DE102005004037B3

DE102005004037B3 - Verfahren zum Herstellen von magnetischem Band oder Tafeln

Info

Publication number: DE102005004037B3
Application number: DE102005004037A
Authority: DE
Inventors: Olaf Dr.-Ing. Fischer; Jürgen Prof. Dr.-Ing. Schneider; Yvan Prof. Dr.-Ing. Houbaert; Tanya Ros Dr. Yanez
Original assignee: ThyssenKrupp Steel AG
Current assignee: ThyssenKrupp Steel Europe AG
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2006-06-14
Anticipated expiration: 2025-01-28

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Band oder Tafeln, vorzugsweise im Bereich einer Dicke von 0,10 mm bis 1 mm, mit niedrigen magnetischen Verlusten bei gleichzeitig guter Magnetisierbarkeit mittels Tauchen eines Ausgangssubstrates mit Dicke d in einer hypereutektischen (Si,Al)-Schmelze bei Temperaturen kleiner als 950 DEG C und bei Vorhandensein einer nichtoxidierenden Atmosphäre zur Beschichtung mit (Si,Al) sowie Anreicherung von (Si,Al) im oberflächennahen Bereich des Bandes bzw. der Tafel, vollständiges oder teilweises Abstreifen der überschüssigen Schmelze nach dem Tauchen des Bandes oder der Tafel durch ein geeignetes Verfahren, gefolgt von einem Kaltwalzen bei Temperaturen unterhalb 400 DEG C auf die Enddicke sowie einer abschließenden Glühbehandlung bei Temperaturen oberhalb 700 DEG C in einer nichtoxidierenden Atmosphäre.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von FeSi-Band oder -Tafeln mit höheren Gehalten an Silizium, homogen verteilt oder als Gradientenwerkstoff, im Bereich einer Dicke von 0,10 bis 1 mm für elektromagnetische Anwendungen.
Üblicherweise werden für die Erzeugung von nichtkornorientierten Elektroblechen FeSi-Stähle verwendet, deren Si-Gehalte maximal 3,5 Gew.-% betragen. Derart begrenzte Si-Gehalte aufweisende FeSi-Stahllegierungen gestatten eine problemlose Fertigung auf dem üblichen schmelzmetallurgischen Herstellungsweg. Insbesondere wird durch eine Beschränkung des Si-Gehaltes auf Gehalte ≤ 3,2 Gew.-% sichergestellt, dass bei konventioneller Vorgehensweise das erhaltene Blech nach dem Kaltwalzen rissfrei ist.
Im Zuge der konventionellen Fertigung wird nach dem Erschmelzen der Stahllegierung die Schmelze zu einer Bramme oder Dünnbramme vergossen. Dieses Vormaterial wird dann im Direkteinsatz ohne Wiedererwärmung oder nach einer Abkühlung und einer Wiedererwärmung in einem Warmwalzprozess bestehend aus einem Entzundern, einem Vorwalzen und einem in einer in der Regel mehrgerüstigen Warmwalzstaffel durchgeführtes Fertigwarmwalzen zu einem Warmband gewalzt. Das Warmband wird dann einer in der Regel als Beizen durchgeführten Oberflächenbehandlung unterzogen, die mit einem Glühen (Warmbandglühen) kombiniert sein kann. Eine Warmbandglühung bevor das Warmband zu Kaltband kaltgewalzt wird, kann ebenso nach dem Kaltwalzen erfolgen. Schließlich wird das Band schlussgeglüht oder einer Glühung mit anschließender Nachverformung unterzogen.
Schon bei Si-Gehalten von mehr als 3,2 Gew.-% zeigen sich erste Schwierigkeiten beim Kaltwalzen in Form von hohen Walzkräften und einer zunehmenden Rissanfälligkeit. So treten beim Kaltwalzen von aus FeSi-Legierungen mit FeSi-Gehalten mit mehr als 3,5 Gew.-% erzeugten Warmbändern (konventioneller metallurgischer Fertigungsweg) regelmäßig Risse auf, die die Erzeugung eines qualitativ hochwertigen Elektroblechproduktes mit Dicken ≤ 0,75 mm über den konventionellen Fertigungsweg ausschließen.
Den Schwierigkeiten bei der Herstellung steht gegenüber, dass die Erhöhung des Si-Gehaltes zu einer Erhöhung des elektrischen Widerstandes und damit zu einer Erniedrigung der magnetischen Verluste im Einsatzfall führt. Für eine Reihe von Anwendungen, speziell für in der Audio-, Video-, Datenverarbeitungs- und Medizintechnik eingesetzte Klein- und Kleinstmaschinen sowie für Antriebe und für Magnetkerne in elektromagnetischen Anwendungen, die mit höheren Frequenzen arbeiten, sind daher Bänder oder Tafeln aus FeSi-Legierungen mit Si-Gehalten im Bereich von 3,0 Gew.-% bis 7,0 Gew.-% von besonderem Interesse. Hierbei kann der höhere Si-Gehalt sowohl über den gesamten Querschnitt des Bandes bzw. der Tafel als auch vorteilhaft nur über einen Bereich nahe der Oberfläche des Bandes bzw. der Tafel (Gradientenwerkstoff) ausgeprägt sein.
FeSi-Werkstoffe mit einem Si-Gehalt von annähernd 6,5 Gew.-sind auf dem Markt erhältlich. Die Herstellung dieser Produkte erfolgt auf dem Wege einer chemischen Abscheidung einer höchstsilizierten FeSi-Schicht auf einem konventionellen Elektroband und einem anschließenden Diffusionsglühen. Auf diese Weise lassen sich zwar die bei konventioneller Produktion von hohe Siliziumgehalte aufweisenden Blechen auftretenden Schwierigkeiten vermeiden. Es sind dazu jedoch zusätzliche Arbeitsschritte erforderlich, die die Herstellung verkomplizieren und verteuern.

