DE102008017269A1 - Positive temperature coefficient resistor element, has two edge layers arranged on base body, where specific resistance of edge layers is greater than specific resistance of base body - Google Patents
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Abstract
Description
Es wird ein Kaltleiter-Widerstandselement nach Anspruch 1 angegeben, so wie ein Verfahren zu dessen Herstellung.It a PTC resistor element according to claim 1 is given, as well as a method for its production.
Ein weit verbreitetes Problem von Kaltleiter-Widerstandselementen ist der Ausfall bei elektrischer Schaltbelastung. Die häufigste Ausfallursache ist hierbei der Querbruch der Kaltleiterkeramikscheibe, die so genannte Delamination, infolge der Ausbildung von großen Temperaturunterschieden innerhalb des Bauteils durch ein starkes Missverhältnis zwischen Wärmeproduktion und Wärmetransport über die Querfläche. Ursache für den extremen Temperaturunterschied sind unter anderem die geringe Wärmeleitfähigkeit der Kaltleiterkeramik und die positive Rückkopplung aufgrund der PTC-Kennlinie.One widespread problem of PTC resistor elements is the failure at electrical switching load. The most common failure cause is Here, the transverse fracture of the PTC ceramic disc, the so-called Delamination, as a result of the formation of large temperature differences within the component due to a strong mismatch between heat production and heat transport over the Transverse surface. Cause for The extreme temperature differences include the low thermal conductivity the PTC ceramic and the positive feedback due to the PTC characteristic.
Ein möglicher Anwendungsbereich von Kaltleiter-Widerständen liegt in dem Bereich der Elektronik, in dem gezielt einstellbare Raumtemperatur-Widerstände und Bezugstemperaturen (Tref) für den Überlastschutz oder für die Anwendung als Heizer gefordert werden. Speziell für den Überlastschutz sind vor allem hohe Schaltfestigkeiten bei geringer Bauteilabmessung gefordert.One possible application of PTC resistors is in the field of electronics, where specifically adjustable room temperature resistances and reference temperatures (T ref ) are required for overload protection or for use as a heater. Especially for overload protection, especially high switching strengths are required with small component dimensions.
Eine Aufgabe von Ausführungsformen der Erfindung besteht darin, die Wärmeabfuhr aus dem Kaltleiter-Widerstandselement über die Oberfläche zu reduzieren. Dadurch soll der interne Temperaturunterschied und damit das Risiko eines Ausfalls durch Querbruch reduziert werden.A Task of embodiments The invention consists in the heat dissipation from the PTC resistor element over the Surface too to reduce. This should be the internal temperature difference and thus the risk of failure due to transverse fracture can be reduced.
Des Weiteren soll die Schaltfestigkeit des Kaltleiter-Widerstandselements erhöht werden, oder die gleiche Schaltfestigkeit mit wesentlich verringertem Bauteilquerschnitt erzielt werden.Of Furthermore, the switching resistance of the PTC resistor element should elevated be, or the same switching strength with much reduced Component cross section can be achieved.
Die Aufgabe wird durch ein Kaltleiter-Widerstandselement nach dem Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen des Kaltleiter-Widerstandselements sind Gegenstand weiterer abhängiger Patentansprüche. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung des Kaltleiter-Widerstandselements beansprucht.The Task is by a PTC resistor element according to the claim 1 solved. Further embodiments the PTC resistive element are the subject of further dependent claims. Of Further, a method of manufacturing the PTC resistor element will be described claimed.
Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Kaltleiter-Widerstandselement umfassend einen Grundkörper mit dem spezifischen Widerstand RG umfassend ein Kaltleitermaterial. Auf der Oberfläche des Grundkörpers sind zwei Elektrodenflächen, sowie zwei Randschichten mit dem spezifischen Widerstand RR angeordnet. Hierbei ist der spezifische Widerstand RR der Randschichten größer als der spezifische Widerstand RG des Grundkörpers (RR > RG).One embodiment of the invention relates to a PTC resistor element comprising a base body with the specific resistance R G comprising a PTC thermistor material. On the surface of the base body two electrode surfaces, and two edge layers with the resistivity R R are arranged. In this case, the specific resistance R R of the surface layers is greater than the specific resistance R G of the main body (R R > R G ).
