[go: up one dir, main page]

DE102006019961A1 - Elektroakustisches Bauelement - Google Patents

Elektroakustisches Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102006019961A1
DE102006019961A1 DE102006019961A DE102006019961A DE102006019961A1 DE 102006019961 A1 DE102006019961 A1 DE 102006019961A1 DE 102006019961 A DE102006019961 A DE 102006019961A DE 102006019961 A DE102006019961 A DE 102006019961A DE 102006019961 A1 DE102006019961 A1 DE 102006019961A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
metal layer
layer
intermediate layer
wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102006019961A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006019961B4 (de
Inventor
Jaroslaw Konopka
Werner Dr. Ruile
Ulrike Dr. Rösler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SnapTrack Inc
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE102006019961A priority Critical patent/DE102006019961B4/de
Priority to JP2009506913A priority patent/JP5323681B2/ja
Priority to PCT/DE2007/000765 priority patent/WO2007124732A1/de
Publication of DE102006019961A1 publication Critical patent/DE102006019961A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006019961B4 publication Critical patent/DE102006019961B4/de
Priority to US12/259,687 priority patent/US7696674B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H03H9/02031Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02228Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

Es wird ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes elektroakustisches Bauelement mit einem ersten Substrat (S1), einem zweiten Substrat (S2), einer Metallschicht (MS) und einer Zwischenschicht (ZS) angegeben. Das erste Substrat (S1) besteht aus einem Einkristall-LiTaO<SUB>3</SUB>. Die Metallschicht (MS) ist zwischen dem ersten Substrat (S1) und der Zwischenschicht (ZS) angeordnet. Die Zwischenschicht (ZS) ist zwischen der Metallschicht (MS) und dem zweiten Substrat (S2) angeordnet. Der Kristallschnitt des Einkristall-LiTaO<SUB>3</SUB> ist so gewählt, dass für den zweiten Eulerwinkel µ gilt: -100° <= µ <= -40° oder -160° <= µ <= -130°. Für den ersten Eulerwinkel lambda gilt vorzugsweise lambda = 0° und für den dritten Eulerwinkel Theta gilt vorzugsweise -10° <= Theta < 0°, Theta = 0° oder 0° < Theta <= 10°.

Description

  • Kristallschnitte der LiTaO3-Einkristalle sind z. B. für Oberflächenwellenbauteile aus der Druckschrift WO 00219522 A1 oder US 2006/0055283 A1 bekannt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement anzugeben, in dem durch ungewünschte Nebenmoden auftretende Störungen sehr gering sind.
  • Es wird ein mit GBAW arbeitendes Bauelement mit einem ersten Substrat, einem zweiten Substrat, einer Metallschicht und einer Zwischenschicht angegeben. GBAW steht für Guided Bulk Acoustic Wave, d. g. geführte akustische Volumenwellen. Das erste Substrat besteht aus einem Einkristall-LiTaO3. Die Metallschicht ist zwischen dem ersten Substrat und der Zwischenschicht angeordnet. Die Zwischenschicht ist zwischen der Metallschicht und dem zweiten Substrat angeordnet. Der Kristallschnitt des Einkristall-LiTaO3 ist so gewählt, dass eine bevorzugte akustische Mode unterstützt und eine zu unterdrückende akustische Mode unterdrückt wird. Bevorzugte Kristallschnitte des Einkristall-LiTaO3 sind nachstehend angegeben.
  • Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Welle ist im Substrat und im zweiten Substrat vorzugsweise größer als in der Zwischenschicht. Dadurch entsteht ein Wellenleiter, dessen Mantel durch die beiden Substrate und dessen Kern durch die Zwischenschicht und die Metallschicht gebildet ist. Zum Kern des Wellenleiters gehört außerdem ein an die jeweilige Grenzfläche der Zwischenschicht angrenzender Bereich des ersten und des zweiten Substrats, wobei die Dicke dieses Bereichs etwa eine Wellenlänge beträgt.
  • Die Metallschicht ist vorzugsweise zur Bildung von akustisch wirksamen Strukturen (z. B. elektroakustische Wandler und Reflektoren), Kontaktflächen sowie Verbindungsleitungen strukturiert. Das Bauelement kann insbesondere einen Resonator mit einem Wandler aufweisen, in dem die akustische Welle elektrisch anregbar ist. Ein Wandler weist i. d. R. ein Elektrodengitter auf. Die Elektroden sind dabei senkrecht zur Wellenausbreitungsrichtung angeordnete Metallstreifen. Der Wandler kann zwischen zwei akustischen Reflektoren angeordnet sein, die zum Lokalisieren der akustischen Welle im aktiven Bereich des Wandlers geeignet sind. Das Bauelement weist einen Durchlassbereich und mindestens einen Sperrbereich auf.
  • Ein Resonator kann durch eine Admittanzkurve und einen elektroakustischen Kopplungskoeffizient K2 charakterisiert werden. Die Admittanzkurve weist bei der Frequenz fR eine Resonanz (Serienresonanz) und bei der Frequenz fa,R eine Antiresonanz (Parallelresonanz) auf. Der Kopplungskoeffizient kann nach der Formel K2 = π2(fa,R – fR)/4fa,R bestimmt werden.
  • Die akustische Reflexion an einer Elektrode kann durch einen Reflexionskoeffizienten R charakterisiert werden. Die auf die Rayleighwelle bezogenen Parameter K und R sind nachstehend mit dem Index „RW" und die auf die Scherwelle bezogenen Parameter K und R mit dem Index „SH" versehen.
  • Ein Kristallschnitt kann durch drei Euler-Winkel angegeben werden. Die Euler-Winkel sind nachstehend anhand von 1 erläutert. Der erste Euler-Winkel wird im Folgenden mit λ, der zweite Euler-Winkel mit μ und der dritte Euler-Winkel mit θ bezeichnet.
