DE102004053336A1

DE102004053336A1 - Ätzmittel und Ergänzungsmittel dafür sowie ein Ätzmittelverfahren und ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltplatte unter dessen Verwendung

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Publication number: DE102004053336A1
Application number: DE102004053336A
Authority: DE
Inventors: Masayo Amagasaki Kuriyama; Ryo Amagasaki Ogushi; Daisaku Amagasaki Akiyama; Kaoru Amagasaki Urushibata
Original assignee: MEC Co Ltd
Current assignee: MEC Co Ltd
Priority date: 2003-11-07
Filing date: 2004-11-04
Publication date: 2005-06-09
Anticipated expiration: 2024-11-05
Also published as: KR20050044285A; CN1614093A; US7285229B2; TW200523401A; KR100917959B1; TWI350320B; US20050109734A1; US20080011981A1; DE102004053336B4; DE102004064161B4; CN100513644C

Abstract

Ein Ätzmittel der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine wässrige Lösung, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält. Ein Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Inkontaktbringen des Ätzmittels mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium. Ein weiteres Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels, das eine wässrige Lösung umfasst, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C enthält (A. Salzsäure; B. wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe, enthält; (b) Thiazol und (c) Thiazolverbindungen und C. ein Tensid) mit einer Oberfläche des Metalls und dann ein Kontaktbringen einern zweiten Lösung, welche eine wässrige Lösung umfasst, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, mit der Oberfläche des Metalls. Mit dem Ätzmittel und Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung ist es möglich, wenigstens ein Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium, rasch zu ätzen und eine exzessive Auflösung von Kupfer zu unterdrücken.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ätzmittel für wenigstens ein Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium, eine Ergänzungslösung für das Ätzmittel und ein Ätzverfahren und ein Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte, welches das Ätzmittel und die Ergänzungslösung verwendet.
Unter verschiedensten Verdrahtungsplatten, welche in elektronischen Einrichtungen verwendet werden, besteht eine wachsende Nachfrage für eine flexible Verdrahtungsplatte, wegen ihrer Flexibilität, geringen Dicke, des leichten Gewichts, etc. Des weiteren nimmt die Verwendung der flexiblen Verdrahtungsplatte als ein Basismaterial für ein Halbleitergehäuse oder ein Gehäuse für ein Flüssigkristallmodul ebenfalls zu. Die flexible Schaltplatte beinhaltet einen Polyimidfilm als ein elektrisch isolierendes Basismaterial und eine Kupferverdrahtung, die auf dem Polyimidfilm ausgebildet ist.
Unter verschiedensten Verfahren zur Herstellung der flexiblen Verdrahtungsplatte erregt ein Sputter-Plattier-Verfahren (sputter-plating method) Aufmerksamkeit, da mit diesem Verfahren zum Beispiel kleinste Verdrahtungen leicht ausgebildet werden können. Nach dem Sputter-Plattier-Verfahren wird die flexible Verdrahtungsplatte auf folgende Weise hergestellt. Zunächst wird eine dünne Schicht aus Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder dergleichen, welche dazu dient, Polyimid und Kupfer fest miteinander zu verbinden, auf dem Polyimidfilm als ein Basismaterial ausgebildet. Dann wird eine Kupferschicht durch elektrolytische Plattierung auf einem Teil ausgebildet, wo eine Schaltung ausgebildet werden soll. Danach wird ein Teil der dünnen Schicht, welche nicht mit der Kupferschicht bedeckt ist, durch Ätzen entfernt, wodurch eine Kupferverdrahtung bzw. -schaltung ausgebildet wird (siehe JP 2000-252625 A).
Die Entfernung dieser dünnen Schicht wird im Allgemeinen unter Verwendung einer wässrigen Lösung, welche Eisen(III)-chlorid als eine Hauptkomponente enthält, durchgeführt.
Die herkömmliche wässrige Lösung, welche Eisen(III)-chlorid als eine Hauptkomponente enthält, zeigt jedoch ein Problem, indem sie zu viel Auflösung von Kupfer verursacht.
Um daher das oben beschriebene Problem des Standes der Technik zu lösen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ätzmittel zur Verfügung zu stellen, das rasch wenigstens ein Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium, ätzen kann und zu viel Auflösung (auch als "exzessive Auflösung" bezeichnet) von Kupfer unterdrücken kann, eine Ergänzungs- bzw. Auffrischungslösung für das Ätzmittel und ein Ätzverfahren und ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltplatte, welches das Ätzmittel und die Ergänzungslösung verwendet.
Die vorliegende Erfindung liefert ein Ätzmittel für wenigstens ein Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium. Das Ätzmittel beinhaltet eine wässrige Lösung, welche Salzsäure bzw. Chlorwasserstoffsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst.
Die vorliegende Erfindung liefert auch eine Ergänzungs- bzw. Auffrischungslösung, welche dem Ätzmittel der vorliegenden Erfindung zuzugeben ist, wenn das Ätzmittel wiederholt verwendet wird. Die Ergänzungs- bzw. Auffrischungslösung ist eine wässrige Lösung, welche 0,1 bis 35 Masse-% Salzsäure und 0,1 bis 20 Masse-% Salpetersäure enthält, wobei die Ergänzungslösung als 100 Masse-% genommen wird.
Auch liefert die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Ätzen wenigstens eines Metalls, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nikkel-Chrom-Legierungen und Palladium. Das Verfahren umfasst das Inkontaktbringen eines Ätzmittels, welches eine wässrige Lösung beinhaltet, die Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, mit dem Metall.
Auch liefert die vorliegenden Erfindung ein weiteres Verfahren zum Ätzen wenigstens eines Metalls, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium. Das Verfahren umfasst das Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit einer Oberfläche des Metalls und dann das Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels mit der Oberfläche des Metalls. Das erste Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche wenigstens die nachfolgenden Komponenten A bis C enthält, und das zweite Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält.

