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Die
Erfindung betrifft eine Erfassungsvorrichtung zum Erfassen von wenigstens
einer Beschädigung eine Solarzelle mittels Photolumineszenz.
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Die
Erfassungsvorrichtung weist wenigstens eine Strahlenquelle auf,
wobei die Strahlenquelle ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlen,
insbesondere Lichtstrahlen zu erzeugen und auf eine zum Bestrahlen
vorgesehene, sich in einer Solarzellenebene erstreckende Solarzellenfläche
der Solarzelle auszusenden.
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Die
Erfassungsvorrichtung weist auch eine Kamera mit einem Detektor
auf, wobei der Detektor ausgebildet ist, von der Solarzellenfläche
ausgesendete, und in Abhängigkeit von den elektromagnetischen
Strahlen erzeugte Lumineszenzstrahlen zu erfassen. Der Detektor
ist ausgebildet, wenigstens einen die Solarzelle, insbesondere die
Solarzellenfläche, in wenigstens zwei Dimensionen repräsentierenden
Bilddatensatz zu erzeugen.
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Bei
aus dem Stand der Technik bekannten Solarzellenfertigungen tritt
eine hohe Ausfallrate dadurch auf, dass defekte Solarzellen nicht
erkannt werden und mit anderen Solarzellen zu einem Modul zusammengefügt
werden.
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Aus
der
DE 10 2005
040 010 A1 ist eine Vorrichtung zur Ermittlung von Produktionsfehlern
in einem Halbleiterbauelement durch Erzeugen von Überschussladungsträgern
in dem Halbleiterbauelement und Bestimmung des elektrischen Potenzials
in diesem bekannt. Dazu wird vorgeschlagen, dass das Halbleiterbauelement
zur Lumineszenz angeregt und deren ortsaufgelöste Intensitätsverteilung
zur Ermittlung der ortsaufgelösten Verteilung des elektrischen Potenzials
in dem Halbleiterbauelement bestimmt wird.
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Die
der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist es daher, eine Vorrichtung
und ein Verfahren anzugeben, welches ein verbessertes Erfassen von Produktionsfehlern
bei einer Fertigung von Solarmodulen ermöglicht, um die
Ausfallrate zu verringern.
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Diese
Aufgabe wird durch die Erfassungsvorrichtung der eingangsgenannten
Art gelöst, wobei die Erfassungsvorrichtung eine Beschädigungserfassungseinheit
aufweist, welche eingangsseitig mit dem Detektor wirkverbunden und
ausgebildet ist, den wenigstens einen Bilddatensatz zu empfangen
und wenigstens eine, insbesondere mit bloßem Auge unsichtbare,
Beschädigung, insbesondere mechanische Beschädigung
in einem Halbleitermaterial der Solarzelle zu erfassen. Die mechanische
Beschädigung kann insbesondere durch einen Riss, einen Kratzer,
oder einen Bruch gebildet sein. Denkbar sind auch andere mechanische
Beschädigungen, wie eine punktförmige Beschädigung
in Form eines Lochs oder eines Kraters.
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Die
Beschädigungserfassungseinheit ist ausgebildet, einen Ausgangsdatensatz
zu erzeugen, der die wenigstens eine Beschädigung, insbesondere
die Art und/oder einen Beschädigungsgrad der Beschädigung
repräsentiert und diesen ausgangsseitig auszugeben.
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Erfindungsgemäß wurde
nämlich erkannt, dass sich Kratzer, Risse, oder Brüche
im Halbleitermaterial einer Solarzelle, welche mit dem bloßen Auge
nicht wahrnehmbar sind, im Lumineszenzbild einer Solarzelle als
dunkle Streifen und/oder dunkle Bereiche kennzeichnen. Weiter wurde
erkannt, dass sich solche Risse, insbesondere Mikrorisse, oder Kratzer
in einem Produktionsverlauf einer Solarzelle bis hin zu einem Solarmodul
nachteilig bemerkbar machen können, so dass in einem fertigen
Solarmodul Solarzellen, welche bereits während eines Produktionsverlaufes
durch einen Kratzer beziehungsweise einen Riss beschädigt
worden sind, während eines Einbindens oder nach dem Einbinden
in ein Solarmodul brechen können. Die zuvor erwähnten
Risse oder Kratzer können dabei nachteilig Sollbruchstellen
für einen späteren Bruch bilden. Weiter wurde erkannt,
dass ein Wirkungsgrad einer so beschädigten Solarzelle
nachteilig reduziert ist, da in gebrochenen oder gerissenen Bereichen
ein Transport insbesondere durch Solarstrahlung erzeugter freier
Ladungsträger nicht oder nur vermindert erfolgen kann. Ein
weiterer Vorteil der Erfassungsvorrichtung ergibt sich bei einer
Qualitätseingangskontrolle in der Solarmodulfertigung,
bei der zur Solarmodulfertigung vorgesehene Einzel-Solarzellen vor
einem Montieren zu einem Solarmodul einzeln berührungslos
auf Beschädigungsfreiheit geprüft werden können.
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Beispielsweise
erstreckt sich der Beschädigungsbereich längs
in der Solarzellenebene im Halbleitermaterial der Solarzelle wenigstens
abschnittsweise entlang einer Höhe von einer Rückseitenkontaktierung
bis zu einer Fingerkontaktierung.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform weist der Detektor Detektormatrixelemente
auf, wobei die Detektormatrixelemente jeweils ausgebildet sind,
ein Detektormatrixelementsignal zu erzeugen. Das Detektormatrixelementsignal
entspricht einer Bestrahlungsstärke des Detektors durch
die empfangenen Lumineszenzstrahlen. Der Bilddatensatz repräsentiert
in dieser Ausführungsform die Detektormatrixelementsignale.