  • Im Einkristall-LiTaO3 ist je nach Kristallschnitt zumindest ein Wellentyp, ausgewählt aus einer Scherwelle und einer Rayleigh-Welle, anregbar. Im angegebenen Bauelement wird allerdings vorzugsweise nur einer dieser Wellentypen angeregt, wobei der andere Welletyp im Wesentlichen unterdrückt wird. Der anzuregende Welletyp wird als Hauptmode und der zu unterdrückende Wellentyp als Nebenmode bezeichnet.
  • Die Scherwelle umfasst eine Komponente, die in der Lateralebene X, Y im Wesentlichen quer zu der Ausbreitungsrichtung X der Welle polarisiert ist. Außerdem kann eine kleine Wellenkomponente vorhanden sein, die senkrecht zur Lateralebene polarisiert ist.
  • Die Rayleigh-Welle umfasst eine Komponente, die im Wesentlichen senkrecht zur Lateralebene polarisiert ist. Außerdem kann eine kleine Wellenkomponente vorhanden sein, die in der Lateralebene quer zu der Ausbreitungsrichtung X der Welle polarisiert ist.
  • Es wurde festgestellt, dass Kristallschnitte existieren, bei denen jeweils ein Wellentyp bevorzugt angeregt wird, wobei der elektroakustische Kopplungskoeffizient K2 für den anderen Wellentyp besonders klein eingestellt werden kann. Die für den jeweiligen Wellentyp optimale Schnittwinkelkombination, die eine gute Unterdrückung des anderen Wellentyps ermöglicht, hängt dabei nicht nur vom Kristallschnitt, sondern auch vom Material und Zusammensetzung der Metallschicht, der Zwischenschicht und des zweiten Substrats ab.
  • Beispielsweise beträgt im Falle des Bauelements mit einer relativ dicken Metallschicht aus Al, einer planarisierten Zwischenschicht aus SiO2 und dem zweiten Substrat aus Si der elektroakustische Kopplungskoeffizient K2 im Wesentlichen Null a) für die Scherwelle beim Kristallschnitt (0°, μ, θ) des LiTaO3 mit |θ| ≤ 10° und μ ≈ –142°, und b) für die Rayleigh-Welle beim Kristallschnitt (0°, μ, θ) mit |θ| ≤ 10° und μ ≈ –54°.
  • Dies bedeutet, dass die jeweilige Welle im Bauelement nicht oder nur sehr schwach angeregt wird. Somit kann eine als Nebenmode auftretende Welle bei bestimmten, nachstehend angegebenen Kristallschnitten im Wesentlichen unterdrückt werden.
  • Gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform wird für das erste Substrat der zweite Eulerwinkel μ im Bereich –100° ≤ μ ≤ –40° gewählt. Für den ersten Eulerwinkel λ gilt vorzugsweise: λ = 0°. Für den dritten Eulerwinkel θ gilt vorzugsweise: θ = 0° oder |θ| < 10°. An der Grenzfläche des Substrats ist in diesem Fall eine horizontal polarisierte Scherwelle als Hauptmode anregbar, die in einer vorteilhaften Variante eine GBAW darstellt. Die horizontale Polarisation bedeutet, dass die Scherwelle im Wesentlichen in einer Lateralebene polarisiert ist.
  • Besonders vorteilhaft ist in diesem Fall der Winkelbereich –56° ≤ μ ≤ –48°, insbesondere wenn die Elektroden des Bauelements aus einem relativ leichten, z. B. Al-haltigen Material bestehen und dabei insbesondere keine W-Schicht aufweisen.
  • Das Bauelement weist vorzugsweise einen Wandler auf, in dem eine Scherwelle als Hauptmode ausbreitungsfähig ist. Der Wandler zeichnet sich dadurch aus, dass seine Admittanzkurve in der Nähe der Resonanzfrequenz fR bei der Hauptresonanz keine Nebenresonanzen aufweist.
  • Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform wird für das erste Substrat der zweite Eulerwinkel μ im Bereich –150° ≤ μ ≤ –130° gewählt. Für den ersten Eulerwinkel λ gilt vorzugsweise: λ = 0°. Für den dritten Eulerwinkel θ gilt vorzugsweise: θ = 0° oder |θ| < 10°. An der Grenzfläche des Substrats ist in diesem Fall eine Rayleigh-Welle als Hauptmode anregbar, die in einer vorteilhaften Variante eine GBAW darstellt. Besonders vorteilhaft ist in diesem Fall der Winkelbereich –146° ≤ μ ≤ –136°, insbesondere wenn die Elektroden des Bauelements aus einem relativ leichten, z. B. Al-haltigen Material bestehen und dabei insbesondere keine W-Schicht aufweisen.
  • Das Bauelement weist vorzugsweise einen Wandler auf, in dem eine Rayleigh-Welle als Hauptmode ausbreitungsfähig ist. Der Wandler zeichnet sich dadurch aus, dass seine Admittanzkurve in der Nähe der Resonanzfrequenz fR bei der Hauptresonanz keine Nebenresonanzen aufweist.
  • Im Folgenden sind beispielhafte Ausgestaltungen des Bauelements gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform angegeben, die sich durch besonders stabile Temperatureigenschaften auszeichnen. Das Bauelement ist aber auf diese Beispiele nicht begrenzt.
  • Das erste Substrat und das zweite Substrat weisen jeweils vorzugsweise eine Dicke von mindestens 10 Wellenlängen λ0 auf. Das zweite Substrat kann in einer Variante als eine Schicht ausgebildet sein, die z. B. eine Dicke von mindestens 0,5 λ0 aufweist.
  • Es ist vorteilhaft, wenn die zum zweiten Substrat gewandte Grenzfläche der Zwischenschicht plan bzw. planarisiert ist. Somit kann ein erster Wafer, der das erste Substrat, die Metallschicht und die Zwischenschicht umfasst, mit dem zweiten Substrat mittels Direct Wafer Bonding verbunden werden.
  • Das zweite Substrat, die Zwischenschicht und die Metallschicht können jeweils mehrere verschiedene Teilschichten aufweisen.
