[go: up one dir, main page]

DE102007033252A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie Download PDF

Info

Publication number
DE102007033252A1
DE102007033252A1 DE102007033252A DE102007033252A DE102007033252A1 DE 102007033252 A1 DE102007033252 A1 DE 102007033252A1 DE 102007033252 A DE102007033252 A DE 102007033252A DE 102007033252 A DE102007033252 A DE 102007033252A DE 102007033252 A1 DE102007033252 A1 DE 102007033252A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic
dielectric
electrical energy
region
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007033252A
Other languages
English (en)
Inventor
James Chyi Saint Paul Lai
Tom Allen Saint Paul Agan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northern Lights Semiconductor Corp
Original Assignee
Western Lights Semiconductor Corp Saint Paul
Western Lights Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Lights Semiconductor Corp Saint Paul, Western Lights Semiconductor Corp filed Critical Western Lights Semiconductor Corp Saint Paul
Publication of DE102007033252A1 publication Critical patent/DE102007033252A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H01F27/36—Electric or magnetic shields or screens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/015—Special provisions for self-healing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Eine Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie hat einen ersten magnetischen Bereich, einen zweiten magnetischen Bereich und einen dielektrischen Bereich, der zwischen dem ersten magnetischen Bereich und dem zweiten magnetischen Bereich konfiguriert ist. Der dielektrische Bereich ist eingerichtet, um elektrische Energie zu speichern, und Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs sind eingerichtet, um Leckstrom zu verhindern.