Bei einem Kaltleiter-Widerstandselement mit den erfindungsgemäßen Randschichten wird der Wärmeverlust aus dem keramischen Grundkörper aufgrund des höheren Widerstandes RR über die Oberflächen herabgesetzt. Dadurch wird ein stärkeres Abkühlen vor allem in den Randbereichen vermindert. Somit wird der Temperaturunterschied innerhalb des Bauelements vermindert. Dies hat wiederum zur Folge, dass ein Ausfall des Kaltleiter-Widerstandselements aufgrund eines Querbruchs deutlich reduziert wird. Eine Reduktion der Temperaturunterschiede führt gleichzeitig zur Reduktion der thermomechanischen Spannungen im Bauelement. Durch die erfindungsgemäßen Randschichten wird somit eine höhere Schaltfestigkeit des Widerstandselements erzielt, welche zu einer höheren Lebensdauer des Widerstandselements führt. Des Weiteren können Widerstandselemente mit einem wesentlich verringerten Querschnitt gebaut werden, welche die gleiche Schaltfestigkeit aufweisen, wie die herkömmlichen Kaltleiter-Widerstandselemente mit großem Querschnitt.In a PTC resistor element with the boundary layers according to the invention, the heat loss from the ceramic base body is reduced due to the higher resistance R R across the surfaces. As a result, a stronger cooling is reduced, especially in the peripheral areas. Thus, the temperature difference within the device is reduced. This in turn has the consequence that a failure of the PTC resistor element is significantly reduced due to a transverse crack. A reduction of the temperature differences simultaneously leads to a reduction of the thermo-mechanical stresses in the component. By the boundary layers according to the invention thus a higher switching resistance of the resistive element is achieved, which leads to a longer life of the resistive element. Furthermore, resistance elements having a substantially reduced cross-section can be constructed which have the same switching resistance as the conventional PTC resistor elements with a large cross-section.
Besonders vorteilhaft erwiesen sich des Weiteren die Ausführungsformen in denen die Schichtdicke der Randschicht kleiner ist, als die Dicke des keramischen Grundkörpers, welcher beispielsweise zwischen 2 und 3 mm dick sein kann. Die Schichtdicke der Randschicht kann beispielsweise zwischen 20 μm und 60 μm betragen.Especially Furthermore, the embodiments in which the layer thickness proved to be advantageous the edge layer is smaller than the thickness of the ceramic base body, which for example, between 2 and 3 mm thick. The layer thickness the edge layer may be, for example, between 20 microns and 60 microns.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Randschichten zwischen dem Grundkörper und den Elektrodenflächen angeordnet.In a further embodiment The invention relates to the surface layers between the base body and the electrode surfaces arranged.
Dies hat zur Folge, dass vor allem der Wärmeabfluss Richtung der Elektroden reduziert wird. Da das Elektrodenmaterial häufig eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist, ist bei herkömmlichen Kaltleiter-Widerstandselementen vor allem ein Wärmeabfluss über die Elektrodenflächen zu beobachten. Dieser wird in der erfindungsgemäßen Ausführungsform durch die Randschichten mit einem höheren spezifischen Widerstand nun deutlich reduziert.This As a result, especially the heat flow direction of the electrodes is reduced. Since the electrode material often has good thermal conductivity has, is in conventional PTC resistor elements above all a heat dissipation over the electrode surfaces to observe. This is in the embodiment according to the invention by the edge layers with a higher one specific resistance now significantly reduced.
In einer weiteren Ausführungsform ist auf jeder Elektrodenfläche zur Kontaktierung ein Draht mit einem Lotmaterial befestigt. Der Draht dient zur elektrischen Kontaktierung des Widerstandselements.In a further embodiment is on every electrode surface fixed for contacting a wire with a solder material. Of the Wire is used for electrical contacting of the resistance element.
In einer weiteren Ausführungsform des Kaltleiter-Widerstandselements sind die Elektrodenflächen zwischen dem Grundkörper und der Randschicht angeordnet. In dieser Ausführungsform kann der Draht zur elektrischen Kontaktierung mit einem Lotmaterial auch auf den Randschichten befestigt sein.In a further embodiment of the PTC resistor element are the electrode surfaces between the main body and the edge layer arranged. In this embodiment, the wire to the electrical contact with a solder material also on the surface layers be attached.