A: Salzsäure.
B: Wenigstens eine Verbindung, ausgewählt unter den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome und wenigstens eine Gruppe enthalten, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen.
C: ein Tensid.

Auch liefert die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte. Das Verfahren umfasst ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit einem Teil einer Oberfläche von Nickel, Chrom oder Nickel-Chrom-Legierung, welche auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial vorliegt, wobei der Teil nicht mit einer Kupferverdrahtung (-schaltung) bedeckt ist und dann ein Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels mit dem Teil, um das Nickel, Chrom oder die Nickel-Chrom-Legierung aufzulösen. Das erste Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C enthält und das zweite Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)- Ionenquelle enthält.

Auch liefert die vorliegende Erfindung ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte. Das Verfahren umfasst ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit einem Palladiumkatalysator zur stromlosen Hauchverkupferung (electroless copper plating), vorliegend in einer Spalte bzw. Lücke einer Verdrahtung bzw. Schaltung auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial, und dann ein Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels mit dem Palladiumkatalysator, um den Palladiumkatalysator aufzulösen. Das erste Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C enthält, und das zweite Ätzmittel umfasst eine wässrige Lösung, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält.

A: Salzsäure.
B: Wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome und wenigstens eine Gruppe enthalten, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen.
C: ein Tensid.

Diese und weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden dem Fachmann beim Lesen und Verstehen der folgenden genauen Beschreibung offensichtlich.
(1) Ätzmittel
Ein Ätzmittel nach der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine wässrige Lösung, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält.
Das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung kann eine hohe Ätzrate für Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium erreichen, so dass ein zu behandelndes Material mit dem Ätzmittel nur für eine kurze Zeit in Kontakt sein muss. Wenn daher ein Material, bei dem Kupfer zusammen mit Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium vorliegt, behandelt werden soll, wird nur eine kleine Menge Kupfer aufgelöst, da das Kupfer mit dem Ätzmittel nur für kurze Zeit in Kontakt ist.
Die Konzentration der Salzsäure beträgt 0,1 % bis 35 % ("%" bedeutet nachfolgend "Masse-%"), vorzugsweise 5 % bis 20 % und bevorzugter 10 % bis 15 %. Beträgt die Konzentration von Salzsäure weniger als 0,1 %, kann keine genügend hohe Ätzrate erhalten werden. Ist jedoch andererseits die Konzentration von Salzsäure größer als 35 %, hat das Ätzmittel einen strengen Geruch und ist daher für das Arbeitsumfeld nicht vorzuziehen.
Die Konzentration an Salpetersäure beträgt 0,1 % bis 20 %, vorzugsweise 0,5 % bis 15 % und bevorzugter 1 % bis 10 %. Ist die Konzentration von Salpetersäure geringer als 0,1 %, kann eine genügend hohe Ätzrate nicht erhalten werden. Ist jedoch andererseits die Konzentration von Salpetersäure größer als 20 %, kann eine exzessive Auflösung von Kupfer verursacht werden.
Beispiele für die Kupfer(II)-Ionenquelle beinhalten Kupfer(II)-chlorid, Kupfer(II)-sulfat und Kupfer(II)-oxid. Die Konzentration der Kupfer(II)-Ionenquelle, gemessen als die Konzentration von Kupfer, beträgt 0,00001 % bis 0,1 %, vorzugsweise 0,0001 % bis 0,05 % und am bevorzugtesten 0,001 % bis 0,01 %. Beträgt die Konzentration der Kupfer(II)-Ionenquelle weniger als 0,00001 %, kann eine genügend hohe Ätzrate nicht erhalten werden. Wenn andererseits die Konzentration der Kupfer(II)-Ionenquelle größer als 0,1 % ist, kann eine exzessive Auflösung von Kupfer verursacht werden, wenn Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium zusammen mit dem Kupfer vorliegen.
Bei dem oben beschriebenen Ätzmittel kann der Rest Wasser sein.
Bevorzugt enthält das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung des Weiteren Schwefelsäure, um die Ätzrate für Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium weiter zu erhöhen. Die Konzentration der Schwefelsäure beträgt vorzugsweise 1 % bis 60 %, bevorzugter 5 % bis 30 % und insbesondere bevorzugt 10 % bis 15 %. Beträgt die Konzentration der Schwefelsäure weniger als 1 %, kann die Schwefelsäure nicht die Wirkung der Erhöhung der Ätzrate in genügender Weise zeigen. Wenn andererseits die Konzentration der Schwefelsäure größer als 60 % ist, weist das Ätzmittel einen strengen Geruch auf und ist daher für das Arbeitsumfeld nicht vorzuziehen.