Description

  • HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Speichern elektrischer Energie. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Magnetvorrichtung zum Speichern elektrischer Energie.
  • Stand der Technik
  • Teile zur Energiespeicherung sind in unserem Leben sehr wichtig. Bausteine wie Kondensatoren werden in Schaltkreisen und Batterien verwendet, welche in tragbaren Geräten verwendet werden, wobei die Teile zur Speicherung elektrischer Energie die Leistung und die Lebensdauer der elektrischen Geräte beeinflussen.
  • Allerdings haben herkömmliche Teile zur Energiespeicherung einige Nachteile. Beispielweise haben Kondensatoren den Nachteil des Leckstroms, der die Gesamtleistung verringert. Batterien haben den Nachteil des Memory-Effekts beim teilweisen geladen/entladen werden, der die Gesamtleistung verringert.
  • Der Riesen-Magnetwiderstandseffekt (GMR) ist ein quantenmechanischer Effekt, der in Strukturen mit abwechselnden dünnen magnetischen und dünnen nichtmagnetischen Bereichen beobachtet wird. Der GMR-Effekt zeigt eine signifikante Änderung des elektrischen Widerstands vom Zustand hohen Widerstands bei Nullfeld, zum Zustand niedrigen Widerstands bei hohem Feld gemäß einem angelegten äußeren Feld.
  • Folglich kann der GMR-Effekt verwendet werden, um der Isolator mit guter Leistung zu sein. Somit kann die Vorrichtung mit dem GMR-Effekt implementiert werden, um elektrische Energie zu speichern. Aus den vorhergehenden Gründen besteht ein Bedarf an einer Vorrichtung mit dem GMR-Effekt, um elektrische Energie zu speichern.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Speichern elektrischer Energie bereitzustellen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, hat die Vorrichtung einen ersten magnetischen Bereich, einen zweiten magnetischen Bereich und einen dielektrischen Bereich, der zwischen dem ersten magnetischen Bereich und dem zweiten magnetischen Bereich konfiguriert ist. Der dielektrische Bereich ist eingerichtet, um elektrische Energie zu speichern. Der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich mit Dipolen sind eingerichtet, um Leckstrom zu verhindern.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, hat die Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie mehrere magnetische Bereiche und mehrere dielektrische Bereiche sind jeweils zwischen zwei angrenzenden magnetischen Bereichen konfiguriert. Die dielektrischen Bereiche sind eingerichtet, um elektrische Energie zu speichern. Die magnetischen Bereiche mit Dipolen sind eingerichtet, um Leckstrom zu verhindern.
  • Es muss verstanden werden, dass die vorhergehende allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft sind und vorgesehen sind, um eine weitergehende Erklärung der beanspruchten Erfindung bereit zu stellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHUNGEN
  • Diese und andere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden unter Bezug auf die folgende Beschreibung, die beigefügten Ansprüche und die begleitenden Zeichnungen besser verstanden werden, worin
  • 1 eine Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 die Vorrichtung zeigt, wenn die Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung geladen wird;
  • 3 die Vorrichtung zeigt, wenn die Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entladen wird; und
  • 4 die Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nun detailliert Bezug auf die derzeitigen bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung genommen, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen illustriert sind. Wo immer möglich, werden dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen und der Beschreibung verwendet, um auf gleiche oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen.
  • Alle Figuren sind nur zur Erklärungsvereinfachung der grundlegenden Lehren der vorliegenden Erfindung erstellt; die Erstreckung der Figuren bezüglich Anzahl, Position, Verhältnis und Abmessungen der Teile, um die Ausführungsform zu bilden wird erklärt werden oder wird innerhalb der Fähigkeiten des Fachmanns liegen, nachdem die folgende Beschreibung gelesen und verstanden wurde.
  • 1 zeigt eine Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie hat einen ersten magnetischen Bereich 110, einen zweiten magnetischen Bereich 120 und einen dielektrischen Bereich 130, der zwischen dem ersten magnetischen Bereich 110 und dem zweiten magnetischen Bereich 120 konfiguriert ist. Der dielektrische Bereich 130 ist eingerichtet, um elektrische Energie zu speichern. Der erste magnetische Bereich 110 und der zweite magnetische Bereich 120 mit Dipolen (wie beispielsweise 115 und 125) sind eingerichtet, um Leckstrom zu verhindern.
  • Der dielektrische Bereich 130 ist eine Dünnschicht und der dielektrische Bereich ist aus dielektrischem Material, wie beispielsweise BaTiO3 oder TiO3 gebildet. Allerdings ist das dielektrische Material kein perfekter Isolator. Ein geringer Anteil an Strom durchströmt den dielektrischen Bereich 130.
  • Folglich werden der erste dielektrische Bereich 110 und der zweite dielektrische Bereich 120 benötigt, um den Isolationseffekt zu erzeugen, um den Strom vom Durchströmen abzuhalten (d. h. Leckstrom). Der erste und zweite magnetische Bereich 110 und 120 sind Dünnschichten und diese zwei magnetischen Bereiche mit den Dipolen werden verwendet, um Leckstrom zu verhindern.