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Die
Beschädigungserfassungseinheit weist bevorzugt eine Kontrasterfassungseinheit
auf. Die Kontrasterfassungseinheit ist ausgebildet, einen Kontrast
durch einen Vergleich zueinander mindestens mittelbar zueinander
benachbarter Detektormatrixelementsignale zu erfassen. Die Kontrasterfassungseinheit
ist auch ausgebildet, wenigstens einen sich in der Solarzellenfläche
längserstreckenden Beschädigungsbereich der Beschädigung
mit einer kleineren Lumineszenzausstrahlung als einem den Beschädigungsbereich
umgebenden Bereich der Solarzellenfläche zu erfassen. Der
Ausgangsdatensatz repräsentiert in dieser Ausführungsform
den Beschädigungsbereich. Durch die Kontrasterfassungseinheit kann
vorteilhaft eine Beschädigung beziehungsweise ein Beschädigungsbereich
in einem Ausgangsdatensatz erfasst werden, welcher die von der Solarzelle empfangene
Lumineszenzstrahlung repräsentiert.
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In
einer weiter bevorzugten Ausführungsform ist die Beschädigungserfassungseinheit
ausgebildet, eine sich quer zu Längserstreckung des Beschädigungsbereichs
in dem Bilddatensatz erstreckende Breite des Beschädigungsbereichs
wenigstens eines Längsabschnitts des Beschädigungsbereichs
zu erfassen. Auf diese Weise kann vorteilhaft eine Art der Beschädigungen
erfasst werden. Es wurde nämlich erkannt, dass in einem
Lumineszenzbild, gebildet durch den Bilddatensatz, eine Breite von sich
längserstreckenden Bereichen mit schwächerer Ausstrahlung
im Vergleich zu Bereichen mit stärkerer Ausstrahlung mit
der Art der Beschädigung im Zusammenhang steht. So wurde
beispielsweise erkannt, dass sich Kratzer im Halbleitermaterial
mit einer schmaleren Breite im Lumineszenzbild kennzeichnen, als
Risse oder Brüche. Die Breite kann somit vorteilhaft wenigstens
einen Erfassungsparameter für eine Tiefe der Beschädigung
im Halbleitermaterial bilden. Weiter wurde erkannt, dass die im
Halbleitermaterial gestreuten Lumineszenzstrahlen nämlich
an einem Riss oder einem Bruch reflektiert und ins Halbleitermaterial
hinein gestreut werden. Dadurch werden mit die an solchen Rissen
oder Brüchen reflektierten Lumineszenzstrahlen nicht zur Oberfläche
des Halbleitermaterials gesendet und führen so zu einem
Bereich im Lumineszenzbild, der sich durch eine schwächere
Intensität der Lumineszenzstrahlung abzeichnet, als in
dazu umgebenden Bereichen.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsvariante weist die Beschädigungserfassungseinheit
einen Beschädigungsdiskriminator auf, wobei der Beschädigungsdiskriminator
ausgebildet ist, wenigstens in Abhängigkeit von der erfassten
Breite des Beschädigungsbereichs zwischen einem Kratzer,
einem Riss oder einem Bruch des Halbleitermaterials zu unterscheiden.
Der Beschädigungsdiskriminator kann dazu bevorzugt ausgebildet
sein, den Beschädigungsbereich kennzeichnende Detektormatrixelementsignale über
den entsprechenden Bereich der Solarzellenfläche miteinander
aufzusummieren. Der Beschädigungsdiskriminator kann weiter
vorteilhaft ausgebildet sein, wenigstens längsabschnittsweise eine
Länge des Beschädigungsbereichs zu ermitteln und
das zuvor durch Aufzusummieren gewonnene Ergebnis durch die Länge
zu dividieren. Der Beschädigungsdiskriminator ist weiter
ausgebildet, eine Breite der Beschädigung als Divisionsergebnis
zu erzeugen. Weiter bevorzugt ist der Beschädigungsdiskriminator
ausgebildet, die so ermittelte Breite mit zuvor abgespeicherten
Breitenwerten zu vergleichen, wobei die Breitenwerte jeweils einer
Art der Beschädigung entsprechen. Der Beschädigungsdiskriminator
ist ausgebildet, den so ermittelten Breitenwert ausgangsseitig auszugeben.
Die Breitenwerte können beispielsweise in einer Look-Up-Tabelle
vorrätig gehalten sein.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform ist der Beschädigungsdiskriminator
ausgebildet, eine Ausrichtung in der Solarzellenebene und/oder einen Kurvenverlauf
des Beschädigungsbereich zu ermitteln und in Abhängigkeit
von der Ausrichtung und/oder dem Kurvenverlauf des Beschädigungsbereichs
zwischen einem Kratzer, einem Riss oder einem Bruch zu unterscheiden.
Weiter bevorzugt ist der Beschädigungsdiskriminator ausgebildet,
eine Beschädigung von einer Korngrenze oder einem Fingerkontakt
zu unterscheiden.
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Der
Beschädigungsdiskriminator kann dazu beispielsweise einen
Kurvenverlauf eines sich längs erstreckenden Beschädigungsbereichs
durch eine Polynom zu approximieren. Im Falle eines Polynoms nullten
Grades entspricht der Kurvenverlauf einer Gerade, im Falle eines
Polynoms zweiten Grades entspricht der Kurvenverlauf einer Parabel,
im Falle eines Polynoms dritten Grades einer geschwungenen Kurve.
Denkbar ist auch eine Approximation des Kurvenverlaufs mit einem
Polynom höheren Grades. Vorteilhaft kann eine Approximation
mittels einer Methode des kleinsten Fehlerquadrats erfolgen.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Beschädigungsdiskriminator
ausgebildet, wenigstens eine in einer Folge von erfassten Solarzellen
periodisch wiederkehrende Beschädigungskurvenform zu erfassen.
Dazu kann der Beschädigungsdiskriminator einen Fouriertransformator
aufweisen, welcher ausgebildet ist, eine vorbestimmte Ortsfrequenz
zu erfassen und in Abhängigkeit der erfassten Ortsfrequenz
eine periodisch wiederkehrende Beschädigung zu erfassen.