Vorzugsweise enthält das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung des Weiteren ein Tensid, um zu verhindern, dass eine Kupferoberfläche abgetragen wird. Als Tensid können allgemein bekannte Tenside, wie kationische Tenside, anionische Tenside, amphotere Tenside und nichtionische Tenside verwendet werden. Die Konzentration des Tensids beträgt bevorzugt 0,001 % bis 1 %, bevorzugter 0,01 % bis 0,1 % und insbesondere bevorzugt 0,01 % bis 0,05 %. Beträgt die Konzentration des Tensids weniger als 0,001 %, kann das Tensid nicht in genügender Weise die Wirkung zeigen, den Abtrag einer Kupferoberfläche zu verhindern. Beträgt andererseits die Konzentration des Tensids mehr als 1 %, tritt beträchtliche Schaumbildung ein.
Gegebenenfalls kann das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung darüber hinaus weitere Komponenten, wenn nötig, enthalten. Beispiele weiterer Komponenten beinhalten ein Antischaummittel zur Unterdrückung des Schäumens und ein Rostschutzmittel, um zu verhindern, dass sich Kupfer verfärbt.
Das Ätzmittel kann leicht durch Auflösen der oben beschriebenen jeweiligen Komponenten in Wasser hergestellt werden. Als Wasser wird bevorzugt solches verwendet, aus dem ionische Substanzen und Verunreinigungen entfernt worden sind, wie Ionenaustauschwasser, Reinwasser und Reinstwasser.
(2) Ergänzungslösung
Eine Ergänzungs- bzw. Auffrischlösung gemäß der vorliegenden Erfindung kann in geeigneter Weise verwendet werden, wenn das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung wiederholt zum Ätzen von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium auf einem Basismaterial verwendet wird, in dem Kupfer ebenfalls vorliegt. Durch Zugabe der Ergänzungs- bzw. Auffrischungslösung zu dem Ätzmittel kann das Verhältnis der jeweiligen Komponenten in dem Ätzmittel in geeigneter Weise aufrecht erhalten werden. So ist es möglich, Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium stabil zu ätzen, wenn gleichzeitig die Auflösung von Kupfer unterdrückt wird. Die Ergänzungslösung ist eine wässrige Lösung, welche 0,1 % bis 35 Salzsäure und 0,1 % bis 20 % Salpetersäure enthält, wobei die Ergänzungs- bzw. Auffrischlösung als 100 % gesetzt wird.
Die Ergänzungs- bzw. Auffrischlösung kann des Weiteren auch Schwefelsäure, ein Tensid, ein Antischaummittel, ein Rostschutzmittel für Kupfer und dergleichen, wie im Fall des Ätzmittels, enthalten.
(3) Ätz-Verfahren
Beispiele für ein Verfahren zur Verwendung des Ätzmittels der vorliegenden Erfindung beinhalten ein Tauchverfahren und ein Sprüh- bzw. Spritzverfahren. Wenn jedoch Kupfer zusammen mit Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium vorliegt, ist das Tauchverfahren hinsichtlich der Leichtigkeit der Unterdrückung der Auflösung von Kupfer bevorzugt. Im Allgemeinen wird das Ätzmittel bei einer Temperatur von 20°C bis 50°C verwendet.
Beispielsweise kann das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung einen 0,1 μm dicken Chromfilm auf einem Basismaterial in einer kurzen Zeit von etwa 3 bis 5 Minuten auflösen. Auch kann es einen 0,1 μm dicken Nickelfilm auf einem Basismaterial in einer kurzen Zeit von etwa 1 bis 2 Minuten auflösen. Des Weiteren kann es beispielsweise einen 0,1 μm dicken Nickel-Chrom-Legierungsfilm (Ni 70-Cr 30) auf einem Basismaterial in einer kurzen Zeit von etwa 2 bis 3 Minuten auflösen. Des Weiteren kann es beispielsweise Palladium, das auf einem Basismaterial als ein Katalysator zur stromlosen Hauchverkupferung vorliegt, in einer kurzen Zeit von etwa 5 bis 20 Sekunden auflösen.
(4) Ätzverfahren, welches ein erstes Ätzmittel und ein zweites Ätzmittel verwendet
Ein Ätzverfahren, welches ein erstes Ätzmittel und ein zweites Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, ist zum Ätzen wenigstens eines Metalls, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium. Das Verfahren beinhaltet ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels, welches eine wässrige Lösung beinhaltet, die wenigstens eine der folgenden Komponenten A bis C enthält, mit einer Oberfläche des Metalls und ein zweites Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels, welches eine wässrige Lösung beinhaltet, die Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, mit der Oberfläche des Metalls.