In dieser Ausführungsform wird durch die hochohmige Randschicht der Wärmeabfluss aus dem Grundkörper über die Elektrodenoberflächen zu dem Lotmaterial reduziert. Das Lotmaterial weist in der Regel eine gute Wärmeleitfähigkeit auf. Deshalb ist in herkömmlichen Kaltleiter-Widerstandselementen ein deutlicher Wärmeabfluss über das Lotmaterial zu beobachten. Der Wärmeabfluss wird in dieser Ausführungsform durch das Einziehen einer Randschicht mit geeignetem Widerstand zwischen den Elektrodenflächen und dem Lotmaterial deutlich reduziert.In this embodiment, the high-resistance edge layer reduces the heat flow from the main body via the electrode surfaces to the solder material. The solder material points in usually good thermal conductivity. Therefore, in conventional PTC resistor elements a significant heat flow over the solder material is observed. The heat dissipation is significantly reduced in this embodiment by drawing in an edge layer with suitable resistance between the electrode surfaces and the solder material.
Als besonders vorteilhaft erweisen sich Ausführungsformen, bei denen der spezifische Widerstand RR 10% bis 80% größer ist als der spezifische Widerstand RG, welcher im Bereich von Ohmzentimetern bis Kiloohmzentimetern liegen kann.Embodiments in which the specific resistance R R is 10% to 80% greater than the specific resistance R G , which may be in the range of ohm centimeters to kilohm centimeters, prove to be particularly advantageous.
Bei einem Kaltleiter-Widerstandsmaterial ist der Referenzwiderstand (Rref) als der doppelte Minimalwiderstand (Rmin) definiert. Der Minimalwiderstand (Rmin) ist das Minimum der Kurve bei der der Widerstand gegen die Temperatur aufgetragen wird. Die bei dieser Kurve zugehörige Temperatur zum Referenzwiderstand (Rref) wird Bezugstemperatur (Tref) genannt.In a PTC resistor material, the reference resistance (R ref ) is defined as the double minimum resistance (R min ). The minimum resistance (R min ) is the minimum of the curve at which the resistance to temperature is plotted. The temperature associated with this curve to the reference resistor (R ref ) is called the reference temperature (T ref ).
Bei einer Ausführungsform der Erfindung liegt die Bezugstemperatur Tref des Materials der Randschicht mindestens um 50°C über der des Kaltleitermaterials des Grundkörpers. Ein geringerer Abstand der Bezugstemperatur Tref des Materials der Randschicht und des Kaltleitermaterials des Grundkörpers könnte dazu führen, dass der Schaltprozess in unerwünschter Weise in der Randschicht erfolgt.In one embodiment of the invention, the reference temperature T ref of the material of the edge layer is at least 50 ° C above that of the PTC material of the base body. A smaller distance of the reference temperature T ref of the material of the surface layer and of the PTC thermistor material of the main body could lead to the switching process occurring undesirably in the boundary layer.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich die Randschicht über den gleichen Bereich des Grundkörpers wie das Lotmaterial. Die Randschicht muss in dieser Ausführungsform somit nur so groß sein, wie die Fläche, die von dem Lotmaterial bedeckt wird. Somit wird durch eine flächenmäßig kleine Randschicht bereits effektiv der Wärmeabfluss zum Lotmaterial kompensiert.In a further preferred embodiment the invention, the edge layer extends over the same area of the the body like the solder material. The boundary layer must be in this embodiment so only be so big like the area, which is covered by the solder material. Thus, by a small area Edge layer already effective the heat flow to the solder material compensated.
Das Kaltleitermaterial des Grundkörpers kann ein keramisches Material umfassen. Die Randschicht kann des Weiteren ein keramisches Kaltleitermaterial umfassen, welches einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als das Kaltleitermaterial des Grundkörpers.The PTC thermistor material of the body can comprise a ceramic material. The boundary layer may further a ceramic PTC material which has a higher specific Resistance than the PTC material of the body.