So kann beispielsweise in einer Serienfertigung von Solarzellen
ein kratzerverursachendes Korn oder eine scharfkantige Spitze immer an
derselben Stelle an einer Serie von Solarzellen einen Kratzer verursachen.
Der Beschädigungsdiskriminator kann so eine solche periodisch
wiederkehrende Beschädigung erfassen.
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Durch
das periodische Erfassen zueinander verschiedener Solarzellen kann
vorteilhaft eine weitere Dimension gebildet sein. Denkbar ist auch
ein periodisches Erfassen derselben Solarzelle über mehrere
Produktionsschritte.
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Beispielsweise
kann die Kontrasterfassungseinheit ein Hochpass-Ortsfrequenzfilter
aufweisen, welches ausgebildet ist, gemäß einer
vorbestimmten Zuordnungsvorschrift ortsabhängige Frequenzen
einer durch den Bilddatensatz gebildeten Matrix in zwei Dimensionen
zu filtern. Ein Hochpass-Ortsfrequenzfilter kann beispielsweise
Kontraste oder Konturlinien des Bilddatensatzes verstärken.
Dazu kann die Kontrasterfassungseinheit bevorzugt eine Faltungsoperation
mittels eines Operators auf den Bilddatensatz anwenden. Der Operator
kann beispielsweise ein Sobel-Operator oder ein Laplace-Operator
sein.
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Im
Falle von Kratzern wurde erkannt, dass Solarzellen, welche im Verlauf
einer Fertigung entlang einer Fertigungsstraße oder eines
Fertigungsverbandes transportiert werden, durch ein hartes Korn,
welches mit der Solarzellenfläche in mechanischen Wirkeingriff
gerät, mit einem sich längserstreckenden Kratzer
beschädigt werden.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform können Polynom-Koeffizienten
in einer mit dem Beschädigungsdiskriminator verbundenen
Look-Up-Tabelle vorrätig gehalten sein. Der Beschädigungsdiskriminator
kann so vorteilhaft eine Art der Beschädigung ermitteln.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Strahlenquelle
wenigstens eine Lumineszenzdiode auf. Bevorzugt ist die wenigstens
eine Lumineszenzdiode ausgebildet, elektromagnetische Strahlen im
sichtbaren Wellenlängenbereich auszusenden. Auf diese Weise
kann die Strahlenquelle vorteilhaft durch handelsübliche,
preiswerte Lumineszenzdioden gebildet sein.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform ist die Strahlenquelle
durch einen Laser, insbesondere einen Halbleiterlaser gebildet.
Bevorzugt ist der Halbleiterlaser durch einen Laser-Stapel gebildet,
wobei der Laser-Stapel durch zusammengefügte Laser-Bausteine
gebildet ist, die zusammen den Laser-Stapel bilden. Der Laser-Baustein
ist bevorzugt durch einen Halbleiterlaser, insbesondere einen Dioden-Laser
gebildet. Durch einen Halbleiterlaser, insbesondere in Form eines
Laser-Stapels, kann vorteilhaft eine hohe Strahldichte zum Erzeugen
einer elektromagnetischen Strahlung zum Anregen der Lumineszenzstrahlen
erzeugt werden. Beispielsweise kann der Laser-Stapel einen Laser-Stapel
des Herstellers Coherent, insbesondere ein Laser-Stapel des Typs
9010 sein. Vorteilhaft kann ein solcher Laser-Stapel an einer Strahlenaustrittsfläche
eine Strahldichte von 500 Watt pro Quadratzentimeter oder mehr erzeugen.
Eine Wellenlänge der von dem Laser erzeugten elektromagnetischen
Strahlen kann bevorzugt zwischen 808 und 975 Nanometer betragen.
Ein Strahlaustrittswinkel ist bevorzugt divergent, beispielsweise
beträgt ein Strahlaustrittswinkel zwischen 5 Grad und 20
Grad, weiter bevorzugt 15 bis 20 Grad. Eine Strahlenaustrittsfläche
beträgt bevorzugt zwischen 5 und 6 Quadratzentimeter bei
einer Austrittsleistungsdichte von 500 Watt pro Quadratzentimeter.
Eine Gesamtstrahlungsleistung der Strahlenquelle ist bevorzugt derart
gewählt, dass auf der Solarzellenfläche eine Bestrahlungsstärke
zwischen 1500 Watt und 2000 Watt pro Quadratmeter, weiter bevorzugt
zwischen 2000 Watt und 3000 Watt pro Quadratmeter erzeugt wird.
