[go: up one dir, main page]

DE102004057454A1 - Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102004057454A1
DE102004057454A1 DE102004057454A DE102004057454A DE102004057454A1 DE 102004057454 A1 DE102004057454 A1 DE 102004057454A1 DE 102004057454 A DE102004057454 A DE 102004057454A DE 102004057454 A DE102004057454 A DE 102004057454A DE 102004057454 A1 DE102004057454 A1 DE 102004057454A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
laser module
diode laser
intermediate carrier
optical components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004057454A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004057454B4 (de
Inventor
Hartmut G. Dr. Hänsel
Petra Hennig
Guido Dr. Bonati
Dirk Dr. Lorenzen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jenoptik Optical Systems GmbH
Original Assignee
Jenoptik Laserdiode GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jenoptik Laserdiode GmbH filed Critical Jenoptik Laserdiode GmbH
Priority to DE102004057454A priority Critical patent/DE102004057454B4/de
Priority to US11/286,251 priority patent/US7483456B2/en
Publication of DE102004057454A1 publication Critical patent/DE102004057454A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004057454B4 publication Critical patent/DE102004057454B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237Fixing laser chips on mounts by soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Bei einem Diodenlasermodul und einem Verfahren zu dessen Herstellung besteht die Aufgabe, die für die Kollimation, Strahlformung und/oder Strahlumordnung der Strahlung eines Laserdiodenelementes benötigten optischen Elemente mit höherer Reproduzierbarkeit und langzeitstabil optisch ausgerichtet zu fixieren, wobei der optisch ausgerichtete Zustand durch eine aufeinander folgende Justierung der optischen Elemente im Strahl des eingeschalteten Laserdiodenelementes hergestellt wird. Es soll gewährleistet sein, dass die Fixierung in einem zumindest teilautomatisierten Prozess erfolgen kann. DOLLAR A Auf einem zur Kühlung des Laserdiodenelementes dienenden wärmeabführenden Träger ist mindestens ein Zwischenträger aufgebracht, dessen Wärmeleitfähigkeit die des wärmeabführenden Trägers unterschreitet und auf dessen Oberfläche die Ausrichtung der optischen Komponenten und die Fixierung durch sequentielles Löten erfolgt.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Diodenlasermodul, das auf einem gemeinsamen wärmeabführenden Träger mindestens ein kontaktiertes Laserdiodenelement und optische Komponenten enthält.
  • Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasermoduls, das auf einem gemeinsamen wärmeabführenden Träger mindestens ein kontaktiertes Laserdiodenelement und optische Komponenten enthält, wobei die optischen Komponenten im Betriebszustand des Laserdiodenelementes ausgerichtet und nachfolgend fixiert werden.
  • Laserdiodenelemente umfassen Einzellaserdioden und Laserdiodenbarren. Einzellaserdioden besitzen nur einen einzigen Laserdiodenemitter, der sich durch ein optisch zusammenhängendes aktives Gebiet definiert. Laserdiodenbarren sind monolithische Halbleiterlaser-Anordnungen von mindestens zwei optisch im wesentlichen voneinander unabhängig betriebsfähigen Laserdiodenemittern. Die laterale Ausdehnung von Laserdiodenbarren ist abhängig von der Breite, dem Abstand und der Anzahl der Emitter. Typische Breiten liegen im Bereich von 1 bis 15 mm.
  • Bekanntermaßen bereiten Laserdiodenelemente aufgrund ihrer schlechten Strahlpropagationseigenschaften in der praktischen Anwendung Schwierigkeiten.