  • Die Metallschicht weist Elektroden zur Anregung einer akustischen Welle mit der Wellenlänge λ0 auf. Gemeint ist dabei die Wellenlänge bei einer Frequenz, die im Durchlassbereich des Bauelements liegt. Die Elektroden können ein periodisches Elektrodengitter des Wandlers bilden, wobei der in Wellenausbreitungsrichtung gemessene Abstand zwischen zwei entgegengesetzt gepolten Elektroden eine halbe Wellenlänge beträgt.
  • Die Elektroden bilden meist ein periodisches Elektrodengitter des Wandlers, wobei der in Wellenausbreitungsrichtung gemessene Abstand zwischen zwei entgegengesetzt gepolten Elektroden eine halbe Wellenlänge beträgt.
  • Für die nachstehend erläuterten Beispiele zur Berechnung von Kristallschnitten gilt θ = 0° und λ0 = 2,5 μm.
  • Die Metallschicht enthält vorzugsweise eine Schicht aus einem schweren Material wie z.B. Wolfram, deren auf die Wellenlänge bezogene Dicke maximal 10% und in einer vorteilhaften Varian te zwischen 1% und 6,5% beträgt. Die W-Schicht kann insbesondere auf die Wellenlänge bezogen 5% dick sein.
  • Die Elektroden können außerdem Al oder eine Al-Legierung umfassen. Sie können z. B. mindestens eine Al-Schicht, aber auch weitere Schichten, insbesondere eine Cu-Schicht aufweisen. Die Gesamthöhe der Elektroden kann z. B. bis zu 10% der Wellenlänge betragen.
  • Als Al-Elektroden werden Elektroden bezeichnet, die aus Aluminium bestehen. Das in Zusammenhang mit Al-Elektroden Gesagte gilt grundsätzlich für Elektroden, die nur Schichten aus relativ leichten Metallen aufweisen oder die insgesamt relativ leicht sind. Als W-Elektroden werden Elektroden bezeichnet, die eine Schicht aus Wolfram aufweisen. Als Al/W-Elektroden werden Elektroden bezeichnet, die eine Schicht aus W und eine Schicht aus Al aufweisen. Das in Zusammenhang mit W- und Al/W-Elektroden Gesagte gilt grundsätzlich für Elektroden, die mindestens eine Schicht aus relativ schweren Metall aufweisen oder die insgesamt relativ schwer sind.
  • Der Anteil der metallisierten Fläche auf der Oberfläche des ersten Substrats im akustisch aktiven Bereich des Bauelements beträgt vorzugsweise zwischen 0,3 und 0,7, ist aber nicht auf diesen Bereich beschränkt. In den nachstehend erläuterten Beispielen wurde der Anteil der metallisierten Fläche im aktiven Bereich des Bauelements 0,5 gewählt.
  • Das zweite Substrat kann aus Si oder Glas sein. In den nachstehend erläuterten Beispielen wurde Si mit dem Kristallschnitt (0°, 0°, 0°) gewählt. Andere Si-Kristallschnitte kommen aber auch in Betracht.
  • Die Scherwelle kann im Winkelbereich –180° ≤ μ < –160° sowie –95° < μ ≤ 0° als Hauptmode betrachtet werden. In diesen Bereichen ist für die Scherwelle ein Kopplungskoeffizient von bis zu ca. 6,5% erreichbar.
  • Die Rayleigh-Welle kann im Winkelbereich –160° < μ < –95° als Hauptmode betrachtet werden. In diesen Bereichen ist für die Rayleigh-Welle ein Kopplungskoeffizient von bis zu ca. 3% erreichbar.
  • Es existieren Schnittwinkelbereiche, in dem die zu unterdrückende Nebenmode nur sehr schwach mit K2 < 0,05% gekoppelt ist.
  • Bei bestimmten Werten der Euler-Winkels kann erzielt werden, dass im Bauelement nur eine reine Wellenmode ausbreitungsfähig ist. Z. B. der Schnittwinkel mit μ = –54° zeichnet sich bei der Ausführung mit Al-Elektroden dadurch aus, dass dabei im Wesentlichen die reine Scherwelle ausbreitungsfähig ist. Bei der Ausführung mit W-Elektroden ist dies der Fall beim Schnittwinkel mit μ = –75°.
  • Der Schnittwinkel mit μ = –142° zeichnet sich bei der Ausführung mit Al-Elektroden dadurch aus, dass dabei im Wesentlichen die reine Rayleigh-Welle ausbreitungsfähig ist. Bei der Ausführung mit W-Elektroden ist dies der Fall beim Schnittwinkel mit μ = –135°.
  • Der Temperaturgang der Frequenz f des elektroakustischen Bauelements kann durch eine Taylor-Reihe beschrieben werden: df/f = T0 + TCF1 ΔT + TCF2 (ΔT)2 + ... df ist die temperaturbedingte Abweichung der Frequenz des Bauelements bei einer Temperaturdifferenz ΔT. Dies kann z. B. die Temperaturabweichung von Raumtemperatur bzw. einer vorgegebenen Referenztemperatur sein. Der Koeffizient TCF1 vor dem linearen Term dieser Reihe wird als linearer Temperaturkoeffizient bezeichnet. T0 ist eine temperaturunabhängige Konstante. Der Koeffizient TCF2 vor dem quadratischen Term dieser Reihe wird als quadratischer Temperaturkoeffizient bezeichnet. Es wird angenommen, dass der Koeffizient TCF2 klein ist. Die Kurve df/f(ΔT) ist in diesem Fall im Wesentlichen eine Gerade.
  • Der Kristallschnitt, die Metallisierungshöhe der Elektroden und der Anteil der metallisierten Fläche im akustisch aktiven Bereich des Bauelements wird vorzugsweise so gewählt, dass der lineare Temperaturkoeffizient TCF1 klein ist.