Eine mögliche Ausführungsform umfasst einen Bariumtitanatbasierten keramischen Grundkörper mit einem spezifischen Widerstand von 40 Ohmcm und einer Bezugstemperatur von 135°C. Die Randschicht kann in diesem Fall beispielsweise ein PTC-Material umfassen, mit einem spezifischen Widerstand von 60 Ohmcm und einer Bezugstemperatur von 190°C.A possible embodiment comprises a barium titanate-based ceramic base body with a resistivity of 40 ohm cm and a reference temperature of 135 ° C. The edge layer may in this case, for example, a PTC material include, with a resistivity of 60 ohmcm and a Reference temperature of 190 ° C.
Die Randschicht kann aber auch ein keramisches Heißleitermaterial umfassen. Bei dieser Ausführungsform ist gewährleistet, dass der Widerstand der Randschicht mit zunehmender Temperatur abnimmt und damit deren Einfluss auf das Schaltgeschehen mit zunehmender Schaltungsdauer reduziert wird.The But edge layer may also include a ceramic thermistor material. at this embodiment is guaranteed that the resistance of the surface layer decreases with increasing temperature and thus their influence on the switching events with increasing Circuit duration is reduced.
Eine mögliche Ausführungsform umfasst einen Bariumtitanatbasierten keramischen Grundkörper mit einem spezifischen Widerstand von 1000 Ohmcm und einer Bezugstemperatur von 120°C. Die Randschicht kann in diesem Fall beispielsweise ein spinellhaltiges NTC-Material umfassen, mit einem spezifischen Widerstand von 1200 Ohmcm und einer Bezugstemperatur von 2000 K.A possible embodiment comprises a barium titanate-based ceramic base body with a resistivity of 1000 ohm cm and a reference temperature from 120 ° C. The boundary layer can in this case, for example, a spinellhaltiges Include NTC material, with a resistivity of 1200 Ohmcm and a reference temperature of 2000 K.
In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Randschicht eine Metallisierungspaste mit einem an den Grundkörper angepassten Widerstand. Der Vorteil dieser Variante liegt darin, dass man die Metallisierungspaste nach dem Sinterprozess der Keramik aufbringen kann. Die Einstellung des Widerstandes der Paste erfolgt über einen genau geregelten Einbrand, um den Zielwiderstand für die Paste zu erreichen. Die Metallisierungspaste kann Sperrschicht abbauende Zusätze umfassen. Umfasst die Metallisierungspaste beispielsweise Ag als Hauptbestandteil, so kann diese beispielsweise Zn als Sperrschicht abbauenden Zusatz enthalten.In a preferred embodiment For example, the surface layer comprises a metallizing paste with one on the body adjusted resistance. The advantage of this variant is that the metallizing paste after the sintering process of the ceramic can muster. The adjustment of the resistance of the paste takes place via a precisely controlled penetration to the target resistance for the paste to reach. The metallizing paste can breakdown barrier additions include. Includes the metallizing paste, for example Ag as Main component, it may, for example, Zn as a barrier layer containing degrading additive.
Die Elektrodenoberflächen können aus mehreren Schichten aufgebaut sein. Für diese Schichten eignen sich beispielsweise Ag, Cr, Ni, sowie Legierungen dieser Metalle.The electrode surfaces can be constructed of several layers. These layers are suitable For example, Ag, Cr, Ni, and alloys of these metals.
In einer weiteren Ausführungsform kann zusätzlich auf die bereits eingebrannte Pastenelektrode eine weitere Elektrodenfläche aufgesputtert werden. Diese kann beispielsweise aus Silber oder aus Chrom-Nickel-Silber bestehen. In einer weiteren Ausführungsform kann eine Chrom-Nickelschicht auf das Keramikbauteil aufgesputtert werden und anschließend eine Widerstandspaste mittels Siebdruck aufgebracht werden, die dann im Anschluss mit einer Silberelektrode oder einer Chrom-Nickel-Silberelektrode besputtert wird.In a further embodiment can additionally sputtered onto the already baked paste electrode another electrode surface become. This can for example be made of silver or chrome-nickel-silver consist. In a further embodiment can be a chrome-nickel layer sputtered onto the ceramic component and then a Resistance paste are applied by screen printing, which then following with a silver electrode or a chrome-nickel-silver electrode sputtered.
Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiter-Widerstandselementes beansprucht. Dieses umfasst die Verfahrensschritte: Sintern eines keramischen Kaltleitermaterials, wodurch ein Grundkörper entsteht, das Aufbringen zweier Randschichten, das Aufbringen zweier Elektrodenflächen, wobei für die Randschicht ein Material verwendet wird, welches nach dem Sintern einen größeren spezifischen Widerstand RR hat als der spezifische Widerstand des Grundkörpers RG.In the following, a method for producing a PTC resistor element is claimed. This comprises the method steps: sintering of a ceramic PTC conductor material, whereby a base body is produced, the application of two edge layers, the application of two electrode surfaces, wherein for the edge layer a material is used, which has a greater specific resistance R R after sintering than the specific resistance of the Basic body R G.
Das Aufbringen der Randschichten kann vor dem Sintern erfolgen. Diese Vorgehensweise eignet sich vor allem zur Herstellung von Widerstandselementen bei denen die Randschicht ein keramisches Material umfasst. Nach dem Sintern kann dann mit einem Siebdruckverfahren eine Metallisierungspaste als Elektrodenfläche auf den Körper aufgedruckt werden. Nach dem Bedrucken kann ein Einbrennen der Paste erfolgen.The application of the surface layers can be done before sintering. This procedure is especially suitable for the production of resistance elements ments in which the surface layer comprises a ceramic material. After sintering, a metallizing paste can then be printed on the body as an electrode surface using a screen printing method. After printing, a baking of the paste can take place.
In einer weiteren Verfahrensvariante können die Randschichten nach dem Sintern aufgebracht werden. Diese Variante eignet sich besonders für den Fall, dass die kompensierende Randschicht eine Metallisierungspaste umfasst. Hier erfolgt nach dem Aufbringen der Randschicht ein Einbrennungsschritt. Nach dem Einbrennen kann eine Elektrodenfläche aufgesputtert werden.In In a further variant of the method, the edge layers can after be applied to the sintering. This variant is particularly suitable in the case, the compensating surface layer comprises a metallization paste. Here, after the application of the surface layer, a burn-in step takes place. To the burn-in an electrode surface can be sputtered.
Dem Sintern können folgende Verfahrensschritte vorgelagert sein: das Mischen der Ausgangsstoffe, das Dispergieren der Ausgangsstoffe in Wasser unter Zusatz eines organischen Binders, so dass ein Schlicker entsteht, das Pressen des Schlickers in einer Filterpresse, so dass ein Filterkuchen entsteht, das Trocknen des Filterkuchens, das Kalzinieren des Filterkuchens, so dass ein Rohkeramikmaterial entsteht, das Brechen und Sieden des Rohkeramikmaterials, das Dispergieren des Rohkeramikmaterials in Wasser unter Zusatz eines organischen Binders, das Mahlen des dispergierten Rohkeramikmaterials, das Granulieren des Rohkeramikmaterials, das Verpressen des Granulats zu einem monolithischen Bauelement.the Can sinter the following steps are preceded by: mixing the starting materials, the dispersion of the starting materials in water with the addition of a organic binder, so that a slurry is formed, the pressing of the slurry in a filter press, so that a filter cake is formed, the Drying the filter cake, calcining the filter cake, so that a raw ceramic material is produced, the breaking and boiling of the Raw ceramic material, dispersing the raw ceramic material in water with the addition of an organic binder, the milling of the dispersed Raw ceramics, granulating raw ceramics, which Pressing the granules into a monolithic component.
Hierbei können die Ausgangsstoffe die folgenden Stoffe umfassen: BaCO3, SrCO3, Pb3O4, CaCO3, SiO2, TiO2, MnCl2, YCl3.In this case, the starting materials may comprise the following substances: BaCO 3 , SrCO 3 , Pb 3 O 4 , CaCO 3 , SiO 2 , TiO 2 , MnCl 2 , YCl 3 .