  • Es ist daher fast immer erforderlich, die von dem Laserdiodenelement ausgehende Strahlung unter Ausnutzung der hohen Leistung und des günstigen Wirkungsgrades optisch in geeigneter Form zu transformieren, so dass sie für den beabsichtigten Zweck brauchbar wird.
  • Die zur Kollimation, Strahlformung und/oder Strahlumordnung dienenden Optiken werden bisher meist durch eine aufeinanderfolgende Justierung im Strahl des eingeschalteten Laserdiodenelementes ausgerichtet und im ausgerichteten Zustand nacheinander fixiert.
  • Erfolgt die Fixierung durch Klebung, besteht der Nachteil, dass Ausgasungen die optischen Schichten negativ beeinflussen können. Außerdem ist die Klebetechnologie wegen langer Aushärtungszeiten nur begrenzt automatisierbar. Ferner können Schrumpfungen, die beim Aushärten der verwendeten Klebemittel auftreten, zu einer unerwünschten Positionsänderung der Optiken führen, so dass die optischen Eigenschaften nicht denjenigen der Optimalposition entsprechen.
  • Während diese Nachteile einer zuverlässigen Montage mit einer reproduzierbaren Qualität entgegenstehen, beschränkt das zur Versprödung führende ungünstige Alterungsverhalten der Klebemittel die Lebensdauer der Klebeverbindungen. Gewünschte Langzeitanwendungen sind somit ausgeschlossen oder zumindest stark eingeschränkt.
  • Es besteht deshalb die Aufgabe, die für die Kollimation, Strahlformung und/oder Strahlumordnung der Strahlung eines Laserdiodenelementes benötigten optischen Elemente mit höherer Reproduzierbarkeit und langzeitstabil optisch ausgerichtet zu fixieren, wobei der optisch ausgerichtete Zustand durch eine aufeinanderfolgende Justierung der optischen Elemente im Strahl des eingeschalteten Laserdiodenelementes hergestellt wird. Es soll gewährleistet sein, dass die Fixierung in einem zumindest teilautomatisierten Prozess erfolgen kann.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Diodenlasermodul der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass auf dem wärmeabführenden Träger mindestens ein Zwischenträger aufgebracht ist, dessen Wärmeleitfähigkeit die des wärmeabführenden Trägers unterschreitet und auf dessen Oberfläche mindestens eine optische Komponente über mindestens eine Lötverbindungsstelle befestigt ist.
  • Bevorzugt kann ein als optische Bank ausgebildeter Zwischenträger vorgesehen sein, auf dem die Lötverbindungsstellen beabstandet zueinander angeordnet vorgesehen sind.
  • Eine andere Ausgestaltung sieht vor, dass der Zwischenträger erhabene Bereiche mit in einer gemeinsamen Ebene liegenden Oberflächen aufweist, auf denen sich die Lötverbindungsstellen befinden. Insbesondere kann der Zwischenträger als Zahnstange ausgebildet sein.
  • Sind die optischen Komponenten mit Optikfassungen versehen, ist es vorteilhaft, wenn der Zwischenträger aus optisch transparentem Material besteht, so dass zum Löten ein Laserstrahl durch das transparente Material hindurch auf eine Lötverbindungsstelle zur Verbindung des Zwischenträgers mit den optischen Komponenten gerichtet werden kann.
  • Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Zwischenträger zumindest teilweise als strahlumkehrender Prismenstumpf ausgebildet ist, auf dessen Basisfläche sich die Lötverbindungsstellen befinden und der über seine parallel zur Basisfläche verlaufende Fläche mit dem wärmeabführenden Träger verbunden ist. Ein geeignetes Material für den strahlungsdurchlässigen Zwischenträger ist Glas, welches eine ausreichende thermische Isolierung gegenüber dem wärmeabführenden Träger und zwischen den optischen Komponenten erzielt.