  • Die Zwischenschicht ist vorzugsweise aus SiOx mit 1,6 ≤ x ≤ 2,1, kann aber auch aus einem anderen Material gewählt sein. Die auf die Wellenlänge bezogene Dicke der Zwischenschicht kann z. B. zwischen 20% und 200% betragen. Als besonders vorteilhaft erweist der Bereich zwischen 20% und 80%, in dem für die Hauptmode (je nach Bauelement Scherwelle oder Rayleighwelle) ein relativ hoher Koeffizient K2 der elektroakustischen Kopplung, und zwar K2 > 4% erzielt werden kann. Dies ist der Fall für Al-Elektroden mit einer relativen Dicke von 7,2%. Die relative Dicke dEL der Al-Elektroden zwischen 3% und 16% und insbesondere die Dicke von ca. 10% ist vorteilhaft.
  • Bei einer relativen Dicke dZS der Zwischenschicht, die zwischen 30% und 60% beträgt, kann bei μ ≈ –48° für die Hauptmode (hier Scherwelle) sogar KSH 2 > 5% und ein Reflexionskoeffizient RSH > 1,5% erzielt werden. Als Optimum wird der Dickenbereich (40 ± 5)% betrachtet, wobei in diesem Fall die Dicke der Al-Elektroden von 16% bevorzugt ist.
  • Bei der relativen Dicke dZS der Zwischenschicht, die zwischen 40% und 55% beträgt, kann bei μ ≈ –54° für die Hauptmode (Scherwelle) der Kopplungskoeffizient KSH 2 zwischen 5,35% und 5,63% und RSH ≈ 2,0% erzielt werden.
  • Der Vorteil einer relativ dicken Zwischenschicht liegt darin, dass relativ niedrige Werte für den Parameter TCF1 erzielt werden können. Der Vorteil einer solchen Zwischenschicht besteht außerdem darin, dass ein relativ hoher Reflexionskoeffizient RSH bzw. RRW der anzuregenden Welle an einer Elektrodenkante erzielt werden kann.
  • Für verschiedene Schnittwinkel des Lithiumtantalats wurde bestimmt: RSH liegt im Bereich zwischen 0% und 3% und RRW im Bereich zwischen 0% und 1,3%. Der elektroakustische Kopplungskoeffizient kann je nach Schnittwinkel für die Scherwelle zwischen 0% und 6,49% und für die Rayleigh-Welle zwischen 0% und 3% eingestellt werden.
  • Für ein kurzgeschlossenes Elektrodengitter im Bauelement gemäß der ersten Ausführungsform mit der relativen Schichtdicke 40% wurde bestimmt: RSH = 1,8 ... 3,0% und KSH 2 = 1,5 bis 6,5%, wobei im Bereich –90° ≤ μ ≤ –40° bestimmt wurde K2 > 5%. Der Bereich –56° ≤ μ ≤ –48° zeichnet sich dabei durch einen besonders niedrigen Wert des elektroakustischen Kopplungskoeffizienten der zu unterdrückenden Rayleigh-Welle, für die gilt RRW < 0,2% und KRW 2 ≤ 0,02%. Die Elektroden waren aus Al mit der relativen Dicke von 7,2%.
  • Für ein kurzgeschlossenes Elektrodengitter im Bauelement gemäß der zweiten Ausführungsform mit der relativen Schichtdicke 40% im Bereich –150° ≤ μ ≤ –130° wurde bestimmt: RRW > 0,5% und RSH < 0,1%. Für die anzuregende Rayleigh-Welle wurde bestimmt: KRW 2 > 1,5%. Für die zu unterdrückende Scherwelle wurde bestimmt: KSH 2 < 0,4%. Die Elektroden waren aus Al mit der relativen Dicke von 7,2%.
  • Es gelingt also, im elektroakustischen Bauelement für die anzuregende Wellenmode einen relativ hohen elektroakustischen Kopplungskoeffizienten K2 sowie einen relativ hohen Reflexionskoeffizienten R zu erzielen, wobei die entsprechenden Werte für die zu unterdrückende Mode gering bleiben.
  • Ein mit GBAW arbeitendes Bauelement weist insgesamt einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der zwischen dem des ersten und des zweiten Substrats liegt. Für das für die Anregung der Scherwelle optimierte Bauelement mit μ ≈ –54°, die Zwischenschicht aus SiO2 mit der relativen Dicke dZS ≈ 40% und Al-Elektroden der relativen Dicke dEL ≈ 7,2% wurde bestimmt: KSH 2 = 5,63%, RSH = 2,01%, TCF1 = –7 ... +7 ppm/K.
  • Das Bauelement mit μ ≈ –54°, Al-Elektroden der relativen Dicke dEL ≈ 7,2% und dZS ∊ (50%; 70%) zeichnet sich durch stabile thermische Eigenschaften aus, wobei sein Koeffizient TCF1 im Bereich –15,5 ... 13,0 ppm/K liegt. Der Bereich der relativen Dicke dZS zwischen 60% und 65% wird im Hinblick auf die thermische Stabilität als besonders vorteilhaft betrachtet. Dabei wurde der Koeffizient TCF1 bestimmt, der zwischen –7 ppm/K und 7 ppm/K liegt. Für die Dicke dZS ≈ 62,5% wurde bestimmt: KSH 2 = 4,8%, RSH = 1,8%.
  • Für das Bauelement mit μ ≈ –54°, Al-Elektroden der relativen Dicke dEL ≈ 7,2% erweist sich außerdem der Bereich der relativen Dicke dZS als vorteilhaft, der zwischen 140% und 160% liegt.
  • Im Falle des für die Scherwelle als Hauptmode ausgelegten GBAW-Bauelements kann es vorteilhaft sein, wenn der Anteil η der metallisierten Oberfläche des ersten Substrats im aktiven Wandlerbereich unterhalb von 0,5 und insbesondere zwischen 0,25 und 0,3 liegt. Dabei kann ein besonders hoher Reflexionskoeffizient RSH bis zu 2,95% und KSH 2 von ca. 5,2% erzielt werden.