Bei dem Pressschritt kann der Schlicker durch ein Filtertuch gepresst werden. Das Kalzinieren kann bei einer Temperatur von 1100°C über einen Zeitraum von zwei Stunden erfolgen. Das erhaltene Rohkeramikmaterial kann auf eine mittlere Korngröße von 2,5 μm zerkleinert werden.at In the pressing step, the slip can be pressed through a filter cloth become. The calcination can take place at a temperature of 1100 ° C over a period of time of two hours. The resulting raw ceramic material can crushed to a mean particle size of 2.5 microns become.
Mittels Sprühtrocknung kann Granulat in einer kugeligen Form mit einem mittleren Granaliendurchmesser von 50 μm im Gleichstromverfahren hergestellt werden.through Spray drying can granules in a spherical shape with a medium granule diameter of 50 μm be produced in the DC method.
Das Sintern der Keramik kann bei einer Temperatur zwischen 1240°C und 1400°C unter Luftatmosphäre erfolgen. Das Aufbringen der Elektrodenflächen kann durch Siebdruck einer Paste erfolgen, die nach dem Einbrennen einen 10 bis 80% höheren Widerstand besitzt als das Kaltleitermaterial des Grundkörpers.The Sintering of the ceramic can be carried out at a temperature between 1240 ° C and 1400 ° C under air atmosphere. The application of the electrode surfaces can be done by screen printing a paste, which after baking a 10 to 80% higher resistance has as the PTC material of the body.
Im Folgenden sollen Varianten der Erfindung anhand von Figuren von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.in the The following are variants of the invention with reference to figures of embodiments be explained in more detail.
In
Es
sind auch Ausführungsbeispiele
denkbar, bei denen sich die Elektrodenflächen
In
einem Ausführungsbeispiel
hat der auf Bariumtitanatbasierende keramische Grundkörper (
Versuche mit dieser Ausführungsform haben gezeigt, dass bei der Schaltbelastung von 400 V mit einem Vorwiderstand von 200 Ohm die maximal gemessene thermomechanische Spannung im Kaltleiter-Widerstandselement 96 MPa beträgt. Das Kaltleiter-Widerstandselement überstand den Test schadlos.tries with this embodiment have shown that at the switching load of 400v with a Series resistance of 200 ohms the maximum measured thermomechanical Voltage in PTC resistor element is 96 MPa. The PTC resistor element survived the test harmless.
Im Vergleich dazu traten bei einem Bauelement ohne die erfindungsgemäße Randschicht, mit gleicher keramischer Zusammensetzung, eine maximale thermomechanische Spannung von über 120 MPa auf, welche dann zum Querbruch des Bauelements und somit zu dessen Ausfall führte.in the Comparison occurred in a component without the boundary layer according to the invention, with the same ceramic composition, a maximum thermomechanical Tension of over 120 MPa, which then to the transverse break of the device and thus led to its failure.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben sind.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if these features or this combination itself not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments are.
- 11
- Grundkörperbody
- 22
- Randschichtboundary layer
- 33
- Elektrodenflächeelectrode area
- 44
- Drahtwire
- 55
- Lotmaterialsolder
Claims (25)
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|---|---|---|---|
| DE200810017269 DE102008017269A1 (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Positive temperature coefficient resistor element, has two edge layers arranged on base body, where specific resistance of edge layers is greater than specific resistance of base body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200810017269 DE102008017269A1 (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Positive temperature coefficient resistor element, has two edge layers arranged on base body, where specific resistance of edge layers is greater than specific resistance of base body |
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| DE102008017269A1 true DE102008017269A1 (en) | 2009-10-15 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE200810017269 Withdrawn DE102008017269A1 (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Positive temperature coefficient resistor element, has two edge layers arranged on base body, where specific resistance of edge layers is greater than specific resistance of base body |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103137277A (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 上海市电力公司 | Plug-in-class positive temperature coefficient (PTC) resistor production technology |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE20007462U1 (en) * | 1999-04-26 | 2000-11-30 | Polytronics Technology Corp., Hsinchu | Surface mount electrical device |
| DE69805731T2 (en) * | 1997-10-27 | 2003-03-06 | Murata Mfg. Co., Ltd. | PTC thermistor with improved thermal shock resistance |
| DE69631398T2 (en) * | 1995-06-29 | 2004-12-09 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Thermistor with positive characteristics |
-
2008
- 2008-04-04 DE DE200810017269 patent/DE102008017269A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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