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Durch
einen Laser-Stapel braucht die Strahlenquelle vorteilhaft keine
Strahlbündelmittel oder Strahlführungsmittel aufweisen,
welche im Strahlengang zwischen dem Halbleiterlaser und dem zu bestrahlenden
Objekt, nämlich der Solarzelle, angeordnet sind und die
elektromagnetischen Strahlen dämpfen. Die Erfassungsvorrichtung
in dieser Ausführungsform ausgehend von der Strahlenquelle
in einem Strahlengang der elektromagnetischen Strahlen strahlbündelmittellos
ausgebildet.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Erfassungsvorrichtung
einen Streustrahlen-Filter, insbesondere ein Streustrahlenraster
auf, welches im Strahlengang der Lumineszenzstrahlen vor dem Detektor
angeordnet ist. Das Streustrahlen-Filter ist vor dem Detektor im
Strahlengang zum Erfassen der Lumineszenzstrahlen angeordnet, wobei
das Streustrahlen-Filter ausgebildet ist, senkrecht auf eine Streustrahlen-Filterfläche
eintreffende Lumineszenzstrahlen zu transmittieren und kleiner als
mit einem vorbestimmten Winkel schräg zur Streustrahlen-Filterfläche
eintreffende Lumineszenzstrahlen wenigstens teilweise oder vollständig
zu sperren. Das Streustrahlenraster ist ausgebildet, quer zu einer
Rasterebene des Streustrahlenrasters einfallende Lumineszenzstrahlen
wenigstens teilweise zu absorbieren und/oder zu reflektieren. Das
Streustrahlenraster kann beispielsweise durch Lamellen gebildet
sein, welche für Lumineszenzstrahlen transluzent ausgebildet
sind. Die Lamellen sind jeweils längsgestreckt ausgebildet
und weisen jeweils zwei zueinander parallel angeordnete Außenflächen
auf. Die Lamellen sind jeweils mit den Außenflächen
einander gegenüberliegend derart angeordnet, dass die Lamellen zusammen
einen Stapel bilden. Die Lamellen sind jeweils durch eine für
die Lumineszenzstrahlen absorbierend ausgebildete Schicht voneinander
getrennt. Die Außenflächen der Lamellen verlaufen
jeweils senkrecht zu einer Streustrahlenrasterebene. Die Streustrahlenrasterebene
ist bevorzugt zur Detektorebene angeordnet. Auf diese Weise kann
vorteilhaft nur im wesentlichen senkrecht auch zur Streustrahlenrasterebene
einfallende Lumineszenzstrahlung durch die transluzenten Lamellen
transmittiert und so auf den Detektor gelangen. Die Lamellen können
durch ein Kunstharz, beispielsweise PVA (PVA = Polyvinylacetat)
gebildet sein. Auf diese Weise wird vorteilhaft eine Bildschärfe
und so auch eine Bildkontrast erhöht. Ein bevorzugt entspricht
eine Lamellendicke einem Durchmesser des Detektormatrixelements.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform in der Erfassungsvorrichtung
weist die Erfassungsvorrichtung eine Scanvorrichtung auf, wobei
die Strahlenquelle mit der Scanvorrichtung verbunden ist und die Scanvorrichtung
ausgebildet ist, die Strahlenquelle derart zu bewegen, dass zeitlich
aufeinanderfolgend Flächenabschnitte der Solarzellenfläche
bestrahlt werden können.
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Auf
diese Weise kann die Strahlenquelle vorteilhaft durch einen Laser
oder eine Lumineszenzdiode gebildet sein, welche die Solarzellenfläche
nicht vollständig ausleuchten beziehungsweise bestrahlen.
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Die
Strahlenquelle ist vorzugsweise ausgebildet, elektromagnetische
Strahlen im Wellenlängenbereich zwischen 400 und 800 Nanometer,
also im sichtbaren Wellenlängenbereich zu erzeugen. So können
vorteilhaft handelsübliche Lumineszenzdioden als Strahlenquelle
verwendet werden.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Strahlenquelle
ausgebildet, elektromagnetische Strahlen in einem Wellenlängenbereich
zwischen 800 und 1000 Nanometer zu erzeugen. Auf diese Weise kann
Lumineszenzstrahlung mit einem hohen Wirkungsgrad erzeugt werden,
da insbesondere im Falle eines Silizium-Solarzelle die Solarzelle
in diesem Wellenlängenbereich eine hohe Empfindlichkeit aufweist.
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Die
Erfassungsvorrichtung kann vorteilhaft an einer Vielzahl von Solarzellen
Anwendung finden. Beispielsweise kann so die Qualität einer
Silizium-Solarzelle, insbesondere einer polykristallinen, einer
monokristallinen oder einer amorphen Siliziumssolarzelle geprüft
werden.
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Denkbar
ist auch eine Anwendung der Erfassungsvorrichtung im Zusammenhang
mit einer Dünnschichtsolarzelle, insbesondere einer Solarzelle
mit dem Halbleitermaterial CIGS (CIGS = Kupfer-Indium-Gallium-Selenid/Sulfid),
CIS (CIS = Kupfer-Indium-Disulfid, Kupfer-Indium-Diselenid) oder
Cadmium-Tellurid. Bei Dünnschichtsolarzellen kann mittels der
Erfassungsvorrichtung vorteilhaft eine Beschädigung in
Form eines elektrischen Kurzschlusses zwischen einer Rückseitenkontaktierung
und einer Oberseitenkontaktschicht, beispielsweise Zinkoxid erfasst
werden. Es wurde erkannt, dass sich solche Kurzschlüsse
im Lumineszenzbild als Flecken oder Streifen mit geringerer Lumineszenzausstrahlung
als ein diesen umgebenden Bereich abzeichnen. Der Beschädigungsdiskriminator
ist in einer vorteilhaften Ausführungsform ausgebildet,
wenigstens eine Streifenform, eine Fleckenform mit einer vorbestimmten Umfangskurvenform,
beispielsweise Rosinenform oder eine Punktform mit vorbestimmter
radialer Ausdehnung zu erfassen.
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Vorteilhaft
kann die Erfassungsvorrichtung auch zur Qualitätssicherung
bei Solarzellen mit dem Halbleitermaterial Galliumarsenid Anwendung
finden. Die Strahlenquelle kann dazu vorteilhaft an den Bandabstand
es jeweils zu prüfenden Halbleitermaterials angepasst sein.
So kann beispielsweise bei einer Solarzelle mit dem Halbleitermaterial
Galliumarsenid kann die Strahlenquelle elektromagnetische Strahlen
mit einer Wellenlänge von bis zu 880 Nanometer aussenden.
Bei dem Halbleitermaterial Silizium kann die Strahlenquelle elektromagnetische Strahlen
mit einer Wellenlänge bis zu 1100 Nanometer aussenden.