  • Die Vorrichtung hat weiterhin eine erste Metallvorrichtung 140, die um den ersten magnetischen Bereich 110 herum angeordnet ist, wobei die erste Metallvorrichtung 140 eingerichtet ist, um die Dipole 115 des ersten magnetischen Bereichs 110 zu steuern. Die Vorrichtung hat auch eine zweite Metallvorrichtung 150, die um den zweiten magnetischen Bereich 120 herum angeordnet ist, wobei die zweite Metallvorrichtung 150 eingerichtet ist, um die Dipole 125 des zweiten magnetischen Bereichs 120 zu steuern. Der Konstrukteur oder Benutzer kann die erste Metallvorrichtung 140 und die zweite Metallvorrichtung 150 verwenden, um externe Felder anzulegen, um die Dipole der magnetischen Bereiche 110 und 120 zu steuern.
  • Die Positionen der Metallvorrichtung 140 und 150, wie in 1 gezeigt, sind nicht eingerichtet, um die Positionen der Metallvorrichtungen einzuschränken. Der Konstrukteur kann die Metallvorrichtung gemäß den aktuellen Anforderungen konfigurieren.
  • Aus der vorhergehenden Beschreibung kann der Konstrukteur die Metallvorrichtungen 140 und 150 verwenden, um die Dipole 115 und 125 der magnetischen Bereiche 110 und 120 zu steuern, und um Dipole 115 und 125 mit dem magnetischen Bereich 130 zusammenarbeiten zu lassen, um elektrische Energie zu speichern und Leckstrom zu verhindern. Wenn die Vorrichtung elektrische Energie speichert, sind die Dipole 115 (→) und 125 (→) des ersten magnetischen Bereichs 110 und des zweiten magnetischen Bereichs 120 gleich. Folglich verhindern der erste magnetische Bereich 110 und der zweite magnetische Bereich 120 Leckstrom und elektrische Energie kann im dielektrischen Bereich 130 gespeichert werden.
  • Und zwar weisen die Spinrichtungen der Elektronen des dielektrischen Bereichs 130 in eine Richtung, wenn die Dipole 115 und 125 des ersten magnetischen Bereichs 110 und des zweiten magnetischen Bereichs 120 dieselben sind. Der Leckstrom wird dadurch reduziert. Wenn der Leckstrom reduziert wird, wird die Energie für einen längeren Zeitraum gespeichert und es liegt ein geringerer Verlust an elektrischer Energie vor.
  • Es wird festgestellt, dass die Symbole „→" nur angeordnet sind, um die Dipole der magnetischen Bereiche zu repräsentieren, und sie sind nicht angeordnet, um die Dipolausrichtungen einzuschränken.
  • 2 zeigt die Vorrichtung, wenn die Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung geladen wird. Wenn die Vorrichtung geladen wird, sind der erste magnetische Bereich 110 und der zweite magnetische Bereich 120 mit einer Energiequelle 260 verbunden. Die elektrische Energie kann von der Energiequelle 260 in den dielektrischen Bereich 130 eingegeben werden.
  • 3 zeigt die Vorrichtung, wenn die Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entladen wird. Wenn die Vorrichtung entladen wird, sind der erste magnetische Bereich 110 und der zweite magnetische Bereich 120 mit einer Lastvorrichtung 370 verbunden. Die elektrische Energie kann vom dielektrischen Bereich 130 in die Lastvorrichtung 370 ausgegeben werden.
  • Die Energiequelle oder die Lastvorrichtung kann die Dipole der magnetischen Bereiche 110 und 120 leicht beeinflussen und der Isolationseffekt der magnetischen Bereiche 110 und 120 ist daher nicht gut. Folglich kann der Strom durch die magnetischen Bereiche geleitet werden.
  • Die Vorrichtung kann als ein Kondensator mit großer Kapazität angesehen werden. Weiterhin kann die Vorrichtung als eine Batterie eingesetzt werden. Die Vorrichtung mit Batteriefunktion sollte nicht unter dem Nachteil des Memory-Effekts leiden. Folglich kann die Vorrichtung ohne Leistungsverlust ganz oder teilweise geladen/entladen werden.
  • Andererseits kann die Vorrichtung verwendet werden, um ein eine große Reihe paralleler Vorrichtungen zu erzeugen, um eine viel größere Energiespeicherung zu erzielen. Weiterhin können mehrere Vorrichtungen gestapelt werden, um eine viel größere Energiespeicherung zu erzielen, wie in 4 gezeigt.
  • Die Ausführungsform in 4 benötigt beispielsweise vier magnetische Bereiche 110a, 110b, 110c, 110d und drei dielektrische Bereiche 130a, 130b und 130. Die Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie hat mehrere magnetische Bereiche 110a, 110b, 110c, 110d und mehrere dielektrische Bereiche 130a, 130b und 130c, jeweils zwischen zwei angrenzenden magnetischen Bereichen konfiguriert. Beispielsweise ist der dielektrische Bereich 130a zwischen den magnetischen Bereichen 110a und 110b konfiguriert; der dielektrischen Bereich 130b ist zwischen den magnetischen Bereichen 110b und 110c konfiguriert. Die dielektrischen Bereiche 130a, 130b und 130c sind eingerichtet, um elektrische Energie zu speichern und die magnetischen Bereiche 110a, 110b, 110c, 110d mit Dipolen 115a, 115b, 115c und 115d sind eingerichtet, um Leckstrom zu verhindern.
  • Die Vorrichtung hat weiterhin mehrere Metallvorrichtungen (nicht gezeigt), die jeweils um die magnetischen Bereiche herum angeordnet sind, um Dipole der magnetischen Bereiche zu steuern.
  • Wenn die Vorrichtung elektrische Energie speichert, sind die Dipole 115a, 115b, 115c und 115d der magnetischen Bereiche 110a, 110b, 110c und 110d gleich.
  • Wenn die Vorrichtung geladen wird, sind die magnetischen Bereiche teilweise mit einer Energiequelle verbunden; wenn die Vorrichtung entladen wird, sind die magnetischen Bereiche teilweise mit einer Lastvorrichtung verbunden. Und zwar sind die magnetischen Bereiche 110a und 110d mit der Energiequelle oder der Lastvorrichtung verbunden oder alle magnetischen Bereiche 110a, 110b, 110c und 110d sind mit der Energiequelle oder der Lastvorrichtung verbunden, wenn die Vorrichtung geladen oder entladen wird.
  • Es wird für Fachleute ersichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen am Aufbau der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang oder dem Wesen der Erfindung abzuweichen. Hinsichtlich des Vorhergehenden ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, falls sie in den Schutzumfang der nachstehenden Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.