  • Für ein vorteilhaftes Bauelement mit μ ≈ –54° kann angegeben werden: dEL = 10%, η = 0,3, dZS = 40%. Für dieses Bauelement wurde RSH = 2,93%, KSH 2 zwischen 5,41% und 5,89% und TCF1 zwischen –19,5 ppm/K und –5,1 ppm/K berechnet.
  • Für ein weiteres vorteilhaftes Bauelement mit μ ≈ –54° kann angegeben werden: dEL = 10%, η = 0,3, dZS = 62,5%. Für dieses Bauelement wurde RSH = 2,5%, KSH 2 zwischen 4,0% und 5,0% und TCF1 zwischen –3,3 ppm/K und 11,1 ppm/K berechnet.
  • Für das Bauelement mit μ ≈ –142°, Al-Elektroden der relativen Dicke dEL ≈ 7,2% und dZS ∊ (20%; 200%) wurde für die Rayleigh-Welle der Kopplungskoeffizient KRW 2 ≈ 2%, der Reflexionskoeffizient RRW ≈ 0,6% bestimmt. Als besonders vorteilhaft erweist sich der Bereich der relativen Dicke dZS, der zwischen 30% und 80% liegt.
  • Für das für die Anregung der Rayleigh-Welle optimierte Bauelement mit μ ≈ –142°, die Zwischenschicht aus SiO2 mit der relativen Dicke dZS ≈ 40% und Al-Elektroden der Dicke dEL 7,2% bei η = 0,5 wurde bestimmt: KRW 2 = 1,97%, RRW = 0,6%, TCF1 = –45 ... –25 ppm/K.
  • Im Falle des für die Rayleigh-Welle als Hauptmode ausgelegten GBAW-Bauelements kann es vorteilhaft sein, wenn der Anteil η der metallisierten Oberfläche des ersten Substrats im aktiven Wandlerbereich unterhalb von 0,5 und insbesondere zwischen 0,3 und 0,5 liegt. Dabei kann für die Rayleigh-Welle ein besonders hoher Kopplungskoeffizient KRW 2 von ca. 2% erzielt werden. Für 0,25 ≤ η ≤ 0,30 wurde für die Rayleigh-Welle ein Reflexionskoeffizient RRW von ca. 0,95% und ein Kopplungskoeffizient KRW 2 von ca. 1,97% bestimmt.
  • Für ein vorteilhaftes Bauelement mit μ ≈ –142° kann daher angegeben werden: dEL = 7,2%, η = 0,3, dZS = 40%. Für dieses Bauelement wurde für die Rayleigh-Welle RRW = 0,94% und KRW 2 zwischen 1,97% und 2,34%, und TCF1 zwischen –40,0 ppm/K und –25,3 ppm/K berechnet.
  • Als Nächstes wird ein GBAW-Bauelement mit schweren Elektroden aus Wolfram beschrieben. In diesem Fall kann bei –120° < μ < –30° die Scherwelle und bei –150° < μ < –130° die Rayleigh-Welle als Hauptmode betrachtet werden.
  • Für das Bauelement mit der relativen Elektrodendicke dEL = 7,2% und der relativen Dicke der Zwischenschicht 10% ≤ dZS ≤ 80% wurde 28% ≤ RSH ≤ 35% und 4,3% ≤ KSH 2 ≤ 5,07% berechnet. Der Bereich 20% ≤ dZS ≤ 60% ist vorteilhaft im Hinblick auf einen besonders hohen Wert von RSH ≥ 32%. Für das vorteilhafte Bauelement mit dZS = 10% wurde RSH = 28,65% und (KSH 2)max = 5,07% bestimmt.
  • Im weiteren vorteilhaften Bauelement mit der relativen Schichtdicke dZS = 40% und μ = –48° stellt die horizontal polarisierte Scherwelle die Hauptmode dar. Für den Bereich 2% ≤ dEL ≤ 12% wurde 4,0% ≤ KSH 2 ≤ 7,4% und 9% ≤ RSH ≤ 46% bestimmt. Für die relative Dicke dEL der W-Elektroden ist der Bereich 2,0% ≤ dEL ≤ 3,5% besonders vorteilhaft. Für den Wert dEL = 2% wurde RSH = 9,49% und (KSH 2)max = 6,64% berechnet.
  • Des weiteren wurden Bauelemente mit –180° ≤ μ ≤ 0°, dZS = 40% und W-Elektroden mit η = 0,5 und dEL = 2% untersucht. In diesem Fall ist je nach Kristallschnitt eine Scherwelle, eine Rayleighwelle und eine gemischte Rayleigh-Scherwelle ausbreitungsfähig. Im für die Scherwelle ausgelegten Bauelement können die Werte RSH ≥ 8,5% und KSH 2 ≥ 6% erzielt werden. Im für die Rayleigh-Welle ausgelegten Bauelement können die Werte 2,0% ≤ RRW ≤ 3,0% und 2,5% ≤ KRW 2 ≤ 3,5% erzielt werden.
  • Die Scherwelle dominiert im Bereich –110° ≤ μ ≤ –30°, wobei für den bevorzugten Wert μ = –75°, dEL = 2% und dZS = 40% der Kopplungskoeffizient KSH 2 bis 7,64%, der Reflexionskoeffizient RSH bis 9,92% und TCF1 zwischen –9,5 ppm/K und 4,5 ppm/K erzielt werden kann.
  • Für das Bauelement mit dem Schnittwinkel μ = –75° wird der Bereich 30% ≤ dZS ≤ 60% als vorteilhaft für eine Temperaturkompensation, der Bereich 30% ≤ dZS ≤ 70% als vorteilhaft in Bezug auf einen hohen Wert von RSH ≥ 9,5% und der Bereich 20% ≤ dZS ≤ 80% als vorteilhaft in Bezug auf einen hohen Wert von KSH 2 ≥ 7,3% betrachtet. Der Bereich 40% ≤ dZS ≤ 50% ist bevorzugt, da in diesem Fall ein besonders niedriger Wert von TCF1 zwischen –9,5 ppm/K und 7,18 ppm/K erzielt werden kann. Für diesen Bereich wurde KSH 2 von ca. 7,63% und RSH zwischen 9,82% und 9,97% bestimmt.
