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Die
Erfindung betrifft ein Halbleiterprodukt mit einem Halbleitersubstrat
und einer Teststruktur. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren
zur Durchführung
einer elektrischen Messung an einem Halbleiterprodukt mit einer
Teststruktur.
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Integrierte
Halbleiterspeicher lassen sich in flüchtige und nicht-flüchtige Halbleiterspeicher
unterteilen. In flüchtigen
Halbleiterspeichern müssen
die in den Speicherzellen gespeicherten Ladungen innerhalb binnen
kurzer Zeit stets erneut wiederaufgefrischt werden, da sonst die
gespeicherten Ladungen durch Leckströme verlorengehen. In nicht-flüchtigen Halbleiterspeichern
bleiben gespeicherte Informationen hingegen lange Zeit, typischerweise
mehrere Jahre erhalten. Eine Art flüchtiger Halbleiterspeicher sind
DRAMs (dynamic random access memories), deren Speicherzellen je
einen Auswahltransistor und einen Speicherkondensator aufweisen.
Der Auswahltransistor wird durch eine Wortleitung und eine Bitleitung
angesteuert. Der Speicherkondensator wird zugänglich, wenn der Auswahltransistor
durch geeignete Vorspannungen der Bitleitung und der Wortleitung geöffnet wird.
Dabei wird eine gespeicherte Information eingeschrieben oder aus
ihr ausgelesen. Zusätzlich
werden stets nach erneutem Ablauf der Wiederauffrischungszeit die
Speicherinhalte der flüchtigen Speicherzelle
wiederausgelesen, verstärkt
und zurückgeschrieben.
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Die
Speicherkondensatoren in einem DRAM können etwa als Grabenkondensatoren
oder als Stapelkondensatoren ausgebildet sein. Im Falle des Grabenkondensators
wird in das Halbleiter substrat ein tiefer Graben (deep trench) geätzt, dessen
Grabenwandung zunächst
mit einem Kondensatordielektrikum bedeckt und dessen Grabeninneres
später
mit einem leitfähigen
Material gefüllt
wird. Dieses bildet die innere Kondensatorelektrode. Die äußere Kondensatorelektrode
besteht aus einem dotierten Substratbereich in der Umgebung des
Grabens. Die äußere Kondensatorelektrode
wird mithilfe einer vergrabenen dotierten Schicht (buried layer)
elektrisch kontaktiert.
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Ein
oberer Bereich des Kondensatorgrabens wird mit isolierendem Material
gefüllt,
um Leckströme zwischen
an der Substratoberfläche
anzuordnenden Auswahltransistoren und dem Grabenkondensator zu verhindern.
Zur elektrischen Kontaktierung der inneren Kondensatorelektrode
wird ein Bereich des Kondensatordielektrikums am oberen Ende der
inneren Kondensatorelektrode entfernt und darüber leitfähiges Material abgeschieden,
welches sowohl die innere Kondensatorelektrode als auch die Grabenwandung
unmittelbar berührt.
Das abgeschiedene leitfähige
Material ist ein dotiertes Material, dessen Dotierstoffe während eines
gezielt durchgeführten
Temperaturbehandlung in das umliegende Substratmaterial ausdiffundieren
können.
Dadurch wird ein Diffusionsgebiet hergestellt, das nach Durchführung der
Temperaturbehandlung bis zu einem Source/Drain-Gebiet des zugehörigen Auswahltransistors reicht
und mit diesem überlappt.
Dadurch wird die elektrische Verbindung zwischen dem Auswahltransistor
und der inneren Kondensatorelektrode hergestellt.
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Der
durch die ausdiffundierten Dotierstoffe gebildete Bereich wird üblicherweise
als buried strap bezeichnet. Heutige Halbleiterspeicher besitzen Speicherzellen,
in denen der buried strap lediglich auf derjenigen Seite des Randes
des Grabenkondensators angeordnet ist, die dem Auswahltransistor
zuge wandt ist. Durch die Dotierstoffkonzentration der inneren Kondensatorelektrode
(oder des auf ihm abgeschiedenen, bis zur Grabenwandung reichenden dotierten
Materials) sowie durch die Dauer und die Temperatur der Temperaturbehandlung
lassen sich Größe und Leitfähigkeit
des buried strap kontrollieren.
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Der
Auswahltransistor ist meistens ein MOSFET (metal oxide semiconductor
field effect transistor), der zwei Source/Drain-Gebiete aufweist,
zwischen denen ein Inversionskanal ausbildbar ist. Über dem
Kanalgebiet ist zunächst
das Gateoxid und darüber
der Gate-Schichtenstapel angeordnet, in dem die Gate-Elektrode,
die einen Leiterbahnabschnitt der Wortleitung bildet, verläuft. Eines
der Source/Drain-Gebiete des Auswahltransistors ist an die Bitleitung
angeschlossen. Das andere Source/Drain-Gebiet des Auswahltransistors
ist durch den buried strap mit der inneren Kondensatorelektrode des
Grabenkondensators verbunden.
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Integrierte
Halbleiterspeicher werden hergestellt, indem auf einem Halbleiterwafer
eine Vielzahl von Speicherschaltungen gefertigt wird und der Halbleiterwafer
anschließend
in Speicherchips vereinzelt wird. Dabei wird der Halbleiterwafer
entlang von Zwischenräumen
zwischen jeweils benachbarten Speicherschaltungen, d. h. entlang
von Linien eines Sägerahmens
gesägt
oder auf andere Weise durchgetrennt. Die auf den Halbleiterchips
bereits vorher ausgebildeten Schaltungen werden nach dem vereinzelnen
des Wafers elektrisch kontaktiert und eingehäust.
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Bei
der Herstellung der integrierten Halbleiterschaltungen auf den Halbleiterwafer
lassen sich in Teilbereichen des Sägerahmens zusätzliche
Halbleiterstrukturen, insbesondere Teststrukturen ausbilden, die
bei einer elektrischen Messung Zusatzinformationen über die
Qualität
der eigentlichen Speicherschaltungen liefern können. Es ist beispielsweise möglich, Bereiche
eines Speicherzellenfeldes in einer Teststruktur, die auf dem Sägerahmen
anzuordnen ist, nachzubilden und die Teststruktur so mit äußeren Anschlüssen zu
verbinden, dass durch elektrische Messungen elektrische Parameter
wie etwa ohmsche Widerstände,
Leckströme
o. a. bestimmt werden können.
Solche Messungen werden durchgeführt,
in dem ähnlich
wie beim elektrischen Funktionstest der Speicherschaltungen Testnadeln
eines Testkopfes auf die Waferoberfläche aufgesetzt werden, die
die ausgebildeten elektrischen Strukturen kontaktieren. Einige Testnadeln
können
so angeordnet werden, dass sie beim Aufsetzen des Testkopfes eine
in einem Sägerahmen
angeordnete Teststruktur kontaktieren. So lassen sich elektrische
Messungen durchführen,
die in der integrierten Halbleiterschaltung selbst nicht durchführbar ist.
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Eine
elektrische Messgröße, die
bei einem flüchtigen
Halbleiterspeicher von Interesse ist, ist der ohmsche Widerstand
des buried strap zwischen dem Auswahltransistor und dem Grabenkondensator.
In einem fertiggestellten Speicherzellenfeld ist er nicht ohne weiteres
messbar, da über
eine Bitleitung, den Auswahltransistor und den buried strap lediglich
Informationen in den Grabenkondensator eingeschrieben oder ausgelesen
werden können,
jedoch nicht Mesströme
durch den buried strap hindurch geleitet werden können, ohne
zugleich über
den Kanalbereich des Auswahltransistors zu fließen. Daher kann niemals der
ohmsche Widerstand des buried strap allein gemessen werden, sondern
lediglich die Summe der Widerstände
des buried strap, des Auswahltransistors und der Bitleitung. Zudem
ist eine Messung des ohmschen Widerstands dadurch erschwert, dass der
buried strap nur von einer Seite her elektrisch zugänglich ist,
wohingegen die andere Seite des buried strap mit der inneren Kondensatorelektrode
verbunden ist, welche allseitig von isolierendem Material umgeben
ist.
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Auch
bei Messungen anderer elektrischer Parameter an Teststrukturen,
die dem Speicherzellenfeld nachgebildet sind, müssen zwangsläufig Auswahltransistoren
in der Teststruktur vorgesehen sein, über welche die Messströme fließen. Dadurch
werden auch Messungen der Leitfähigkeit
anderer Strukturelemente, beispielsweise der Kondensatorelektroden,
durch den ohmschen Widerstand des Auswahltransistors verfälscht.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, elektrische Messungen
zu ermöglichen,
deren Messergebnisse Aufschlüsse über Strukturelemente integrierter
Speicherzellenfelder liefern, jedoch nicht durch den elektrischen
Widerstand integrierter Auswahltransistoren verfälscht sind. Insbesondere soll eine
präzisere
elektrische Messung des ohmschen Widerstandes eines buried strap
oder einer inneren Kondensatorelektrode ermöglicht werden. Es ist ferner
die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterprodukt bereitzustellen,
das solche elektrischen Messungen ermöglicht.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein
Halbleiterprodukt gemäß Anspruch
1 mit einem Halbleitersubstrat und einer Teststruktur gelöst, wobei
die Teststruktur folgendes aufweist:
- – zumindest
einen ersten Transistor, der ein erstes und ein zweites Source/Drain-Gebiet,
die in dem Halbleitersubstrat angeordnet sind, eine Isolationsschicht
und eine Gate-Elektrode
aufweist, wobei die Gate-Elektrode durch die Isolationsschicht von
dem Halbleitersubstrat getrennt ist,
- – mindestens
einen Grabenkondensator, der eine in einem Graben angeordnete innere
Kondensatorelektrode aufweist,
- – ein
in dem Halbleitersubstrat angeordnetes Dotierstoffdiffusionsgebiet,
das die innere Kondensatorelektrode mit dem ersten Source/Drain-Gebiet
verbindet,
- – zumindest
eine erste Leiterbahn und
- – zumindest
einen ersten Kontaktanschluss, der an die erste Leiterbahn angeschlossen
ist,
wobei der erste Kontaktanschluss das erste Source/Drain-Gebiet des ersten
Transistors, welches durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet mit der
inneren Kondensatorelektrode verbunden ist, kontaktiert.
