfaßt. Dies kann beispielsweise eine einzige elektronenoptische Säule oder eine einzige ionenoptische Säule sein, welche in ein System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl integriert ist.
  • In den vorangehend anhand der 4 und 5 beschriebenen Ausführungsformen sind die beiden Bearbeitungsorte zur Bearbeitung mit einem Partikelstrahl einerseits und zur Bearbeitung mit einem Laserstrahl andererseits mit einem relativ großen Abstand voneinander angeordnet, und es ist jeweils eine Tür vorgesehen, welche zwischen den beiden Bearbeitungsorten eingeführt werden kann, um Vakuumräume der beiden Bearbeitungsorte voneinander zu separieren. Es ist jedoch auch möglich, zwischen den beiden Bearbeitungsorten lediglich eine Aufprallplatte für bei der Laserbearbeitung entstehende oder freigesetzte Partikel einzuführen, um die Partikelstrahlsäule vor diesen bei der Laserstrahlbearbeitung entstehenden oder freigesetzten Partikel zu schützen. Hierbei ist es nicht notwendig, daß diese Aufprallplatte die Funktion einer vakuumdichten Tür bzw. einer Vakuumschleuse hat. Hierbei ist es dann insbesondere möglich, daß die beiden Bearbeitungsorte in einem gemeinsamen Vakuumraum angeordnet sind, welcher durch eine oder mehrere Vakuumpumpen gemeinsam evakuiert wird.
  • Andererseits ist es auch möglich, daß die beiden Bearbeitungsorte in separaten Vakuumräumen angeordnet sind und diese durch eine Vakuumschleuse voneinander separiert sind, welche mehrere Türen hintereinander umfaßt, so daß die Probe beim Transport von einem Bearbeitungsort zu dem anderen Bearbeitungsort zunächst durch eine geöffnete Türe in einen Zwischen-Vakuumraum transportiert wird, sodann diese Türe geschlossen wird und erst dann eine nachfolgende Türe geöffnet wird, um die Probe vor dem Zwischen-Vakuumraum in den Vakuumraum des anderen Bearbeitungsorts zu transportieren.
  • Bei den vorangehend beschriebenen Ausführungsformen ist das Lasersystem jeweils so dargestellt, daß der Laserstrahl durch ein Fenster in den Vakuumraum eingestrahlt wird und eine Rastervorrichtung für den Laserstrahl außerhalb des Vakuumraums angeordnet ist. Gemäß weiterer Ausführungsform ist ebenfalls vorgesehen, eine solche Rastervorrichtung wie beispielsweise einen Rasterspiegel, innerhalb des Vakuumraums anzuordnen, wobei die Zuführung des Lichts in den Vakuumraum ebenfalls wieder durch ein Fenster erfolgen kann. Andererseits ist es auch möglich, den Laserstrahl auf eine andere Weise, wie beispielsweise einen Lichtleiter, in den Vakuumraum zu leiten. Auch die Kollimationsoptik kann außerhalb oder innerhalb des Vakuumraumes angeordnet sein.
  • Bei den vorangehend erläuterten Ausführungsformen umfaßt eine Endpunktdetektionsvorrichtung für die Laserbearbeitung eine Lichtquelle und einen entsprechenden Detektor. Es ist gemäß weiterer Ausführungsformen hierbei auch vorgesehen, ein Ende der Bearbeitung durch den Laserstrahl auf eine andere Weise zu erfassen. Beispielsweise kann ohne separate Lichtquelle vorzusehen, Strahlung des Laserstrahls durch einen Detektor erfaßt werden und aus einem dann detektierten Signal das Ende der Laserbearbeitung ermittelt werden. Ferner ist es möglich, das durch den Laserstrahl hervorgerufene Laser-induzierte Plasma zu detektieren oder durch eine separate Plasmaquelle gezielt ein Plasma zu ge nerieren, in welchem Ladungsträgerrekombinationen stattfinden, die für die Art des bearbeiteten Materials charakteristisch sind und durch einen Detektor erfaßt werden können.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2005/0184251 A1 [0038]
    • - US 6855938 [0038]
    • - DE 102006059162 A1 [0038]

Claims (16)

  1. Bearbeitungssystem um mehrere Energiestrahlen zur Bearbeitung und/oder Inspektion auf eine Probe zu richten, wobei die Bearbeitungsstation umfaßt: eine Elektronenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Elektronenstrahls und/oder eine Ionenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Ionenstrahls; ein Lasersystem zur Erzeugung eines auf einen mit Abstand von dem ersten Bearbeitungsort angeordneten zweiten Bearbeitungsort gerichteten Laserstrahls; einen Positioniertisch mit einem Sockel und einer Halterung zum Haltern einer Probe in einer Probenposition, wobei die Halterung an dem Sockel relativ zu diesem entlang wenigstens dreier Achsen verlagerbar gehaltert ist; eine erste Positioniervorrichtung, welche dazu konfiguriert ist, den Positioniertisch in einer vorbestimmten ersten Position relativ zu der Elektronenstrahlsäule bzw. der Ionenstrahlsäule derart zu positionieren, daß die Probenposition in einem Bereich des ersten Bearbeitungsortes angeordnet ist; eine zweite Positioniervorrichtung, welche dazu konfiguriert ist, den Positioniertisch in einer vorbestimmten zweiten Position relativ zu dem Lasersystem derart zu positionieren, daß die Probenposition in einem Bereich des zweiten Bearbeitungsortes angeordnet ist; und eine Transportvorrichtung, welche dazu konfiguriert ist, den Positioniertisch zwischen der vorbestimmten ersten Position und der vorbestimmten zweiten Position hin und her zu transportieren.