  • Für das Bauelement mit dem Schnittwinkel μ = –75° wird der Bereich der relativen Dicke der W-Elektroden 1% ≤ dEL ≤ 8% als vorteilhaft betrachtet. Dabei kann ein Reflexionskoeffizient RSH bis zu 35,8% erzielt werden. Der Kopplungskoeffizient KSH 2 für die Scherwelle liegt dabei für η = 0,5 zwischen 5,0% und 7,6%. Besonders vorteilhaft ist der Bereich 0,4 ≤ η ≤ 0,5, für den RSH ≥ 9,7% und KSH 2 ≥ 7,5% bestimmt wurde.
  • Für das GBAW-Bauelement mit dem ersten Substrat, das den Kristallschnitt (0°, –75°, 0°) aufweist, und den W-Elektroden werden die folgenden Ausführungsbeispiele bevorzugt:
    • 1) dZS = 40%, dEL = 2%, η = 0,5, für die RSH ≈ 9,82%, KSH 2 ≈ 7,64% ... 9,08% und –9,5 ppm/K ≤ TCF1 ≤ 4,5 ppm/K bestimmt wurde;
    • 2) dZS = 50%, dEL = 2%, η = 0,5, für die RSH ≈ 9,97%, KSH 2 ≈ 7,62% ... 9,06 und –7,22 ppm/K ≤ TCF1 ≤ 7,18 ppm/K bestimmt wurde.
  • Die Rayleigh-Welle dominiert im Bereich –150° ≤ μ ≤ –130°, wobei der Wert μ = –135° bevorzugt ist. Der Bereich der relativen Dicken dEL der W-Elektroden zwischen 2% und 10% ist dabei bevorzugt. Eine Variante mit dEL = 2% und dZS = 40% ist besonders vorteilhaft. Für diese Variante wurde KRW 2 = 2,88%, RRW = 1,88% und –28,1 ppm/K ≤ TCF1 ≤ –13,7 ppm/K bestimmt.
  • Für das Bauelement mit μ = –135° ist der Bereich der relativen Dicken der W-Elektroden dEL ≈ 6% vorteilhaft, da in diesem Fall hohe Werte für die Koeffizienten KRW 2 ≥ 3,5% und RRW ≥ 5,3% erzielt werden können. Die relative Dicke der W- Elektroden dEL = 6% und die relative Dicke der Zwischenschicht dZS = 60% ist besonders vorteilhaft. Für diese Variante wurde KRW 2 = 3,60%, RRW = 6,27% und TCF1 zwischen –20,6 ppm/K und –6,2 ppm/K bestimmt.
  • Für das Bauelement mit μ = –135° ist für das relative Metallisierungsverhältnis η der Bereich 0,4 ≤ η ≤ 0,5 bevorzugt. Für diesen Bereich wurde für die anzuregende Rayleighwelle KRW 2 = 3,6% und R ≥ 6,3% bestimmt.
  • Ferner können im Bauelement als Elektroden Al/W- oder AlCu/W-Elektroden, d. h. Elektroden mit einer Teilschicht aus Al bzw. AlCu und einer weiteren Teilschicht aus W, eingesetzt werden. In einer ersten vorteilhaften Variante kann z. B. die Dicke der W-Schicht von 2% und die Dicke der Al- bzw. AlCu-Schicht zwischen 0,4% und 10% gewählt werden. In einer zweiten vorteilhaften Variante kann z. B. die Dicke der W-Schicht von 6% und die Dicke der Al- bzw. AlCu-Schicht zwischen 0,4% und 6% gewählt werden. Im Prinzip kann das Verhältnis der Teilschichten beliebig eingestellt sein.
  • Das Bauelement wird anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:
  • 1 Erläuterungen zu den Euler-Winkeln bei einem Kristallschnitt;
  • 2 ein beispielhaftes mit GBAW arbeitendes Bauelement
  • Die Euler-Winkel sind anhand von 1 erläutert. Die Achsen des kristallphysikalischen Koordinatensystems (x, y, z) werden entlang der Kristall-Achsen (a, b, c) einer Elementarzelle des Einkristalls ausgerichtet. Der erste Euler-Winkel λ beschreibt eine Drehung des Koordinatensystems um die z-Achse, siehe 1. Das einmal gedrehte Koordinatensystem wird als (x', y', z) bezeichnet. Der zweite Euler-Winkel μ beschreibt eine Drehung des einmal gedrehten Koordinatensystems um die x'-Achse. Dabei übergeht man zum Koordinatensystem (x', y'', Z). Der dritte Euler-Winkel θ beschreibt eine Drehung des zweimal gedrehten Koordinatensystems um die Z-Achse. Die X-Achse des nun erhaltenen Koordinatensystems (X, Y, Z) ist in die als Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle vorgesehene Richtung ausgerichtet. Die akustische Welle breitet sich in der X,Y-Ebene aus, die auch als Schnittebene des Substrats bezeichnet wird. Die Z-Achse ist die Normale zu dieser Ebene.
  • In 2 ist ausschnittsweise ein Bauelement mit einem Wandler W1 gezeigt, in dem eine geführte akustische Volumenwelle – GBAW – anregbar ist.
  • Das erste Substrat S1 ist Lithiumtantalat mit einem der angegebenen Kristallschnitte. Auf dem ersten Substrat S1 ist eine Metallschicht MS angeordnet, die den Wandler W1 und eine elektrisch mit diesem verbundene Kontaktfläche KF1 aufweist. Der Wandler umfasst Elektroden E1, E2, wobei erste Elektroden E1 und zweite Elektroden E2 in Wellenausbreitungsrichtung X abwechselnd angeordnet sind. Sie erstrecken sich jeweils in der Lateralebene quer zu dieser Richtung.