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Erfindungsgemäß wird ein
Halbleiterprodukt mit einer Teststruktur bereitgestellt, bei der
ein Kontaktanschluss dasjenige Source/Drain-Gebiet des Transistors
mit einer Leiterbahn kontaktiert, welches durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet
leitend mit der inneren Kondensatorelektrode verbunden ist. Herkömmlich sind
Teststrukturen stets so aufgebaut, dass bei einem Auswahltransistor
das eine Source/Drain-Gebiet mit einer Leiterbahn verbunden ist, wohingegen
das andere Source/Drain-Gebiet mit der inneren Kondensatorelektrode
verbunden ist. Die elektrische Verbindung des einen Source/Drain-Gebiets mit der Leiterbahn
wird üblicherweise
durch einen Kontaktanschluss hergestellt, der auf diesem Source/Drain-Gebiet angeordnet
ist. Die elektrische Verbindung des anderen Source/Drain-Gebietes
mit der inneren Kondensatorelektrode wird durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet,
d. h den buried strap hergestellt. Der buried strap und der Kontaktanschluss kontaktieren
somit jeweils zwei Source/Drain-Gebiete eines Auswahltransistors,
die voneinander durch den Kanalbereich getrennt sind. Daher können Messströme herkömmlich nur über das
Kanalgebiet des Auswahltransistors fliessen, wodurch elektrische Messungen
aufgrund des Kanalwiderstands verfälscht werden.
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Erfindungsgemäß hingegen
wird dasjenige Source/Drain-Gebiet, das durch den buried strap mit der
inneren Kondensatorelektrode verbunden ist, zugleich auch mit der
Leiterbahn leitend verbunden. Dies kann beispielsweise mithilfe
eines Kontaktanschlusses geschehen, der wie in herkömmlicher
Weise hergestellt wird. Dieser Kontaktanschluss wird jedoch erfindungsgemäß auf dem
mit der inneren Kondensatorelektrode verbundenen Source/Drain-Gebiet
angeordnet, wodurch dieses erste Source/Drain-Gebiet zugleich mit
der Leiterbahn verbunden wird. Die Leiterbahn dient innerhalb der
Teststrukturen zur elektrischen Ansteuerung des Dotierstoffdiffusionsgebietes
und entspricht hinsichtlich Materialwahl und hinsichtlich sonstiger
Eigenschaften einer Bitleitung eines Speicherzellenfeldes.
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Bei
der in dem erfindungsgemäßen Halbleiterprodukt
vorgesehenen Teststruktur ist die erste Leiterbahn durch den Kontaktanschluss
mit dem kondensatorseitigen Source/Drain-Gebiet, nämlich dem ersten
Source/Drain-Gebiet leitend verbunden. Letzteres ist durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet
mit der inneren Kondensatorelektrode verbunden. Der Strompfad führt somit
nicht mehr über
den Kanalbereich des Transistors; der Transistor ist elektrisch funktionslos
und dient nur noch dazu, in der Umgebung des buried strap eine ähnliche
Strukturumgebung auszubilden wie im Speicherzellenfeld einer integrierten
Halbleiterschaltungen. Erfindungsgemäß ist der buried strap über den
Kontaktanschluss und das erste Source/Drain-Gebiet direkt mit der ersten Leiterbahn
verbunden und kann über
sie elektrisch angesteuert werden. Dadurch werden elektrische Messungen
des ohmschen Widerstandes des buried strap möglich, deren Messergebnis nicht
durch den elektrischen Widerstand des Auswahltransistors, insbesondere
seines Inversi onskanals verfälscht
wird. Dadurch lässt
sich zuverlässiger überprüfen, ob
der buried strap eine ausreichend niederohmige Verbindung zwischen
dem kondensatorseitigen Source/Drain-Gebiet und der inneren Kondensatorelektrode
des Grabenkondensators herstellt.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass der erste Kontaktanschluss eine Kontaktlochfüllung ist,
die auf dem ersten Source/Drain-Gebiet
angeordnet ist. Solch eine Kontaktlochfüllung wird herkömmlich bei den
Auswahltransistoren eines Speicherzellenfeldes und den entsprechenden
Transistoren von Teststrukturen auf demjenigen Source/Drain-Gebiet
angeordnet, welches demjenigen Source/Drain-Gebiet, das durch den
buried strap mit der inneren Kondensatorelektrode verbunden ist,
gegenüberliegt.
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Ferner
ist vorzugsweise vorgesehen, dass der erste Kontaktanschluss die
erste Leiterbahn unmittelbar mit dem ersten Source/Drain-Gebiet
kurzschließt.
Da der Kontaktanschluss leitfähig
und das erste Source/Drain-Gebiet stark dotiert ist, ist in dem Strompfad,
der von der ersten Leiterbahn durch den Kontaktanschluss, das erste
Source/Drain-Gebiet und das Dotierstoffdiffusionsgebiet bis zur
inneren Kondensatorelektrode führt,
der ohmsche Widerstand hauptsächlich
durch den ohmschen Widerstand des Dotierstoffdiffusionsgebietes
bestimmt und durch das Ausmaß der
räumlichen Überlappung
des Dotierstoffdiffusionsgebietes mit dem ersten Source/Drain-Gebiet.
Daher ist eine direktere Messung des Widerstandes des Dotierstoffdiffusionsgebietes möglich als
bei einem Strompfad, der zusätzlich über einen
Transistorkanal führt.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass die Teststruktur ferner folgendes aufweist:
- – einen
zweiten Transistor, der ein erstes und ein zweites Source/Drain-Gebiet,
die in dem Halbleitersubstrat angeordnet sind, eine Isolationsschicht
und eine Gate-Elektrode aufweist, wobei die Gate-Elektrode durch
die Isolationsschicht von dem Halbleitersubstrat getrennt ist,
- – ein
in dem Halbleitersubstrat angeordnetes weiteres Dotierstoffdiffusionsgebiet,
das die innere Kondensatorelektrode leitend mit dem ersten Source/Drain-Gebiet
des zweiten Transistors verbindet,
- – eine
zweite Leiterbahn und
- – einen
zweiten Kontaktanschluss, der an die zweite Leiterbahn angeschlossen
ist.
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Hierbei
weist der Grabenkondensator zwei Dotierstoffdiffusionsgebiete auf,
von denen das eine mit dem ersten Transistor und das andere mit
dem zweite Transistor verbunden ist. Dadurch wird ein Strompfad
eröffnet,
der über
zwei Dotierstoffdiffusionsgebiete und die innere Kondensatorelektrode,
jedoch nicht über
einen Transistorkanal führt.
Der Vorteil eines zweiten an die innere Kondensatorelektrode angeschlossenen
Dotierstoffdiffusionsgebietes besteht darin, dass der über das
weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet führende Teil des Strompfades
einen zweiten Kondensatoranschluss darstellt, der einen über das
erste Dotierstoffdiffusionsgebiet in den Grabenkondensator fliessenden
Strom abzuleitet. Somit befindet sich die innere Kondensatorelektrode
nicht mehr wie herkömmlich
am Ende eines Strompfades, sondern ist mithilfe zweier elektrischer
Anschlüsse an
zwei Stellen zugleich kontaktierbar. Dadurch kann ein Strom durch
die innere Kondensatorelektrode hindurchgeleitet werden und durch
die Messung der Stromstärke
oder des ohmschen Widerstandes die Leitfähigkeit der Dotierstoffdiffusionsgebiete
bestimmt werden. Insbesondere können über längere Zeiträume statische
Ströme
durch die Dotierstoffdiffusionsgebiete und die innere Kondensatorelektrode hindurchgeleitet
werden. Dies ist bei Speicherzellen eines Speicherzellenfeldes nicht
möglich,
weil ein Stromfluss in die Speicherzelle hinein oder aus ihr heraus
nur kurzzeitig während
des Umladens des Grabenkondensators auftritt.
