DE102005027356A1

DE102005027356A1 - Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE102005027356A1
Application number: DE102005027356A
Authority: DE
Inventors: Khalil Dr. Hosseini; Alexander Koenigsberger; Ralf Dipl.-Phys./ Dipl.-Ing. Otremba; Joachim Dr. Mahler; Xaver Dipl.-Ing. Schloegel; Klaus Dipl.-Ing. Schiess
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2005-06-13
Filing date: 2005-06-13
Publication date: 2006-12-28
Anticipated expiration: 2025-06-14
Also published as: WO2006133664A1; DE102005027356B4; US20080150105A1; US7728415B2

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterleistungsbauteilstapel (1) in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten (33) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist der Halbleiterleistungsbauteilstapel (1) mindestens zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) auf, die jeweils eine Oberseite (4, 6) und eine Unterseite (5, 7) haben. Dabei weist die Unterseite (5, 7) eine Drainaußenkontaktfläche, eine Sourceaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche auf. Die Oberseite (4, 6) weist mindestens eine Sourceaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche auf. Die Gateaußenkontaktflächen (10, 12) auf der Oberseite (4, 6) und der Unterseite (5, 7) stehen elektrisch miteinander in Verbindung. Der Halbleiterleistungsbauteilstapel (1) ist eine Serienschaltung oder eine Parallelschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) in einer Kunststoffgehäusemasse (31).

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Oberflächenmontierbare Halbleiterleistungsbauteile werden in der Patentanmeldung DE 10 2005 011 159.3 beschrieben. Derartige oberflächenmontierbare Leistungsbauteile weisen auf ihrer Unterseite einen großflächigen Drainkontakt und zwei großflächige Sourcekontakte sowie einen kleinflächigen Gatekontakt und auf der Oberseite einen großflächigen Source-Kontakt auf.

Diese oberflächenmontierbaren Leistungshalbleiterbauteile sind dennoch nicht stapelbar, da weder die Geometrie der Oberflächenkontakte für Source, Drain und Gate aufeinander abgestimmt sind, noch auf der Oberseite ein stapelbarer Gatekontakt vorhanden ist. Somit müssen derartige Leistungshalbleiterbauteile zur Sperrspannungserhöhung nebeneinander in Serie auf einer übergeordneten Schaltungsplatine montiert werden, wodurch ein erheblicher Flächenbedarf auf der Schaltungsplatine erforderlich ist. Auch eine Parallelschaltung derartiger MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile auf einer übergeordneten Schaltungsplatine erfordert ebenfalls ein nebeneinander Anordnen derartiger MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile, die dann über ihre oberflächenmontierbaren Außenkontakte mit Hilfe der oberflächenbestückbaren Schaltungsplatine parallel geschaltet werden können.

Aufgabe der Erfindung ist es, den Flächenbedarf von Serienschaltungen und Parallelschaltungen von MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten zu verringern, um eine höhere Packungsdichte auf den übergeordneten Schaltungsplatinen zu erreichen.

Diese Aufgabe wird mit den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen geschaffen, wobei der Halbleiterleistungsbauteilstapel mindestens zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile aufweist, die jeweils eine Oberseite und eine Unterseite besitzen. Dazu weist die Unterseite eine Drainaußenkontaktfläche, eine Sourceaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche auf.

Die Oberseiten der gestapelten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile weisen mindestens eine Sourceaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche auf, wobei die Gateaußenkontaktflächen auf der Oberseite und auf der Unterseite elektrisch miteinander in Verbindung stehen. Auch die Sourceaußenkontaktflächen auf der Oberseite und auf der Unterseite stehen elektrisch miteinander in Verbindung. Derartige MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile werden zu einem Leistungshalbleiterbauteilstapel in Serienschaltung oder in Parallelschaltung übereinander angeordnet, so dass eine höhere Schaltungsdichte für ein übergeordnetes Schaltungssubstrat erreicht werden kann.

Ein derartiger Halbleiterleistungsbauteilstapel hat nicht nur den Vorteil eines geringeren Flächenbedarfs, sondern auch den Vorteil einer höheren Zuverlässigkeit der in dieser Form aufgebauten Serien- und Parallelschaltungen, zumal zwischen den MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen keine Verbindungsleitungen entlang einer Schaltungsplatine gelegt werden müssen.

Dieses vereinfacht auch das Design der übergeordneten Schaltungsplatine, so dass eine Komprimierung der Leistungsdichte erreicht werden kann.

Durch die Nutzung der elektrischen Gatekontaktstellen an der Oberseite und auf der Unterseite des Gehäuses ist eine Steigerung der dreidimensionalen Montage für Serien- und Parallel-Schaltungen aufeinandergestapelten Gehäuse möglich. Damit wird die Erhöhung einer Integrationsdichte bei gleichbleibendem Grundriss möglich, das heißt, ein komplexerer Halbleiterbauteilaufbau mit nebeneinander angeordneten Leistungshalbleiterbauteilen auf einer übergeordneten Schaltungsplatine ist nicht mehr notwendig. Gleichzeitig werden verbesserte elektrische Eigenschaften erreicht, zumal die Verbindungsleitungen für Serien- und Parallelschaltungen auf einer übergeordneten Schaltungsplatine entfallen.