  • Die Strukturen E1, E2, KF1 der Metallschicht sind mit einer Zwischenschicht ZS bedeckt, die mit der von diesen Strukturen frei bleibenden Oberfläche des ersten Substrats S1 abschließt. Die Zwischenschicht ZS ist mindestens so hoch wie diese Metallschicht.
  • Die Kontaktfläche KF1 ist mittels einer durch das zweite Substrat Si und die Zwischenschicht ZS durchgeführten Durchkontaktierung DK von außen kontaktierbar. Diese Durchkontaktierung stellt ein Loch dar, dessen Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt ist. Die Metallisierung liegt auch auf der frei liegenden Oberfläche des zweiten Substrats S2 auf und bildet einen Außenkontakt AE.
  • Das Bauelement ist nicht auf das in 2 gezeigte Beispiel begrenzt. Insbesondere sind Varianten möglich, die in den Patentanmeldungen DE 10 2005 055870.4 , DE 10 2005 055871.2 und DE 10 2005 055872.0 beschrieben sind.
  • AE
    Außenelektrode
    DK
    Durchkontaktierung
    E1, E2
    Elektroden
    KF1
    Kontaktfläche
    MS
    Metallschicht
    S1
    erstes Substrat
    S2
    zweites Substrat
    ZS
    Zwischenschicht
    X
    Wellenausbreitungsrichtung
    Y, Z
    Raumrichtungen
    x, x', y, y', y'', z
    Raumrichtungen
    λ
    erster Euler-Winkel
    μ
    zweiter Euler-Winkel
    θ
    dritter Euler-Winkel

Claims (15)

  1. Elektroakustisches Bauelement, das mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitet, – mit einem ersten Substrat (S1) aus einem Einkristall-LiTaO3, einem zweiten Substrat (S2), einer Metallschicht (MS) und einer Zwischenschicht (ZS), – wobei die Metallschicht (MS) zwischen dem ersten Substrat (S1) und der Zwischenschicht (ZS) angeordnet ist, – wobei die Zwischenschicht (ZS) zwischen der Metallschicht (MS) und dem zweiten Substrat (S2) angeordnet ist, – wobei der Kristallschnitt des Einkristall-LiTaO3 so gewählt ist, dass – für den ersten Eulerwinkel λ gilt: λ = 0°, – für den zweiten Eulerwinkel μ gilt: –100° ≤ μ ≤ –40°, – für den dritten Eulerwinkel θ gilt: –10° ≤ θ < 0°, θ = 0° oder 0° < θ ≤ 10°.
  2. Bauelement nach Anspruch 1, in dem eine horizontal polarisierte Scherwelle anregbar ist.
  3. Bauelement nach Anspruch 2, wobei gilt: –44° ≤ μ ≤ –64°.
  4. Elektroakustisches Bauelement, das mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitet, – mit einem ersten Substrat (S1) aus einem Einkristall-LiTaO3, einem zweiten Substrat (S2), einer Metallschicht (MS) und einer Zwischenschicht (ZS), – wobei die Metallschicht (MS) zwischen dem ersten Substrat (S1) und der Zwischenschicht (ZS) angeordnet ist, – wobei die Zwischenschicht (ZS) zwischen der Metallschicht (MS) und dem zweiten Substrat (S2) angeordnet ist, – wobei der Kristallschnitt des Einkristall-LiTaO3 so gewählt ist, dass – für den ersten Eulerwinkel λ gilt: λ = 0°, – für den zweiten Eulerwinkel μ gilt: –160° ≤ μ ≤ –130°, und – für den dritten Eulerwinkel θ gilt: –10° ≤ θ < 0°, θ = 0° oder 0° < θ ≤ 10°.
  5. Bauelement nach Anspruch 4, in dem eine Rayleigh-Welle anregbar ist.
  6. Bauelement nach Anspruch 5, wobei gilt: –146° ≤ μ ≤ –131°.
  7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, mit einer auf dem ersten Substrat angeordneten Metallschicht, die Elektroden zur Anregung einer akustischen Welle mit der Wellenlänge λ0 aufweist.
  8. Bauelement nach Anspruch 7, wobei die Metallschicht eine W-Schicht enthält.
  9. Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Metallschicht eine Al-Schicht enthält.
  10. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, – wobei die Zwischenschicht eine Planarisierungsschicht umfasst.
  11. Bauelement nach Anspruch 10, wobei die Zwischenschicht aus SiOx mit 1,6 ≤ x ≤ 2,1 ist.
  12. Bauelement nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Dicke der Zwischenschicht bezogen auf die Wellenlänge λ0 zwischen 20% und 200% beträgt.
  13. Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das zweite Substrat aus Si ist.
  14. Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das erste Substrat und das zweite Substrat jeweils eine Dicke von mindestens 10 λ0 aufweisen.