  • Sind die optischen Komponenten zumindest teilweise strahlungsdurchlässig, kann der Zwischenträger aus strahlungsundurchlässigem Material bestehen.
  • Die oben stehende Aufgabe wird ferner erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasermoduls der eingangs genannten Art gelöst, indem auf dem wärmeabführenden Träger mindestens ein Zwischenträger aufgebracht wird, dessen Wärmeleitfähigkeit die des wärmeabführenden Trägers unterschreitet und auf dessen Oberfläche die Ausrichtung der optischen Komponenten und die Fixierung durch sequentielles Löten erfolgt.
  • Insbesondere kann die Fixierung durch lokal begrenztes Löten über mindestens eine selektive Lötverbindungsstelle auf mindestens einem Zwischenträger erfolgen, wobei ein durch die lokale Begrenzung bestimmter Flächenbereich den Flächenbereich der Fügeflächen auch um mehr als 90% unterschreiten kann.
  • Vorteilhaft lässt sich der Lötprozess automatisieren, insbesondere wenn das Löten bevorzugt durch Energiezufuhr mittels Laserstrahl durchgeführt wird (Laserstrahllöten). Eine negative Beeinflussung optischer Schichten durch die bei Verwendung von Klebstoffen auftretenden Ausgasungen kann vermieden werden. Nach der Fixierung liegen langzeitstabile Verbindungen vor.
  • Um Längentoleranzen bei den optischen Komponenten zu beherrschen, können diese durch unterschiedliche Lotvolumina, z. B. durch unterschiedliche Lotpreformdicken ausgeglichen werden.
  • Die material- und optional formbestimmte Wärmeisolationsfunktion des Zwischenträgers gewährleistet ein lokales sequenzielles Löten der optischen Komponenten oder gehalterter optischer Komponenten, ohne dass Lötverbindungen bei einer nachfolgenden Lötung thermisch derart beansprucht werden, dass sie wieder aufschmelzen. Ferner kann durch eine bevorzugte Verwendung niedrig schmelzender Lote – insbesondere Weichlote – die Lottemperatur und die thermische und thermomechanische Beanspruchung der Fügepartner gering gehalten werden.
  • Die Erfindung soll nachstehend anhand der schematischen Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen:
  • 1 eine erste Ausführung für die Fixierung von optischen Komponenten auf Zwischenträgern, die als Zahnstangen ausgebildet sind
  • 2 die Fixierung von gefassten optischen Komponenten
  • 3 einen als optisches Umlenkelement ausgebildeten Zwischenträger
  • 4 seitlich zu den optischen Komponenten angeordnete Zwischenträger
  • 5 als Widerstandsheizelemente ausgebildete Zwischenträger
  • Auf einem wärmeabführenden Träger 1, z. B. aus Kupfer, sind zur Aufnahme von optischen Komponenten 2 (z. B. Linsen) für die Strahlformung und/oder Strahlumordnung der von einem Laserdiodenelement 3, ausgehenden Strahlung Zwischenträger 4 aufgebracht, deren Wärmeleitfähigkeit geringer ist als die des wärmeabführenden Trägers 1, wodurch die Zwischenträger 5 eine Wärmeisolationsfunktion ausüben.
  • Ohne Beschränkung des erfindungswesentlichen Gedankens sind die kontaktierten Laserdiodenelemente 3 in 1 und 2 zur besseren Veranschaulichung nur mit einem einzelnen Kontaktelement 3a dargestellt, welches zwischen dem vorzugsweise als Laserdiodenbarren ausgebildeten Laserdiodenelement 3 und dem Träger 1 angeordnet ist.
  • In einer ersten Ausführung bestehen die als Zahnstangen paarweise ausgebildeten Zwischenträger 4 vorzugsweise aus elektrisch isolierendem Material, wie z. B. Glas oder Keramik.