In der wissenschaftlichen Literatur finden sich zahlreiche Arbeiten, in denen das Umformverhalten von FeSi-Legierungen mit Si-Gehalten von mehr als 3,2 Gew.-% untersucht und die Möglichkeiten der Fertigung eines derartigen Stahls auf dem üblichen metallurgischen Weg betrachtet worden sind. So ist aus der deutschen Patentschrift DE 102 20282 C1 ein Verfahren bekannt, das es ermöglicht, bei geeignet gewählter Technologie des Warmwalzens und des anschließenden Kaltwalzens Stähle der voranstehend diskutierten Art auf schmelzmetallurgischem Weg ohne das Auftreten von Rissen zu verarbeiten. Gemäß DE 102 20 282 C1 wird für die Herstellung eines kaltgewalzten Stahlbands oder -blechs für elektromagnetische Anwendungen in Dicken von ≤ 0,70 mm ein Stahl, der (in Gew.-%) C: < 0,01 %, Si: 3,2 – 7 %, Al: < 2 %, Mn: ≤ 1 %, Rest Eisen und übliche Verunreinigungen enthält, nach dem Erschmelzen zu einem Vormaterial, wie einer Bramme, einer Dünnbramme oder einem Dünnband, vergossen. Anschließend wird das Vormaterial auf eine Temperatur T_R > 1000 °C durchgewärmt und bei einer Warmwalzendtemperatur T_F von > 800 °C zu einem Warmband fertig warmgewalzt. Dieses Warmband wird dann ausgehend von einer mindestens 750 °C, jedoch weniger als 850 °C betragenden Temperatur T_C des Warmbandes mit einer mindestens 400 °C/min betragenden Abkühlgeschwindigkeit ΔT/Δt auf eine weniger als 300 °C betragende Temperatur abgekühlt, nach dem Abkühlen einer Oberflächenbehandlung, wie einem mechanischen Entzundern und/oder Beizen, unterzogen, nach dieser Oberflächenbehandlung bei einer höchstens 500 °C betragenden Temperatur T_cR kaltgewalzt und schließlich schlussgeglüht.

Der voranstehend zusammengefasste, in der DE 102 20 282 C1 beschriebene Herstellungsweg ist dadurch gekennzeichnet, dass eine aufwendige technologische Prozedur vor dem Kaltwalzen erforderlich ist. Diese Vorgehensweise stellt extrem hohe Anforderungen an die Realisierung dieser speziellen Art des Warmwalzens zur Sicherung eines hohen Ausbringens mit hoher Qualität.