Mit einer gestapelten Serienschaltung kann die Steigerung der elektrischen Sperrfähigkeit erreicht werden, wobei hier der Sourceaußenkontakt des einen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils mit dem Drainaußenkontakt des anderen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils verbunden wird. Dazu können die Bauteile aufeinander gelötet werden, oder aufeinander geklemmt werden. Eine Parallelschaltung dient zur Reduzierung der elektrischen Verluste, wobei hier entweder die beiden Source- oder auch die beiden Drainaußenkontakte der gestapelten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile miteinander verbunden werden.

Während bei der Serienschaltung beliebig viele MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten auf ihren Oberseiten und Unterseiten aufeinander gestapelt werden können, müssen bei einer Parallelschaltung von zwei oder mehr MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen auf einem Stapel Zwischenkontakte in Zwischenebenen eingefügt werden.

Bei einer Serienschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile weisen diese auf ihrer Unterseite mindestens eine Drainaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche und auf ihrer Oberseite mindestens eine Sourceaußenkontaktfläche und eine Gateaußenkontaktfläche auf. Auf der Zwischenebene des Halbleiterleistungsbauteilstapels wird die Sourceaußenkontaktfläche des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils mit der Drainaußenkontaktfläche des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils oberflächenmontiert, und die Gateaußenkontaktflächen beider gestapelter MOSFETs werden elektrisch miteinander verbunden. Dabei kann die Sourceaußenkontaktfläche auf der Unterseite des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils, die nicht für die Serienschaltung benötigt wird, durch eine Isolationsfolie geschützt werden. Durch diesen Leistungshalbleiterbauteilstapel wird die Sperrfähigkeit zwischen der unteren Sourceelektrode des untersten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils und der Drainelektrode des obersten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils in vorteilhafter Weise praktisch verdoppelt.

Solange jedoch nur zwei Elektrodenflächen in der Zwischenebene aufeinander stapelbar sind und nicht alle drei Elektroden eines MOSFET-Leistungshalbleitertransistors in der Zwischenebene zur Verfügung stehen, so lange muss entweder die Sourceelektrode und/oder die Drainelektrode von der Oberseite auf die Ebene der übergeordneten Schaltungsplatine zurückgeführt werden, was durch ein entsprechendes Leitungsband erfolgen kann. Mit Hilfe eines solchen Leitungsbandes wird die oberste Elektrode, die nicht in der Zwischenebene zur Verfügung steht, über das Leitungsband mit einer entsprechenden Kontaktanschlussfläche der übergeordneten Schaltungsplatine elektrisch verbunden.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass bei einer Parallelschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile die Unterseite und die Oberseite entweder beide eine Drainaußenkontaktfläche oder beide eine Sourceaußenkontaktfläche und jeweils eine Gateaußenkontaktfläche aufweisen. Dabei sind auf der Zwischenebene des Halbleiterleistungsbauteilstapels zwei Sourceaußenkontaktflächen oder zwei Drainaußenkontaktflächen, sowie zwei Gateaußenkontaktflächen des unteren und des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils miteinander elektrisch verbunden. Auch bei diesem Leistungshalbleiterbauteilstapel ist ein Leitungsband auf der Oberseite des Leistungshalbleiterbauteilstapels erforderlich, wenn auf der Zwischenebene lediglich zwei der drei oberflächenmontierbare Elektroden eines MOSFET-Leistungstransistors vorgesehen sind.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist eine Flachleiter-Chipinsel die Drainaußenkontaktfläche auf, auf der ein Rückseiten-Chipkontakt eines Leistungshalbleiterbauteilchips angeordnet ist, und stoffschlüssig mit der Flachleiter-Chipinsel verbunden ist. Dieser Aufbau hat den Vorteil, dass die Flachleiter-Chipinsel praktisch gleichzeitig den oberflächenmontierbaren Drainaußenkontakt darstellt.

Weiterhin ist es vorgesehen, dass eine Flachleiter-Gateelektrode die Gateaußenkontaktfläche auf der Unterseite aufweist, wobei auf der Flachleiter-Gateelektrode stoffschlüssig ein Gatedurchkontaktelement angeordnet ist, das auf seiner Oberseite die Gateaußenkontaktfläche der Oberseite eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils aufweist. Durch dieses Gatedurchkontaktelement wird erreicht, dass sowohl auf der Unterseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils, als auch auf der Oberseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils eine Gateaußenkontaktfläche jeweils zur Verfügung steht.

Weiterhin ist es vorgesehen, dass eine Flachleiter-Sourceelektrode die Sourceaußenkontaktfläche auf der Unterseite aufweist, wobei auf der Flachleiter-Sourceelektrode stoffschlüssig ein Source-Durchkontaktelement angeordnet ist, das auf seiner Oberseite die Sourceaußenkontaktfläche der Oberseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils aufweist. Dadurch wird in vorteilhafter Weise gewährleistet, dass sowohl auf der Unterseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils, als auf der Oberseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils jeweils eine Sourceaußenkontaktfläche zur Verfügung steht. Das Sourcedurchkontaktelement ist dementsprechend geformt.