Claims (18)

  1. Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie, umfassend: einen ersten magnetischen Bereich; einen zweiten magnetischen Bereich; und einen dielektrischen Bereich, der zwischen dem ersten magnetischen Bereich und dem zweiten magnetischen Bereich konfiguriert ist; wobei der dielektrische Bereich eingerichtet ist, um elektrische Energie zu speichern und der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich mit Dipolen eingerichtet sind, um Leckstrom zu verhindern.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der dielektrische Bereich eine Dünnschicht ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der dielektrische Bereich aus dielektrischem Material gebildet ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste magnetische Bereich eine Dünnschicht ist.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite magnetische Bereich eine Dünnschicht ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin umfassend eine erste Metallvorrichtung, die um den ersten magnetischen Bereich herum angeordnet ist, um einen Dipol des ersten magnetischen Bereichs zu steuern.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin umfassend eine zweite Metallvorrichtung, die um den zweiten magnetischen Bereich herum angeordnet ist, um einen Dipol des zweiten magnetischen Bereichs zu steuern.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs gleich sind, wenn die Vorrichtung elektrische Energie speichert.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich mit einer Energiequelle verbunden sind, wenn die Vorrichtung geladen wird.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich mit einer Lastvorrichtung verbunden sind, wenn die Vorrichtung entladen wird.
  11. Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie, umfassend: eine Vielzahl magnetischer Bereiche; und eine Vielzahl dielektrischer Bereiche, die jeweils zwischen zwei angrenzenden magnetischen Bereichen konfiguriert sind; wobei die dielektrischen Bereich eingerichtet sind, um elektrische Energie zu speichern und die magnetischen Bereiche mit Dipolen eingerichtet sind, um Leckstrom zu verhindern.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die dielektrischen Bereiche Dünnschichten sind.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die dielektrischen Bereiche aus dielektrischem Material gebildet sind.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die magnetischen Bereiche eine Vielzahl von Dünnschichten sind.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 11, weiterhin umfassend eine Vielzahl von Metallvorrichtungen, die jeweils um die magnetischen Bereiche herum angeordnet sind, um jeweils Dipole jedes der magnetischen Bereiche zu steuern.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Dipole der magnetischen Bereiche gleich sind, wenn die Vorrichtung elektrische Energie speichert.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die magnetischen Bereiche teilweise mit einer Energiequelle verbunden sind, wenn die Vorrichtung geladen wird.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die magnetischen Bereiche teilweise mit einer Lastvorrichtung verbunden sind, wenn die Vorrichtung entladen wird.
DE102007033252A 2007-01-19 2007-07-17 Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie Withdrawn DE102007033252A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/624,738 2007-01-19
US11/624,738 US20080174936A1 (en) 2007-01-19 2007-01-19 Apparatus and Method to Store Electrical Energy