Als Alternativweg zur Fertigung höhersilizierter FeSi-Bänder oder -Tafeln kann der Verfahrensweg über Aufbringen einer (Si,Al)-Schicht auf ein Substrat aus konventionell gefertigtem Elektroblech und anschließendem Diffusionsglühen angesehen werden. Entsprechende Verfahren sind jeweils in

– Ros-Yänez T., Y. Houbaert and M. De Wulf: "Evolution of magnetic properties and microstructure of high-silicon steel during hot dipping and diffusion annealing", IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 38, No. 5, September 2002, pp. 3201-3203, ISI/IF:0.720,
– Ros-Yänez T., Y. Houbaert and V.Gomez Rodriguez: "High-silicon steel produced by hot dipping and diffusion annealing", Journal of Applied Physics, vol. 91 no. 10 (2002),
– Y. Houbaert. T. Ros-Yänez and M. Prado, Materials Science Forum vols 373-376 (2001), pp 733-736,
– Houbaert, Y, Colas R, Barros J, Ruiz D, Vandenberghe R, De Wulf M, Ros-Yänez T: "Advances on the characterization of high-silicon steel for electrical applications produced by thermomechanical and dippingannealing treatment", MATERIALS SCIENCE FORUM 426-4 (2003) pp. 1145-1150,
– Ros-Yänez T., D. Ruiz, J. Barros and Y. Houbaert: "Advances in the production of high-silicon electrical steel by thermomechanical processing and by immersion and diffusion annealing", Journal of Materials and Compounds Vol 369/1-2 (2004) pp 125 – 130,
– EP 1 260 598 A1
– WO 04029318 A1
– WO 04044252 A1
– Ros-Yänez T., M. De Wulf and Y. Houbaert: "Influence of the Si and Al gradient on the magnetic properties of high-Si electrical steel produced by hot dipping and diffusion annealing", JMMM (2004),

beschrieben.

Nachteile der in diesen Literaturstellen erläuterten Wege sind neben einem großen verfahrenstechnischen Aufwand insbesondere die schlechte Oberflächenbeschaffenheit und die hohe Rauheit der Bänder bzw. Tafeln, was insbesondere im Falle von Elektroblech als Substrat in Dicken ≤ 0,35 mm deren Nutzbarkeit in elektromagnetischen Geräten stark beeinträchtigt. Weiterhin sind die auf diesem Wege hergestellten Bänder oder Tafeln im Vergleich zu konventionellem Elektroblech nur schwer zu bearbeiten und zu verarbeiten, was bei seinem Einsatz einen wesentlichen Kostenfaktor darstellt.

Ausgehend von dem voranstehenden erläuterten Stand der Technik bestand die Aufgabe der Erfindung darin, ein vereinfacht durchführbares Verfahren zum Herstellen von für elektromagnetische Anwendungen bestimmten, gut be- und verarbeitbaren, aus FeSi-Legierungen hergestellten Bändern und Tafeln zu schaffen, die Dicken von 0,10 mm bis 1,00 mm besitzen und über ihren gesamten Querschnitt oder nur im Bereich ihrer Oberfläche einen erhöhten (Si,Al)-Gehalt aufweisen, wobei das erhaltene Stahlprodukt gegenüber dem bisherigen Stand der Technik technologische Vorteile in seiner Herstellung besitzen, eine verbesserte Oberflächenbeschaffenheit, speziell eine geringe Rauheit, aufweisen und keine oder nur geringe Probleme bezüglich der Be- und Verarbeitung auftreten sollen. Zur Lösung der oben genannten Aufgaben schlägt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von magnetischem Band oder Tafeln für elektromagnetische Anwendungen vor, bei dem folgende Schritte durchlaufen werden:

– Wahl eines geeigneten Substratmaterials bestehend aus einer FeSi-Legierung in Bandform oder als Tafel mit einer Dicke von > 0,1 mm als Substratmaterial,
– Tauchen des Bandes bzw. der Tafeln, gefertigt auf konventionellem, schmelzmetallurgischen Weg mit einer gegebenen Dicke d, in einer hypereutektischen (Si,Al)-Schmelze) bei Temperaturen kleiner als 950 °C und beim Vorhandensein einer nichtoxidierenden Atmosphäre,
– Herausnehmen des Bandes bzw. der Tafel nach einer Reaktionszeit von ≤ 30 sec. aus der Schmelze und Entfernen der Schmelze vom Band durch ein geeignetes Verfahren, wie zum Beispiel Abstreifen,
– Abkühlen des Bandes auf Raumtemperatur, wobei die Abkühlung vorteilhaft extrem rasch mit einer Abkühlrate ΔT/Δt > 400 °C/min erfolgt, auf Temperaturen unterhalb von T ≤ 400 °C,
– Kaltwalzen des Substrates bei Temperaturen T ≤ 400 °C auf Enddicken des Bandes bzw. der Tafeln im Bereich von 0,10 bis 0,75 mm,
– Stanzen von Formteilen oder Segmenten des kaltgewalzten Materials,
– Glühbehandeln der gestanzten Teile oder des kaltgewalzten Materials bei Temperaturen oberhalb 700 °C in einer nichtoxidierenden Atmosphäre.