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Die
Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Erfassen wenigstens einer
Beschädigung einer Solarzelle mit einer sich in einer Solarzellenebene
erstreckenden Solarzellenfläche, insbesondere mit einer
Erfassungsvorrichtung der vorbeschriebenen Art. Bei dem Verfahren
wird die Solarzellenfläche mit elektromagnetischen Strahlen
bestrahlt, und eine in Abhängigkeit der elektromagnetischen
Strahlen von der Solarzelle erzeugte Lumineszenzstrahlen ortsabhängig
erfasst. Weiter wird als Erfassungsergebnis ein Bilddatensatz erzeugt,
der die Solarzelle, insbesondere die Solarzellenfläche
repräsentiert. Weiter wird anhand des Bilddatensatzes eine
Beschädigung der Solarzelle durch einen Kratzer, einen
Riss oder einen Bruch dem Halbleitermaterial der Solarzelle erfasst.
Die Beschädigung ist insbesondere mit bloßem Auge
unsichtbar.
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Ein
Beschädigungsbereich der Beschädigung erstreckt
sich in der Solarzelle wenigstens abschnittsweise entlang einer
Höhe von einer Rückseitenkontaktierung bis zu
einer Fingerkontaktierung und erstreckt sich längs in der
Solarzellenebene.
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Weiter
wird ein Ausgangsdatensatz erzeugt, der die wenigstens eine Beschädigung,
insbesondere die Art und/oder einen Beschädigungsgrad der
Beschädigung repräsentiert.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform des Verfahrens wird
die Beschädigung der Solarzelle in einem Solarmodul durch
ein Schutzglas oder zusätzlich durch ein Verbundmittel,
insbesondere ein Kunstharz, PVA, EVA (EVA = Ethylen-Vinyl-Acetat),
oder ein Ionomer, hindurch erfasst. So kann vorteilhaft eine Qualitätskontrolle
an einem fertigen Solarmodul berührungslos erfolgen.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird eine
Breite eines längserstreckten Beschädigungsbereichs
der Beschädigung erfasst und wenigstens in Abhängigkeit
der Breite zwischen einem Kratzer, einen Riss oder einen Bruch der
Solarzelle unterschieden.
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Weiter
bevorzugt kann in Abhängigkeit von einer Ausrichtung des
Beschädigungsbereichs in der Solarzellenebene zwischen
zueinander verschiedenen Beschädigungsarten unterschieden werden. Weiter
vorteilhaft kann zwischen einem Fingerkontakt und einer Beschädigung
unterschieden werden.
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Vorteilhaft
kann ein Erfassen eines Beschädigungsbereichs auch während
eines Fertigungsprozesses einer Solarzelle, insbesondere zwischen
zwei Fertigungsschritten beim Fertigen einer Solarzelle erfolgen.
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Beispielsweise
kann ein Fertigen der Solarzelle beziehungsweise eines Solarmoduls
die folgenden Schritte umfassen:
- – Verarbeiten,
insbesondere Trennen, Sägen, Laserschneiden von metallischem
Silizium in wenigstens eine Waferscheibe;
- – Dotieren der Waferscheibe;
- – mechanisches und/oder chemisches Bearbeiten einer
zum Empfangen von Solarstrahlen vorgesehenen Oberfläche
der Waferscheibe;
- – Aufbringen einer Rückseitenkontaktierung
auf die Waferscheibe;
- – Aufbringen von elektrisch leitfähigen Fingerkontakten
auf die Waferscheibe;
- – elektrisches Verbinden von wenigstens zwei Waferscheiben
zu einem Strang;
- – Montieren des wenigstens einen Stranges in dem Gehäuse,
insbesondere mit einem für elektromagnetische Strahlen
transluzenten Verbundmittel, insbesondere ein Kunstharz, PVA, EVA oder
ein Ionomer;
- – Verbinden eines Rahmens mit dem Gehäuse.
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Die
vorabgenannten Fertigungsschritte sind beispielhaft genannt, das
Fertigen einer Solarzelle oder eines Solarmoduls kann weitere Fertigungsschritte
umfassen.
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Die
Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren
Ausführungsbeispielen beschrieben.
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1 zeigt
schematisch ein Ausführungsbeispiel für eine Erfassungsvorrichtung
zum Erfassen von wenigstens einer Beschädigung eine Solarzelle
mittels Photolumineszenz;
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2 zeigt
ein Ausführungsbeispiel für eine Erfassungsvorrichtung
zum Erfassen wenigstens eines Beschädigungsbereichs einer
Solarzelle, wobei die Erfassungsvorrichtung als Handgerät
ausgebildet ist;
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3 zeigt
ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum
Erfassen wenigstens einer Beschädigung einer Solarzelle
mittels Photolumineszenz.
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1 zeigt
ein Ausführungsbeispiel für eine Erfassungsvorrichtung 1 zum
Erfassen von wenigstens einer Beschädigung einer Solarzelle 2 mittels Photolumineszenz.
Die Erfassungsvorrichtung 1 weist eine Strahlenquelle 3 und
eine Strahlenquelle 5 auf, welche jeweils ausgebildet sind,
elektromagnetische Strahlen 10 auf eine Solarzellenfläche 6 der
Solarzelle 2 zu senden. Die Solarzellenfläche 6 ist
in einer Solarzellenebene 8 der Solarzelle 2 angeordnet.
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Die
Erfassungsvorrichtung 1 weist auch eine Kamera 7 mit
einem Detektor 9 auf. Der Detektor 9 weist eine
Vielzahl von Detektormatrixelemente 11 auf, welche jeweils
ausgebildet sind, von der Solarzelle 2 emittierte Lumineszenzstrahlen 12 zu
empfangen und ein Detektormatrixelementsignal in Abhängigkeit
der empfangenen Lumineszenzstrahlen 12 zu erzeugen, welches
einer Intensität der empfangenen Lumineszenzstrahlen 12 entspricht.