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007033252A1 true DE102007033252A1 (de) 2008-07-31

Family

ID=38461647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007033252A Withdrawn DE102007033252A1 (de) 2007-01-19 2007-07-17 Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080174936A1 (de)
JP (1) JP4694552B2 (de)
CN (1) CN101227103B (de)
DE (1) DE102007033252A1 (de)
FR (1) FR2913282A1 (de)
GB (1) GB2445811B (de)
TW (1) TWI395241B (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2466840B (en) * 2009-01-12 2011-02-23 Northern Lights Semiconductor A parallel plate magnetic capacitor and electric energy storage device
US20090095338A1 (en) * 2007-10-11 2009-04-16 James Chyl Lai Solar power source
US20090257168A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Northern Lights Semiconductor Corp. Apparatus for Storing Electrical Energy
US20100193906A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-05 Northern Lights Semiconductor Corp. Integrated Circuit Package for Magnetic Capacitor
US20100194331A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-05 James Chyi Lai electrical device having a power source with a magnetic capacitor as an energy storage device
JP2011003892A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Northern Lights Semiconductor Corp Ｄｒａｍセル
TW201135766A (en) * 2010-04-01 2011-10-16 Chien-Chiang Chan Energy storage device
US9607764B2 (en) * 2010-10-20 2017-03-28 Chun-Yen Chang Method of fabricating high energy density and low leakage electronic devices
CN102683007A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 詹前疆 储电元件
US9368990B2 (en) 2011-08-18 2016-06-14 Kanji Shimizu Thin-film capacitor device
US9263189B2 (en) 2013-04-23 2016-02-16 Alexander Mikhailovich Shukh Magnetic capacitor
JP2016537827A (ja) 2013-10-01 2016-12-01 イー１０２３ コーポレイションＥ１０２３ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 磁気強化型エネルギー貯蔵システムおよび方法
CN105071545A (zh) * 2015-08-05 2015-11-18 国润金华（北京）国际能源投资有限公司 一种量子物理蓄电池及其制备方法
CN105514508A (zh) * 2015-12-10 2016-04-20 连清宏 一种薄片电池及使用这种电池的电力供应器
TWI665690B (zh) 2017-10-24 2019-07-11 財團法人工業技術研究院 磁性電容元件
CN115548564A (zh) * 2022-11-30 2022-12-30 国能世界(北京)科技有限公司 一种量子芯片电池储能模块