Die Art des Herausnehmens des Bandes oder der Tafel aus der Schmelze kann je nach Realisierungsart durch Herausziehen – im Fall eines Tauchens – oder durch Festlegung der Verweilzeit im Bad bei kontinuierlicher Bewegung des Bandes durch das Bad erfolgen.

Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, den Verfahrensschritt „Aufbringen einer hochsilizierten Schicht" in den bekannten Herstellweg von nichtorientiertem schlussgeglühten Elektroband zu integrieren.

Technologische Vorteile treten dabei durch den Wegfall des zusätzlichen Verfahrensschritts „Diffusionsglühen" nach Aufbringen der Schicht auf ein bereits fertig schlussgeglühtes Elektroband als Substrat ein.

Werkstoffseitig wurde eine Verbesserung der Oberflächenrauheit sowie der magnetischen Eigenschaften durch ein Kaltwalzen nach dem Aufbringen der Si-reichen Schicht erreicht.

Ferner wurde ein Weg gefunden, das Stanzen von Formteilen oder Segmenten vor dem Eindiffundieren des Siliziums in das Material zu realisieren, da für höhersiliziertes Grundmaterial naturgemäß Probleme bei der Be- und Verarbeitung auftreten.

Hierbei kann als Substratmaterial ein Stahl mit Gehalten an Si und Al der Art:

i) Si: 1,8 – 3,5 Gew.-%, Al: < 1,5 Gew.-%; oder
ii) Si: 0 – 1,8 Gew.-%, Al: < 1,7 Gew.-%

verwendet werden.

Bei dem als Substratmaterial mit obiger Zusammensetzung eingesetzten, auf konventionellem, schmelzmetallurgischen Weg gefertigten Band bzw. bei den ebenso erhaltenen, als Substratmaterial eingesetzten Tafeln kann es sich um

i) ein schlussgeglühtes, in der Fachsprache auch als "fully finished" bezeichnetes Elektroband,
ii) ein nicht schlussgeglühtes, in der Fachsprache auch als "semi finished" bezeichnetes Elektroband,
iii) warmgewalztes Band oder warmgewalzte Tafeln, vorteilhaft mit Dicken ≤ 1,5 mm; oder
iv) kaltgewalztes Warmband

handeln.

Die gewählte Gesamtabnahme beim Kaltwalzen kann entspreehend der gewünschten Enddicke und bei entsprechender Wahl der Dicke des Substrates so gewählt werden, dass

i) eine Gesamtabnahme ε von < 2 %,
ii) eine Gesamtabnahme von 2 % < ε ≤ 20 % oder
iii) eine Gesamtabnahme von 30 % < ε ≤ 82

erreicht wird.

Überraschend hat sich gezeigt, dass ein Kaltwalzen des in der (Si,Al)-Schmelze getauchten Bandes bzw. Tafeln möglich ist und gleichzeitig eine gute Oberflächenbeschaffenheit bzw. geringe Rauheit des Bandes oder der Tafeln mit einer homogenen Verteilung des Si über den Querschnitt, wie auch im Falle einer inhomogenen Verteilung des Si über den Querschnitt (Gradientenwerkstoff), nach der abschließenden Glühbehandlung erreicht werden kann.

Dagegen ist das Band bzw. die Tafeln nach dem Tauchen und sofort anschließendem Glühen auf Grund des resultierenden hohen Si-Gehaltes im Material nicht oder nur sehr schwer kaltwalzbar.

Zudem lassen sich, wie oben beschrieben, Formteile oder Segmente nach dem Aufbringen einer Schicht auf dem Substrat und anschließendem Kaltwalzen fertigen (z.B. durch Schneiden, Stanzen etc.), welche dann einer Schlussglühung zur Ausprägung der Endeigenschaften unterzogen werden. Hiermit können die Probleme der Be- und Verarbeitung und die sich daraus ergebenden Nachteile speziell für Stähle mit sehr hohen Si-Gehalten verringert werden.

Dagegen ist eine konventionelle Bearbeitung, wie Stanzen, an den auf den bekannten Wegen hergestellten höhersilizierten, schlussgeglühten Material nicht oder nur unter extremen Randbedingungen, die keine wirtschaftliche Fertigung gestatten, möglich.

Kurze Zeiten von ≤ 25 sec für das Eintauchen in die hypereutektische (Si,Al)-Schmelze sind ausreichend, um eine siliziumreiche Schicht von 30 bis 100 μm auf dem Band aufzubringen.

Vorteilhaft wird die Schmelze mit einem Gas-Schleier eines nichtoxidierenden Gases oder Gasgemisches abgedeckt.

Die Temperatur des Substrates vor dem Eintauchen in die Schmelze sollte höchstens gleich der Temperatur der Schmelze sein, bevorzugt jedoch kleiner.

Der Prozessschritt "Eintauchen in eine (Si,Al)- reiche Schmelze" kann vorteilhaft so gestaltet werden, dass die Bildung einer DO₃-Schicht merklicher Dicke unmittelbar auf dem Substrat vermieden wird. Der Grund liegt darin, dass diese Schicht nur schwer umformbar ist. Günstig erweisen sich hierbei eine rasche Abkühlung nach dem Dipping in der Schmelze durch kurze Tauchzeiten von ≤ 0,25 sec und einer anschließenden Abkühlung nach der Herausnahme mit ΔT/Δt ≥ 400 °C/min auf Temperaturen von ≤ 400 °C.

In der äußeren Schicht mit einem (Si,Al)-Gehalt bis zu 12,6 Gew.-% ist ferner das mögliche Auftreten von Si-Ausscheidungen mit "größerem Durchmesser" durch geeignete Wahl der Prozessparameter, wie zum Beispiel die Eintauchzeit in die Schmelze, zu vermeiden.

Das Kaltwalzen kann auch als warmes Kaltwalzen mit Temperaturen T ≤ 400 °C erfolgen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Dabei zeigt 1 schematisch eine Verfahrensvariante, bei dem in einem kontinuierlichen Verfahrensablauf ein Stahlband A als Ausgangssubstrat von einem Coil C abgewickelt und mit einer Fördergeschwindigkeit v durch ein durch eine Si/Al-Schmelze gebildetes Schmelztauchbad T geleitet wird. Das so beschichtete Band wird nach einer von der Fördergeschwindigkeit v und der im Bad T zurückgelegten Eintauchstrecke abhängigen Zeit aus dem Schmelztauchbad T herausgezogen und einer hier nicht dargestellten Weiterverarbeitung zugeführt.
2 zeigt dagegen ebenso schematisch ein diskontinuierlich ablaufendes Verfahren, bei dem durch Querteilen mittels einer Schere Q von dem jeweiligen Stahlband A Tafeln L abgeteilt werden. Die Tafeln L werden dann für eine bestimmte Tauchzeit in das Schmelztauchbad T getaucht, das wiederum durch eine Si/Al-Schmelze gebildet ist. In Tabelle 1 sind die Zusammensetzungen von Stählen "FeSi1,3", "FeSi2,4" sowie "FeSi3,2" angegeben, aus denen die Stahlbänder A hergestellt gewesen sind, die gemäß einer der in den 1 oder 2 dargestellten Vorgehensweisen behandelt worden sind.
Tabelle 1
Beispiele für nach den beschriebenen Herstellungswegen erzeugte behandelte Bänder finden sich in den nachfolgend wiedergegebenen Tabellen 2 und 3. Die dort angegebenen magnetischen Kennwerte beziehen sich auf Messungen an Streifen (Längsproben). Es handelt sich damit bei diesen Werten nicht um Mischwerte. Dabei ist mit B₂₅ der Wert der magnetischen Induktion B bei H = 2500 A/m, mit B₁₀ der Wert der magnetischen Induktion B bei H = 1000 A/m und mit P_1,0 der Wert der magnetischen Verluste P bei B = 0,1 T und 50 Hz bezeichnet.
Tabelle 2 Homogene Si-Verteilung für unterschiedliche Ausgangssubstrate
Tabelle 3 Inhomogene Si-Verteilung für unterschiedliche Ausgangssubstrate
Den Unterschied in Bezug auf eine Einteilung der Endprodukte in Elektroband mit homogener sowie inhomogener Verteilung (Gradientenwerkstoff) des Siliziums illustrieren die Diagramme Diag. 1 bis Diag. 3, von denen das Diag. 1 die Elementverteilung E im Ausgangssubstrat FeSi1,3, das Diag. 2 eine homogene Elementverteilung E entsprechend der Probe FeSi1,3 gemäß Tabelle 2 und Diag. 3 eine inhomogene Elementverteilung E entsprechend der Probe FeSi1,3 gemäß Tabelle 3 jeweils aufgetragen über die bezogene Blechdicke Bd zeigt. Der Wert "0,0" der bezogenen Blechdicke Bd entspricht dabei der Oberseite des jeweiligen Substrats (Stahlband A bzw. daraus gewonnene Tafel L), während der Wert "1,0" für die Unterseite des jeweiligen Substrats steht.