Als stoffschlüssige Verbindung weist das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung eine leitfähige Klebstoffverbindung auf. Ferner kann das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil als stoffschlüssige Verbindung eine eutektische Lötverbindung aufweisen. Schließlich ist es auch möglich, als stoffschlüssige Verbindung eine Diffusionslötverbindung einzusetzen und darüber hinaus besteht die Möglichkeit, als stoffschlüssige Verbindung eine leitende Klebstofffolie einzusetzen. Ferner können auch Lotpastenverbindungen für die stoffschlüssige Verbindung inner halb des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils verwendet werden. Demnach ist die stoffschlüssige Verbindung eine optimierbare Möglichkeit, beispielsweise das Gatedurchgangselement auf der Flachleiter-Gateelektrode zu fixieren.

Auch stehen die obigen stoffschlüssigen Verbindungsmöglichkeiten zur Verfügung, um beispielsweise den Leistungshalbleiterchip mit seiner Drainelektrode auf der Flachleiter-Chipinsel zu fixieren und schließlich kann das Sourcedurchkontaktelement auf der Sourceelektrode des Leistungshalbleiterchips stoffschlüssig mit den oben erwähnten Möglichkeiten in vorteilhafter Weise fixiert werden.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der Leistungshalbleiterchip in dem MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil derart angeordnet, dass die Rückseiten-Chipelektrode über die Flachleiter-Chipinsel frei zugänglich ist. Durch diese freie Zugänglichkeit bildet praktisch die Flachleiter-Chipinsel die Drainaußenkontaktfläche des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils. Darüber hinaus kann die Rückseiten-Chipelektrode des Leistungshalbleiterchips einen Metallblock aufweisen, welcher in einer flächigen Erstreckung der Rückseiten-Chipelektrode angepasst ist und als Wärmesenke dient. Dabei ist eine Fläche des Metallblockes von außen zugänglich, und bildet die auf der Unterseite befindliche Drainaußenkontaktfläche des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils. Durch den Metallblock, der gleichzeitig als Wärmesenke dient, wird darüber hinaus gewährleistet, dass die Verlustleistung sicher und zuverlässig von dem Gehäuse des Halbleiterleistungsbauteilstapels abgeleitet wird.

Ein Verfahren zur Herstellung mehrerer MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile in Flachleitertechnik mit einem Leistungshalb leiterchip und anschließendem Stapeln zu seriell- oder parallelgeschalteten Halbleiterleistungsbauteilstapeln weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf.

Zunächst werden einzelne Leistungshalbleiterchips mit einer gemeinsamen großflächigen Sourceelektrode und einer gemeinsamen Gateelektrode von MOSFET-Strukturen auf der Oberseite des Leistungshalbleiterchips und mit einer großflächigen Rückseitenelektrode als Drainelektrode des Leistungshalbleiterchips hergestellt, wobei die flächige Erstreckung der Drainelektrode der Größe der Rückseite des Leistungshalbleiterchips entspricht. Ferner wird ein Flachleiterrahmen mit einer Flachleiter-Chipinsel, mindestens einer Flachleiter-Sourceelektrode und mindestens einer Flachleiter-Gateelektrode in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen bereitgestellt. Anschließend werden stoffschlüssig die Drainelektroden der Leistungshalbleiterchips mit Flachleiter-Chipinseln des Flachleiterrahmens verbunden. Daraufhin erfolgt ein stoffschlüssiges Verbinden eines Gatedurchkontaktelements, das eine Gateaußenkontaktfläche für die Oberseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils aufweist, mit der Flachleiter-Gateelektrode des Flachleiterrahmens und der Gateelektrode auf der Oberseite des Leistungshalbleiterbauteilchips stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden.