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Gemäß einer
ersten Ausführungsform
ist vorgesehen, dass der zweite Kontaktanschluss das erste Source/Drain-Gebiet
des zweiten Transistors, welches durch das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet mit
der inneren Kondensatorelektrode verbunden ist, kontaktiert. Hierbei
liegt eine schaltungstechnisch symmetrische Kontaktierung der inneren
Kondensatorelektrode mithilfe zweier Dotierstoffdiffusionsgebiete
vor. Bei beiden Transistoren ist jeweils dasjenige Source/Drain-Gebiet,
welches durch eines der beiden Diffusionsgebiete mit der inneren
Kondensatorelektrode leitend verbunden ist, durch einen Kontaktanschluss
mit der jeweiligen Leiterbahn leitend verbunden. Der Strompfad führt somit
von der ersten Leiterbahn über
den ersten Kontaktanschluss, das erste Source/Drain-Gebiet des ersten
Transistors, das Dotierstoffdiffusionsgebiet, die innere Kondensatorelektrode,
das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet, das erste Source/Drain-Gebiet
des zweiten Transistors und über
den zweiten Kontaktanschluss bis hin zur zweiten Leiterbahn. Werden
an die erste und an die zweite Leiterbahn unterschiedlich große elektrische
Potentiale angelegt, lässt
sich der elektrische Widerstand des Strompfades bestimmen. Der Strompfad
führt bei
keinem der beiden Transistoren über
einen Kanalbereich. Somit kann die Summe der ohmschen Widerstände des
Dotierstoffdiffusionsgebietes und des weiteren Dotierstoffdiffusionsgebietes
direkt gemessen werden.
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Gemäß einer
zweiten, alternativen Ausführungsform
ist vorgesehen, dass der zweite Kontaktanschluss das zweite Sour ce/Drain-Gebiet
des zweiten Transistors kontaktiert. Das zweite Source/Drain-Gebiet
des zweiten Transistors liegt demjenigen Source/Drain-Gebiet des
zweiten Transistors gegenüber,
welches durch das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet mit der inneren
Kondensatorelektrode verbunden ist. Hierbei führt der Strompfad zwischen der
ersten und der zweiten Leiterbahn über den Transistorkanal des
zweiten Transistors. Dadurch sind auch Messungen möglich, bei
denen der gesamte elektrische Widerstand, der üblicherweise in einer Speicherzelle
zwischen dem Bitleitungskontakt und der inneren Kondensatorelektrode
auftritt, gemessen werden kann. Die elekrische Messung kann insbesondere
mithilfe eine statischen Messtroms durchgeführt werden, der über wesentlich
längere
Zeiträume als
zum Umladen eines Speicherkondensators üblich aufrechterhalten werden
kann.
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Die
Dotierstoffdiffusionsgebiete der Teststruktur können so niederohmig ausgebildet
werden, dass bei der Messung gemäß dieser
alternativen Ausführungsform
im wesentlichen allein der elektrische Widerstand des Transistorkanals
des zweiten Transistors gemessen wird.
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Gemäß den beiden
obigen Ausführungsformen
ist somit vorgesehen, dass der erste und der zweite Transistor durch
das Dotierstoffdiffusionsgebiet und das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet
an denselben Grabenkondensator angeschlossen sind.
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Hinsichtlich
der Geometrie des Grabenkondensators ist vorzugsweise vorgesehen,
dass die erste und die zweite Leiterbahn parallel zueinander verlaufen,
dass der erste Transistor in einem ersten Bereich des Halbleitersubstrats,
der von der ersten Leiterbahn überdeckt
ist, angeordnet und der zweite Transistor in einem zweiten Bereich
des Halbleitersubstrats, der von der zweiten Leiterbahn überdeckt ist,
angeordnet ist und dass in Richtung quer zum Verlauf der beiden
Leiterbahnen der Grabenkondensator so breit ist, dass er sich von
dem ersten Bereich des Halbleitersubstrats bis zu dem zweiten Bereich des
Halbleitersubstrats erstreckt. Somit unterscheidet sich die Geometrie
des in des hier vorgesehenen Grabenkondensators von herkömmlichen
Grabenkondensatoren, die nur einen einzigen elektrischen Anschluss,
nämlich
denjenigen zum Auswahltransistor hin besitzen. Bei der hier beschriebenen
Ausführungsform
erstreckt sich der Grabenkondensator von einem ersten Substratbereich
unterhalb der ersten Leiterbahn bis zu einem zweiten Substratbereich
unterhalb der zweiten Leiterbahn und besitzt somit eine Breite,
die größer ist
als bei Grabenkondensatoren flüchtiger
Speicherzellen.
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Wenn
die Breite der ersten und zweiten Leiterbahn und ihr gegenseitiger
Abstand der Strukturbreite der zugehörigen Leiterbahnebene entsprechen,
so beträgt
die Breite des Grabenkondensators senkrecht zum Verlauf dieser Leiterbahnen
mindestens das dreifache dieser Strukturbreite, sofern die erste
und die zweite Leiterbahn unmittelbar zueinander benachbarten Leiterbahnen
in der Leiterbahnebene sind. Dementsprechend ist vorgesehen, dass der
Grabenkondensator in mindestens einer Richtung, die parallel zur
Oberfläche
des Halbleitersubstrats und quer zum Verlauf der Leiterbahnen verläuft, eine
Ausdehnung besitzt, die größer ist
als das dreifache der Breite der ersten Leiterbahn. Sofern die erste
und die zweite Leiterbahn übernächstbenachbarte
Leiterbahnen sind, zwischen denen lediglich eine einzige weitere
Leiterbahn verläuft,
beträgt
die Breite des Grabenkondensators mindestens das fünffache
der Strukturbreite. In der Praxis wird der Grabenkondensator zusätzlich zu
beiden Seiten der ersten und der zweiten Leiterbahn hinausragen.
Die erste und die zweite Leiterbahn können auch in einem größeren Abstand
voneinander angeordnet sein, so dass eine Mehrzahl weiterer Leiterbahnen zwischen
ihnen verläuft.
Ein besonders großer
Abstand zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn und eine
dementsprechend größere Breite
des Grabenkondensators in lateraler Richtung senkrecht zum Leiterbahnverlauf
kann insbesondere bei Messungen des ohmschen Widerstands der inneren
Kondensatorelektrode selbst von Vorteil sein. Der Grabenkondensator
braucht in allen Fällen
jedoch lediglich in einer einzigen lateralen Richtung breiter zu sein
als in herkömmlichen
Speicherzellenfeldern angeordnete Grabenkondensatoren, so dass die
Teststruktur ohne allzu große
Abänderungen
im wesentlichen dem Speicherzellenfeld eines flüchtigen Halbleiterspeicher
nachgebildet ist.
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Bei
den oben beschriebenen Ausführungsformen
ist insbesondere vorgesehen, dass der Grabenkondensator mit seiner
lateralen Haupterstreckungsrichtung quer zum Verlauf der ersten
und der zweiten Leiterbahn orientiert in dem Halbleitersubstrat
angeordnet ist. Dadurch können
der jeweilige Transistor, das jeweilige Dotierstoffdiffusionsgebiet und
der Grabenkondensator in Richtung parallel zum Leiterbahnverlauf
aufeinanderfolgend in dem Substrat angeordnet sein.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass das Dotierstoffdiffusionsgebiet und das weitere
Dotierstoffdiffusionsgebiet an einem äußeren Rand des Grabenkondensators
auf derselben Seite des Grabenkondensators angeordnet sind.
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Ferner
ist bei den obigen Ausführungsformen
vorgesehen, dass die innere Kondensatorelektrode das Dotierstoffdiffusionsgebiet
mit dem weiteren Diffusionsstoffdiffusionsgebiet verbindet. Dabei
führt der
Strompfad bei einer elektrischen Messung stets über das Dotierstoffdiffusionsgebiet,
die innere Kon densatorelektrode und das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet.
Sofern der elektrische Widerstand der inneren Kondensatorelektrode
vernachlässigbar
ist, ergibt eine Messung des elektrischen Widerstandes entlang dieses
Strompfads das doppelte des ohmschen Widerstandes eines Dotierstoffdiffusionsgebietes.
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Ferner
ist vorgesehen, dass das erste Source/Drain-Gebiet des ersten Transistors
und das erste Source/Drain-Gebiet des zweiten Transistors durch das
Dotierstoffdiffusionsgebiet, die innere Kondensatorelektrode und
das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet niederohmig miteinander
verbunden sind.
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Eine
weitere Ausführungsform
der Erfindung sieht vor, dass die Teststruktur einen ersten und
einen zweiten offenliegenden Flächenkontakt
aufweist, wobei die erste Leiterbahn an den ersten Flächenkontakt
und die zweite Leiterbahn an den zweiten Flächenkontakt angeschlossen ist.
Die Flächenkontakte
können
beispielsweise bond pads sein, die mithilfe von Kontaktnadeln eines
Kontaktkopfes elektrisch kontaktierbar sind. Somit kann die erfindungsgemäß vorgesehene
Teststruktur getestet werden, während
ein Kontaktkopf auf eine benachbarte integrierte Halbleiterschaltung
aufgesetzt ist, um einen elektrischen Funktionstest auszuführen.
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Eine
Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Halbleiterprodukt
ferner mindestens eine integrierte Halbleiterschaltung aufweist,
die eine Vielzahl von Speicherkondensatoren, Auswahltransistoren,
Wortleitungen und Bitleitungen aufweist, wobei die erste und die
zweite Leiterbahn der Teststruktur in derselben Leiterbahnebene
angeordnet sind wie die Bitleitungen der integrierten Speicherschaltungen. Die
erfindungsgemäß vorgesehene
Teststruktur kann somit dazu einge setzt werden, die Qualität einer
auf demselben Halbleitersubstrat angeordneten integrierten Speicherschaltung
zu überprüfen. Insbesondere
kann durch elektrische Messungen an der Teststruktur die Leitfähigkeit
von Dotierstoffdiffusionsgebieten (buried straps) bestimmt werden,
die in der integrierten Speicherschaltung vorhanden sind und dort
die elektrischen Verbindungen zwischen dem Speicherkondensator und
dem Auswahltransistor herstellen.