Claims

Verfahren zur Herstellung von Band oder Tafeln mit niedrigen magnetischen Verlusten bei gleichzeitig guter Magnetisierbarkeit mittels Tauchen eines Ausgangssubstrates mit Dicke d in einer hypereutektischen (Si,Al)-Schmelze bei Temperaturen kleiner als 950 °C und bei Vorhandensein einer nichtoxidierenden Atmosphäre zur Beschichtung mit (Si,Al) sowie Anreicherung von (Si,Al) im oberflächennahen Bereich des Bandes bzw. der Tafel, vollständiges oder teilweises Abstreifen der überschüssigen Schmelze nach dem Tauchen des Bandes oder der Tafel durch ein geeignetes Verfahren gefolgt von einem Kaltwalzen bei Temperaturen unterhalb 400 °C auf die Enddicke sowie einer abschließenden Glühbehandlung bei Temperaturen oberhalb 700 °C in einer nichtoxidierenden Atmosphäre.
Verfahren nach 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Band oder die Tafeln eine Dicke von 0,10 mm bis 1 mm aufweisen.
Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich aus dem Band oder den Tafeln Formteile durch eine geeignete Formgebung, wie z. B. Stanzen, nach dem Kaltwalzen und vor der abschließenden Glühbehandlung gefertigt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, dass eine Ausbildung einer DO₃-Schicht zwischen dem Substrat und der (Si,Al)-reichen FeSiAl-Schicht durch eine kurze Eintauchzeit im Tauchbad von t ≤ 0,25 sec und einer raschen Abkühlung nach Herausnahme aus dem Tauchbad mit ΔT/Δt ≥ 400 °C/min auf eine Temperatur ≤ 400 °C nahezu vermieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass sich nach der Glühbehandlung ein Gradientenwerkstoff ergibt, gekennzeichnet dadurch, dass die (Si,Al)-reiche Schicht auf der Oberseite und Unterseite des Bandes bzw. der Tafel eine Dicke < d/2 besitzt.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die (Si,Al)-reiche Schicht auf der Oberseite und Unterseite des Bandes bzw. der Tafel eine Dicke ≤ d/4 besitzt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Rauheit des geglühten Bleches oder der Tafel ≤ 5 μm beträgt.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Rauheit des geglühten Blechs oder der Tafel unter ≤ 1,5 μm beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass zur Verbesserung der magnetischen Verluste als Ausgangssubstrat ein Stahl mit Gehalten an (in Gew.-%) Si: > 1,8 – 3,5 Al: < 1,5 eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass für eine gute Kombination von magnetischen Verlustwerten und Magnetisierbarkeit als Ausgangssubstrat ein Stahl, mit Gehalten an (in Gew.-%) Si: ≤ 1,8 Al: < 1,7 eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Tauchen des Ausgangssubstrates in einer (Si,Al)-Schmelze mit Zusätzen erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze der Gruppe der Elemente "Sn, Sb" entstammen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein bereits schlussgeglühtes Elektroband (fully finished Elektroband) im Dickenbereich von 0,35 mm bis 1 mm als Substrat eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein nicht schlussgeglühtes Elektroband (semi finished Elektroband) im Dickenbereich von 0,35 mm bis 1 mm als Substrat eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass ein Warmband mit Dicken ≤ 1,5 mm eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass ein kaltgewalztes Warmband im Dickenbereich von größer 0,10 mm als Substrat eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Kaltwalzen nach dem Tauchen des Ausgangssubstrates in einer siliziumreichen (Si,Al)-Schmelze zum Glätten der Oberfläche eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Kaltwalzeneine Gesamtabnahme ε von 2 % nicht überschreitet.
Verfahren nach einem der Ansprüche bis 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Kaltwalzen nach dem Tauchen des Ausgangssubstrates in einer siliziumreichen (Si,Al)-Schmelze mit einer Gesamtabnahme ε von 2 % ≤ ε ≤ 20 % erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Kaltwalzen nach dem Tauchen des Ausgangssubstrats in einer siliziumreichen (Si/Al)-Schmelze mit einer Gesamtabnahme ε von 30 % < ε ≤ 82 % erfolgt.