Die Kamera 7 weist auch ein Lumineszenzstrahlen-Filter 13 auf,
welches ausgebildet ist, Lumineszenzstrahlen zu transmittieren und
welches ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlen mit einer kleineren
Wellenlänge als die Lumineszenzstrahlen zu sperren. Im
Falle einer Siliziumsolarzelle ist das Lumineszenzstrahlen-Filter
ausgebildet, elektromagnetische Strahlen mit einer größeren
Wellenlänge als 1100 nm zu transmittieren und mit einer
kleineren Wellenlänge als 1100 Nanometer zu sperren. Denkbar
ist euch eine Ausführung als Bandpassfilter, welches die
Lumineszenzstrahlen transmittieren kann.
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Die
Strahlenquellen 3 und 5 sind jeweils als Laser
ausgebildet, wobei die Laser jeweils aus einer Mehrzahl von Laserbausteinen
gebildet sind, welche zusammen einen Laser-Stapel bilden. Der Laserbaustein 15 ist
beispielhaft bezeichnet und ist beispielsweise ein Diodenlaser.
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Die
Erfassungsvorrichtung 1 weist auch eine Beschädigungserfassungseinheit 17 auf.
Die Beschädigungserfassungseinheit 17 kann beispielsweise
durch einen Mikroprozessor, einen Mikrocontroler oder durch ein
FPGA (FPGA = Field Programmable Gate Array) gebildet sein. Die Beschädigungserfassungseinheit 17 weist
eine Kontrasterfassungseinheit 19 auf. Die Kontrasterfassungseinheit 19 ist
ausgebildet, einen Kontrast durch einen Vergleich zueinander mindestens
mittelbar benachbarter Detektormatrixelementsignale zu erfassen
und in der Solarzellenfläche wenigstens eine Beschädigung
mit einem sich längserstreckenden Beschädigungsbereich zu
erfassen. Im Falle einer Beschädigung der Solarzelle 2 sendet
der Beschädigungsbereich eine kleinere Lumineszenzausstrahlung
aus als einen nicht beschädigter Bereich der Solarzelle 2.
Die Kontrasterfassungseinheit ist ausgebildet, ein Ausgangssignal
zu erzeugen, welches den Beschädigungsbereich repräsentiert
und dieses ausgangsseitig auszugeben.
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Die
Beschädigungserfassungseinheit 17 weist auch einen
Beschädigungsdiskriminator 20 auf. Der Beschädigungsdiskriminator 20 ist
eingangsseitig über eine Verbindungsleitung 52 mit
der Kontrasterfassungseinheit 19 verbunden. Der Beschädigungsdiskriminator 20 ist über
eine Verbindungsleitung 54 mit einem Look-Up-Speicher 22 verbunden, in
welchem Kurvenformen, deren Ausrichtung, und den Kurvenformen beziehungsweise
Ausrichtungen entsprechend zugeordnete Beschädigungen vorrätig gehalten
sind. Eine Kurvenform 26 und eine dazugehörige,
entsprechende Beschädigung 24 sind beispielhaft
bezeichnet.
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Der
Beschädigungsdiskriminator 20 ist ausgebildet,
wenigstens eine Breite, eine Kurvenform und eine Ausrichtung des
durch das eingangsseitig empfangene Beschädigungssignal
repräsentierten Beschädigungsbereichs zu erfassen
und in Abhängigkeit von der Breite, der Kurvenform und/oder
der Ausrichtung zwischen einem Riss, einen Bruch oder einem Kratzer,
oder einem Fingerkontakt zu unterscheiden. Der Beschädigungsdiskriminator 20 kann dazu über
die Verbindungsleitung 54 aus dem Look-Up-Speicher vorrätig
gehaltene Kurvenformen, Breiten und den Beschädigungen
oder Finkerkontakten entsprechende Ausrichtungen auslesen, und die zuvor
aus den über die Verbindungsleitung 52 empfangenen,
aus dem Detektorausgangssignal erfassten Größen
mit entsprechenden Größen vergleichen. So kann
der Beschädigungsdiskriminator 20 auch zwischen
einer Beschädigung und einem Fingerkontakt unterscheiden,
da ein Fingerkontakt ein sich im Lumineszenzbild längserstreckter
Bereich mit geringer Lumineszenzausstrahlung hervorhebt.
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Der
Beschädigungsdiskriminator 20 ist weiter ausgebildet,
ein entsprechendes Vergleichsergebnis zu erzeugen und über
die Verbindungsleitung 54 einen entsprechenden Datensatz
auszulesen, welcher eine Beschädigungsart repräsentiert.
Der Beschädigungsdiskriminator 20 ist weiter ausgebildet,
ein Ausgangssignal zu erzeugen, welches die Beschädigung
und die Beschädigungsart der Solarzelle 2 repräsentiert
und dieses über die Verbindungsleitung 56 ausgangsseitig
auszugeben.
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Die
Erfassungsvorrichtung 1 weist auch eine Bildwiedergabeeinheit 28 auf,
welche eingangsseitig über die Verbindungsleitung 56 mit
der Beschädigungserfassungseinheit 17, und dort
mit dem Beschädigungsdiskriminator 20 verbunden
ist. Die Bildwiedergabeeinheit 28 ist beispielsweise als TFT-Touch-Screen
(TFT = Thin-Film-Transistor) ausgebildet und weist dazu eine berührungsempfindliche Oberfläche 30 auf.
Die berührungsempfindliche Oberfläche 30 ist
ausgebildet, in Abhängigkeit von einem Berühren
eine Berührungssignal zu erzeugen, welches einen Berührungsort
des Berührens repräsentiert. Die berührungsempfindliche
Oberfläche 30 ist ausgangsseitig über
eine Verbindungsleitung 58 mit der Beschädigungserfassungseinheit
verbunden.
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Die
Funktionsweise der Erfassungsvorrichtung 1 wird nun im
Folgenden Ausführungsbeispiel erläutert:
Die
berührungsempfindliche Oberfläche 30 kann
beispielsweise in Abhängigkeit eines Berührens
durch eine Benutzerhand 60 einen Berührungssignal
erzeugen und dieses ausgangsseitig über die Verbindungsleitung 58 an
die Beschädigungserfassungseinheit 17 senden.