  • Die optischen Komponenten 2 weisen auf einer Seite, mit der eine Verbindung mit einem Zwischenträger 4 hergestellt werden soll, Metallisierungsschichtsysteme z. B. der Folge Titan, Platin, Gold auf, die in Abhängigkeit von der Größe der optischen Komponenten 2 zur Herstellung einer Lötverbindung zu mindestens einer, z. B. über Lotpads gebildeten Lötverbindungsstelle 5 geeignet sind. Die Lötverbindungsstellen 5 sind beabstandet zueinander auf den Zwischenträgern 4, hier auf den Zähnen 6 der Zahnstangen aufgebracht.
  • Die Lötverbindungen werden bei dieser Ausführung bevorzugt mittels örtlich begrenzt eingebrachter Laserstrahlung L hergestellt, indem durch die strahlungsdurchlässige optische Komponente 2 hindurchgestrahlt wird. Durch eine geringe Wärmeleitfähigkeit und die Strukturierung der aus Glas oder Keramik gefertigten Zwischenträger 4 können aufgrund einer thermischen Isolierung der Lötverbindungsstellen 5 untereinander und gegenüber dem zur Kühlung des Laserdiodenelementes 3 benötigten Trägers 1 verschiedene optische Komponenten 2 nacheinander durch sequentielles Löten lokal begrenzt fixiert werden, ohne dass eine Aufschmelzung einer vorangegangenen Lötung auftritt.
  • In einer weiteren Ausführung sind die optischen Komponenten 2 bereits mindestens paarweise durch seitliche Brückenelemente 7, 8 miteinander verbunden. Zur Verbindung der Brückenelemente 7, 8 mit den optischen Komponenten 2 eignen sich bevorzugt laserinitiierte Lötverbindungen mit höher schmelzenden Loten, wie z. B. Gold-Zinn. Die miteinander verbundenen optischen Komponenten 2 werden über die Brückenelemente 7, 8 mit mindestens einer Lötverbindungsstelle 5 verbunden, von der mehrere beabstandet zueinander auf einem, auf dem wärmeabführenden Träger 1 aufgebrachten schichtenförmigen Zwischenträger 9 angeordnet sind.
  • Bei einer dritten Ausführung gemäß 3 sind Zwischenträger 10 aus optisch transparentem Material vorgesehen, um eine Zuführung lokal begrenzter Laserstrahlung L zu mindestens einer Lötverbindungsstelle 5 zu gewährleisten, wenn die optischen Komponenten 2 so von einer Optikfassung F umschlossen sind, dass sie nicht in Richtung auf die Lötverbindungsstelle 5 durchstrahlt werden können.
  • Die als strahlumkehrende Prismenstümpfe ausgebildeten Zwischenträger 10 weisen zwei um 90° zueinander geneigte reflektierende Umlenkflächen 11, 11' und 12, 12' und zwei zueinander parallele Flächen 13, 13' und 14, 14' auf, von denen eine erste Fläche 13, 13' über eine Verbindungsschicht 15, 15' mit dem wärmeabführenden Träger 1 verbunden ist. Auf der zweiten Fläche 14, 14', der Basisfläche der Primenstümpfe, befinden sich zueinander beabstandet die Lötverbindungsstellen 5 für die Befestigung der im Laserstrahl des Laserdiodenelementes 3 ausgerichteten optischen Komponenten 2, zu denen ein auf die Basisfläche gerichteter Laserstrahl L über die reflektierenden Umlenkflächen 11, 11' und 12, 12' durch eine 180°-Umlenkung geführt wird.
  • Gemäß 4 können auch seitlich zu den optischen Komponenten 2 positionierte Zwischenträger 16 vorgesehen sein, durch die der Laserstrahl L ohne Umlenkung direkt auf die Lötverbindungsstelle 5 gerichtet wird.
  • Schließlich ist gemäß 5 ein Diodenlasermodul vorgesehen, bei dem auf thermisch isolierenden Zwischenträgern 17 aufliegende wärmeübertragende Schichtenbereiche 20, 20' als vermittelndes Element zur Bereitstellung von Wärme am Ort der Lötverbindungsstelle 5 dienen. Die Schichtbereiche 20, 20' können durch Beaufschlagung mit Wärme erhitzt werden oder durch Zufuhr elektrischer Energie als Widerstandsheizelemente wirken.

Claims (12)

  1. Diodenlasermodul, das auf einem gemeinsamen wärmeabführenden Träger mindestens ein kontaktiertes Laserdiodenelement und optische Komponenten enthält, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem wärmeabführenden Träger (1) mindestens ein Zwischenträger (4, 9, 10, 16, 17) aufgebracht ist, dessen Wärmeleitfähigkeit die des wärmeabführenden Trägers (1) unterschreitet und auf dessen Oberfläche mindestens eine optische Komponente (2) über mindestens eine Lötverbindungsstelle (5) befestigt ist.
  2. Diodenlasermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Komponenten (2) mit Optikfassungen (F) versehen sind.
  3. Diodenlasermodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein als optische Bank ausgebildeter Zwischenträger (4) vorgesehen ist, auf dem die Lötverbindungsstellen (5) beabstandet zueinander angeordnet vorgesehen sind.
  4. Diodenlasermodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (4) erhabene Bereiche mit in einer gemeinsamen Ebene liegenden Oberflächen aufweist, auf denen die Lötverbindungsstellen (5) vorgesehen sind.
  5. Diodenlasermodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Zwischenträger (4) mindestens eine Zahnstange vorgesehen ist.
  6. Diodenlasermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (10) aus optisch transparentem Material besteht.
  7. Diodenlasermodul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (10) zumindest teilweise als strahlumkehrender Prismenstumpf ausgebildet ist, auf dessen Basisfläche sich die Lötverbindungsstellen (5) befinden und der über seine parallel zur Basisfläche verlaufende Fläche (13, 13') mit dem wärmeabführenden Träger (1) verbunden ist.
  8. Diodenlasermodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (10, 16) aus Glas besteht.
  9. Diodenlasermodul nach einem der Ansprüche 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Komponenten (2) zumindest teilweise strahlungsdurchlässig sind und der Zwischenträger (4, 9) aus strahlungsundurchlässigem Material besteht.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasermoduls, das auf einem gemeinsamen wärmeabführenden Träger mindestens ein kontaktiertes Laserdiodenelement und optische Komponenten enthält, wobei die optischen Komponenten im Betriebszustand des Laserdiodenelementes ausgerichtet und nachfolgend fixiert werden, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem wärmeabführenden Träger mindestens ein Zwischenträger aufgebracht wird, dessen Wärmeleitfähigkeit die des wärmeabführenden Trägers unterschreitet und auf dessen Oberfläche die Ausrichtung der optischen Komponenten und die Fixierung durch sequentielles Löten erfolgt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Fixierung durch lokal begrenztes Löten über mindestens eine selektive Lötverbindungsstelle auf mindestens einem Zwischenträger erfolgt, wobei ein durch die lokale Begrenzung bestimmter Flächenbereich den Flächenbereich der Fügeflächen unterschreitet.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Löten durch Energiezufuhr mittels Laserstrahl erfolgt.
DE102004057454A 2004-11-25 2004-11-25 Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Fee Related DE102004057454B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004057454A DE102004057454B4 (de) 2004-11-25 2004-11-25 Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US11/286,251 US7483456B2 (en) 2004-11-25 2005-11-23 Diode laser module and method for the production thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004057454A DE102004057454B4 (de) 2004-11-25 2004-11-25 Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004057454A1 true DE102004057454A1 (de) 2006-06-01
DE102004057454B4 DE102004057454B4 (de) 2009-10-22

Family

ID=36371354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004057454A Expired - Fee Related DE102004057454B4 (de) 2004-11-25 2004-11-25 Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7483456B2 (de)
DE (1) DE102004057454B4 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007063438A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Eagleyard Photonics Gmbh Lasermodul mit Kollimationsoptik, mit geringem Wärmewiderstand und spannungsarmen Aufbau
DE102008061309A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-24 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Diodenlaserbauelement
DE102009024944A1 (de) * 2009-06-10 2011-01-05 Forschungsverbund Berlin E.V. Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank
DE102013006316A1 (de) * 2013-04-12 2014-10-16 Jenoptik Laser Gmbh Optikbaugruppe und Lasermodul mit Optikbaugruppe

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8366298B2 (en) 2010-08-24 2013-02-05 Idexx Laboratories, Inc. Laser diode mounting system
CN205355527U (zh) * 2013-05-30 2016-06-29 古河电气工业株式会社 光学模块
JP2023161108A (ja) * 2022-04-25 2023-11-07 日亜化学工業株式会社 レーザ光源およびその製造方法
CN115411607A (zh) * 2022-07-19 2022-11-29 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 激光器的光学元件耦合方法和激光器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4431285C1 (de) * 1994-09-02 1995-12-07 Ant Nachrichtentech Lasermodul
DE19652515A1 (de) * 1995-12-22 1997-06-26 Eastman Kodak Co Verfahren zur Herstellung einer mikrooptischen Einheit
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
JPH10223962A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 光ファイバアンプ用複合モジュール
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
DE19821544A1 (de) * 1998-05-14 1999-12-16 Jenoptik Jena Gmbh Diodenlaserbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2000028865A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザモジュール
JP3486378B2 (ja) * 1998-09-14 2004-01-13 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 光電素子を製造するための方法
DE19944042A1 (de) * 1999-09-14 2001-04-12 Siemens Ag Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin
JP4494587B2 (ja) * 2000-05-11 2010-06-30 古河電気工業株式会社 光半導体素子用パッケージおよび前記パッケージを用いた光半導体素子モジュール
CN1204662C (zh) * 2000-12-15 2005-06-01 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
US6758610B2 (en) * 2001-12-10 2004-07-06 Jds Uniphase Corporation Optical component attachment to optoelectronic packages
DE10204799A1 (de) * 2002-01-15 2003-09-18 Hentze Lissotschenko Patentver Haltevorrichtung für die Anordnung eines optischen Bauteils vor einer Laserlichtquelle sowie eine derartige Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
DE10258745A1 (de) * 2002-12-13 2004-07-08 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co.Kg Halbleiterlaservorrichtung, Halbleiterlaserbaustein für eine derartige Halbleiterlaservorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung
JP2004311860A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sony Corp 光集積型装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007063438A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Eagleyard Photonics Gmbh Lasermodul mit Kollimationsoptik, mit geringem Wärmewiderstand und spannungsarmen Aufbau
DE102008061309A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-24 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Diodenlaserbauelement
DE102009024944A1 (de) * 2009-06-10 2011-01-05 Forschungsverbund Berlin E.V. Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank
DE102009024944B4 (de) * 2009-06-10 2012-03-22 Forschungsverbund Berlin E.V. Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank
US8659815B2 (en) 2009-06-10 2014-02-25 Forschungsverbund Berlin E.V. Optical bank and method for producing the optical bank
DE102013006316A1 (de) * 2013-04-12 2014-10-16 Jenoptik Laser Gmbh Optikbaugruppe und Lasermodul mit Optikbaugruppe
DE102013006316B4 (de) * 2013-04-12 2017-01-26 Jenoptik Laser Gmbh Optikbaugruppe und Lasermodul mit Optikbaugruppe

Also Published As

Publication number Publication date
US20060109882A1 (en) 2006-05-25
US7483456B2 (en) 2009-01-27
DE102004057454B4 (de) 2009-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0766354B1 (de) Laserdiodenbauelement mit Wärmesenke
EP0204224B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Justage und Fixierung eines Festkörpers und damit hergestelltes Bauelement
DE3423172C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Solarbatterie
DE69906177T2 (de) Laserdioden-Modul
EP0987801B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE69221458T2 (de) Bausatz für einen Laserdiodenblock
DE69018956T2 (de) Monolitische Laserdiodenvielfachanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69125316T2 (de) Photonikmodul und Ausrichtungsverfahren
DE68904640T2 (de) Eine von einem laser unterstuetzte heizstange zum mehrfachverbinden von leitern.
DE60120020T2 (de) Modul mit integrierten optischen Wellenleitervorrichtungen und deren Herstellungsverfahren
EP2291890B1 (de) Wärmeübertragungsvorrichtung mit wenigstens einem halbleiterbauelement, insbesondere einem laser- oder leuchtdiodenelement, und verfahren zu seiner montage
DE60114338T2 (de) Herstellungsverfahren für optisches Halbleitermodul
DE112011103477T5 (de) Halbleiterlaservorrichtung
DE102018210142B4 (de) Diodenlaseranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Diodenlaseranordnung
DE10361899A1 (de) Diodenlasersubelement und Anordnungen mit derartigen Diodenlasersubelementen
DE102004057454A1 (de) Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE68918972T2 (de) Montage einer Halbleiteranordnung.
DE112024000273T5 (de) Laser-Verkapselungsvorrichtung und Laser-Verkapselungsverfahren
DE19536434A1 (de) Verfahren zur Montage eines Halbleiterbauelements
DE3433717C2 (de)
DE10040450B4 (de) Halbleiterlaserbauelement mit einem Kühlelement
DE69009421T2 (de) Verfahren zum Simultananordnen und Verlöten von SMD-Bauteilen.
DE2343235B2 (de) Verfahren zur Befestigung und Kontaktierung von elektrischen Subminiatur-Bauelementen auf gedruckten Schaltungen
DE112024000272T5 (de) Laser-Verkapselungsvorrichtung und Laser-Verkapselungsverfahren
DE102018210134A1 (de) Diodenlaseranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Diodenlaseranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R084 Declaration of willingness to licence
R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE

Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, 07743 JENA, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: JENOPTIK LASER GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: JENOPTIK LASERDIODE GMBH, 07745 JENA, DE

Effective date: 20110907

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE

Effective date: 20110907

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130601