  2. Bearbeitungsstation nach Anspruch 1, wobei die erste oder/und die zweite Positioniervorrichtung wenigstens einen Positionssensor umfaßt, um eine Position des Positioniertischs zu erfassen.
  3. Bearbeitungsstation nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend wenigstens einen Vakuumbehälter, wobei der erste Bearbeitungsort der zweite Bearbeitungsort und ein Transportweg für den Transport des Positioniertisches zwischen der ersten Position und der zweiten Position innerhalb des wenigstens einen Vakuumbehälters angeordnet ist.
  4. Bearbeitungsstation nach Anspruch 3, wobei der wenigstens eine Vakuumbehälter eine öffenbare Tür aufweist, um einen ersten Vakuumraum, der den ersten Bearbeitungsort enthält, von einem zweiten Vakuumraum, der den zweiten Bearbeitungsort enthält, zu trennen.
  5. Bearbeitungssystem um mehrere Energiestrahlen zur Bearbeitung und/oder Inspektion auf eine Probe zu richten, wobei die Bearbeitungsstation umfaßt: eine Elektronenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Elektronenstrahls und/oder eine Ionenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Ionenstrahls; ein Lasersystem zur Erzeugung eines auf einen mit Abstand von dem ersten Bearbeitungsort angeordneten zweiten Bearbeitungsort gerichteten Laserstrahls; einen ersten Positioniertisch zum Haltern einer Probe an dem ersten Bearbeitungsort; einen zweiten Positioniertisch zum Haltern der Probe an dem zweiten Bearbeitungsort; und eine Transportvorrichtung, welche dazu konfiguriert ist, die Probe zwischen dem ersten Positioniertisch und dem zweiten Positioniertisch hin und her zu transportieren.
  6. Bearbeitungsstation nach Anspruch 5, ferner umfassend wenigstens einen Vakuumbehälter, wobei der erste Bearbeitungsort, der zweite Bearbeitungsort und ein Transportweg für den Transport der die Probe zwischen dem ersten Positioniertisch und dem zweiten Positioniertisch innerhalb des wenigstens einen Vakuumbehälters angeordnet ist.
  7. Bearbeitungsstation nach Anspruch 6, wobei der wenigstens eine Vakuumbehälter eine öffenbare Tür aufweist, um einen ersten Vakuumraum, der den ersten Bearbeitungsort enthält, von einem zweiten Vakuumraum, der den zweiten Bearbeitungsort enthält, zu trennen.
  8. Bearbeitungsstation nach Anspruch 7, wobei die Transportvorrichtung eine Stange und einen an einem Ende der Stange befestigten Greifer zum Fixieren der Probe aufweist, wobei in einer Situation, in der der Greifer nahe dem ersten Bearbeitungsort angeordnet ist, die Stange die geöffnete Türe durchsetzt.
  9. Bearbeitungssystem um mehrere Energiestrahlen zur Bearbeitung und/oder Inspektion auf eine Probe zu richten, wobei die Bearbeitungsstation umfaßt: eine Partikelstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Partikelstrahls; ein Lasersystem zur Erzeugung eines auf einen zweiten Bearbeitungsort gerichteten Laserstrahls; eine Schutzvorrichtung, welche einen Antrieb und eine mit dem Antrieb gekoppelte Aufprallfläche umfaßt, wobei die Schutzvorrichtung dazu konfiguriert ist, die Aufprallfläche durch den Antrieb zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position hin und her zu verlagern, wobei die Aufprallfläche in der ersten Position vor einer Komponente der Partikelstrahlsäule angeordnet ist, um diese Komponente vor Partikeln zu schützen, die bei Bearbeitung der Probe mit dem Laserstrahl erzeugt oder feigesetzt werden, und wobei die Aufprallfläche in der zweiten Position mit einem größeren Abstand von der Komponente angeordnet ist als in der ersten Position.
  10. Bearbeitungssystem nach Anspruch 9, wobei die Aufprallfläche eine Bechergestalt aufweist, die in der ersten Position die Komponente der Korpuskularstrahlsäule teilweise umgreift.