Die Beschädigungserfassungseinheit 17 kann in
Abhängigkeit von dem Berührungssignal einen Erfassen
von Lumineszenzstrahlen einer Solarzelle starten und dazu eine Sendesignal
erzeugen und das Sendesignal über die Verbindungsleitungen 48 und 46 an
die Strahlenquellen 3 und 5 senden. Die Strahlenquellen 3 und 5,
welche in diesem Ausführungsbeispiel als Laser-Stapel ausgebildet
sind, sind jeweils ausgebildet, in Abhängigkeit des Sendesignals
die elektromagnetischen Strahlen 10 zu erzeugen und die
elektromagnetischen Strahlen 10 auf die Solarzellenfläche 6 der
Solarzelle 2 zu senden.
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Die
Solarzelle 2 weist ein Halbleitermaterial 40 auf,
beispielsweise Silizium, Galliumarsenid, oder Kupferindiumdisulfid.
Die Solarzelle 2 weist auch einen Kratzer 32,
einen Riss 34, einen Bruch 36, einen Bruch 35 und
einen Riss 33 in dem Halbleitermaterial 40 auf.
Die Solarzelle 2 weist auch eine Rückseitenkontaktierung 44 und
eine Fingerkontaktierung auf, von der die Fingerkontakte 42 und 43 beispielhaft dargestellt
sind. Die Fingerkontakte 42 und 43 sind mit der
Solarzellenfläche 6 elektrisch verbunden.
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Die
Solarzelle 2 kann in Abhängigkeit der empfangenen
elektromagnetischen Strahlen 10 Lumineszenzstrahlen der 12 erzeugen
und diese über die Solarzellenfläche 6 abstrahlen.
Die Lumineszenzstrahlen 12 können durch das Lumineszenzstrahlen-Filter 13 transmittieren
und auf den Detektor 11 treffen. Das Lumineszenzstrahlen-Filter 13 kann elektromagnetische
Strahlen mit einer Wellenlänge kleiner oder zusätzlich
größer als die Lumineszenzstrahlen sperren und
die Lumineszenzstrahlen transmittieren. Bei Siliziumsolarzellen
liegt ein Ausstrahlungsmaximum der Lumineszenzstrahlen bei 1150 Nanometer.
Der Detektor 11 kann in Abhängigkeit der empfangenen
Lumineszenzstrahlen 12 einen Bilddatensatz erzeugen, welcher
die Solarzelle 2, insbesondere ein Abbild der Solarzellenfläche 6,
und auch die Beschädigungen, nämlich den Kratzer 32,
die Risse 32 und 34 und die Brüche 35 und 36 repräsentiert.
Die Beschädigungserfassungseinheit 17 kann – wie
vorab beschrieben – den Bilddatensatz, gebildet aus Detektormatrixelementsignalen,
eingangsseitig empfangen und ein Ausgangssignal erzeugen, welches
die Beschädigung, insbesondere die Art der Beschädigung
repräsentiert und dieses über die Verbindungsleitung 56 an
die Bildwiedergabeeinheit 28 senden.
-
Die
Bildwiedergabeeinheit 28 gibt beispielhaft den Bilddatensatz 2' wieder,
der ein Abbild der Solarzellen 2 repräsentiert.
Der Kratzer 32 ist darin als Kratzer 32', der
Riss 34 als Riss 34' und der Bruch 36 als
Bruch 36' wiedergegeben. Der Kratzer 32', der Riss 34' und
der Bruch 36' können beispielsweise jeweils farblich
zueinander verschieden hervorgehoben sein. Dabei kann jeder Beschädigungsart
eine gesonderte Farbe zugeordnet sein. Die Bildwiedergabeeinheit 28 kann
dazu ein Farb-TFT-Display aufweisen.
-
2 zeigt
schematisch ein Ausführungsbeispiel für eine Erfassungsvorrichtung 70.
Die Erfassungsvorrichtung 70 weist ein Gehäuse 71 und
einen Handgriff 72 auf, welcher mit dem Gehäuse 71 verbunden
ist. Der Handgriff 72 ist ausgebildet, von einer insbesondere
erwachsenen Hand gehalten zu werden. Das Gehäuse 71 weist
in einer Längsrichtung an einem Ende eine Öffnung
auf, welche zum Empfangen von Lumineszenzstrahlen der 12 vorgesehen
ist. Die Öffnung weist in diesem Ausführungsbeispiel
einen runden Querschnitt auf und ist mit einem Hohlraum im Inneren
des Gehäuses 71 verbunden, wobei der Hohlraum
zum Aufnehmen eines Detektors 9, eines als Linsen-Optik
ausgebildeten Strahlbündelmittels 80, eines Lumineszenzstrahlen-Filters 13,
eines Streustrahlen-Filters 78, und der Beschädigungserfassungseinheit 17 ausgebildet
ist.
-
Die
Erfassungsvorrichtung 70 weist auch eine Bildwiedergabeeinheit 28 auf.
Die Bildwiedergabeeinheit 28 weist eine berührungsempfindliche Oberfläche
auf und ist als Touch-Screen ausgebildet.
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Dargestellt
ist auch die in 1 zuvor beschriebene Solarzelle 2,
welche in diesem Ausführungsbeispiel Bestandteil eines
Solarmoduls 61 ist. Das Solarmodul 61 ist abschnittsweise
in einer Schnittdarstellung dargestellt. Das Solarmodul 61 weist
eine Rückenplatte 66 und eine Schutzglas 62 auf.
Die Solarzelle 2 ist mit der Rückenplatte 66 und dem
Schutzglas 62 über einen Verbundmittel 64 verbunden.
Das Verbundmittel 64 kann beispielsweise ein Harz, insbesondere
PVA, EVA (EVA = Ethylen-Vinyl-Acetat) oder ein Ionomer aufweisen.