Nach dieser Montage des Gatedurchkontaktelementes steht nun eine Gateaußenkontaktfläche sowohl auf der Unterseite, als auch auf der Oberseite des künftigen Leistungshalbleiterbauteils in jeder der Leistungshalbleiterbauteilpositionen des Flachleiterrahmens zur Verfügung. Danach oder vorher wird stoffschlüssig ein Sourcedurchkontaktelement, das die Sourceaußenkontaktfläche der Oberseite des jeweiligen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils aufweist, mit der Flachleiter- Sourceelektrode des Flachleiterrahmens und der Sourceelektrode des Leistungshalbleiterchips verbunden. Damit steht auch eine Sourcekontaktfläche sowohl auf der Unterseite des künftigen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils, als auch auf der Oberseite des künftigen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils zur Verfügung. Anschließend werden die bisher zusammengebauten Komponenten der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile des Flachleiterrahmens in eine Kunststoffgehäusemasse, unter Freilassen der Source- und Gateaußenkontaktflächen auf der Oberseite und der Drain-, Source- und Gateaußenkontaktflächen auf der Unterseite des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen des Flachleiterrahmens verpackt. Anschließend können jeweils mindestens zwei der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile zu seriell- oder parallelgeschalteten Halbleiterleistungsbauteilstapeln unter stoffschlüssiger Oberflächenmontage der entsprechenden Außenkontaktflächen der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile aufeinander gestapelt werden.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass es ausgehend von der Herstellung mehrerer MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile auf einem gemeinsamen Flachleiterrahmen nach dem Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile, nun eine Möglichkeit liefert, sowohl seriell, als auch parallel derartige MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile aufeinander zu stapeln, um dadurch eine höhere Leistungsdichte und einen geringeren Flächenbedarf zu erreichen. Für das stoffschlüssige Verbinden der Außenkontaktflächen der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile übereinander kann ein Klebeverfahren mit einem Leitkleber eingesetzt werden, oder ein Diffusionslötverfahren verwendet werden. Ferner können eutektische Lote zum Einsatz kommen, oder auch Lotverbindungen mit Hilfe von Metallpasten durchgeführt werden. Zum Verpacken des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils in eine Kunststoffgehäusemasse wird vorzugsweise ein Spritzgussverfahren eingesetzt.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
1 zeigt eine schematische, aufgeklappte, perspektivische Ansicht von zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen für einen seriell geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel;
2 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht eines seriell geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels;
3 zeigt eine schematische, aufgeklappte, perspektivische Ansicht von zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen für einen parallel geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel;
4 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht eines parallel geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels;
5 bis 11 zeigen schematische, perspektivische Ansichten von Komponenten eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung für einen Halbleiterleistungsbauteilstapel, gemäß 2 oder 4;
5 zeigt eine schematische, perspektivische Struktur von Flachleiter-Außenkontakten des MOSFET-Lei stungshalbleiterbauteils eines Flachleiter-Montagestreifens;
6 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 5, nach Aufbringen eines Leistungshalbleiterbauteilchips;
7 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 6, nach Aufbringen eines Source-Durchkontaktelementes;
8 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 7, nach Aufbringen eines Gate-Durchkontaktelementes;
9 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht nach Einbetten der Struktur, gemäß 8, in eine Kunststoffgehäusemasse;
10 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Oberseite des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils für einen Halbleiterleistungsbauteilstapel;
11 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Unterseite des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils für einen Halbleiterleistungsbauteilstapel;
12 bis 16 zeigen schematische, perspektivische Ansichten von Komponenten eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel gemäß 2 oder 4;
12 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht einer Struktur von Außenkontakten des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils eines Flachleiter-Montagestreifens;
13 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht einer Struktur gemäß 12 mit einem aufgebrachten Leistungshalbleiterchip;
14 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 13, mit einem aufgebrachten Source-Durchkontaktelement und einem Gate-Durchkontaktelement;
15 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Oberseite des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel;
16 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Unterseite des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel.
1 zeigt eine schematische, aufgeklappte, perspektivische Ansicht von zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen 2 und 3, für einen seriell geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel 1, der in 2 gezeigt wird. In dieser aufgeklappten, perspektivischen Ansicht ist die Zwischenebene 14 zwischen dem unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil 2 und dem oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil 3 mit seiner Oberseite 6 und seiner Unterseite 7 zu sehen. Um einen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel zu bilden, wird eine Drainaußenkontaktfläche 8 auf der Oberseite 4 des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 mit einer Sourceaußenkontaktfläche 11 des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 3, die hier im aufgeklappten Zustand zu sehen sind, aufeinander gelötet, wobei gleichzeitig die hier sichtbaren Gateaußenkontaktflächen 12 des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 und des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 3 kongruent aufeinander zu einem seriell geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel 1, wie ihn 2 zeigt, gelötet werden.