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Die
erfindungsgemäße Ausbildung
der Teststruktur ermöglicht
eine präzisere
und leichter zugängliche
Messung der Leitfähigkeit
und des ohmschen Widerstandes des buried strap. Eine solche Messung
ist in dem Speicherzellenfeld einer integrierten Speicherschaltung
selbst nach deren Fertigstellung nicht mehr möglich, da die Speicherkondensatoren
nur von einer Seite her elektrisch zugänglich sind und jeder über einen
buried strap einer Speicherzelle führende Strompfad zugleich auch über das
Kanalgebiet des jeweiligen Auswahltransistors führt. Ferner sind die einzelnen
Speicherzellen nur durch räumlich
ausgedehnte Bitleitungen ansteuerbar, welche aufgrund ihrer großen Leiterbahnlänge die
elektrischen Signale verfälschen.
Schließlich
ist in einem herkömmlichen
Speicherzellenfeld keine statische Messung mit Messströmen möglich, welche deutlich
länger
als bei einem Umladevorgang eines Speicherkondensators aufrechterhalten
werden.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass die Teststruktur eine regelmäßige Anordnung
von Transistoren, weiteren Grabenkondensatoren und Leiterbahnen
aufweist, die der integrierten Speicherschaltung nachgebildet ist.
Lediglich derjenige Grabenkondensator, der durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet
an ein Source/Drain-Gebiet des ersten Transistors und gegebenenfalls
auch über
das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet an ein Source/Drain-Gebiet
eines zweiten Transistors angeschlossen ist, braucht in zumindest einer
lateralen Richtung breiter zu sein als die Speicherkondensatorenn,
die in Speicherzellenfeldern angeordnet sind. Ferner sind die durch
die Dotierstoffdiffusionsgebiete mit der inneren Kondensatorelektrode
niederohmig verbundenen Source/Drain-Gebiete der beiden Transistoren
durch Kontaktanschlüsse
mit der ersten und der zweiten Leiterbahn verbunden und nicht diejenigen
Source/Drain-Gebiete,
die diesen Source/Drain-Gebieten gegenüberliegen. Im übrigen jedoch
ist der innere Aufbau der erfindungsgemäß vorgesehenen Teststruktur
im wesentlichen identisch mit dem inneren Aufbau eines Speicherzellenfeldes
und ermöglicht somit
aussagekräftige
Rückschlüsse auf
das elektrische Verhalten der in einem Speicherzellenfeld vorhandenen,
nicht unmittelbar elektrisch überprüfbaren Strukturelemente
wie beispielsweise buried straps. Vorzugsweise ist vorgesehen, dass
die Teststruktur in einem Sägerahmen
des Halbleitersubstrats, der eine Vielzahl integrierter Speicherschaltungen
jeweils einzeln umgibt, angeordnet ist. Insbesondere kann das erfindungsgemäße Halbleiterprodukt
auch eine Vielzahl von Teststrukturen der hier beschriebenen Bauweise
aufweisen. Beispielsweise kann neben jeder integrierten Halbleiterschaltung
des Halbleitersubstrats jeweils eine Teststruktur angeordnet sein,
um auch über
die Waferfläche
inhomogene Designabweichungen nachzuweisen.
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Vorzugsweise
sind die erste und die zweite Leiterbahn Bitleitungen. Sie sind
insbesondere solche Leitungen, die in der selben Leiterbahnebene
wie die Bitleitungen der Speicherzellenfelder der integrierten Speicherschaltungen
angeordnet sind. Insbesondere sind die erste und die zweite Leiterbahn
in der ersten Leiterbahnebene oberhalb des Verlaufs der Wortleitungen
angeordnet.
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Hinsichtlich
des Verhältnisses
der Breite des an den ersten Transistor angeschlossenen Grabenkondensators
und weiterer Grabenkondensatoren der Teststruktur ist vorzugsweise
vorgesehen, dass der an den ersten Transistor angeschlossene Grabenkondensator
in zumindest einer lateralen Richtung parallel zur Oberfläche des
Halbleitersubstrats eine Ausdehnung besitzt, die mindestens das
doppelte der Ausdehnung der weiteren Grabenkondensatoren in dieser
Richtung beträgt.
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Eine
Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Teststruktur ferner
folgendes aufweist:
- – einen dritten Transistor
mit einem ersten Source/Drain-Gebiet,
- – ein
in dem Halbleitersubstrat angeordnetes drittes Dotierstoffdiffusionsgebiet,
das die innere Kondensatorelektrode mit dem ersten Source/Drain-Gebiet
des dritten Transistors verbindet,
- – eine
dritte Leiterbahn und
- – eine
dritten Kontaktanschluss, der an die dritte Leiterbahn angeschlossen
ist und das erste Source/Drain-Gebiet des dritten Transistors kontaktiert.
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Mit
drei elektrischen Anschlüssen
an die innere Kondensatorelektrode kann dann eine elektrische Mehrpunktmessung
durchgeführt
werden. Insbesondere können
Messungen gleichzeitig an zwei Strompfaden, die sich von einem gemeinsamen
Anschluss ausgehend verzweigen, vorgenommen werden. Der gemeinsame
Teil beider Strompfade kann insbesondere in der Mitte zwischen zwei
der Dotierstoffdiffusionsgebiete angeordnet sein und ein drittes Dotierstoffdiffusionsgebiet
enthalten.
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Eine
andere Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Teststruktur
ferner folgendes aufweist:
- – einen vierten Transistor
mit einem ersten Source/Drain-Gebiet,
- – ein
in dem Halbleitersubstrat angeordnetes viertes Dotierstoffdiffusionsgebiet,
das die innere Kondensatorelektrode mit dem ersten Source/Drain-Gebiet
des vierten Transistors verbindet,
- – eine
vierte Leiterbahn und
- – einen
vierten Kontaktanschluss, der an die vierte Leiterbahn angeschlossen
ist und das erste Source/Drain-Gebiet des vierten Transistors kontaktiert.
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Die
vier elektrischen Anschlüssen
an die innere Kondensatorelektrode ermöglichen insbesondere eine Messung
des ohnschen Widerstandes einer inneren Kondensatorelektrode mit
besonders grosser lateraler Ausdehnung in Richtung quer zum Verlauf
der ersten und der zweiten Leiterbahn. An beiden gegenüberliegenden
Enden des Grabenkondensators können
jeweils zwei der Dotierstoffdiffusionsgebiete angeordnet sein. Dmit
können
Messungen gleichzeitig an zwei Strompfaden, die jeweils über einen
Grossteil der Grabenlänge
des Grabenkondensators in Richtung quer zum Leiterbahnverlauf durchgeführt werden.
Durch die grosse Ausdehnung des Grabenkondensators erleichtert eine
präzise
Messung des Widerstandes der inneren Kondensatorelektrode.
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Die
der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner gelöst durch
ein Verfahren zur Durchführung
einer elektrischen Messung an einer Teststruktur eines Halbleiterprodukts,
wobei das Verfahren die folgende Reihenfolge von Schritten aufweist:
- a) Bereitstellen eines Halbleiterprodukts mit
einer Teststruktur gemäss
einer der oben beschriebenen Ausführunsformen und
- b) Anschließen
der ersten Leiterbahn an einen ersten Potentialanschluss und Anschließen der zweiten
Leiterbahn an einen zweiten Potentialanschluss und Vorspannen des
ersten und des zweiten Potentialanschlusses in der Weise, dass ein Strom
vorgegebener Stromstärke
von dem ersten Potentialanschluss über die Teststruktur zu dem zweiten
Potentialanschluss fließt.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass im Schritt a) ein Halbleiterprodukt mit drei
Dotierstoffdiffusionsgebieten und drei Leiterbahnen wie oben beschrieben
bereitgestellt wird, bei dem die zweite Leiterbahn zwischen der
ersten Leiterbahn und der dritten Leiterbahn angeordnet ist und
bei dem der Abstand zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn
genauso groß ist
wie der Abstand zwischen der zweiten und der dritten Leiterbahn,
und dass in Schritt b) ferner an die zweite und die dritte Leiterbahn
jeweils ein Anschluss eines Spannungsmessers angeschlossen wird
und dass ein Spannungsabfall zwischen der zweiten und der dritten
Leiterbahn gemessen wird.
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Der
eine Strompfad verläuft
zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn und der andere Strompfad
verläuft
zwischen der dritten und der zweiten Leiterbahn. Beide Strompfade
verlaufen spiegelsymmetrisch zueinander und besitzen den gleichen ohmschen
Widerstand. Durch einem Strompfad wird die Stormstärke vorgegeben
und am anderen Strompfad wird die auftretende Spannung gemessen.
Der Quotient ergibt den ohmschen Widerstand entlang eines der Strompfade.
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Vorzugsweise
ist vorgesehen, dass im Schritt a) ein Halbleiterprodukt mit vier
Dotierstoffdiffusionsgebieten und vier Leiterbahnen bereitgestellt wird,
bei dem die dritte und die vierte Leiterbahn zwischen der ersten
und der zweiten Leiterbahn angeordnet sind, wobei der Abstand der
dritten Leiterbahn von der ersten Leiterbahn genauso groß ist wie
der Abstand der vierten Leiterbahn von der zweiten Leiterbahn, und
dass im Schritt b) ferner an die dritte und die vierte Leiterbahn
jeweils ein Anschluss eines Spannungsmessers angeschlossen wird
und ein Spannungsabfall zwischen der dritten und der vierten Leiterbahn
gemessen wird.