  15. Bauelement nach Anspruch 2, wobei gilt: –65° ≤ μ ≤ –85°.
DE102006019961A 2006-04-28 2006-04-28 Elektroakustisches Bauelement Expired - Fee Related DE102006019961B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006019961A DE102006019961B4 (de) 2006-04-28 2006-04-28 Elektroakustisches Bauelement
JP2009506913A JP5323681B2 (ja) 2006-04-28 2007-04-27 電気音響部品
PCT/DE2007/000765 WO2007124732A1 (de) 2006-04-28 2007-04-27 Elektroakustisches bauelement
US12/259,687 US7696674B2 (en) 2006-04-28 2008-10-28 Electroacoustic component operating with guided bulk acoustic waves

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006019961A DE102006019961B4 (de) 2006-04-28 2006-04-28 Elektroakustisches Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006019961A1 true DE102006019961A1 (de) 2007-10-31
DE102006019961B4 DE102006019961B4 (de) 2008-01-10

Family

ID=38372371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006019961A Expired - Fee Related DE102006019961B4 (de) 2006-04-28 2006-04-28 Elektroakustisches Bauelement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7696674B2 (de)
JP (1) JP5323681B2 (de)
DE (1) DE102006019961B4 (de)
WO (1) WO2007124732A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009121906A1 (de) * 2008-04-01 2009-10-08 Epcos Ag Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit mindestens einer dielektrischen schicht und ein elektrisches bauelement mit mindestens einer dielektrischen schicht

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008062605B4 (de) * 2008-12-17 2018-10-18 Snaptrack, Inc. Bauelement, welches mit akustischen Wellen arbeitet, und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5581739B2 (ja) 2009-04-14 2014-09-03 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
SI23531B (sl) * 2010-11-15 2019-06-28 Elan, D.O.O. Smučka z asimetričnimi karakteristikami
EP2688206B1 (de) 2011-03-14 2021-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelektrische vorrichtung und verfahren zur herstellung der piezoelektrischen vorrichtung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2802946A1 (de) * 1977-01-24 1978-08-03 Secr Defence Brit Schallwellen-einrichtung
US4328472A (en) * 1980-11-03 1982-05-04 United Technologies Corporation Acoustic guided wave devices
WO2002019522A1 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Sawtek Inc. Surface acoustic wave devices using non-symmetric optimized cuts of a piezoelectric substrate
DE102004037819A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
US20060055283A1 (en) * 2001-10-12 2006-03-16 Michio Kadota Surface acoustic wave device
DE102005055871A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
DE102005055872A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement
DE102005055870A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630779A (en) * 1979-08-22 1981-03-27 Hitachi Ltd Piezoelectric monocrystal and elastic surface wave element using the same
JPH09167936A (ja) * 1995-10-13 1997-06-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
JP3224202B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置
JPH10247835A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Kokusai Electric Co Ltd ラブ波型弾性表面波デバイス
KR100301322B1 (ko) * 1997-05-08 2001-09-22 니시무로 타이죠 탄성경계파디바이스및그제조방법
WO1998052279A1 (fr) * 1997-05-12 1998-11-19 Hitachi, Ltd. Dispositif a onde elastique
JP3485833B2 (ja) * 1999-03-25 2004-01-13 三洋電機株式会社 弾性表面波デバイス
US6661313B2 (en) 2001-10-25 2003-12-09 Sawtek, Inc. Surface acoustic wave devices using optimized cuts of lithium niobate (LiNbO3)
JP3780947B2 (ja) * 2002-01-18 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
FR2837636B1 (fr) * 2002-03-19 2004-09-24 Thales Sa Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium
JP3841053B2 (ja) * 2002-07-24 2006-11-01 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2004172990A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
DE10325281B4 (de) 2003-06-04 2018-05-17 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
WO2005036744A1 (ja) * 2003-10-10 2005-04-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
DE102004049498A1 (de) 2004-10-11 2006-04-13 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2802946A1 (de) * 1977-01-24 1978-08-03 Secr Defence Brit Schallwellen-einrichtung
US4328472A (en) * 1980-11-03 1982-05-04 United Technologies Corporation Acoustic guided wave devices
WO2002019522A1 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Sawtek Inc. Surface acoustic wave devices using non-symmetric optimized cuts of a piezoelectric substrate
US20060055283A1 (en) * 2001-10-12 2006-03-16 Michio Kadota Surface acoustic wave device
DE102004037819A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
DE102005055871A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
DE102005055872A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement
DE102005055870A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009121906A1 (de) * 2008-04-01 2009-10-08 Epcos Ag Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit mindestens einer dielektrischen schicht und ein elektrisches bauelement mit mindestens einer dielektrischen schicht
US8756796B2 (en) 2008-04-01 2014-06-24 Epcos Ag Method for producing an electric component
US9941858B2 (en) 2008-04-01 2018-04-10 Snaptrack, Inc. Electricoacoustic component with structured conductor and dielectric layer

Also Published As

Publication number Publication date
US7696674B2 (en) 2010-04-13
JP5323681B2 (ja) 2013-10-23
US20090108961A1 (en) 2009-04-30
DE102006019961B4 (de) 2008-01-10
WO2007124732A1 (de) 2007-11-08
JP2009535869A (ja) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10262056B4 (de) BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung
DE102004045181B4 (de) SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung
DE102011119660B4 (de) Mikroakustisches Bauelement mit Wellenleiterschicht
DE112012007215B4 (de) Elektroakustische Komponente
DE60008569T9 (de) Akustischer Grenzflächenwellenfilter insbesondere für drahtlose Übertragungssysteme
WO2007085237A1 (de) Elektroakustisches bauelement
DE102012111889B3 (de) Elektroakustischer Wandler
DE112014003430B4 (de) Kompositsubstrat und Verfahren zum Herstellen desselben
DE112012000503B4 (de) Oberflächenschallwellen-Bauelement
DE69023707T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung.
DE102018105290A1 (de) Schichtsystem, Herstellungsverfahren und auf dem Schichtsystem ausgebildetet SAW-Bauelement
DE102007012383B4 (de) Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement
DE10042915B9 (de) Akustooberflächenwellenbauelement und Kommunikationsgerät
WO2007059740A2 (de) Elektroakustisches bauelement
DE112014003731T5 (de) Bauelement für elastische Wellen, elektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements für elastische Wellen
WO2007124732A1 (de) Elektroakustisches bauelement
DE60301794T2 (de) Bauelement mit grenzflächenschallwellen aus lithiumtantalat
DE3031758C2 (de) Piezoelektrischer Einkristall und Oberflächenschallwellenelemente mit derartigen Einkristallen
DE102018113624A1 (de) Elektroakustischer Resonator und HF-Filter, das einen elektroakustischen Resonator umfasst
DE102006048879B4 (de) Elektroakustisches Bauelement
DE102012105286B4 (de) Mikroakustisches Bauelement mit TCF Kompensationsschicht
WO2000051233A2 (de) Substratplättchen aus langasit oder langatat
DE69714098T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE102010041973B4 (de) Bauelement auf der Basis akustischer Oberflächenwellen
WO2015162025A1 (de) Elektroakustisches bauelement und kristallschnitte für elektroakustische bauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee