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Die
Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchipstapel
innerhalb eines Gehäuses
und mit Leitungen, welche großflächige Kontaktbereiche
von Leistungshalbleiterbauteilkomponenten innerhalb des Gehäuses untereinander
elektrisch verbinden. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Leistungshalbleiterbauteil
mit Leistungsfeldeffekttransistoren in Brücken-, Parallel- oder Serienschaltung,
wobei das Leistungshalbleiterbauteil einen Basisleistungshalbleiterchip
mit großflächigen Außenelektroden
auf Ober- und Rückseite
aufweist, und mindestens einen gestapelten Halbleiterchip, als Leistungshalbleiterchip,
als Steuerchip und/oder als Logikchip trägt, der mit mindestens einer
großflächigen Elektrode
auf einer entsprechend großen
Außenelektrode
der Oberseite des Basisleistungshalbleiterchips oberflächenmontiert
ist.
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Aus
der Druckschrift
DE
196 35 582 C1 ist ein Leistungshalbleiterbauelement für Brückenschaltung
mit sogenannten High-Side-Schaltern
bzw. Low-Side-Schaltern bekannt, das einen ersten Basisleistungshalbleiterchip
aufweist, der einen vertikalen ersten Transistor enthält. Ein
weiterer zweiter Leistungshalbleiterchip mit einem zweiten vertikalen Transistor
ist auf dem ersten Basisleistungshalbleiterchip montiert, so dass
die Leitungsstrecken der beiden Transistoren über die oberflächenmontierten großflächigen Kontakte
in Serie geschaltet sind. Eine derartige Anordnung lässt sich,
wie es die
6 und
7 zeigen,
in einfacher Weise zu einer Vollbrücke erweitern.
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6 zeigt
die aus dem Stand der Technik bekannte Brückenschaltung 616 von
Leistungshalbleiterchips, wobei der Basisleistungshalbleiterchip 61 auf
einer sogenannten Kühlfläche 66 montiert
ist, und zwei sourceseitig voneinander isolierte Halbleiterschalter
H1 und H2 enthält.
Die beiden Drainanschlüsse
der Halbleiterschalter H1 und H2 bilden die Rückseite des Basisleistungshalbleiterchips 61,
die auf der Kühlfläche 66 montiert
ist. Auf den auf der Oberseite des Basisleistungshalbleiterchips 61 befindlichen
Sourceflächen
der beiden Transistoren H1 und H2 sind dann zwei weitere Leistungshalbleiterchips 62 und 63 gestapelt.
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Diese
gestapelten Leistungshalbleiterchips 62 und 63 weisen
jeweils weitere Leistungstransistoren L1 und L2 auf. Dazu sind die
Drainbereiche der Transistoren L1 und L2 auf den jeweiligen Sourcebereich
der Leistungstransistoren H1 und H2 montiert und bilden die Knotenpunkte 64 und 65,
die über
die jeweiligen Außenanschlüsse 610 und 614 anschließbar sind.
Die jeweiligen Sourcebereiche der Leistungstransistoren L1 und L2
sind über
die Außenanschlüsse 67 und 68 ebenfalls
durch Bondung kontaktierbar. Die Außenanschlüsse 69, 611, 613 und 615 dienen
der Ansteuerung der jeweiligen Transistoren H1, H2, L1 und L2 der
Vollbrücke 616.
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Eine
Realisierung der Brückenschaltung 616 zeigt
die 7, bei der die Brückenschaltung 616 in einem
oberflächenmontierbaren
Gehäuse 720 mit externen
Anschlüssen 722 angeordnet
ist. Dabei sind die beiden an der Oberfläche des Basisleistungshalbleiterbauteils 61 befindlichen
Sourceflächen
der Transistoren H1 und H2 größer, als
die auf ihnen montierten zweiten und dritten gestapelten Leistungshalbleiterchips 62 und 63.
Dadurch kann die Kontaktierung durch die Kontaktie rungsflächen an
den Knoten 64 und 65 auf einfache Weise mittels Bonddrähten 724 und 726 mit
den Außenanschlüssen 722 erfolgen.
Auch die Sourceflächen
der Halbleiterchips 62 und 63 werden ebenfalls
von oben durch Bonddrähte 723 und 725 mit
jeweiligen von außen
zugänglichen
Anschlüssen 722 verbunden.
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Bei
dieser Anordnung ist es von Nachteil, dass die Low-Side-Schalter L1 und L2,
die in den Leistungshalbleiterchips 62 und 63 enthalten
sind, in ihren Drainanschlussgrundflächen auf die Größe der jeweiligen
Sourcekontaktierflächen
der High-Side-Schalter H1 und H2 auf dem Basisleistungshalbleiterchip 61 angewiesen
sind. Somit lässt
der Basisleistungshalbleiterchip 61 auf seinen großflächigen Außenkontakten
keine großen
Variationsmöglichkeiten
zu, da die zu stapelnden Leistungshalbleiterchips in jedem Fall
im Stand der Technik über
die jeweiligen vorhandenen großflächigen Außenkontakte
oberflächenmontiert
werden. Auch die zulässige
Stromaufnahme der Brückenschaltungszweige
ist durch die begrenzte Größe der gestapelten
Leistungshalbleiterbauelemente 62 und 63 deutlich
eingeschränkt.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden
und ein Leistungshalbleiterbauteil mit einem Stapel aus Leistungshalbleiterchips
anzugeben, bei dem die Konstruktion und der Typ der gestapelten
Halbleiterchips nicht von der flächigen
Erstreckung einer Sourceelektrode oder einer Emitterelektrode eines
Leistungshalbleiterchips abhängig
ist, so dass sowohl der Typ des gestapelten Halbleiterchips als
auch die Anordnung und Größe der gestapelten
Halbleiterchips variiert werden kann.
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Diese
Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Erfindungsgemäß wird ein
Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchipstapel und mit
Leitungen innerhalb eines Gehäuses,
welche großflächige Kontaktbereiche
von Leistungshalbleiterbauteilkomponenten innerhalb des Gehäuses untereinander
elektrisch verbinden, geschaffen. Dazu weist mindestens eine der
Leitungen eine großflächige planare
Leitschicht auf, welche die großflächigen Kontaktbereiche
untereinander elektrisch verbindet.
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Ein
derartiges Leistungshalbleiterbauteil hat den Vorteil, dass nicht
nur Leistungsfeldeffekttransistoren in Brücken-, Parallel- oder Serienschaltung
stapelbar sind, sondern dass auf der großflächigen planaren Leitschicht
unterschiedliche Halbleiterchips gestapelt werden können, die
unterschiedliche Funktionen, wie Steuerfunktionen oder Logikfunktionen oder
Funktionen von Halbbrücken
und Brückenzweigen übernehmen.
Diese Leitschicht ersetzt auch die sonst üblichen Bonddrähte oder
Bondbänder,
welche bisher Abstände
mittels eines Bondbogens überwinden,
wie es die anliegende 7 entsprechend der oben zitierten
Druckschrift offenbart.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung überbrückt die
Leitschicht großflächig Abstände zwischen
den Komponenten auf einer planaren isolierenden Trägerschicht.
Eine derartige Leitschicht mit planarer isolierender Trägerschicht
hat den Vorteil, dass große
Abstände überbrückt werden können, die
sich zwischen den einzelnen Leistungshalbleiterbauteilkomponenten
ergeben, und zwischen denen elektrische Verbindungen herzustellen sind.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung weist der Halbleiterchipstapel in dem Leistungshalbleiterbauteil
einen Halbleiterchip auf, der mit seiner Rückseite auf der planaren Leitschicht
angeordnet ist. Damit liegt der Halbleiterchip mit seiner Rückseite
auf gleichem Potential wie die Leitschicht, sofern eine elektrisch
leitfähige,
stoffschlüssige
Verbindung zwischen der Rückseite
des Halbleiterchips und der Leitschicht vorliegt. Ein derartiger
Halbleiterchip kann auch mit seiner Rückseite isoliert auf die planare
Leitschicht aufgebracht werden, so dass die planare Leitschicht
lediglich als Träger
des gestapelten Halbleiterchips dient. In diesem Fall besteht die
stoffschlüssige
Verbindung aus einem isolierenden Klebstoff. Im Prinzip können auf
der planaren Leitschicht beliebig viele Halbleiterchips mit unterschiedlichen
Funktionen aufgebracht werden, da die planare Leitschicht nicht
allein auf die flächige Erstreckung
der Oberseite des Basisleistungshalbleiterchips begrenzt ist.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung ist die planare Leitschicht im Bereich des gestapelten
Halbleiterchips strukturiert, wobei die Struktur der planaren Leitschicht
einer Flip-Chip Anordnung des gestapelten Halbleiterchips angepasst
ist. Im Prinzip wird damit die planare Leitschicht zu einem Verdrahtungsmuster,
auf dem Halbleiterchips, die Flip-chip-Kontakte aufweisen, gestapelt sind.