A: Salzsäure.
B: Wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe enthält; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen.
C: ein Tensid.

Wenn ein passiver Film, wie ein Oxidfilm, auf einer Oberfläche von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebildet ist oder wenn Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium dick ist, kann eine ausreichend hohe Ätzrate nicht nur durch die Verwendung des Ätzmittels der vorliegenden Erfindung (das zweite Ätzmittel) erhalten werden. In solchen Fällen ist es durch Verwendung des Ätzverfahrens, das das erste und zweite Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, möglich, Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium rasch zu ätzen.
(4-1) Erstes Ätzmittel
Durch Verwendung des ersten Ätzmittels kann ein passiver Film, wie ein Oxidfilm, der auf einer Oberfläche von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebildet ist, rasch entfernt werden. Insbesondere wenn ein Material, in dem Kupfer zusammen mit Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium vorliegt, behandelt werden soll, löst das erste Ätzmittel kaum das Kupfer auf.
Die Konzentration der Salzsäure in dem ersten Ätzmittel beträgt 0,1 % bis 35 %, bevorzugt 5 % bis 20 % und bevorzugter 10 % bis 15 %. Beträgt die Konzentration der Salzsäure weniger als 0,1 %, kann eine ausreichend hohe Ätzrate für einen passiven Film, wie einen Oxidfilm, der auf einer Oberfläche von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebildet ist, nicht erhalten werden. Wenn andererseits die Konzentration der Salzsäure größer als 35 % ist, weist das Ätzmittel einen strengen Geruch auf und ist daher für die Arbeitsumgebung nicht vorzuziehen.
Die Verbindung mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche ein Schwefelatom und wenigstens eine Gruppe enthält, welche aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe ausgewählt ist, kann eine Harnstoffverbindung sein, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, wie Thioharnstoff, Thioharnstoffdioxid, N-Methylthioharnstoff, 1,3-Dimethylthioharnstoff, 1,3-Diethylthioharnstoff, Ethylenthioharnstoff oder 2-Thiobarbitursäure; Carbonsäure, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, wie Thioglycolsäure, β-Mercaptopropionsäure, 2-Mercaptopropionsäure, 2,2'-Thiodi-glycolsäure, Thiohydroxybernsteinsäure, Mercaptobernsteinsäure, L-Cystein oder L(-)-Cystin; Alkohol, welcher ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, wie Thioglycol.
Als die Thiazolverbindung sind solche bevorzugt, welche in Wasser löslich sind. Spezifische Beispiele davon beinhalten 2-Marcaptobenzothiazol.
Die Konzentration der Verbindung, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, beträgt 0,01 % bis 30 %, vorzugsweise 0,1 % bis 10 % und bevorzugter 0,1 % bis 1 %. Beträgt die Konzentration der Verbindung, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, weniger als 0,01 %, kann eine ausreichend hohe Ätzrate nicht erhalten werden. Beträgt andererseits die Konzentration der Verbindung, welche ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthält, mehr als 30 %, kann eine Wirkung, welche mit der Zunahme der zugefügten Menge der Verbindung in Einklang steht, nicht erhalten werden, was in hohen Kosten resultiert.
Die Auswahl des Tensids ist nicht besonders beschränkt. Beispiele davon beinhalten kationische Tenside, wie Alkyldimethylbenzylammoniumchlorid, Alkyltrimethylammoniumsalze und Alkylpyridiniumsalze; anionische Tenside, wie Alkylarylsulfonat, α-Olefinsulfonat und Alkylbenzolsulfonat; amphotere Tenside, wie Amidopropylbetain, Aminoessigsäurebetain und lineare Alkylaminosäure; und nichtionische Tenside, wie Polyoxyethylenlanolinether, Polyoxyethylenalkylphenol, Polyoxyethylenfettsäureester, Fettsäurediethanolamid und Isopropanolamid.
Die Konzentration des Tensids beträgt bevorzugt 0,001 % bis 1 %, bevorzugter 0,01 % bis 0,1 % und insbesondere bevorzugt 0,01 % bis 0,05 %. Beträgt die Konzentration des Tensids weniger als 0,001 %, kann eine ausreichend hohe Ätzrate für einen passiven Film, wie ein Oxidfilm, der auf einer Oberfläche von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebildet ist, nicht erhalten werden. Wenn andererseits die Konzentration des Tensids größer als 1 % ist, tritt ein beträchtliches Schäumen auf.
Falls erforderlich kann das erste Ätzmittel darüber hinaus weitere Komponenten enthalten. Beispiele für weitere Komponenten beinhalten ein Antischaummittel zur Unterdrückung des Schäumens und ein Rostschutzmittel zum Verhindern, dass sich Kupfer verfärbt.
Das erste Ätzmittel kann leicht durch Auflösen der oben beschriebenen jeweiligen Komponenten in Wasser hergestellt werden. Als Wasser wird bevorzugt solches verwendet, aus dem ionische Substanzen und Verunreinigungen entfernt worden sind, wie Ionenaustauschwasser, Reinwasser und Reinstwasser.
(4-2) Ätzverfahren
Die Zeitdauer, für welche das erste Ätzmittel in Kontakt mit Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium steht, kann so kurz wie etwa 1 bis 60 Sekunden, bevorzugt 5 bis 10 Sekunden sein. Ist die Kontaktzeit zu kurz, kann ein passiver Film, wie ein Oxidfilm, der auf einer Oberfläche von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebildet ist, nicht ausreichend aufgelöst werden. Eine längere Kontaktzeit, welche dann erforderlich ist, liefert keine Vorteile.
Beispiele eines Verfahrens der Verwendung des ersten Ätzmittels beinhalten ein Tauchverfahren und ein Sprüh- bzw. Spritzverfahren. Jedoch wird ein Tauchverfahren bevorzugt, weil die ein Schwefelatom bzw. Schwefelatome enthaltende Verbindung weniger dazu neigt, bei dem Tauchverfahren zersetzt zu werden.
Im Allgemeinen wird das erste Ätzmittel bei einer Temperatur von 20°C bis 50°C verwendet.
Danach wird das zweite Ätzmittel in Kontakt mit Nickel, Chrom, der Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium gebracht. Die Zeitdauer, für welche das zweite Ätzmittel in Kontakt mit dem Nikkel, Chrom, der Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium steht, kann in geeigneter Weise festgelegt werden, abhängig von der Dicke des aufzulösenden Metalls oder dergleichen. Beispielsweise kann die Kontaktzeit etwa 30 bis 60 Sekunden betragen, wenn ein 0,1 μm dicker Chromfilm aufzulösen ist, etwa 10 bis 20 Sekunden, wenn ein 0,1 μm dicker Nickelfilm aufzulösen ist, etwa 20 bis 40 Sekunden, wenn ein 0,1 μm dicker Nickel-Chrom-Legierungsfilm (Ni 70-Cr 30) aufzulösen ist und etwa 1 bis 10 Sekunden, wenn Palladium, das auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial als Katalysator zur stromlosen Hauchverkupferung aufgetragen ist, aufzulösen ist.
Beim Ätzen von Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder von Palladium durch das erste und zweite Ätzmittel unter Verwendung einer Ätzvorrichtung, kann eine der folgenden Prozeduren verwendet werden, beispielsweise: die ersten und zweiten Ätzmittel können durch Vermischen all der Komponenten dafür unter Beachtung vorgeschriebener Zusammensetzungen herge stellt werden und dann können die so hergestellten ersten und zweiten Ätzmittel in die Ätzvorrichtung eingebracht werden; die jeweiligen Komponenten zur Herstellung der ersten und zweiten Ätzmittel können getrennt in die Ätzvorrichtung eingebracht werden und die ersten und zweiten Ätzmittel können in der Ätzvorrichtung durch Vermischen der Komponenten unter Beachtung vorbestimmter Zusammensetzungen hergestellt werden; oder alternativ dazu können einige der Komponenten zur Herstellung der ersten und zweiten Ätzmittel vorab vermischt werden und in die Vorrichtung eingebracht werden und dann können die restlichen Komponenten des Weiteren in die Vorrichtung eingeführt werden und mit den vorher eingeführten Mischungen auf vorbestimmte Zusammensetzungen vermischt werden, wobei die ersten und zweiten Ätzmittel hergestellt werden. Beim Einbringen der jeweiligen Komponenten für die ersten und zweiten Ätzmittel in die Ätzvorrichtung sind die Konzentrationen dafür nicht besonders beschränkt. Beispielsweise können die Komponenten mit höheren Konzentrationen in die Ätzvorrichtung eingeführt werden und dann können die Komponenten mit Wasser in der Apparatur verdünnt werden, um dabei die Konzentrationen davon auf gewünschte Werte einzustellen.
Ein Ätzmittel und ein Ätzverfahren nach der vorliegenden Erfindung sind beispielsweise zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte nützlich. Die folgenden Beispiele (a) bis (c) sind Beispiele für ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltplatte.