  11. Bearbeitungssystem nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Schutzvorrichtung eine Pumpe und einen an die Aufprallfläche gekoppelten Saugschlauch aufweist, um die Partikel wenigstens teilweise abzusaugen.
  12. Bearbeitungssystem um mehrere Energiestrahlen zur Bearbeitung und/oder Inspektion auf eine Probe zu richten, wobei die Bearbeitungsstation umfaßt: eine Partikelstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Partikelstrahls; ein Lasersystem zur Erzeugung eines auf einen zweiten Bearbeitungsort gerichteten Laserstrahls; eine Schutzvorrichtung, um eine Komponente der Partikelstrahlsäule vor Partikeln zu schützen, die bei der Bearbeitung der Probe mit dem Laserstrahl erzeugt oder freigesetzt werden, wobei die Schutzvorrichtung eine gekühlte Kondensationsfläche, eine Fläche, an der eine Hochspannung angelegt ist oder/und eine Plasmaquelle umfaßt.
  13. Bearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die wenigstens eine Partikelstrahlsäule eine Ionenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Ionenstrahls umfaßt.
  14. Bearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die wenigstens eine Partikelstrahlsäule eine Elektronenstrahlsäule zur Erzeugung eines auf den ersten Bearbeitungsort gerichteten Elektronenstrahls umfaßt.
  15. Bearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 14, ferner umfassend einen Sekundärelektronendetektor.
  16. Bearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 15, ferner umfassend ein Gaszuführungssystem mit einem Reservoir zur Speicherung eines Prozeßgases und einer an das Reservoir gekoppelte Leitung, um Prozeßgas an den ersten Bearbeitungsort zu führen.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010008296A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 Laserbearbeitungssystem, Objekthalter und Laserbearbeitungsverfahren
DE102011018460A1 (de) * 2011-04-21 2012-10-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Prozessierungssystem
DE102011109449B3 (de) * 2011-08-04 2012-12-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum kalibrieren eines laserscanners, verwendung des verfahrens und bearbeitungssystem mit laserscanner
EP2629079A2 (de) 2012-02-17 2013-08-21 Carl Zeiss Microscopy GmbH Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht
US8816303B2 (en) 2010-06-22 2014-08-26 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Method of processing of an object
DE102019214742A1 (de) * 2019-09-26 2021-04-01 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Baugruppe einer Laser-Ablationsvorrichtung sowie Laser-Ablationsvorrichtung einer derartigen Baugruppe
DE102013003449B4 (de) 2012-02-29 2022-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Laserionenquelle

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9645010B2 (en) * 2009-03-10 2017-05-09 The Regents Of The University Of California Fluidic flow cytometry devices and methods
US9134221B2 (en) 2009-03-10 2015-09-15 The Regents Of The University Of California Fluidic flow cytometry devices and particle sensing based on signal-encoding
DE102009041993B4 (de) * 2009-09-18 2020-02-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Beobachtungs- und Analysegerät
KR101854287B1 (ko) * 2010-04-07 2018-05-03 에프이아이 컴파니 레이저 및 하전 입자 빔 시스템 결합
US10024819B2 (en) 2010-10-21 2018-07-17 The Regents Of The University Of California Microfluidics with wirelessly powered electronic circuits
DE102011111190A1 (de) * 2011-08-25 2013-02-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Präparation einer Probe für die Mikrostrukturdiagnostik
DE102012010708B4 (de) 2012-05-30 2021-12-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Kombiniertes bearbeitungssystem zur bearbeitung mittels laser und fokussierten ionenstrahlen
DE102012012275B9 (de) * 2012-06-21 2014-11-27 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Bearbeitungssystem zur mikro-materialbearbeitung
JP6396911B2 (ja) 2012-10-15 2018-09-26 ナノセレクト バイオメディカル, インコーポレイテッド 粒子を選別するためのシステム、装置、および、方法
DE102012022168A1 (de) 2012-11-12 2014-05-28 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum bearbeiten eines materialstücks
JP2017174504A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 株式会社日立ハイテクサイエンス 複合荷電粒子ビーム装置
US10176963B2 (en) 2016-12-09 2019-01-08 Waviks, Inc. Method and apparatus for alignment of optical and charged-particle beams in an electron microscope
JP6900026B2 (ja) * 2017-03-27 2021-07-07 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
KR102374612B1 (ko) * 2019-08-22 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 레이저 가공 방법
KR102750609B1 (ko) * 2020-01-21 2025-01-09 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
DE102020134463B3 (de) 2020-12-21 2022-06-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Materialbearbeitungsverfahren und Materialbearbeitungssystem zur Ausführung des Verfahrens
US12207232B2 (en) * 2021-04-16 2025-01-21 Qualcomm Incorporated Resource allocations to source user equipment from a user equipment in a hop
KR20220162896A (ko) * 2021-06-01 2022-12-09 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP7657746B2 (ja) * 2022-01-24 2025-04-07 日本電子株式会社 試料加工装置
JP2024167734A (ja) * 2023-05-22 2024-12-04 浜松ホトニクス株式会社 顕微鏡装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58110042A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Fujitsu Ltd ビ−ム照射装置
JPS58164135A (ja) * 1982-03-25 1983-09-29 Agency Of Ind Science & Technol 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置
JPS6271158A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Rohm Co Ltd 半導体装置の解析装置
US4683378A (en) * 1984-07-13 1987-07-28 Hitachi, Ltd. Apparatus for ion beam work
US5055696A (en) * 1988-08-29 1991-10-08 Hitachi, Ltd. Multilayered device micro etching method and system
JPH05314941A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Jeol Ltd Fib/eb複合装置
US5905266A (en) * 1996-12-19 1999-05-18 Schlumberger Technologies, Inc. Charged particle beam system with optical microscope
US6855938B2 (en) 2002-07-19 2005-02-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Objective lens for an electron microscopy system and electron microscopy system
US20050184251A1 (en) 2004-02-24 2005-08-25 Masamichi Oi FIB-SEM complex apparatus
US20070181828A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. E-beam lithography system for synchronously irradiating a plurality of photomasks and method of fabricating photomasks using the same
DE102006059162A1 (de) 2006-12-14 2008-06-26 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenoptische Anordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023068A (en) 1991-05-30 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device manufacturing apparatus
US6252227B1 (en) * 1998-10-19 2001-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for sectioning a semiconductor wafer with FIB for viewing with SEM
US6335208B1 (en) * 1999-05-10 2002-01-01 Intersil Americas Inc. Laser decapsulation method
FR2806527B1 (fr) * 2000-03-20 2002-10-25 Schlumberger Technologies Inc Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique
JP4205122B2 (ja) 2006-07-19 2009-01-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線加工装置
US8227781B2 (en) * 2009-07-24 2012-07-24 Lyudmila Zaykova-Feldman Variable-tilt specimen holder and method and for monitoring milling in a charged-particle instrument

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58110042A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Fujitsu Ltd ビ−ム照射装置
JPS58164135A (ja) * 1982-03-25 1983-09-29 Agency Of Ind Science & Technol 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置
US4683378A (en) * 1984-07-13 1987-07-28 Hitachi, Ltd. Apparatus for ion beam work
JPS6271158A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Rohm Co Ltd 半導体装置の解析装置
US5055696A (en) * 1988-08-29 1991-10-08 Hitachi, Ltd. Multilayered device micro etching method and system
JPH05314941A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Jeol Ltd Fib/eb複合装置
US5905266A (en) * 1996-12-19 1999-05-18 Schlumberger Technologies, Inc. Charged particle beam system with optical microscope
US6855938B2 (en) 2002-07-19 2005-02-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Objective lens for an electron microscopy system and electron microscopy system
US20050184251A1 (en) 2004-02-24 2005-08-25 Masamichi Oi FIB-SEM complex apparatus
US20070181828A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. E-beam lithography system for synchronously irradiating a plurality of photomasks and method of fabricating photomasks using the same
DE102006059162A1 (de) 2006-12-14 2008-06-26 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenoptische Anordnung

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010008296A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 Laserbearbeitungssystem, Objekthalter und Laserbearbeitungsverfahren
US8816303B2 (en) 2010-06-22 2014-08-26 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Method of processing of an object
DE102011018460A1 (de) * 2011-04-21 2012-10-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Prozessierungssystem
US8415644B2 (en) 2011-04-21 2013-04-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Processing system
DE102011109449B3 (de) * 2011-08-04 2012-12-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum kalibrieren eines laserscanners, verwendung des verfahrens und bearbeitungssystem mit laserscanner
DE102011109449B9 (de) * 2011-08-04 2013-04-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum kalibrieren eines laserscanners, verwendung des verfahrens und bearbeitungssystem mit laserscanner
EP2629079A2 (de) 2012-02-17 2013-08-21 Carl Zeiss Microscopy GmbH Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht
DE102012202519A1 (de) 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht
US9816946B2 (en) 2012-02-17 2017-11-14 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Methods and apparatus for the preparation of microscopy samples by using pulsed light
DE102013003449B4 (de) 2012-02-29 2022-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Laserionenquelle
DE102019214742A1 (de) * 2019-09-26 2021-04-01 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Baugruppe einer Laser-Ablationsvorrichtung sowie Laser-Ablationsvorrichtung einer derartigen Baugruppe
WO2021058545A1 (en) 2019-09-26 2021-04-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Assembly of a laser ablation apparatus and laser ablation apparatus of such an assembly

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