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Die
Erfassungsvorrichtung 70 weist anders als die in 1 dargestellte
Erfassungsvorrichtung 1 Lumineszenzdioden als Strahlenquelle
auf, welche in diesem Ausführungsbeispiel ringförmig
um die zuvor beschriebene Öffnung zum Empfangen der Lumineszenzstrahlen 12 im
Bereich des Endes des Gehäuses 71 mit der Öffnung
angeordnet sind. Die Lumineszenzdioden 74, 75 und 76 sind
beispielhaft bezeichnet. Die Erfassungsvorrichtung kann als Strahlenquelle
anstelle der Lumineszenzdioden oder zusätzlich zu den Lumineszenzdioden
wenigstens einen Laser, insbesondere wenigstens eine Laserdiode
aufweisen.
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In
diesem Ausführungsbeispiel sendet die Lumineszenzdiode 74 elektromagnetische
Strahlen im sichtbaren Wellenlängenbereich auf die Solarzelle 2.
Die Solarzelle 2 erzeugt in Abhängigkeit der sichtbaren
elektromagnetischen Strahlen die Lumineszenzstrahlen 12,
welche durch die zuvor beschriebene Öffnung und durch das
Streustrahlen-Filter 78, durch das Lumineszenzstrahlen-Filter 13 und
durch die Strahlenoptik 80 auf den Detektor 9 treffen
können.
-
Das
Streustrahlen-Filter 78 ist ausgebildet, senkrecht auf
eine Streustrahlen-Filterfläche treffende Lumineszenzstrahlen 12 zu
transmittieren und kleiner als mit einem vorbestimmten Winkel schräg zur
Streustrahlen-Filterfläche eintreffende Lumineszenzstrahlen
wenigstens teilweise oder vollständig zu sperren, insbesondere
zu absorbieren. Das Streustrahlen-Filter 78 kann beispielsweise
durch eine Vielzahl zueinander benachbart angeordneter, und durch
absorbierend ausgebildete Schichten voneinander getrennte Lamellen
gebildet sein. Eine absorbierend ausgebildete Schicht 79 ist
beispielhaft bezeichnet.
-
3 zeigt
ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum
Erfassen wenigstens einer Beschädigung einer Solarzelle.
-
In
einem Verfahrensschritt 85 wird eine Solarzellenfläche
einer zu prüfenden Solarzelle mit elektromagnetischen Strahlen
bestrahlt, und eine in Abhängigkeit der elektromagnetischen
Strahlen von der Solarzelle erzeugte Lumineszenzstrahlen ortsabhängig
erfasst.
-
In
einem Verfahrensschritt 87 wird als Erfassungsergebnis
ein Bilddatensatz erzeugt, der die Solarzelle, insbesondere die
Solarzellenfläche repräsentiert.
-
In
einem Verfahrensschritt 89 wird anhand des Bilddatensatzes
eine insbesondere mit bloßem Auge unsichtbare Beschädigung
der Solarzelle durch einen Kratzer, einen Riss oder einen Bruch
dem Halbleitermaterial der Solarzelle erfasst.
-
In
einem Verfahrensschritt 91 wird eine Breite des Beschädigungsbereichs
der Beschädigung erfasst und in Abhängigkeit der
Breite zwischen einem Kratzer, einen Riss oder einen Bruch der Solarzelle unterschieden.
-
In
einem Verfahrensschritt 93 wird ein Ausgangsdatensatz erzeugt,
der die wenigstens eine Beschädigung, insbesondere die
Art und/oder einen Beschädigungsgrad der Beschädigung
repräsentiert und der Ausgangsdatensatz mittels einer Bildwiedergabeeinheit
wiedergeben. Denkbar ist auch eine akustische Wiedergabe des Ausgangsdatensatzes, dabei
wird beispielsweise ein akustisches Signal, insbesondere ein Warnsignal
in Form von Luftschall erzeugt, welches die Beschädigung,
insbesondere die Art der Beschädigung repräsentiert.
Das akustische Signal kann beispielsweise von einer Sprachwiedergabeeinheit
erzeugt werden und gesprochene Sprache repräsentieren.
-
- 1
- Erfassungsvorrichtung
- 2,
2'
- Solarzelle
- 3,
5
- Strahlenquelle
- 6
- Solarzellenfläche
- 7
- Kamera
- 8
- Solarzellenebene
- 9
- Detektor
- 10
- elektromagnetische Strahlen
- 11
- Detektormatrixelement
- 12
- Lumineszenzstrahlen
- 13
- Lumineszenzstrahlen-Filter
- 15
- Laserbaustein
- 17
- Beschädigungserfassungseinheit
- 19
- Kontrasterfassungseinheit
- 20
- Beschädigungsdiskriminator
- 22
- Look-Up-Speicher
- 24,
26
- Datensatz
- 28
- Bildwiedergabeeinheit
- 30
- berührungsempfindliche Oberfläche
- 32,
32'
- Kratzer
- 33,
34
- Riss
- 35,
36
- Bruch
- 40
- Halbleitermaterial
- 42,
43
- Fingerkontakt
- 44
- Rückseitenkontaktierung
- 46,
48, 50, 52, 54, 56, 58
- Verbindungsleitung
- 60
- Benutzerhand
- 61
- Solarmodul
- 62
- Schutzglas
- 64
- Verbundmittel
- 66
- Rückenplatte
- 68
- elektromagnetische Strahlen
- 70
- Erfassungsvorrichtung
- 71
- Gehäuse
- 72
- Handgriff
- 74,
75, 76
- Lumineszenzdiode
- 78
- Streustrahlen-Filter
- 79
- Absorptionsschicht
- 80
- Strahlbündelmittel
- 85,
87, 89, 91, 93
- Verfahrensschritt
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
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-
Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 102005040010
A1 [0005]