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Die
erste und die dritte Leiterbahn können an einem ersten seitlichen
Ende des Grabenkondensators und die zweite und die vierte Leiterbahn
an einem zweiten, gegenüberliegenden
Ende des Grabenkondensators angeordnet sein. Hierbei entsteht bei
gleichen Abstand beider jeweiligen Leiterbahnen zueinander ebenfalls
ein spiegelsymmetrischer Aufbau, der eine Strompfad verläuft von
der ersten bis zur zweiten Leiterbahn und der andere Strompfad von
der dritten bis zur vierten Leiterbahn. Unterhalb jeder Leiterbahn
ist das jeweilige Dotierstoffdiffusionsgebiet angeordnet. Beide
Strompfad verlaufen entlang der Haupterstreckungsrichtung des Grabenkondensators,
die quer zum Leiterbahnverlauf der Leiterbahnen weist. Mit dieser
Anordnung ist insbesondere eine elektrische Vierpunktmessung möglich.
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Die
Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die Figuren beschrieben.
Es zeigen:
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1 eine
schematische Draufsicht auf ein Speicherzellenfeld einer integrierten
Speicherschaltung,
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2 eine
Querschnittsansicht einer Speicherzelle der Speicherschaltung aus 1,
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3 eine
schematische Draufsicht auf die Speicherzelle gemäß 2,
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4 eine
Querschnittsansicht einer erfindungsgemäß vorgesehen Teststruktur,
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5 eine
schematische Draufsicht auf die Teststruktur gemäss einer Weiterbildung der
Erfindung,
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6,
eine schematische Querschnittsansicht der Teststruktur der 5 entlang
der Schnittlinie BB,
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7 eine
weitere schematische Draufsicht auf die Teststruktur der 5 und 6,
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8 eine
weitere Ausführungsform
einer anderen Teststruktur, dargestellt wie in 6,
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9 eine
schematische Draufsicht auf die Teststruktur aus 8,
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10 eine
Draufsicht auf ein Halbleiterprodukt mit Teststrukturen und mit
integrierten Speicherschaltungen,
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11 eine
Detailansicht einer Teststruktur des Halbleiterprodukts aus 10,
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12 eine
schematische Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Teststruktur.
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13 eine
Draufsicht auf eine erfindungsgemäss vorgesehene Teststruktur
mit schematischer Darstellung der elektrischen Kontaktierung für eine Schichtwiderstandsmessung
und
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14 eine
Draufsicht auf eine andere erfindungsgemäss vorgesehene Teststruktur
mit schematischer Darstellung der elektrischen Kontaktierung.
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1 zeigt
eine integrierte Speicherschaltung 9 eines Halbleiterprodukts 1,
die ein Speicherzellenfeld 8 aufweist. Das Speicherzellenfeld 8 enthält eine
Vielzahl flüchtiger
Speicherzellen, die jeweils Auswahltransistoren 10a und
Speicherkondensatoren 7 aufweisen. Die Auswahltransistoren
sind an Bitleitungen 16a und Wortleitungen 14a angeschlossen.
Die elektrische Verbindung zwischen den Auswahltransistoren und
den Grabenkondensatoren wird durch Dotierstoffdiffusionsgebiete,
sogenannte buried straps hergestellt.
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch eine flüchtige Speicherzelle des Speicherzellenfeldes 8 aus 1.
Die Speicherzelle enthält
einen in dem Halbleitersubstrat 2 angeordneten Speicherkondensator 7,
der ein Kondensatordielektrikum 32, welches an der Grabenwandung
eines Kondensatorgrabens angeordnet ist, und eine innere Kondensatorelektrode 31,
die das Innere des Grabens innerhalb des Kondensatordielektrikums 32 ausfüllt und
die zumindest bereichsweise, nämlich
in 2 am linken oberen Ende, bis unmittelbar an die Grabenwandung
heranreicht. Dort angrenzend befindet sich in dem Halbleitersubstrat 2 das
Dotierstoffdiffusionsgebiet 15, das durch Ausdiffusion
von in dem Material der inneren Kondensatorelektrode 31 enthaltenen
Dotierstoffen während
einer Temperaturbehandlung bei der Herstellung des Halbleiterprodukts entstanden
ist. Oberhalb der inneren Kondensatorelekt rode ist der Graben durch
ein isolierendes Material 33 zur Substratoberfläche hin
isoliert. Der Grabenkondensator 30 besitzt ferner eine
nicht dargestellte äußere Kondensatorelektrode,
die durch eine in dem Halbleitersubstrat 2 vergrabene dotierte Schicht
(buried layer) elektrisch kontaktierbar ist.
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Der
Auswahltransistor 10a der Speicherzelle besitzt ein erstes
Source/Drain-Gebiet 11, ein zweites Source/Drain-Gebiet 12,
eine Isolationsschicht 13, nämlich das Gateoxid, und eine
Gate-Elektrode, die einen Leiterbahnabschnitt der Wortleitung 14a darstellt.
Das erste Source/Drain-Gebiet 11 überlappt räumlich mit dem Dotierstoffdiffusionsgebiet 15,
welches die elektrische Verbindung des Auswahltransistors zur inneren
Kondensatorelektrode 31 herstellt. Das andere, zweite Source/Drain-Gebiet 12 ist
durch einen Kontaktanschluss 17 an die Bitleitung 16a angeschlossen.
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3 zeigt
die in 2 dargestellte Speicherzelle in der Draufsicht,
und zwar in Höhe
der Schnittlinie AA aus 2. Diese ist in der linken Hälfte der 2 in
Höhe der
Gate-Schichtenstapel und in der rechten Hälfte der 2 in
Höhe des
Dotierstoffdiffusionsgebietes 15 angeordnet. In 3 ist
unterhalb der Bitleitung 16a der Grabenkondensator 30 mit
der inneren Kondensatorelektrode 31 erkennbar, wobei nur über der
rechten Hälfte
des Grabenkondensators 30 das isolierende Material 33 dargestellt ist,
welches den Grabenkondensator zur Substratoberfläche hin isoliert. Links in 3 ist
unterhalb der Bitleitung 16a der Auswahltransistor 10a mit
der Gate-Elektrode 14 und den beiden Source/Drain-Gebieten 11, 12 erkennbar.
Die Source/Drain-Gebiete sind durch strichpunktierte Linien umrandet.
Der Kontaktanschluss 17 ist der Übersichtlichkeit halber schraffiert
und Überlappung über die
benachbarten Wortleitungen dargestellt. Auf der linken Seite des Kondensatorgrabens 30 erstreckt
sich das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15, welches das kondensatorseitige
Source/Drain-Gebiet 11 mit der inneren Kondensatorelektrode 31 niederohmig
verbindet.
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Der
Kontaktanschluss 17 ist an das gegenüberliegende, zweite Source/Drain-Gebiet 12 angeschlossen.
Bei diesem herkömmlichen
Aufbau einer Speicherzelle ist der ohmsche Widerstand des Dotierstoffdiffusionsgebietes 15 nicht
einzeln messbar, da der Strompfad, der durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 hindurchführt, zugleich
auch über
den Transistorkanal führt.
Außerdem
können
nur kurzzeitig, nämlich
während
eines Umladevorganges des Grabenkondensators 30, Ströme durch
das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 geleitet werden.
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4 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht durch eine Teststruktur eines
erfindungsgemäßen Halbleiterprodukts.
Die Teststruktur unterscheidet sich in der Querschnittsansicht der 4 dadurch
von der Querschnittsansicht einer flüchtigen Speicherzelle, dass
in der Teststruktur erfindungsgemäß der Kontaktanschluss 17 auf
demjenigen Source/Drain-Gebiet 11 angeordnet ist, welches
durch das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 leitend mit der
inneren Kondensatorelektrode 31 des Grabenkondensators 30 verbunden
ist. Dadurch ist dieses Source/Drain-Gebiet 11 zgleich
an die erste Leiterbahn 16 angeschlossen, die ausserhalb
der Oberfläche
des Halbleitersubstrats 2 verläuft. Das zweite Source/Drain-Gebiet 12 ist
hingegen nicht kontaktiert. Die in 4 angeordnete
Teststruktur 5 des erfindungsgemäßen Halbleiterprodukts 1 weist
somit einen Grabenkondensator 30 und einem ersten Transistor 10 auf,
die parallel zueinander (statt seriell) an den ersten Kontaktanschluss 17 angeschlossen
sind. Diese Anordnung des ersten Transistors 10 und des
Grabenkon densators 30 ist, obwohl äußerlich mit der Speicherzelle
gemäß 2 weitgehend
identisch, nicht als Speicherzelle geeignet, sondern Bestandteil einer
Teststruktur, die außerhalb
des Speicherzellenfeldes 8 aus 1 in dem
erfindungsgemäßen Halbleiterprodukt 1 angeordnet
ist. Die Teststruktur ist insbesondere im Sägerahmens des Halbleitersubstrats 2 angeordnet
und dem Speicherzellenfeld 8 der integrierten Speicherschaltung 9 weitgehend
nachgebildet. Bei der Teststruktur gemäß 4 führt ein Strompfad
von der ersten Leiterbahn 16 über den ersten Kontaktanschluss 17, über das
erste Source/Drain-Gebiet 11 des ersten Transistors 10 und
das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 direkt zur inneren Kondensatorelektrode 31 des
Grabenkondensators 30. In diesem Strompfad ist eine elektrische
Messung des ohmschen Widerstandes des Dotierstoffdiffusionsgebietes 15 möglich, die
nicht durch den ohmschen Widerstand des Inversionskanals eines Transistors 10 verfälscht wird.