2 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht eines seriell geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 1, wobei auf der Oberseite 13 des Halbleiterleistungsbauteilstapels 1 ein großflächiger Drainkontakt D angeordnet ist, der über ein Leitungsband 32 auf das Niveau der Unterseite 5 des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 geführt wird. Dieses Leitungsband 32 ist nur dann erforderlich, wenn intern über die in 1 gezeigte Zwischenebene 14 kein Draindurchkontaktelement geführt werden kann. Der auf der Oberseite 13 des seriell geschalteten Halbleiterleistungsbauteilstapels 1 gezeigte Gateaußenkontakt G ist über ein entsprechendes Gatedurchkontaktelement auch in der Zwischenebene 14 vorhanden und über die Zwischenebene 14 auf der Unterseite 5 des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 angeordnet. Das gleiche gilt für den auf der Oberseite 13 des Halbleiterleistungsbauteilstapels 1 angeordneten Sourceaußenkontakt S, der ebenfalls über ein Sourcedurchkontaktelement auf einer Flachleitersourceelektrode und schließlich auf der Unterseite 5 des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 zur Verfügung steht.
3 zeigt eine schematische, aufgeklappte, perspektivische Ansicht von zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilen 2 und 3 für einen parallel geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel 30, der in 4 gezeigt wird. In diesem Falle sind in der Zwischenebene 14 für einen parallel geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel zwei Sourceelektroden S kongruent übereinander angeordnet, und zwei Gateaußenkontakte G ebenfalls kongruent zueinander ausgerichtet. Für eine Parallelschaltung werden die beiden Source- und die beiden Gateaußenkontakte in der Zwischenebene 14 aufeinandergeklappt und über eine Lötschicht miteinander elektrisch verbunden. Daraus ergibt sich dann der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapel 30, der in 4 gezeigt wird.
4 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht eines parallel geschalteten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 30, der auf seiner Oberseite einen Drainaußenkontakt D, einen Sourceaußenkontakt S und einen Gateaußenkontakt G aufweist. Dabei sind der Gateaußenkontakt G und der Sourceaußenkontakt S über die Zwischenebene 14 bis hinunter auf die Unterseite 5 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 30 durchgeschleift, während für den Drainaußenkontakt D auf der Oberseite 13 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 30 ein Leitungsband 32 vorgesehen ist, um den Drainaußenkontakt D von der Oberseite 13 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 30 auf das Niveau der Unterseite 5 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteilstapels 30 zu führen. Wenn auch in der Zwischenebene 14, wie sie in 3 gezeigt wird, zusätzlich zu den Sourceaußenkontakten S und den Gateaußenkontakten G entsprechende Drainaußenkontakte vorgesehen werden, so kann auf das Leitungsband 32 bei einer Serienschaltung verzichtet werden.
5 bis 11 zeigen schematische, perspektivische Ansichten von Komponenten eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2, einer ersten Ausführungsform der Erfindung, für einen Halbleiterleistungsbauteilstapel 1 oder 30, gemäß 2 bzw. 4. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und in den 5 bis 11 nicht extra erörtert.
5 zeigt eine schematische, perspektivische Struktur von Flachleiter-Außenkontakten 33 eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils eines Flachleiter-Montagestreifens mit mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen. Ein derartiger Montagestreifen weist eine Vielzahl derartiger Strukturen von Außenkontakten 33 auf, die in Zeilen und Spalten auf dem Montagestreifen für eine Vielzahl von Leistungshalbleiterbauteilen angeordnet sind. Die Außenkontakte 33 sind in dieser Ausführungsform der Erfindung derart angeordnet, dass in der Mitte eine großflächige Flachleiter-Chipinsel 15 angeordnet ist, die auf ihrer Unterseite 5 eine Drainaußenkontaktfläche 8 aufweist und auf ihrer Oberseite den Rückseiten-Chipkontakt eines Leistungshalbleiterchips aufnehmen kann. Auf zwei gegenüberliegenden Seiten sind zwei Außenkontakte 33 angeordnet, die auf Ihrer Unterseite eine Sourceaußenkontaktfläche 9 aufweisen. Schließlich ist in einer Ecke der Struktur ein Außenkontakt 33 mit einer Gateaußenkontaktfläche 10 auf seiner Unterseite 5 vorgesehen. Diese Struktur von Außenkontakten 33 bildet mit ihren Oberseiten eine innere Gehäuseebene 34 aus, und ist mit ihren Unterseiten 5 auf der Gehäuseunterseite angeordnet.
6 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 5, nach Aufbringen eines MOSFET-Leistungshalbleiterchips 17. Der MOSFET-Leistungshalbleiterchip 17 wird mit seiner Rückseite 16, die eine Drainkontaktfläche aufweist, auf die vorbereitete Flachleiter-Chipinsel 15 des Flachleiter-Montagerahmens montiert. Bei dieser Montage wird eine flächige Verbindungsschicht zwischen dem Rückseiten-Chipkontakt 16 des Leistungshalbleiterchips 17 und der Flachleiter-Chipinsel 15 angebracht, die einen Leitklebstoff, ein Weichlot, ein Diffusionslot oder eine Lotpaste aufweisen kann. Die Oberseite 28 des Leistungshalbleiterchips 17 weist Oberseitenchipelektroden 25 auf, wobei eine großflächige Sourceelektrode 26 bei dieser Ausführungsform des Leistungshalbleiterchips 17 und eine kleinere Gateelektrode 27 auf der Oberseite 28 angeordnet sind. Die Rückseite 29 des Leistungshalbleiterchips 17 wird im wesentlichen von der dort befindlichen Drainelektrode in Anspruch genommen.