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Weiterhin
ist es vorgesehen, dass der Halbleiterchipstapel als Basishalbleiterchip
einen Leistungshalbeiterchip aufweist, der auf seiner Oberseite und
auf seiner Rückseite
großflächige Elektroden
besitzt. Diese großflächigen Elektroden
können
im Fall eines Feldeffektleistungsbauteils eine Sourceelektrode und
eine Drainelektrode sein, und im Fall eines bipolaren Leistungstransistors
eine Emitterelektrode und eine Kollektorelektrode aufweisen.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung ist die Rückseitenelektrode
des Leistungshalbeiterchips auf einem großflächigen oberflächenmontierbaren
Außenkontakt
des Leistungshalbleiterbauteils angeordnet. Ein derartiger großflächiger und oberflächenmontierbarer
Außenkontakt
hat den Vorteil, dass über
einen derartigen Außenkontakt
die Verlustwärme
des Leistungshalbleiterchipstapels abgeführt werden kann. Ferner hat
es den Vorteil, dass eine Kühlfläche oder
eine Wärmesenke
von außen auf
dem Außenkontakt
montiert werden kann, um eine größere Verlustwärme abführen zu
können.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung weist die Oberseite des Basisleistungshalbleiterchips
eine großflächige zweite
Elektrode auf, die stoffschlüssig
mit der planaren Leitschicht verbunden ist. Damit ist der Vorteil
verbunden, dass nun die Leitschicht eine Potentialfläche bildet,
die bei stoffschlüssiger
elektrischer Verbindung mit der zweiten Elektrode des Basisleistungshalbleiterchips,
dieses Potential für
den gestapelten Halbleiterchip bereithält.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung überbrückt die
großflächige planare
Leitschicht Abstände
zwischen einer Flachleiterchipinsel und Außenrandkontakten auf einer
Randseite des Leistungshalbleiterbauteils. Dieses hat den Vorteil,
dass das Potential der zweiten Elektrode des Basisleistungshalbleiterchips über die
Leitschicht auf eine Mehrzahl von Außenrandkontakten gelegt werden kann,
ohne dass Bonddrahtverbindungen oder Bondbandverbindungen erforderlich sind.
Dazu kann die Leitschicht von einer isolierenden planaren Isolationsschicht
gestützt
werden.
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Weiterhin
ist es vorgesehen, dass die großflächige planare
Leitschicht der Randkontur eines Basisleistungshalbleiterchips des
Halbleiterchipstapels angepasst ist. Dabei kann auch die Randkontur durch
eine isolierende Stützschicht,
die zwischen Randkontur und angepasster Leitschicht angeordnet ist,
dafür sorgen,
dass Strukturen des Basisleistungshalbleiterchips nicht durch die
Leitschicht kurzgeschlossen werden.
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Weiterhin
ist es vorgesehen, dass der gestapelte Halbleiterchip ein Logik-
oder Steuerchip ist. Damit ist der Vorteil verbunden, dass beispielsweise Brückenschaltungen
zusätzlich
durch Logik- und Steuerchips ergänzt
werden können,
die ihrerseits auf der Leitschicht angeordnet sind, und das Potential
der zweiten Elektrode auf der Oberseite des Basisleistungshalbleiterchips
aufweisen.
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Für eine Brückenschaltung
weist das Leistungshalbleiterbauteil zwei nebeneinander angeordnete,
großflächige, planare
Leitschichten auf entsprechenden Sourceelektroden eines Basisleistungshalbleiterchips
mit zwei High-Side-Schaltern auf. Auf diesen zwei großflächigen planaren
Leitschichten sind entsprechend zwei Leistungshalbleiterchips als
Low-Side-Schalter
einer H-Brückenschaltung
angeordnet, wie sie aus dem Stand der Technik bekannt ist, jedoch
nun mit einer Leitschicht-Technologie, die einen zuverlässigeren
Aufbau ermöglicht,
im Gegensatz zu der aus dem Stand der Technik bekannten H-Brückenschaltung,
die Leitungen ausschließlich
aus Bonddrahtverbindungen aufweist. Die Anfälligkeit derartiger Bonddrahtverbindungen
ist hinreichend aus der einschlägigen
Literatur bekannt und wird nun durch die erfindungsgemäße Leitschicht überwunden,
so dass ein Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchipstapel
zur Verfügung
steht, der Leitungen innerhalb eines Gehäuses aufweist, die zuverlässiger sind,
als die bekannten Bondverbindungsleitungen in Band- oder Drahtform.
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Zusammenfassend
ist festzustellen, dass mittels der hier angegebenen Chip-on-Chip-Montage unter
Nutzung einer planaren Verbindungstechnik mittels einer Leitschicht,
die bisher im Stand der Technik vorhandene Chipflächenbegrenzung
aufhebt, da hier der gestapelte Halbleiterchip auf den Kontaktbereich
des darunter liegenden Basisleistungshalbleiterchips elektrisch
leitend oder isolierend angeordnet werden kann und die Leitschicht
beliebig über
die Komponenten eines Basisleistungshalbleiterbauteils erstreckt
werden kann. Auch ist mit der Leitschicht die Möglichkeit verbunden, eine mehrlagige
Anwendung der planaren Verbindungstechnik, oder aber eine Kombination
mit Drahtbond, Flipchip-Montage und Clipbond-Technik zu realisieren.
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Die
Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil,
einer ersten Ausführungsform
der Erfindung mit einem Halbleiterchipstapel;
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil
der ersten Ausführungsform
der Erfindung mit einem Basisleistungshalbleiterchip vor dem Aufbringen
eines gestapelten Halbleiterchips;
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3 zeigt
eine schematische Draufsicht auf den Basisleistungshalbleiterchip
gemäß 2;
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4 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil,
einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung mit einem Halbleiterchipstapel;
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5 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil,
einer dritten Ausführungsform
der Erfindung;
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6 zeigt
eine Prinzipskizze einer H-Brückenschaltung,
gemäß dem Stand
der Technik;
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7 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein oberflächenmontierbares Gehäuse mit
der Brückenschaltung
gemäß 6.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil 1,
einer ersten Ausführungsform
der Erfindung mit einem Halbleiterchipstapel 4 und mit
Leitungen 5 innerhalb eines Gehäuses 6. Diese Leitungen 5 verbinden
teilweise großflächige Kontaktbereiche 7 von
Leistungshalbleiterbauteilkomponenten 8 innerhalb des Gehäuses 6,
untereinander und mit Außenrandkontakten 22 auf
den Randseiten 23 des Gehäuses 6. Mindestens
eine dieser Leitungen 5 weist eine großflächige planare Leitschicht 9 auf.
Diese großflächige planare
Leitschicht 9 verbindet elektrisch die großflächigen Kontaktbereiche 7 untereinander
und überbrückt großflächig Abstände 10 zwischen
den Komponenten 8 auf einer planaren, isolierenden Trägerschicht 11.
Zu den Komponenten 8 gehören eine Flachleiterchipinsel 21 mit
einem großflächigen oberflächenmontierbaren
Außenkontakt 20,
auf dem ein Basisleistungshalbleiterchip 15 mit seiner
großflächigen Rückseitenelektrode 19 seiner
Rückseite 17 angeordnet
ist.
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In
dieser ersten Ausführungsform
der Erfindung werden mit der planaren Leitschicht 9 Außenrandkontakte 22 über den
Abstand 10 mit einer großflächigen Elektrode 18 auf
der Oberseite 16 eines Basisleistungshalbleiterchips 14 elektrisch
verbunden. Außerdem
ist die planare Leitschicht 9 in ihrer flächigen Erstreckung
so groß,
dass sie stoffschlüssig
mit der Rückseite 13 eines
gestapelten Halbleiterchips 12 verbunden werden kann. Soll
diese Rückseite 13 auf
das Potential der Leitschicht 9 gelegt werden, so wird
die Rückseite 13 des
gestapelten Halbleiterchips 12 über eine leitende Schicht mit
der Leitschicht 9 elektrisch verbunden, während bei
einer Potentialtrennung der Rückseite 13 von
der Leitschicht 9 auch ein isolierender Kleber zur stoffschlüssigen Verbindung
des gestapelten Halbleiterchips 12 auf dem Basisleistungshalbleiterchip 14 eingesetzt werden
kann.
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In
dieser Ausführungsform
der Erfindung weist der gestapelte Halbleiterchip 12 auf
seiner aktiven Oberseite 25 Kontaktflächen 26 auf, die teilweise ebenfalls
mit dem Potential der Leitschicht 9 verbunden werden sollen.
Dieses geschieht über
entsprechende Bonddrähte 27,
welche die Kontaktflächen 26 des
gestapelten Halbleiterchips 12 mit der Leitschicht 9 verbinden.
Im Prinzip können
auf dieser großflächigen planare
Leitschicht 9 auch weitere Halbleiterchips angeordnet werden,
die weitere Funktionen übernehmen.
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil 1 der
ersten Ausführungsform
der Er findung mit einem Basisleistungshalbleiterchip 14 vor
dem Aufbringen eines gestapelten Halbleiterchips. Die oberste Komponente
dieses Aufbaus ist die großflächige planare
Leitschicht 9, die einerseits die großflächige Elektrode 18 des
Basisleistungshalbleiterchips 14 stoffschlüssig bedeckt
und die andererseits an die Randkontur 24 dieses Leistungshalbleiterchips 15 derart
angepasst ist, dass sie dieser Randkontur 24, welche durch
eine isolierende Trägerschicht 11 verstärkt ist,
folgt. Die isolierende Trägerschicht 11 überbrückt auch
einen Abstand 10 mit der Leitschicht 9, die dann
die großflächige Elektrode 18 mit
Außenrandkontakten 23 des
Gehäuses
verbindet. Auch dieser Bereich ist planar ausgebildet und kann bei
Bedarf weitere Halbleiterchips eines Halbleitermoduls tragen.
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3 zeigt
eine schematische Draufsicht auf den Basisleistungshalbleiterchip 14 gemäß 2,
wobei eine gestrichelte Linie 28 die Umrisse des späteren Kunststoffgehäuses angibt.
Auf der großflächigen Leitschicht 9 ist
in dieser Phase der Herstellung noch kein Halbleiterchip angeordnet
und ferner wird mit dieser Darstellung gezeigt, dass eine Vielzahl
von Halbleiterchips unterschiedlichen Typs auf der großflächigen Leitschicht 9 stapelbar
sind. Neben der Leitschicht 9, die der Kontur des Basisleistungshalbleiterchips 14 folgt
und sich bis zu den Außenrandkontakten 22 erstreckt,
ist in dieser Darstellung eine schmale Leiterbahn 29 aus
Leitschichtmaterial zu sehen, die sich von einer Gateelektrode 30 auf
der Oberseite 16 des Basisleistungshalbleiterchips 14 zu
einer Kontaktanschlussfläche 31 eines Außenrandkontaktes 22 erstreckt.
Die Leitschicht 9 wird von einer großflächigen planare isolierenden Trägerschicht 11 getragen,
die bereits vor der großflächigen Leitschicht 9 auf
die Komponenten 8 des Leistungshalbleiterbauteils 1 aufgebracht
wird.
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4 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil 2,
einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung mit einem Halbleiterchipstapel 4. Komponenten
mit gleichen Funktionen wie in der ersten Ausführungsform der Erfindung werden
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Auch
diesmal ist der Halbleiterchip 12 mit seiner Rückseite 13 auf der
Leitschicht 9 aufgebracht und über die gesamte Leitschicht
und die Oberseite 25 des gestapelten Halbleiterchips 12 ist
eine breite Isolationsschicht 32 aufgebracht, die wiederum
großflächig und
planar ist, sodass auf ihr eine weitere Metallverdrahtung 34 angebracht
werden kann. Von der Metallverdrahtung 34 führen Durchkontakte 33 zu
den Kontaktflächen 26 auf
der aktiven Oberseite 25 des gestapelten Halbleiterchips 12.
Somit kommt diese zweite Ausführungsform
der Erfindung vollständig
ohne Bondverbindungen aus.
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5 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiterbauteil 3,
einer dritten Ausführungsform
der Erfindung. Auch hier werden Komponenten mit gleichen Funktionen
wie in den vorhergehenden Ausführungsformen
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der
Unterschied der dritten Ausführungsform
zu den vorhergehenden Ausführungsformen liegt
darin, dass die Leitschicht 9 derart strukturiert ist,
dass sie Metallkontakte 35 aufweist, die in Anordnung und
Größe an die
Anordnung und Größe von Flipchip-Kontakten 36 eines
gestapelten Halbleiterchips 12 angepasst sind. Mit den
unterschiedlichen Ausführungsformen
1 bis 3 wird gezeigt, dass mit der Leitschicht 9 die Möglichkeit
gegeben ist, eine Vielzahl unterschiedlicher Halbleiterchips auf
der Leitschicht 9 zu stapeln, so dass neben der in 6 gezeigten
Brückenschaltungen
auch andere Funktionen verwirklicht werden können.
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- 1
- Leistungshalbleiterbauteil
(1. Ausführungsform)
- 2
- Leistungshalbleiterbauteil
(2. Ausführungsform)
- 3
- Leistungshalbleiterbauteil
(3. Ausführungsform)
- 4
- Halbleiterchipstapel
- 5
- Leitungen
- 6
- Gehäuse
- 7
- großflächiger Kontaktbereich
- 8
- Leistungshalbleiterbauteilkomponente
- 9
- großflächige planare
Leitschicht
- 10
- Abstand
- 11
- planare
isolierende Trägerschicht
- 12
- Halbleiterchip
- 13
- Rückseite
des Halbleiterchips
- 14
- Basisleistungshalbleiterchip
- 15
- Leistungshalbleiterchip
- 16
- Oberseite
des Leistungshalbleiterchips
- 17
- Rückseite
des Leistungshalbleiterchips
- 18
- großflächige Elektrode
(zweite)
- 19
- großflächige Rückseitenelektrode
(erste)
- 20
- Außenkontakt
(großflächig, oberflächenmontierbar)
- 21
- Flachleiterchipinsel
- 22
- Außenrandkontakt
- 23
- Randseite
- 24
- Randkontur
des Leistungshalbleiterchips
- 25
- aktiven
Oberseite eines gestapelten Halbleiterchips
- 26
- Kontaktfläche des
gestapelten Halbleiterchips
- 27
- Bonddraht
- 28
- gestrichelte
Linie
- 29
- Leiterbahn
- 30
- Gateelektrode
- 31
- Kontaktanschlussfläche
- 32
- zweite
Isolationsschicht
- 33
- Durchkontakt
- 34
- Metallverdrahtung
- 35
- Metallkontakt
- 36
- Flipchip-Kontakt
- 61
- Basisleistungshalbleiterchip
- 62
- Leistungshalbleiterchip
- 63
- Leistungshalbleiterchip
- 64
- Knotenpunkt
- 65
- Knotenpunkte
- 66
- Kühlfläche
- 67
- Außenanschluss
- 68
- Außenanschluss
- 69
- Außenanschluss
- 610
- Außenanschluss
- 611
- Außenanschluss
- 613
- Außenanschluss
- 614
- Außenanschluss
- 615
- Außenanschluss
- 616
- Brückenschaltung
- 720
- Gehäuse
- 722
- Anschlüsse (extern)
- 723
- Bonddraht
- 724
- Bonddraht
- 725
- Bonddraht
- 726
- Bonddraht
- H1
- High-Side-Schalter
- H2
- High-Side-Schalter
- L1
- Low-Side-Schalter
- L2
- Low-Side-Schalter