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3350180A (en) * 1967-10-31 Magnetic device with alternating lami- na of magnetic material and non-mag- netic metal on a substrate
US3397085A (en) * 1962-12-27 1968-08-13 Union Carbide Corp Thin film capacitors
DE1252739B (de) * 1964-03-17 1967-10-26 Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München Speicherelement mit gestapelten magnetischen Schichten
US3535602A (en) * 1969-05-07 1970-10-20 Nasa Capacitor and method of making same
US4312025A (en) * 1978-12-06 1982-01-19 Rca Corporation Magnetic variable capacitor
US4547866A (en) * 1983-06-24 1985-10-15 Honeywell Inc. Magnetic thin film memory with all dual function films
US4981838A (en) * 1988-03-17 1991-01-01 The University Of British Columbia Superconducting alternating winding capacitor electromagnetic resonator
US5110793A (en) * 1989-02-22 1992-05-05 International Superconductor Corp. Ultra high energy capacitors using intense magnetic field insulation produced by high-Tc superconducting elements for electrical energy storage and pulsed power applications
SU1688210A1 (ru) * 1989-06-26 1991-10-30 Предприятие П/Я М-5619 Чувствительный элемент
US5173873A (en) * 1990-06-28 1992-12-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High speed magneto-resistive random access memory
US5434742A (en) * 1991-12-25 1995-07-18 Hitachi, Ltd. Capacitor for semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
JPH0745477A (ja) * 1993-07-26 1995-02-14 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US5414588A (en) * 1993-09-20 1995-05-09 The Regents Of The University Of California High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication
JPH07169651A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Tdk Corp 積層チップフィルタ
US6741494B2 (en) * 1995-04-21 2004-05-25 Mark B. Johnson Magnetoelectronic memory element with inductively coupled write wires
JPH08316100A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層複合部品
CN1056939C (zh) * 1995-06-08 2000-09-27 西安九元高压电容器厂 交流安全陶瓷电容器及其制造方法
US5757591A (en) * 1996-11-25 1998-05-26 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read/inductive write magnetic head assembly fabricated with silicon on hard insulator for improved durability and electrostatic discharge protection and method for manufacturing same
US5898612A (en) * 1997-05-22 1999-04-27 Motorola, Inc. Magnetic memory cell with increased GMR ratio
US6111784A (en) * 1997-09-18 2000-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory element utilizing GMR effect, and recording/reproduction method using such memory element
JP3679593B2 (ja) * 1998-01-28 2005-08-03 キヤノン株式会社 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
KR19990087860A (ko) * 1998-05-13 1999-12-27 이데이 노부유끼 자성물질을이용한소자및그어드레싱방법
EP0959475A3 (de) * 1998-05-18 2000-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Magnetischer Dünnfilmspeicher sowie Schreibe- und Leseverfahren und Anordnung unter Verwendung solchen Speichers
CN1145168C (zh) * 1999-01-13 2004-04-07 因芬尼昂技术股份公司 磁阻随机存取存储器的写/读结构
US20070188168A1 (en) * 1999-08-26 2007-08-16 Stanley James G Magnetic sensor
US7190161B2 (en) * 1999-08-26 2007-03-13 Automotive Systems Laboratory, Inc. Magnetic sensor
US6911710B2 (en) * 2000-03-09 2005-06-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-bit magnetic memory cells
JP4020573B2 (ja) * 2000-07-27 2007-12-12 富士通株式会社 磁性メモリデバイス、および磁性メモリデバイスにおけるデータ読み出し方法
JP2002084018A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Canon Inc 磁気デバイス及びその製造方法、並びに固体磁気メモリ
JP3892736B2 (ja) * 2001-03-29 2007-03-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US6760249B2 (en) * 2001-06-21 2004-07-06 Pien Chien Content addressable memory device capable of comparing data bit with storage data bit
KR100386455B1 (ko) * 2001-06-30 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 복합 반도체 메모리소자의 제조방법
US6483734B1 (en) * 2001-11-26 2002-11-19 Hewlett Packard Company Memory device having memory cells capable of four states
US6750491B2 (en) * 2001-12-20 2004-06-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory device having soft reference layer
US6735112B2 (en) * 2002-02-06 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory cell structures with improved selectivity
US6746411B2 (en) * 2002-02-06 2004-06-08 The University Of Medicine And Dentistry Of New Jersey Exitable lumen guide wire sheath and method of use
US20030161180A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Bloomquist Darrel R. Shared bit lines in stacked MRAM arrays
US6927566B2 (en) * 2002-05-22 2005-08-09 Ab Eletronik Gmbh Device for generating output voltages
JP3833145B2 (ja) * 2002-06-11 2006-10-11 Ｔｄｋ株式会社 積層貫通型コンデンサ
JP3571034B2 (ja) * 2002-06-18 2004-09-29 独立行政法人 科学技術振興機構 磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置
US6885576B2 (en) * 2002-08-13 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Closed flux magnetic memory
JP2004096388A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波積層デバイス
TWI291186B (en) * 2002-09-10 2007-12-11 Tdk Corp Multi-layer capacitor
KR100471151B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-10 삼성전기주식회사 적층형 ｌｃ 필터
US6858899B2 (en) * 2002-10-15 2005-02-22 Matrix Semiconductor, Inc. Thin film transistor with metal oxide layer and method of making same
US6919233B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-19 Texas Instruments Incorporated MIM capacitors and methods for fabricating same
TWI229878B (en) * 2003-03-12 2005-03-21 Tdk Corp Multilayer capacitor
US6958933B2 (en) * 2003-07-07 2005-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory cell strings
US6961263B2 (en) * 2003-09-08 2005-11-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device with a thermally assisted write
US6865105B1 (en) * 2003-09-22 2005-03-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal-assisted switching array configuration for MRAM
US7027320B2 (en) * 2003-10-21 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Soft-reference magnetic memory digitized device and method of operation
KR100594266B1 (ko) * 2004-03-17 2006-06-30 삼성전자주식회사 소노스 타입 메모리 소자
JP4589092B2 (ja) * 2004-12-03 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7092236B2 (en) * 2005-01-20 2006-08-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
WO2008010814A2 (en) * 2005-08-05 2008-01-24 Kahrl Retti Multiple layer solar energy harvesting composition and method
US7400176B2 (en) * 2005-10-17 2008-07-15 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic OR/NAND circuit
US7745893B2 (en) * 2005-10-17 2010-06-29 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic transistor structure
US7269061B2 (en) * 2005-10-17 2007-09-11 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic memory
US7397277B2 (en) * 2005-10-17 2008-07-08 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic transistor circuit with the EXOR function
WO2007149516A2 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Cooper Tire & Rubber Co. Magnetostrictive/piezo remote power generation, battery and method
JP4537981B2 (ja) * 2006-07-11 2010-09-08 株式会社東芝 磁気記憶装置
US20080174933A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Western Lights Semiconductor Corp. Apparatus and Method to Store Electrical Energy