7 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 6, nach Aufbringen eines Source-Durchkontaktelementes 23 auf Flachleiter-Sourceelektroden 22 mit den Sourceaußenkontaktflächen 9 auf seiner Unterseite und der Sourceaußenkontaktfläche 11 auf seiner Oberseite 24. Dazu ist das Sourcedurchkontaktelement 23 u-förmig ausgebildet, wobei das Sourcedurchkontaktelement 23 in seinem Mittenbereich mit der Sourceelektrode 26 des Leistungshalbleiterbauteilchips 17 stoffschlüssig verbunden ist.
8 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 7, nach Aufbringen eines Gate-Durchkontaktelementes 19 auf eine Flachleiter-Gateelektrode 18 mit der Gateaußenkontaktfläche 10. Dieses Gatedurchkontaktelement 19 ist derart gestaltet, dass auf seiner Oberseite 21 die obere Gateaußenkontaktfläche 12 angeordnet ist, auf die von der Oberseite des Leistungshalbleiterbauteils 2 aus zugegriffen werden kann. Außerdem ist das Durchkontaktelement 19 mit der Gateelektrode 27 des Leistungshalbleiterchips 17 stoffschlüssig verbunden.
9 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht nach Einbetten der Struktur gemäß 8 in eine Kunststoffgehäusemasse 31. Dabei ist die Kontur der Kunststoffgehäusemasse 31 durch eine strichpunktierte Linie 35 markiert und in 9 als transparente Kunststoffgehäusemasse 31 dargestellt. Jedoch wird üblicherweise für derartige Leistungshalbleiterbauteile 2 eine nicht transparente, mit Keramikpartikeln gefüllte Kunststoffgehäusemasse 31 eingesetzt.
10 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Oberseite 4 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2, mit der in die Kunststoffgehäusemasse 31 eingebetteten Sourceaußenkontaktfläche 11 der Oberseite 4 und mit der Gateaußenkontaktfläche 12 der Oberseite 4.
11 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Unterseite 5 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 für einen Halbleiterleistungsbauteilstapel, wobei die Unterseite 5 zwei Sourceaußenkontaktflächen 9, eine Drainaußenkontaktfläche 8 und eine Gateaußenkontaktfläche 10 aufweist. Diese Außenkontaktflächen sind derart angeordnet, dass derartige Leistungshalbleiterbauteile 2 zu einem seriellen Halbleiterleistungsbauteilstapel gestapelt werden können, jedoch sind die Sourceaußenkontaktflächen 9 auf der Unterseite 5 durch eine Isolationsfolie beim Stapeln abzudecken und die Gateaußenkontaktfläche 12 auf der Oberseite 4 ist teilweise eben falls in ihrer flächigen Erstreckung für ein Stapeln zu verkleinern, indem eine Isolationsfolie einen Teil der Gateaußenkontaktfläche 12 abdeckt. Damit kann eine Zwischenebene in einem Halbleiterleistungsbauteilstapel mit zwei dieser Leistungshalbleiterbauteile 2 realisiert werden, jedoch ist ein Leitungsband von der Oberseite des Halbleiterleistungsbauteilstapels zu dem Niveau der Unterseite des Halbleiterleistungsbauteilstapels erforderlich, da nur zwei Elektroden der drei Elektroden eines Leistungshalbleiterbauteils 2 über Durchkontakte durch den Stapel durchgeschleift werden.
Die 12 bis 16 zeigen schematische, perspektivische Ansichten von Komponenten eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 20 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel 1 oder 30, gemäß der 2 bzw. der 4. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und in den 12 bis 16 nicht extra erörtert.
12 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht einer Struktur von Außenkontakten 33 des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils eines Flachleiter-Montagestreifens. In dieser zweiten Ausführungsform eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils sind die Außenkontaktflächen 33 für die Sourceaußenkontaktflächen 9 und für die Gateaußenkontaktfläche 10 abgewinkelt, und reichen bis an die Außenränder des vorgesehenen Leistungshalbleiterbauteils.
13 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht einer Struktur gemäß 12, nach Aufbringen eines Leistungshalbleiterchips 17. Dieses Leistungshalbleiterchips 17 wird auf die Chipinsel 15 mit seiner Rückseite aufgebracht, die eine Drainelektrode aufweist. Über den Außenkontakt 33 mit der Drainaußenkontaktfläche 8 wird somit die Rückseite 29 des Leistungshalbleiterbauteils von der Unterseite 5 des zubildenden Halbleiterleistungsbauteils aus zugänglich.
14 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Struktur gemäß 13 mit einem aufgebrachten Sourcedurchkontaktelement 23, das auf seiner Oberseite 4 die Sourceaußenkontaktfläche 11 aufweist und mit seinen Unterseiten auf den Außenkontakten 33 mit den Sourceaußenkontaktflächen 9 stoffschlüssig verbunden ist. Ferner zeigt 14 bereits das aufgebrachte Gatedurchkontaktelement 19, das auf seiner Oberseite 21 die Gateaußenkontaktfläche 12 aufweist und mit seiner Unterseite auf der Flachleiter-Gateelektrode 18 angeordnet ist.
15 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Oberseite 4 des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 20 für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel. Dabei ist auf der Oberseite 4 die Sourceaußenkontaktfläche 11 und die Gateaußenkontaktfläche 12 angeordnet, wie es von dem Leistungshalbleiterbauteil 2 der ersten Ausführungsform der Erfindung bekannt ist. Demgegenüber unterscheidet sich jedoch die Unterseite 5 des Leistungshalbleiterbauteils 20 dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung.
16 zeigt eine schematische, perspektivische Ansicht der Unterseite 5 des fertiggestellten MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 20 für einen Leistungshalbleiterbauteilstapel, wie er mit den 2 und 4 gezeigt wird. Der Unterschied zu der ersten Ausführungsform besteht darin, dass nun die Flachleiter-Sourceelektroden 22 auch an den Randseiten des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils 2 zugänglich sind. Das gleiche gilt für die Gateaußenkontaktfläche 10, die sich ebenfalls teilweise über den Rand des Leistungshalbleiterbauteils 20 erstreckt. Die zentrale Drainaußenkontaktfläche 8 bleibt hingegen unverändert.