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5 zeigt
eine Weiterbildung einer erfindungsgemäßen Teststruktur. Diese ist
in 5 in der Draufsicht dargestellt; die Querschnittsansicht
entspricht zugleich der Darstellung der 4, wobei
jedoch in der weitergebildeten Ausführungsform der 5 zwei
Leiterbahnen und zwei Transistoren sowie ein verbreiterter Grabenkondensator 30 vorgesehen
sind. Die Draufsicht der 5 ist entlang der Schnittlinie
AA aus 4 dargestellt. Diese Schnittlinie verläuft in der
rechten Hälfte
der 4 in Höhe des
Dotierstoffdiffusionsgebietes 15 und der inneren Kondensatorelektrode 31.
In der linken Hälfte
der 4 verläuft
die Schnittlinie AA in Höhe
der Gate-Elektrode 14.
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In 5 ist
ein Grabenkondensator 30 dargestellt, der sich in Richtung
y senkrecht zum Verlauf der ersten 16 und einer zweiten
Leiterbahn 26 eine weitaus größere Abmessung besitzt als
in herkömmlichen
Speicherzellen angeordnete Grabenkondensatoren. Der Grabenkondensator 30 der
erfindungsgemäßen Teststruktur
erstreckt sich von einem Bereich 16a des Halbleitersubstrats 2,
der von der ersten Leiterbahn 16 überdeckt wird, bis zu einem
zweiten Bereich 26a des Halbleitersubstrats 2,
der von der zweiten Leiterbahn 26 überdeckt wird. In Richtung
x des Verlaufs der Leiterbahnen 16, 26 hingegen besitzt
er dieselbe Abmessung wie Speicherkondensatoren von Speicherzellen.
Der in 5 dargestellte Grabenkondensator ist auf einer
rechten Seite und in einem Bereich zwischen beiden Leiterbahnen 16, 26 durch
ein isolierendes Material 33 bedeckt. In den nicht bedeckten
Bereichen sind die innere Kondensatorelektrode 31 und das
Kondensatordielektrikum 32 erkennbar. Ferner ist in dem
ersten Bereich 16a des Halbleitersubstrats 2 das
Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 ausgebildet, welches die
innere Kondensatorelektrode 31 leitend oder zumindest niederohmig
mit dem ersten Source/Drain-Gebiet 11 des ersten Transistors 10 verbindet.
Ferner ist in dem zweiten Bereich 46 des Halbleitersubstrat 2 ein
weiteres Dotierstoffdiffusionsgebiet 25 dargestellt, welches
die innere Kondensatorelektrode 31 mit einem Source/Drain-Gebiet 21 eines
zweiten Transistors 20 verbindet. In 5 sind
ferner das zweite Source/Drain-Gebiet 12 des ersten Transistors 10,
die Gate-Elektrode 14 des
ersten Transistors 10, das zweite Source/Drain-Gebiet 22 des
zweiten Transistors 20 und dessen Gate-Elektrode 24 dargestellt. Die
Ausdehnung der Source/Drain-Gebiete 11, 12, 21, 22 in
Richtung x entlang des Verlaufs der Leiterbahnen 16, 26 ist
durch strichpunktierte Linien dargestellt. Ferner ist das erste
Source/Drain-Gebiet 11 des ersten Transistors 10 durch
den ersten Kontaktanschluss 17 an die erste Leiterbahn 16 angeschlossen
und das erste Source/Drain-Gebiet 21 des zweiten Transistors 20 durch
eine zweiten Kontaktanschluss 27 an die zweite Leiterbahn 26 angeschlossen.
Durch die auf den ersten, kondensatorseitigen Source/Drain-Gebieten 11, 21 angeordneten
Kontaktanschlüsse 17, 27 wird
ein Strompfad eröffnet,
der zwischen der ersten 16 und der zweiten Leiterbahn 26 verläuft, ohne über einen
Inversionskanal eines Transistors zu führen. Dadurch sind elektrische
Messungen des ohmschen Widerstands der Dotierstoffdiffusionsgebiet 15, 25 möglich, die
nicht durch Kanalwiderstände
verfälscht
sind.
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6 zeigt
eine Querschnittsansicht der Teststrukturen aus 5 entlang
der Schnittlinie BB. Diese Schnittlinie weist in 5 zwei
Umkehrpunkte auf, an denen die Richtung der Schnittlinie BB sich um
90 Grad ändert.
In der Querschnittsansicht der 6 entsprechen
die Umkehrpunkte den gestrichelten Linien C. Das linke Drittel der
Querschnittsansicht der 6 verläuft entlang des Verlaufs der ersten
Leiterbahn 16 und das rechte Drittel der Querschnittsansicht
aus 6 entlang des Verlaufs der zweiten Leiterbahn 26.
Der dazwischen angeordnete mittlere Bereich der Querschnittsansicht
der 6 zwischen beiden Linien C verläuft hingegen
in Richtung y (5) quer zum Verlauf der Leiterbahnen 16, 26.
In diesem Bereich ist der in y-Richtung verbreiterter Grabenkondensator 30 deutlich
erkennbar. Seine Tiefenausdehnung ist aus Platzgründen unterbrochen
dargestellt. Seine Tiefe ist ähnlich
wie die Tiefe von Speicherkondensators, die in Speicherzellen enthalten
sind und ein Aspektverhältnis
von typischerweise 50 oder größer besitzen. In der Mitte
der 6 ist über
dem Grabenkondensator 30 und dem isolierenden Material 33 eine
weitere Leiterbahn 36 im Querschnitt dargestellt, die auch
in 5 zwischen der ersten Leiterbahn 16 und
der zweiten Leiterbahn 26 verläuft. Das linke und das rechte
Drittel der Querschnittsansicht der 6 zeigen
zu einander spiegelbildlich Querschnitte der Teststruktur entlang der
ersten 16 und der zweiten Leiterbahn 26.. Die spiegelbildliche
Darstellung ergibt sich daraus, dass sich in 5 die Richtung
der jeweils horizontalen Abschnitt der Schnittlinie BB umkehrt.
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In 6 ist
noch klarer als in 5 der durch die erfindungsgemäß vorgesehene
Teststruktur eröffnete
Strompfad zwischen der ersten Leiterbahn 16 und der zweiten
Leiterbahn 26 erkennbar. Dieser verläuft von der ersten Leiterbahn 16 über den
ersten Kontaktanschluss 17, das erste Source/Drain-Gebiet 11 des
ersten Transistors 10, das Dotierstoffdiffusionsgebiet 15,
die innere Kondensatorelektrode 31, das weitere Dotierstoffdiffusionsgebiet 25,
das erste Source/Drain-Gebiet 21 des zweiten Transistors 20 und über den
zweiten Kontaktanschluss 27 bis zur zweiten Leiterbahn 26.
In diesem Strompfad ist kein Inversionskanal enthalten; die beiden
Transistoren 10, 20 sind schaltungstechnisch ohne
Funktion, da die jeweiligen zweiten Source/Drain-Gebiete 12, 22 nicht
elektrisch angeschlossen sind. Wird an die erste Leiterbahn 16 ein
erstes elektrisches Potential V1 und eine zweite Leiterbahn 26 ein
zweites elektrisches Potential V2 angelegt, welches von dem ersten Potential
V1 verschiedenen ist, so fließt
entlang des Strompfades ein Strom, der zur Messung des Widerstandes
der beiden Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25 genutzt
werden kann. Tatsächlich
wird zwar die Summe der ohmschen Widerstände beider Diffusionsgebiete 15, 25 und
der zwischen ihnen angeordneten inneren Kondensatorelektrode 31 gemessen. Sofern
jedoch die innere Kondensatorelektrode 31 ausreichend stark
dotiert ist, entspricht der gemessene ohmsche Widerstand näherungsweise
dem doppelten ohmschen Widerstand eines der beiden Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25.
Sofern andererseits die Dotierstoffdiffusionsgebiete sehr niederohmig ausgebildet sind
und die innere Kondensatorelektrode 31 sich in Richtung
y über
eine sehr viel größere Anzahl
weiterer Leiterbahnen 36 hinweg erstreckt, wird der gemessene
Widerstand des Strompfades weitgehend dem Schichtwiderstand der
inneren Kondensatorelektrode entsprechen, was für eine Messung des Schichtwiderstands
der inneren Kondensatorelektrode 31 ausgenutzt werden kann.
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7 zeigt
eine weitere Draufsicht auf die Weiterbildung der Teststruktur gemäß 5,
wobei in 7 zusätzlich das Umfeld des Grabenskondensators 30 dargestellt
ist. In 7 verläuft die Haupterstreckungsrichtung
y, die quer zum Verlauf der beiden Leiterbahnen 16, 26 orientiert
ist, horizontal. Die erste 16 und die zweite Leiterbahnen 26 sowie
weitere Leiterbahnen 36 verlaufen in 7 vertikal.
Es ist erkennbar, dass in dem Ausführungsbeispiel der 7 der
Grabenkondensator 30 entlang seiner Haupterstreckungsrichtung
y eine Abmessung a besitzt, die eine Breite von fünf zueinander
benachbarten Leiterbahnen 36 umfasst. In 7 sind
ferner die Wortleitung 14a, die die Gate-Elektroden des
ersten und des zweiten Transistors (nicht dargestellt in 7)
bildet, und weitere Wortleitungen 14b dargestellt. Außerdem sind
weitere Kontaktanschlüsse 37 dargestellt,
die in Richtung x beidseitig die jeweils benachbarten Wortleitungen
bedecken, wie auch in der Querschnittsansicht der 6 dargestellt.
Der erste Kontaktanschluss 17 und der zweite Kontaktanschluss 27 überschneiden
sich in der Draufsicht der 7 mit dem
Grabenkondensator 30, da sie jeweils an kondensatorseitige
Source/Drain-Gebiete angeschlossen sind, die durch die beiden Dotierstoffdiffusionsgebiete
mit der inneren Kondensatorelektrode 31 verbunden sind.
Wie in 7 erkennbar, ist die Teststruktur 5 weitgehend
einem Speicherzellenfeld, beispielsweise dem Speicherzellenfeld 8 der
integ rierten Speicherschaltung 9 aus 1 nachgebildet. 7 zeigt
somit eine Anordnung 45 mit einer Vielzahl von weiteren
Grabenkondensatoren 40, weiteren Leiterbahnen 36,
weiteren Wortleitungen 14b und weiteren Kontaktanschlüssen 37.
Aufgrund der Ähnlichkeit
der Anordnung 45 mit einem Speicherzellenfeld 8 wie
in 1 sind Rückschlüsse aus
elektrischen Messungen, die an der Teststruktur 5 vorgenommen
werden, weitgehend auf das Speicherzellenfeld 8 der integrierten
Speicherschaltung 9 (1) übertragbar.
Somit lassen sich in der Teststruktur Messungen durchführen gewinnen,
die in dem Speicherzellenfeld 8 selbst nicht möglich sind.
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8 zeigt
eine Querschnittsansicht einer Teststruktur gemäss einer weiteren Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Halbleiterprodukts.
Die Darstellungsweise der Querschnittsansicht der 8 entspricht
der Darstellungsweise der 6; die Querschnittsansicht
verläuft
auch in der 8 entsprechend einer Schnittlinie
BB wie in 5. Gegenüber 5 ist jedoch
die Position des zweiten Kontaktanschlusses 27 verändert. Dieser
befindet sich statt über
dem ersten 21 über
dem zweiten Source/Drain-Gebiet 22 des zweiten Transistors 20.
Somit wird zwischen der ersten 16 und der zweiten Leiterbahn 26 ein
Strompfad eröffnet,
der zwar von dem ersten Kontaktanschluss 17 über das
erste Source/Drain-Gebiet 11 des ersten Transistors 10 unmittelbar über das
Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 führt, jedoch auf der Seite des
weiteren Dotierstoffgebietes 25 und des zweiten Transistors 20 zusätzlich über das
zweite Source/Drain-Gebiet 22 des zweiten Transistors 20 und über den
Kanalbereich des zweiten Transistors 20 verläuft.
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Die
Teststruktur der 8 ist beispielsweise dazu bestimmt,
den ohmschen Widerstand einer Speicherzelle zu mes sen, ohne das
Messergebnis durch einen zusätzlich
in Reihe geschalteten Inversionskanal des ersten Transistors 10 zu
verfälschen. Das
erste Source/Drain-Gebiet 11, welches unmittelbar an das
Dotierstoffdiffusionsgebiet 15 sowie an den ersten Kontaktanschluss 17 angeschlossen
ist, ermöglicht
eine Messung des ohmschen Widerstandes der aus dem Grabenkondensator 30 und
dem zweiten Transistor 20 gebildeten Speicherzelle, und zwar
auch mithilfe eines statischen Messstromes, der deutlich länger als
sonst beim Umladen eines Speicherkondensators flüchtiger Speicherzellen möglich aufrecht
erhalten werden kann.
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9 zeigt
eine Draufsicht auf die Teststruktur gemäß Anspruch 8, wobei ähnlich wie
in 7 wiederum das Umfeld des Grabenkondensators 30, nämlich insbesondere
die weiteren Leiterbahnen 36, die weiteren Wortleitungen 14b und
die weiteren Kontaktanschlüsse 37 dargestellt
sind. Die erste und die zweite Leiterbahn 16, 26 sind,
wie in der 9 erkennbar, zueinander unmittelbar
benachbart. Die Schnittlinie BB führt im in Richtung y, d.h.
senkrecht zu den Leiterbahnen 16, 26 verlaufenden
Bereich somit nicht über
weitere Leiterbahnen. Der in 8 links
dargestellte Bereich der Querschnittsansicht entlang des Verlaufs
der ersten Leiterbahn 16 entspricht dem rechten vertikalen
Abschnitt der Schnittlinie BB der 9. Der in 8 rechts
entlang der zweiten Leiterbahn 26 verlaufende Bereich der
Querschnittsansicht entspricht dem linken vertikalen Abschnitt der
Schnittlinie BB in 9. Es ist erkennbar, dass in 9 der
zweite Kontaktanschluss 27, ebenso wie in 8,
in einem größeren Abstand
vom Kondensatorgraben 30 angeordnet ist als der erste Kontaktanschluss 17.
In 9 sind der Übersichtlichkeit
halber die weiteren Grabenkondensatoren nicht dargestellt, sie sind
jedoch ähnlich
wie in 7 ausgebildet und sind insbesondere in Richtung
y quer zum Verlauf der Leiterbahnen 16, 26, 36 so
breit wie in 7.
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10 zeigt
eine Draufsicht auf ein Halbleiterprodukt, das einen Halbleiterwafer 2 mit
einer Vielzahl von Teststrukturen 5 und einer Vielzahl
integrierter Speicherschaltungen 9 aufweist. Die Speicherschaltungen 9 besitzen
jeweils ein Speicherzellenfeld 8, dass wie in 1 ausgebildet
sein kann. Insbesondere enthält
jedes Speicherzellenfeld 8 eine Vielzahl flüchtiger
Speicherzellen mit jeweils einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator.
Die Speicherkondensatoren sind als Grabenkondensatoren ausgebildet,
ebenso wie die Grabenkondensatoren der Teststrukturen 5,
die den Speicherzellenfeldern 8 nachgebildet sind.
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11 zeigt
einen vergrößerten Ausschnitt einer
Teststruktur 5 aus 10. In
diesem Ausschnitt sind die Enden der ersten Leiterbahn 16 und
der zweiten Leiterbahn 26 angedeutet, die mithilfe von Testnadeln
eines Kontaktkopfes vorspannbar sind. Der kontaktkopf kann zweitweise
auf den Halbleiterwafer 2 zeitweise aufgesetzt werden,
um die integrierten Speicherschaltungen 9 zu testen. Und
dabei gleichzeitig elektrische Messungen an den Teststrukturen 5 vorzunehmen,
sind an den Enden der ersten 16 und der zweiten Leiterbahn 26 ein
erster Flächenkontakt 18 und
ein zweiter Flächenkontakt 19 vorgesehen.
Die erste Leiterbahn 16 ist an den ersten Flächenkontakt 18 angeschlossen,
welcher durch eine erste Testnadel mit einem ersten elektrischen
Potential V1 vorspannbar ist. Die zweite Leiterbahn 26 ist an
den zweiten Flächenkontakt 19 angeschlossen, der
durch eine zweite Testnadel an ein anderes, zweites elektrisches
Potential V2 anschließbar
ist. Dadurch fließt über die
beiden Leiterbahnen und über den
zwischen ihnen geöffneten
Strompfad ein elektri scher Strom, der bei bekannter Stromstärke und
bekannter Potentialdifferenz zur Berechnung des ohmschen Widerstandes
ermöglicht.
Aus der elektrischen Messung kann der ohmsche Widerstand der Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25 und
der inneren Kondensatorelektrode 31 ermittelt werden. In 11 ist der Übersichtlichkeit
halber lediglich der quer zum Verlauf der Leiterbahnen 16, 26 sehr
ausgedehnte Grabenkondensator 30 dargestellt. Die übrigen Bereiche
des Strompfades sind, obwohl nicht dargestellt, wie in den vorangegangenen
Figuren dargestellt ausgebildet.
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12 zeigt
eine schematische Draufsicht auf eine Weiterbildung eines erfindungsgemäßen Halbleiterprodukts
mit einer Teststruktur. Dargestellt ist eine Draufsicht auf einen
Teilbereich einer Teststruktur, in der ein Grabenkondensator 30 dargestellt ist,
der in Richtung y quer zum Verlauf der ersten 16 und der
zweiten Leiterbahn 26 noch eine größere Abmessung besitzt und
der durch zusätzliche
Dotierstoffdiffusionsgebiete an Source/Drain-Gebiete noch weiterer
Transistoren angeschlossen ist. Die Draufsicht der 12 entspricht
bezüglich
der dargestellten Einzelheiten der 5. Zusätzlich jedoch
weist die Teststruktur 5 der 12 ein
drittes Dotierstoffdiffusionsgebiet 65 auf, das die innere
Kondensatorelektrode 31 leitend mit einem ersten Source/Drain-Gebiet 61 eines
dritten Transistors 60 verbindet. Das erste Source/Drain-Gebiet 61 des
dritten Transistors 60 ist zugleich durch einen dritten
Kontaktanschluss 67 mit einer dritten Leiterbahn 66 kurzgeschlossen.
Mithilfe der drei Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25 und 65 und
der drei Leiterbahnen 16, 26 und 66 lässt sich
eine elektrische Messung durchführen,
bei der sowohl die Stromstärke
und eine abgegriffene Spannung auslesbar sind, aus denen der ohmsche
Widerstand entlang eines Strompfades durch zwei der Dotierstoffdiffusionsgebiete und
durch die innere Kondensatorelektrode ermittelbar sind. Solch eine
elektrische Messung wird anhand der 13 beschrieben
werden. Die in 12 dargestellte Teststruktur 5 besitzt
ferner ein viertes Dotierstoffdiffusionsgebiet 75, welches
die innere Kondensatorelektrode 31 leitend mit einer ersten
Source/Drain-Elektrode 71 eines vierten Transistors 70 verbindet.
Das erste Source/Drain-Gebiet 71 des vierten Transistors 70 ist
ferner durch einen vierten Kontaktanschluss 77 mit einer
vierten Leitenbahn 76 kurzgeschlossen. Mithilfe der vier
abgebildeten Leiterbahnen, die jeweils ohne Zwischenschaltung eines
Inversionskanals, sondern direkt über das jeweilige Dotierstoffdiffusionsgebiet
mit der inneren Kondensatorelektrode 31 verbunden sind,
lässt die
nachfolgend anhand 14 beschriebene elektrische Messung
durchführen.
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13 verdeutlicht
ein erfindungsgemäßes Verfahren
zur Durchführung
einer elektrischen Messung an einer Teststruktur 5, deren
Grabenkondensator 30 über
Dotierstoffdiffusionsgebiete 17, 27 und 67 und über die
jeweils in 12 dargestellten ersten Source/Drain-Gebiete
und Kontaktschlüsse
mit den Leiterbahnen 16, 26 und 66 verbunden
ist. Entlang der in 13 strichpunktiert dargestellten
Linie wird ein Strom I bekannter Stromstärke von der ersten Leiterbahn 16 durch
den Grabenkondensator 30 hindurch bis zur zweiten Leiterbahn 26 geleitet.
Die zweite Leiterbahn 26 ist genau in der Mitte zwischen der
ersten 16 und der dritten Leiterbahn 66 angeordnet.
Durch eine Vierpunktmessung, bei der an der zweiten Leiterbahn 26 zusätzlich ein
Anschluss V– eines
Spannungsmessers angeschlossen wird, und bei der ein weiterer Anschluss
V+ des Spannungsmessers an die dritte Leiterbahn 66 angeschlossen wird,
lässt sich
entlang des durch eine durchgezogene Linie dargestellten Strompfades
eine Potentialdifferenz messen. Da der Strompfad zwischen der ersten
und der zweiten Leiterbahn spiegelsymmetrisch zum Strompfad zwischen
der zweiten und der dritten Leiterbahn verläuft und somit der ohmsche Widerstand
beider Strompfade gleich gross ist, lässt sich aus dem Quotienten
der gemessenen Potentialdifferenz zwischen der zweiten und der dritten
Leiterbahn und der bekannten Stromstärke des Stroms, die entlang
des Strompfades zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn fließt, der
ohmsche Widerstand ermitteln. Da inneren Kondensatorelektrode 31 meist sehr
stark dotiert und somit ein guter elektrischer Leiter ist, entspricht
der ohmsche Widerstand jedes Strompfades in etwa dem doppelten ohmschen
Widerstand eines der Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25.
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14 zeigt
ein alternatives Messverfahren, mit dem der Schichtwiderstand der
inneren Kondensatorelektrode 31 gemessen werden kann. Dazu
wird eine Teststruktur 5 mit einem Grabenkondensator 30 vorgesehen,
der sich in Richtung y senkrecht zum Verlauf der Leiterbahnen über. viele
benachbarte Leiterbahnen erstreckt. Der Grabenkondensator 30 aus 14 ist
durch die in 12 dargestellten Dotierstoffdiffusionsgebiete 15, 25, 65, 75,
die ersten Source/Drain-Gebiete 11, 21, 61, 71 und
Kontaktanschlüsse 17, 27, 67 und 77 an
die Leiterbahnen 16, 26, 66 und 76 an
vier Stellen elektrisch angeschlossen. In 14 ist
die Reihenfolge der Nummerierung der Leiterbahnen gegenüber der 5 vertauscht; die
erste und die zweite Leiterbahn 16, 26, zwischen denen
ein Strom I vorgegebener Stromstärke
fließt, befindet
sich an den äußersten
gegenüberliegenden Enden
des Grabenkondensators 30. Zwischen ihnen sind in geringerem
Abstand voneinander die dritte Leiterbahn 66 und die vierte
Leiterbahn 76 angeordnet, wobei eine spiegelsymmetrische
Anordnung der Leiterbahnen bezüglich
der Mitte des Kondensatorgrabens 30 vorliegt. Zwischen
der dritten und der vierten Leiterbahn befinden sich viele weite re
Leiterbahnen, so dass innerhalb der inneren Kondensatorelektrode 31 eine
lange Wegstrecke zwischen der dritten Leiterbahn 66 und
der vierten Leiterbahn 76 zu überbrücken ist. Dadurch lässt sich
bei Abgreifen eines mithilfe eines Spannungsmessers zu messenden
Spannungsabfalls der Schichtwiderstand der inneren Kondensatorelektrode 31 ermitteln.
Dafür werden
jeweils an die dritte Leiterbahn 66 und die vierte Leiterbahn 76 ein
Anschluss V+, V– des
Spannungsmessers angeschlossen und dann, wenn zwischen der ersten 16 und
der zweiten Leiterbahn 26 der Strom I fließt, die
Spannung mithilfe des Spannungsmessers gemessen.
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Mithilfe
der vorliegenden Erfindung lassen sich insbesondere Speicherzellenfelder
von DRAMs elektrisch untersuchen, indem im Sägerahmen eines Halbleiterwafers
Teststrukturen der oben beschriebenen Bauweise ausgebildet werden.
Anstelle der oben beschriebenen, mit "Single single buried straps" versehenen Teststrukturen
können
ebenso Teststrukturen mit "double
sided buried straps" vorgesehen
sein. Dabei sind Dotierstoffdiffusionsgebiete, durch die die innere
Kondensatorelektrode 31 elektrisch anschließbar ist,
auf zueinander entgegengesetzten Seiten des Randes von Grabenkondensatoren
vorgesehen, wie etwa bei sogenannten MINT-Zellen (merged isolation
and node trench).
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Erfindungsgemäß werden
solche Kontakte, die typischerweise die elektrische Verbindung zwischen
Source/Drain-Gebieten und den Bitleitungen herstellen, auf denjenigen
Source/Drain-Gebieten angeordnet,
die durch einen buried strap mit einer inneren Kondensatorelektrode
verbunden sind. Dadurch werden hohe Serienwiderstände aufgrund
von Transistorkanälen, über die
die Strompfade herkömmlich
laufen, vermieden. Dadurch kann der ohmsche Widerstand eines buried
strap, der typi scherweise etwa von 15 kOhm beträgt, präziser gemessen werden.
-
- 1
- Halbleiterprodukt
- 2
- Halbleitersubstrat
- 5
- Teststruktur
- 7
- Speicherkondensator
- 8
- Speicherzellenfeld
- 9
- integrierte
Speicherschaltung
- 10
- erster
Transistor
- 10a
- Auswahltransistor
- 11,
21, 61, 71
- erstes
Source/Drain-Gebiet
- 12,
22
- zweites
Source/Drain-Gebiet
- 13,
23
- Isolationsschicht
- 14,
24
- Gate-Elektrode
- 14a
- Wortleitung
- 14b
- weitere
Wortleitung
- 15
- Dotierstoffdiffusionsgebiet
- 16
- erste
Leiterbahn
- 16a
- erster
Bereich des Halbleitersubstrats
- 17
- erster
Kontaktanschluss
- 18
- erster
Flächenkontakt
- 19
- zweiter
Flächenkontakt
- 20
- zweiter
Transistor
- 25
- weiteres
Dotierstoffdiffusionsgebiet
- 26
- zweite
Leiterbahn
- 26a
- zweiter
Bereich des Halbleitersubstrats
- 27
- zweiter
Kontaktanschluss
- 30
- Grabenkondensator
- 31
- innere
Kondensatorelektrode
- 32
- Kondensatordielektrikum
- 33
- isolierendes
Material
- 34
- Außenrand
- 36
- weitere
Leiterbahn
- 37
- weiterer
Kontaktanschluss
- 40
- weiterer
Grabenkondensator
- 45
- Anordnung
- 60
- dritter
Transistor
- 65
- drittes
Dotierstoffdiffusionsgebiet
- 66
- dritte
Leiterbahn
- 67
- dritter
Kontaktanschluss
- 70
- vierter
Transistor
- 75
- viertes
Dotierstoffdiffusionsgebiet
- 76
- vierte
Leiterbahn
- 77
- vierter
Kontaktanschluss
- a
- Abmessung
- AA;
BB
- Schnittlinie
- I
- Strom
- V1
- erster
Potentialanschluss
- V2
- zweiter
Potentialanschluss
- V+,
V–
- Anschluss
eines Spannungsmessers
- x,
y, z
- Richtungen