(a) Ein Verfahren, umfassend das Ausbilden einer Schicht aus Nickel, Chrom oder einer Nickel-Chrom-Legierung auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial, Ausbilden eines Plattier- bzw. Beschichtungsresist auf dieser Schicht; dann Ausbilden einer Kupferschicht durch elektrolytische Kupferplattierung nur auf einem Teil, wo eine Schaltung ausgebildet werden soll; dann Entfernen des Plattierungsresists; und ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels und dann eines zweiten Ätzmittels mit dem elektrisch isolierenden Basismaterial, un ter Auflösung eines Teils der Nickel-, Chrom- oder Nickel-Chrom-Legierungsschicht, welche mit der Kupferschicht bedeckt ist.
(b) Ein Verfahren, umfassend das Ausbilden einer Schicht von Nickel, Chrom oder einer Nickel-Chrom-Legierung auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial; Ausbilden einer Kupferschicht auf dieser Schicht; dann Beschichten eines Teils, wo eine Schaltung auszubilden ist, mit einem Ätzresist; dann Inkontaktbringen eines Kupferätzmittels mit dem elektrisch isolierenden Basismaterial, um einen Teil des Kupfers, das nicht mit dem Ätzresist bedeckt ist, abzuätzen und Inkontaktbringen eines ersten und dann eines zweiten Ätzmittels mit dem elektrisch isolierenden Basismaterial, um einen Teil der Nickel-, Chrom- oder Nickel-Chrom-Legierungsschicht aufzulösen, welche dem Abätzen von Kupfer ausgesetzt ist.
(c) Ein Verfahren, umfassend ein Aufbringen eines Katalysators zur stromlosen Plattierung auf ein elektrisch isolierendes Basismaterial; Ausführen einer stromlosen Hauchverkupferung und dann einer elektrolytischen Kupferbeschichtung; Beschichten eines Teils, wo eine Schaltung auszubilden ist, mit einem Ätzresist; Inkontaktbringen eines Kupferätzmittels mit dem elektrisch isolierenden Basismaterial, um so einen Teil des Kupfers (die Kupferschicht, welche durch die stromlose Hauchverkupferung ausgebildet ist und dann die Kupferschicht, welche durch die elektrolytische Kupferbeschichtung ausgebildet ist), das nicht mit dem Ätzresist bedeckt ist, abzuätzen; und Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels und dann eines zweiten Ätzmittels mit dem elektrisch isolierenden Basismaterial, um so den Katalysator (Palladium) für die stromlose Plattierung, welcher auf dem elektrisch isolierenden Basismaterial zurückbleibt, welcher beim Ätzen des Kupfers exponiert ist, aufzulösen.

Beispiele für ein Material für das elektrisch isolierende Basismaterial umfassen thermoplastische Harze, wie AS-Harz, ABS- Harz, Fluorkohlenstoffharze, Polyamid, Polyethylen, Polyethylenterephthalat, Polyvinylidenchlorid, Polyvinylchlorid, Polycarbonat, Polystyrol, Polysulphon, Polypropylen und Flüssigkristallpolymere; und wärmeaushärtende Harze, wie Epoxidharze, Phenolharze, Polyimid, Polyurethan, Bismaleimidtriazin-Harz und modifizierte Polyphenylenether. Diese Harze können mit Glasfasern, Aramidfasern oder dergleichen verstärkt sein. Auch können Keramik, Glas oder dergleichen als Material für das elektrisch isolierende Basismaterial verwendet werden.
Die Schicht aus Nickel, Chrom oder einer Nickel-Chrom-Legierung wird durch stromloses Plattieren (Galvanisieren), Sputtern, Vakuumverdampfung oder dergleichen ausgebildet. Die Kupferschicht wird durch stromloses Plattieren, elektrolytisches Plattieren oder dergleichen ausgebildet.
Gemäß dem Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung kann sogar wenn die Schicht aus Nickel, Chrom oder einer Nickel-Chrom-Legierung beispielsweise so dick wie 0,1 μm ist, die Schicht rasch aufgelöst werden, währenddessen geringe Änderungen in der Form der Kupferschicht, welche durch elektrolytische Kupferplattierung aufgetragen ist, verursacht wird. Auch kann Palladium als ein Katalysator zur stromlosen Plattierung, welcher auf dem Basismaterial verbleibt, leicht aufgelöst werden.
Gemäß dem Ätzmittel und dem Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Nickel, Chrom oder eine Nickel-Chrom-Legierung rasch abzuätzen.
Des Weiteren kann gemäß dem Ätzmittel und dem Ätzverfahren der vorliegenden Erfindung Palladium rasch abgeätzt werden. Palladium wird als ein Katalysator zur stromlosen Hauchverkupferung bei der Herstellung von Schaltplatten verwendet. Es gab jedoch Probleme, indem Palladium, das auf einer Oberfläche eines elektrisch isolierenden Basismaterials verbleibt, die Isolierungsleistung des Basismaterials verschlechtert und das Gold auf einem unerwünschten Teil in einem nachfolgenden Goldbe schichtungsverfahren abgeschieden wird. Die vorliegende Erfindung ist auch nützlich zur Entfernung von solchem Palladium.
Das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung kann Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium rasch abätzen, so dass ein zu behandelndes Material nur für kurze Zeit mit dem Ätzmittel in Kontakt sein muss. Wenn ein Material, in welchem Kupfer zusammen mit Nickel, Chrom, einer Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium vorliegt, zu behandeln ist, wird demzufolge nur eine kleine Menge von Kupfer aufgelöst, weil das Kupfer nur für eine kurze Zeit mit dem Ätzmittel in Kontakt steht.
Des Weiteren können gemäß dem Ätzverfahren, welches ein erstes Ätzmittel und ein zweites Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, Nickel, Chrom, eine Nickel-Chrom-Legierung oder Palladium rasch abgeätzt werden, sogar wenn ein passiver Film, wie ein Oxidfilm, auf einer Oberfläche davon ausgebildet ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist das Atomverhältnis von Ni zu Cr in Nickel-Chrom-Legierungen nicht besonders beschränkt. Beispielsweise können Ni und Cr in einem Verhältnis (Gewichtsverhältnis) von Ni:Cr = 6:1, 7:1 oder 1:3 vorliegen.
BEISPIELE
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung genauer mit Hilfe von Beispielen und Vergleichsbeispielen beschrieben.
Beispiele 1 bis 5 und Vergleichsbeispiele 1 und 2
Die in Tabelle 1 gezeigten Komponenten wurden vermischt, um Ätzmittel der Beispiele 1 bis 5 und der Vergleichsbeispiele 1 und 2 herzustellen.
(1) Ätzen von Nickel-Chrom-Legierung
Polyimidfilme, wovon jeder einen 0,1 μm dicken Nickel-Chrom-Legierungsfilm (Ni 88-Cr 12), ausgebildet durch Sputtern, beinhaltete, wurden in die jeweiligen Ätzmittel getaucht, welche bei 40°C gehalten wurden, um die Nickel-Chrom-Legierungsfilme aufzulösen. Bezüglich der jeweiligen Polyimidfilme wurden die Zeiten mittels eines Röntgenfluoreszenzspektrometers bestimmt, welche erforderlich waren, bis Nickel und Chrom auf ihren Oberflächen nicht länger nachweisbar waren. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Andererseits wurden Kupferfolien (40 mm lang, 40 mm breit, 35 μm dick, Gewicht 0,50 g) in die jeweiligen bei 40°C gehaltenen Ätzmittel jeweils über die oben bestimmten Zeiten eingetaucht. Dann wurden bezüglich der Kupferfolien die Mengen an aufgelöstem Kupfer durch die Gewichtsänderung bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
(2) Ätzen von Palladium
Mit Epoxidharz imprägnierte Glasfaserbasismaterialien wurden zur stromlosen Hauchverkupferung vorbehandelt, um so einen Palladiumkatalysator auf ihren Oberflächen aufzubringen. Die so behandelten Basismaterialien wurden in die auf 40°C gehaltenen jeweiligen Ätzmittel getaucht, um so die Palladiumkatalysatoren aufzulösen. Bezüglich der jeweiligen Basismaterialien wurden die Zeiten bestimmt, bis Palladium auf ihren Oberflächen nicht mehr durch ESCA (Röntgenphotoelektronenspektroskopie) nachweisbar waren. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Andererseits wurden Kupferfolien (40 mm lang, 40 mm breit, 35 μm dick, Gewicht 0,50 g) in die jeweiligen bei 40°C gehaltenen Ätzmittel für die oben bestimmten Zeiten eingetaucht. Dann wurden bezüglich der jeweiligen Kupferfolien die Mengen an aufgelöstem Kupfer aus der Gewichtsänderung bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Tabelle 1
Wie aus den Ergebnissen hinsichtlich der in Tabelle 1 gezeig ten Beispiele 1 bis 5 gesehen werden kann, konnten die Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung die Nickel-Chrom-Legierung von 0,1 μm Dicke in einer kurzen Zeit von 120 bis 150 Sekunden auflösen und konnten den Palladiumkatalysator in einer kurzen Zeit von 10 bis 20 Sekunden auflösen. Auch war gemäß den Ätzmitteln der vorliegenden Erfindung der Gewichtsverlust der Kupferfolien sehr klein. Beispielsweise betrug der Gewichtsverlust. nur 0,03 g, wenn die Kupferfolie in das Ätzmittel 150 Sekunden lang eingetaucht wurde.
Wie im Gegensatz dazu aus Tabelle 1 gesehen werden kann, benötigte das allgemein bekannte Ätzmittel, das Eisen(III)-chlorid als eine Hauptkomponente enthält (Vergleichsbeispiel 2) 180 Sekunden, um die Nickel-Chrom-Legierung aufzulösen und 30 Sekunden, um das Palladium aufzulösen. Darüber hinaus betrug der Gewichtsverlust der Kupferfolie 0,48 g, wenn die Kupferfolie 180 Sekunden in das Ätzmittel eingetaucht wurde.
Diese Ergebnisse demonstrieren, dass ein Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung eine hohe Ätzrate erreichen kann und nur eine kleine Menge Kupfer auflöst.
Beispiele 6 bis 10
Die in Tabelle 2 gezeigten Komponenten wurden vermischt, um so Ätzmittel (ein erstes Ätzmittel und ein zweites Ätzmittel) der Beispiele 6 bis 10 herzustellen.
(1) Ätzen von Nickel-Chrom-Legierung
Polyimidfilme, jeder umfassend einen 0,1 μm dicken durch Sputtern hergestellten Nickel-Chrom-Legierungsfilm (Ni 88-Cr 12) wurden in das jeweilige auf 40°C gehaltene erste Ätzmittel 5 Sekunden eingetaucht. Danach wurden die Polyimidfilme in das jeweilige auf 40°C gehalten zweite Ätzmittel eingetaucht, um die Nickel-Chrom-Legierungsfilme aufzulösen. Bezüglich der jeweiligen Polyimidfilme wurden durch Röntgenfluoreszenzspektro meter die Zeiten bestimmt, welche erforderlich waren, bis Ni und Cr auf ihren Oberflächen nicht länger nachweisbar waren (das heißt, die Zeiten, für welche die jeweiligen Polyimidfilme in die zweiten Ätzmittel eingetaucht wurden). Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Auch wurden Kupferfolien (40 mm lang, 40 mm breit, 35 μm dick, Gewicht 0,50 g) in die jeweiligen bei der gleichen Temperatur gehaltenen ersten und zweiten Ätzmittel und für die gleichen Zeiten wie oben eingetaucht. Dann wurde bezüglich der jeweiligen Kupferfolien die Menge an aufgelöstem Kupfer aus deren Gewichtsänderung bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
(2) Ätzen von Palladium
Mit Epoxidharz imprägnierte Glasfaserbasismaterialien wurden zur stromlosen Hauchverkupferung vorbehandelt, um so einen Palladiumkatalysator auf ihren Oberflächen anzuhaften. Die so behandelten Basismaterialien wurden dann in das jeweilige erste bei 40°C gehaltene Ätzmittel 5 Sekunden eingetaucht. Danach wurden die Basismaterialien in die jeweiligen bei 40°C gehaltenen zweiten Ätzmittel eingetaucht, um so den Palladiumkatalysator aufzulösen. Bezüglich der jeweiligen Basismaterialien wurden die Zeiten bestimmt, welche erforderlich waren, bis Palladium auf ihren Oberflächen durch ESCA (Röntgenphotoelektronenspektroskopie) nicht länger nachweisbar waren (das heißt, die Zeiten, für welche die jeweiligen Basismaterialien in den zweiten Ätzmitteln eingetaucht waren. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Andererseits wurden Kupferfolien (40 mm lang, 40 mm breit, 35 μm dick, Gewicht 0,50 g) in die ersten bei 40°C gehaltenen Ätzmittel und dann in die bei 40°C gehaltenen zweiten Ätzmittel für die selben Zeiten wie oben beschrieben eingetaucht. Dann wurden bezüglich der jeweiligen Kupferfolien die Mengen an aufgelöstem Kupfer aus deren Gewichtsverlust bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Tabelle 2
Wie aus den Ergebnissen bezüglich der in Tabelle 2 gezeigten Beispiele 6 bis 10 zu ersehen ist, konnte durch das Ätzverfahren, das zwei Typen von Ätzmitteln gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, die Nickel-Chrom-Legierung von 0,1 μm Dicke in einer kurzen Zeit von 20 bis 30 Sekunden aufgelöst werden und der Palladiumkatalysator konnte in einer kurzen Zeit von 5 bis 10 Sekunden aufgelöst werden. Darüber hinaus wurde kein Gewichtsverlust der Kupferfolien festgestellt.

Claims

Ätzmittel für wenigstens ein Metall, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium, wobei das Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche: Salzsäure; Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst.
Ätzmittel nach Anspruch 1, worin das Ätzmittel die wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration von Salzsäure im Bereich von 0,1 bis 35 Masse-%, eine Konzentration der Salpetersäure in einem Bereich von 0,1 bis 20 Masse-% und eine Konzentration eines Materials, das die Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, gemessen als eine Konzentration von Kupfer, im Bereich von 0,00001 bis 0,1 Masse-% liegt, wobei das Ätzmittel als 100 Masse-% angenommen wird.
Ätzmittel nach Anspruch 1, welches des Weiteren 1 bis 60 Masse-% Schwefelsäure umfasst.
Ätzmittel nach Anspruch 1, welches des Weiteren 0,001 bis 1 Masse-% eines Tensids umfasst.
Ätzmittel-Set, umfassend ein erstes Ätzmittel und ein zweites Ätzmittel, worin das erste Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C umfasst A: Salzsäure; B: wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche (ein) Schwefelatom e) und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe, enthält; (b) Thiazol; und (c) (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen und C: ein Tensid, und das zweite Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst.
Ätzmittel nach Anspruch 5, worin die Verbindung mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche (ein) Schwefelatom e) und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe enthält, wenigstens eine ist, ausgewählt aus Thioharnstoff, Thioharnstoffdioxid, N-Methylthioharnstoff, 1,3-Dimethylthioharnstoff, 1,3-Diethylthioharnstoff, Ethylenthioharnstoff, 2-Thio-barbitursäure, Thioglycolsäure, β-Mercaptopropionsäure, 2-Mercaptopropionsäure, 2,2'-Thiodiglycolsäure, Thiobernsteinsäure, Mercaptobernsteinsäure, L-Cystein, L(-)-Cystin und Thioglycol.
Ätzmittel nach Anspruch 5, worin die Thiazolverbindung 2-Mercaptobenzothiazol ist.
Ätzmittel nach Anspruch 5, worin eine Konzentration der Komponente B im Bereich von 0,01 bis 30 Masse-% liegt.
Ätzmittel nach Anspruch 5, worin eine Konzentration des Tensids als die Komponente C im Bereich von 0,001 bis 1 Masse-% liegt.
Verfahren zum Ätzen wenigstens eines Metalls, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und Palladium, welches ein Inkontaktbringen eines Ätzmittels, welches eine wässrige Lösung umfasst, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst, mit dem Metall umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, worin das Ätzmittel des Weiteren 1 bis 60 Masse-% Schwefelsäure umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, worin das Ätzmittel des Weiteren 0,001 bis 1 Masse-% eines Tensids umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, worin das Ätzmittel, welches die Salzsäure, die Salpetersäure und die Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst, als ein zweites Ätzmittel verwendet wird und das Verfahren des Weiteren ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit dem Metall umfasst, bevor das zweite Ätzmittel in Kontakt mit dem Metall gebracht wird, wobei das erste Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C umfasst: A: Salzsäure; B: wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche (ein) Schwefelatom e) und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe, enthält; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen und C: ein Tensid.
Verfahren nach Anspruch 10, worin eine Ergänzungslösung dem Ätzmittel zugegeben wird, wenn das Ätzmittel wiederholt verwendet wird und die Ergänzungslösung eine wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration von Salzsäure im Bereich von 0,1 bis 35 Masse-% liegt und eine Konzentration von Salpetersäure in einem Bereich von 0,1 bis 20 Masse-% liegt, wobei die Ergänzungslösung als 100 Masse-% angenommen wird.
Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte, umfassend: ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit einem Teil einer Oberfläche von Nickel, Chrom oder einer Nickel-Chrom-Legierung, welche auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial vorliegt, wobei der Teil nicht mit einer Kupferverdrahtung bedeckt ist und dann ein Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels mit dem Teil, um so das Nickel, Chrom oder die Nickel-Chrom-Legierung aufzulösen, worin das erste Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C umfasst: A: Salzsäure; B: wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche (ein) Schwefelatom e) und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe, enthält; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen und C: ein Tensid und das zweite Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, worin das erste Ätzmittel die wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration der Komponente A in einem Bereich von 0,1 bis 35 Masse-%, eine Konzentration der Komponente B in einem Bereich von 0,01 bis 30 Masse-% und eine Konzentration der Komponente C in einem Bereich von 0,001 bis 1 Masse-% liegt, wobei das erste Ätzmittel als 100 Masse-% angenommen wird, und das zweite Ätzmittel die wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration der Salzsäure in einem Bereich von 0,1 bis 35 Masse-%, eine Konzentration der Salpetersäure in einem Bereich von 0,1 bis 20 Masse-% und eine Konzentration eines Materials, das die Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, gemessen als eine Konzentration an Kupfer, in einem Bereich von 0,00001 bis 0,1 Masse-% liegt, wobei das zweite Ätzmittel als 100 Masse-% angenommen ist.
Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte, umfassend: ein Inkontaktbringen eines ersten Ätzmittels mit einem Palladiumkatalysator zur stromlosen Hauchverkupferung, welcher in einer Lücke einer Verdrahtung auf einem elektrisch isolierenden Basismaterial vorliegt und dann Inkontaktbringen eines zweiten Ätzmittels mit dem Palladiumkatalysator, um so den Palladiumkatalysator aufzulösen, worin das erste Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche wenigstens die folgenden Komponenten A bis C umfasst: A: Salzsäure; B: wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den folgenden (a) bis (c): (a) Verbindungen mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, welche (ein) Schwefelatom e) und wenigstens eine Gruppe, ausgewählt aus einer Aminogruppe, einer Iminogruppe, einer Carboxylgruppe, einer Carbonylgruppe und einer Hydroxylgruppe, enthält; (b) Thiazol; und (c) Thiazolverbindungen und C. ein Tensid und das zweite Ätzmittel eine wässrige Lösung umfasst, welche Salzsäure, Salpetersäure und eine Kupfer(II)-Ionenquelle umfasst.
Verfahren nach Anspruch 17, worin das erste Ätzmittel die wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration der Komponente A in einem Bereich von 0,1 bis 35 Masse-%, eine Konzentration der Komponente B in einem Bereich von 0,01 bis 30 Masse-% und eine Konzentration der Komponente C in einem Bereich von 0, 001 bis 1 Masse-% liegt, wobei das erste Ätzmittel als 100 Masse-% angenommen wird, und das zweite Ätzmittel die wässrige Lösung ist, in welcher eine Konzentration der Salzsäure in einem Bereich von 0,1 bis 35 Masse-%, eine Konzentration der Salpetersäure in einem Bereich von 0,1 bis 20 Masse-% und eine Konzentration eines Materials, das die Kupfer(II)-Ionenquelle enthält, gemessen als eine Konzentration an Kupfer, in einem Bereich von 0,00001 bis 0,1 Masse-% liegt, wobei das zweite Ätzmittel als 100 Masse-% angenommen ist.