1: Halbleiterleistungsbauteilstapel (seriell)
2: MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil
3: MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil
4: Oberseite des MOSFETs 2/20 (unten)
5: Unterseite des MOSFETs 2/20 (unten)
6: Oberseite des MOSFETs 3 (oben)
7: Unterseite des MOSFETs 3 (oben)
8: Drainaußenkontaktfläche
9: Sourceaußenkontaktfläche
10: Gateaußenkontaktfläche
11: Sourceaußenkontaktfläche
12: Gateaußenkontaktfläche
13: Oberseite des Halbleiterbauteilstapels
14: Zwischenebene
15: Flachleiter-Chipinsel
16: Rückseiten Chipkontakt
17: Leistungshalbleiterchip
18: Flachleiter-Gateelektrode
19: Gatedurchkontaktelement
20: MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2. Ausführungsform)
21: Oberseite des Gatedurchkontaktelements
22: Flachleiter-Sourceelektrode
23: Sourcedurchkontaktelement
24: Oberseite des Sourcedurchkontaktelements
25: Oberseiten Chipelektrode
26: Sourceelektrode (Halbleiterchip)
27: Gateelektrode (Halbleiterchip)
28: Oberseite des Leistungshalbleiterchips
29: Rückseite des Leistungshalbleiterchips
30: Halbleiterleistungsbauteilstapel (parallel)
31: Kunststoffgehäusemasse
32: Leitungsband
33: Außenkontakt
34: innere Gehäuseebene
35: strichpunktierte Linie
D: Drainaußenkontakt
G: Gateaußenkontakt
S: Sourceaußenkontakt

Claims

Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten (33), wobei der Halbleiterleistungsbauteilstapel (1) mindestens zwei MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) aufweist, die jeweils eine Oberseite (4, 6) und eine Unterseite (5, 7) haben, wobei die Unterseite (5, 7) eine Drainaußenkontaktfläche (8), eine Sourceaußenkontaktfläche (9) und eine Gateaußenkontaktfläche (10) aufweist und die Oberseite (4, 6) mindestens eine Sourceaußenkontaktfläche (11) und eine Gateaußenkontaktfläche (12) aufweist, wobei die Gateaußenkontaktflächen (10, 12) auf der Oberseite (4, 6) und der Unterseite (5, 7) elektrisch miteinander in Verbindung stehen, und der Halbleiterleistungsbauteilstapel (1) eine Serienschaltung oder eine Parallelschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) ist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Serienschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) die Unterseite (5) mindestens eine Drainaußenkontaktfläche (8) und eine Gateaußenkontaktfläche (10) und die Oberseite (1) des Halbleiterbauteilstapels (1) mindestens eine Sourceaußenkontaktfläche (11) und eine Gateaußenkontaktfläche (12) aufweist, und wobei auf der Zwischenebene des Halbleiterbauteilstapels (1) die Sourceaußenkontaktfläche (11) des unteren MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2) mit der Drainaußenkontaktfläche (8) des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (3) oberflächenmontiert ist und die Gateaußenkontaktflächen (10, 12) beider gesta pelter MOSFETs (2, 3) elektrisch verbunden sind, und wobei die Sourceaußenkontaktfläche (9) auf der Unterseite (7) des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (3) durch eine Isolationsfolie geschützt ist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Parallelschaltung übereinander angeordneter MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3) die Unterseite (5) und die Oberseite (4) entweder beide eine Drainaußenkontaktfläche (8) oder beide eine Sourceaußenkontaktfläche (9) und jeweils eine Gateaußenkontaktfläche (10, 12) aufweisen, und wobei auf der Zwischenebene (14) des Halbleiterleistungsbauteilstapels (30) zwei Sourceaußenkontaktflächen (9, 11) oder zwei Drainaußenkontaktflächen (8) sowie zwei Gateaußenkontaktflächen (10, 12) des unteren und des oberen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2, 3) miteinander elektrisch verbunden sind.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Flachleiter-Chipinsel (15) die Drainaußenkontaktfläche (8) aufweist, auf der ein Rückseiten-Chipkontakt (16) eines Leitungshalbleiterchips (17) angeordnet ist und stoffschlüssig mit der Flachleiter-Chipinsel (15) verbunden ist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Flachleiter-Gateelektrode (18) die Gateaußenkontaktfläche (10) auf der Unterseite (5) aufweist, wobei auf der Flachleiter-Gateelektrode (18) stoffschlüssig ein Gatedurchkontaktelement (19) angeordnet ist, das auf seiner Oberseite (21) die Gateaußenkontaktfläche (12) der Oberseite (4) eines MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2) aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Flachleiter-Sourceelektrode (22) die Sourceaußenkontaktfläche (9) auf der Unterseite (5) aufweist, wobei auf der Flachleiter-Sourceelektrode (22) stoffschlüssig ein Sourcedurchkontaktelement (23) angeordnet ist, das auf seiner Oberseite (24) die Sourceaußenkontaktfläche (11) der Oberseite (4) des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2) aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) als stoffschlüssige Verbindung eine leitfähige Klebstoffverbindung aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) als stoffschlüssige Verbindung eine eutektische Lötverbindung aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) als stoffschlüssige Verbindung eine Diffusionslötverbindung aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) als stoffschlüssige Verbindung eine leitende Klebefolie aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) als stoffschlüssige Verbindung eine Lotpastenverbindung aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterchip (17) in dem MOSFET-Leistungshalbleiterbauteil (2) derart angeordnet ist, dass die Rückseiten-Chipelektrode über die Flachleiter-Chipinsel (15) frei zugänglich ist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseiten-Chipelektrode (16) einen Metallblock, welcher in seiner flächigen Erstreckung der Rückseite-Chipelektrode (16) angepasst ist, als Wärmesenke aufweist.
Halbleiterleistungsbauteilstapel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Sourceaußenkontaktfläche (9) innerhalb des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2) mit Oberseiten-Chipelektroden (25) des Leistungshalbleiterchips (17) stoffschlüssig verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung mehrerer MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) in Flachleitertechnik mit einem Leistungshalbleiterchip (17) und anschließendem Stapeln zu seriell oder parallel geschalteten Halbleiterleistungsbauteilstapeln (1, 30), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Leistungshalbleiterchips (17) mit einer gemeinsamen großflächigen Sourceelektrode (26) und einer gemeinsamen Gateelektrode (27) von MOSFET-Strukturen auf seiner Oberseite und einer großflächigen Rückseitenelektrode (16) als Drainelektrode, wobei die flächige Erstreckung der Drainelektrode der Größe der Rückseite (29) des Leistungshalbleiterchips (17) entspricht, – Bereitstellen eines Flachleiterrahmens mit einer Flachleiter-Chipinsel (15), mindestens einer Flachleiter-Sourceelektrode (22) und mindestens einer Flachleiter-Gateelektrode (18) in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen; – stoffschlüssiges Verbinden der Drainelektrode (28) mit der Flachleiter-Chipinsel (15) des Flachleiterrahmens; – stoffschlüssiges Verbinden eines Gatedurchkontaktelementes (19), das die Gateaußenkontaktfläche (12) der Oberseite (4) des MOSFET-Leistungshalbleiter bauteils (2, 20) aufweist mit der Flachleiter-Gateelektrode (18) des Flachleiterrahmens und der Gateelektrode (27) auf der Oberseite (28) des Leistungshalbleiterchips (17); – stoffschlüssiges Verbinden eines Sourcedurchkontaktelementes (23), das die Sourceaußenkontaktfläche (11) der Oberseite (4) des jeweiligen MOSFET-Leistungshalbleiterbauteils (2) aufweist mit der Flachleiter-Sourceelektrode (22) des Flachleiterrahmens und der Sourceelektrode (26) des Leistungshalbleiterchips (17); – Verpacken der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) des Flachleiterrahmens in eine Kunststoffgehäusemasse (31) unter Freilassen der Source- (11) und Gateaußenkontaktflächen (12) auf der Oberseite (4) und der Drain- (8), Source- (9) und Gateaußenkontaktflächen (10) der Unterseite (5) der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20); – Stapeln von mindestens jeweils zwei der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) zu seriell oder parallel geschalteten Halbleiterleistungsbauteilstapeln (1, 30) unter stoffschlüssiger Oberflächenmontage der entsprechenden Außenkontaktflächen (8 bis 12) der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) aufeinander.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 dadurch gekennzeichnet, dass zum stoffschlüssigen Verbinden der Durchkontaktelemente (19, 23) bzw. der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) ein Klebeverfahren mit einem Leitklebstoff eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum stoffschlüssigen Verbinden der Durchkontaktelemente (19, 23) bzw. der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) ein Diffusionslötverfahren eingesetzt wird.
Verfahren einem der Ansprüche 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum stoffschlüssigen Verbinden der Durchkontaktelemente (19, 23) bzw. der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) ein Lötverfahren mit eutektischen Loten eingesetzt wird
Verfahren einem der Ansprüche 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum stoffschlüssigen Verbinden der Durchkontaktelemente (19, 23) bzw. der MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) ein Lötverfahren mit Metallpasten eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass zum Verpacken des MOSFET-Leistungshalbleiterbauteile (2, 3, 20) in eine Kunststoffgehäusemasse (31) ein Spritzgussverfahren eingesetzt wird.