Also Published As

Publication number Publication date
US20080174936A1 (en) 2008-07-24
CN101227103B (zh) 2011-04-06
FR2913282A1 (fr) 2008-09-05
GB2445811A (en) 2008-07-23
TW200832464A (en) 2008-08-01
JP4694552B2 (ja) 2011-06-08
TWI395241B (zh) 2013-05-01
CN101227103A (zh) 2008-07-23
GB0713771D0 (en) 2007-08-22
JP2008177536A (ja) 2008-07-31
GB2445811B (en) 2009-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007033252A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie
DE102007033253A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie
DE69624765T2 (de) Planare magnetische Vorrichtung
DE102015202149B3 (de) Elektrischer Energiespeicher mit effizienter Wärmeabfuhr
DE102007047340A1 (de) Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie
DE20221047U1 (de) Micro-Controller für ein serielles Batterieladegerät
DE102015113515A1 (de) Planare Kondensatorenanschlüsse
DE102013101323A1 (de) Filterbauelement
DE102014202129A1 (de) Batteriezellenkühlung
DE112012007318B3 (de) Transistoreinheiten mit magnetischem Tunnelübergang
WO2020007679A1 (de) Pouchzelle und stack
EP0019715B1 (de) Supraleitfähige Schalt- und Speichervorrichtung
DE4121888A1 (de) Tragbare halbleiterspeicher-einheit
DE102007032381A1 (de) Magnettransistorschaltung mit EXOR-Funktion
DE102011005452A1 (de) Magnetoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE202013012569U1 (de) Gitteranordnung für eine plattenförmige Batterieelektrode eines elektrochemischen Akkumulators sowie Akkumulator
EP1830419B1 (de) Resistiver Strombegrenzer
DE102018132716A1 (de) Energiespeicherzelle mit Zell-Stapel und Hardcase-Gehäuse und Verfahren zum Herstellen derselben
DE202020003408U1 (de) Batteriesystem, insbesondere Bipolarbatteriesystem
EP2856535A1 (de) Speicherelement umfassend mehrere lithium-zellen
DE102017207618A1 (de) Supraleitfähige Magnetspulenanordnung mit mehreren lagenweise gewickelten bandförmigen Supraleitern
DE102004040754A1 (de) Rechteckspule aus bandförmigen Supraleitern mit HochTc-Supraleitermaterial und Verwendung derselben
DE102007012098A1 (de) Kondensatormodul
WO2003038829A2 (de) Speicheranordnung
DE102018009711A1 (de) Elektrischer Energiespeicher

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: NORTHERN LIGHTS SEMICONDUCTOR CORP., SAINT PAU, US

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee