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RF-Module für Mobilfunkanwendungen, die auf mehrschichtigen Substraten mit darin integrierter Verschaltung aufgebaut sind, sind in mehreren Integrationsstufen bekannt. Ein herkömmliches Sendemodul weist beispielsweise einen Sendeverstärker (Power Amplifier) auf, der als nackter Chip (Bare Die) oder als gehäustes Bauelement auf der Oberseite des Modulsubstrats aufgebracht ist. Das Modul kann ein Matching-Netzwerk umfassen zur Transformation der Ausgangsimpedanz des Leistungsverstärkers auf die Eingangsimpedanz (üblicherweise 50 Ohm) des in der Schaltungsumgebung nachfolgenden Bauelements.
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Eine weitere Integrationsstufe umfasst sogenannte Power-Switch-Module PSM (auch: TX-Module), bei denen zusätzlich zum Ausgangsmatchingnetzwerk noch TX-Filter und Sende-/Empfangsschalter vorgesehen sind, die als konkretes Bauelement auf der Oberseite des Modulsubstrats angeordnet sind.
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Die höchste Integrationsstufe stellen sogenannte TX-Module mit integrierter Empfangsfilterung (auch: Power-Switch-Module mit integrierter Filterung, PSMiF) dar, bei denen zusätzlich noch Empfangsfilter als konkrete Bauelemente auf der Oberseite des Modulsubstrats angeordnet und mit dem Modul verschaltet oder in das Modul integriert sind.
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In einem RF-Modul können auf dem dielektrischen Substrat weiterhin ein Rx-Signalpfad und einem Rx-Ausgang, zumindest ein Tx-Signalpfad und ein Tx-Eingang und ein Antennenanschluss, sowie wahlweise eine beliebige Anzahl weiterer RF Komponenten und dazugehöriger Ics angeordnet bzw. integriert sein.
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Von Seiten der Chip- und Telefonhersteller gibt es jedoch bereits Anforderungen, den RX-Pfad für zukünftige UMTS-Systeme bereits ab dem Duplexer balanced auszuführen. Für einen solchen symmetrischen Ausgang sind zwei Anschlüsse erforderlich, an denen zwei Signale gleichen Betrags aber mit gegensätzlicher Polarität, also mit idealerweise 180° Phasenverschiebung abgegriffen werden können. Solche balanced Ausgänge sind besonders einfach modernen Verstärkern für das RX-Signal zuzuführen. Auch bei für GSM eingesetzten Endgeräten wird ein symmetrisches Rx-Signal benötigt.
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Ein balanced Ausgangssignal kann von einem Mikrowellenkeramikfilter oder -duplexer nicht direkt geliefert werden und erfordert daher einen externen Balun. Andere Filtertechniken, wie FBAR-Filter und -Duplexer oder SAW-Filter und -Duplexer können die Balun-Funktionalität im integrierten Filteraufbau enthalten. Externe Baluns werden als diskrete Bauelemente ausgebildet und beispielsweise auf dem RF Modul oder dem Frontendmodul angeordnet.
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Aus der
DE 102 28 328 A1 ist elektronisches Bauelement auf einem Mehrlagensubstrat bekannt, mit einem Chip-Bauelement, insbesondere einem HF-Filter und einem diskreten aktiven oder passiven Schaltungselement. Im Substrat ist zumindest eine Impedanzanpassschaltung integriert. Ein BALUN kann integriert oder als diskretes Schaltungselement ausgebildet sein. Anwendung findet das Bauelement für Frontend Schaltungen in der mobilen Kommunikation.
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Aus der
US 2002/0011907 A1 sind Bauelemente bekannt, bei denen auf einem Mehrlagensubstrat zumindest ein SAW Filter und ein bare die Halbleiter Chip (z. B. IC) angeordnet sind, die zusammen eine HF Schaltung, z. B. einen Schalter bilden. Im Substrat sind Schaltungsfunktionen integriert, aufgebaut aus Widerständen, Induktivitäten und Kapazitäten.
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Aus der
US 2002/0039667 A1 sind in Metallisierungsebenen eines Mehrlagensubstrats ausgebildete Balun-Schaltungen mit paarweise wechselwirkenden Koppelleitungen bekannt.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes RF-Modul anzugeben, das für balanced bzw. symmetrische Ausgangssignale geeignet ist.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein RF-Modul mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Moduls gehen aus weiteren Ansprüchen hervor.
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Die Erfindung gibt ein RF-Modul für ein drahtloses Kommunikationssystem an, das auf einem mehrlagigen Substrat aufgebaut ist. Das mehrlagige Substrat umfasst mehrere dielektrische Lagen, zwischen denen jeweils strukturierte Metallisierungsebenen angeordnet sind, in denen durch die Strukturierung Schaltungselemente realisiert sind. Auf oder im Substrat ist zumindest ein symmetrischer Tx-Eingang, ein Tx-Signalpfad, ein Tx-Ausgang und zumindest eine zusätzliche RF-Funktionalität realisiert. Diese RF-Funktionalität kann auch im Substrat integriert sein. Im Substrat ist außerdem nach dem symmetrischen Tx-Eingang ein Balun integriert, der in Form von im Substrat integrierten Koppelleitungen ausgebildet ist und vier paarweise miteinander gekoppelte Leitungsabschnitte umfasst. Der unsymmetrische Eingang des Baluns ist mit zwei Leitungsabschnitten in Serie geschaltet. Die beiden Anschlüsse der symmetrischen Seite des Baluns sind mit je einem weiteren Leitungsabschnitt gegen Masse geschaltet. Bei dem vor und nach den zwei in Serie geschalteten Leitungsabschnitten ist je eine Kapazität parallel gegen Masse geschaltet.
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Der Tx-Ausgang kann auch der Antennenanschluss sein. Der Balun ist dann vorzugsweise im Tx-Signalpfad vor dem Verstärker angeordnet. Dies ermöglicht einen unsymmetrisch arbeitenden Verstärker trotz symmetrischem Tx Eingang.
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Mit dem in das Substrat integrierten Balun kann auf den bisher verwendeten als diskretes Bauelement ausgebildeten bekannten Balun verzichtet werden. Dies erspart Platz auf der Moduloberfläche bzw. auf der Oberfläche des PCB, auf der bekannte diskrete Baluns auch angeordnet sein konnten. Es wird somit die Integrationsdichte erhöht und letztlich auch Kosten erspart, so dass ein RF-Modul kostengünstiger als bekannte RF-Module ausgebildet sein kann.
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In einer Ausgestaltung dient das RF-Modul als Power Switch Modul (PSM). Dieses PSM kann neben dem Tx-Pfad unabhängig voneinander noch eine oder mehrere Komponenten umfassen, die ausgewählt sind aus Antennenschalter, Empfangsfilter (Rx-Filter) sowie Tx-Filter, Verstärker, einen IC, Anpassungsnetzwerke (matching networks), Schalter, LPF (Low Pass Filter) oder DC Lines.
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Vorzugsweise ist das Substrat aus einer mehrlagigen, verzugsarmen oder verzugsfreien Keramik mit jeweils dazwischen angeordneten Metallisierungsebenen ausgebildet. Das Substrat kann beispielsweise eine LTCC- oder eine HTCC-Keramik sein. Möglich ist es jedoch auch, das Substrat als Laminat auszubilden, beispielsweise als FR4-Leiterplatte.
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Der in das Substrat integrierte Balun kann aus gekoppelten λ/4-Transformationsleitungen, aus LC-Gliedern oder aus Koppelleitungen ausgebildet sein, die gegenüber den λ/4-Transformationsleitungen verkürzt sind. Wegen ihres geringeren Platzanspruchs sind die beiden letzten Möglichkeiten bevorzugt.
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In einer weiteren Integrationsstufe umfasst ein RF-Modul einen Leistungsverstärker für den Tx-Signalpfad, der als Chipbauelement ausgebildet und auf dem Substrat angeordnet ist.
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Das RF-Modul kann ein z. B. als Sendefilter (Tx Filter) wirkendes Tiefpassfilter aufweisen, das aus LC Gliedern aufgebaut ist, die in Form von entsprechend strukturierten Metallisierungsebenen im Inneren des Modulsubstrats integriert sind. Das Tiefpassfilter kann auch aus verteilten Bauelementen oder Streifenleitungsresonatoren bestehen oder einen Mischaufbau aus LC-Gliedern und verteilten Bauelementen aufweisen.
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Tx Filter oder interstage Filter sind aber nicht immer erforderlich.
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Auf der Oberseite des Modulsubstrats können Schalter angeordnet sein, die beispielsweise in Form eines konkreten Halbleiterbauelements in Flip-Chip-Technologie montiert oder aufgeklebt und in herkömmlicher Drahtbondtechnologie elektrisch kontaktiert sind. Die Schalter können zur Bandauswahl aus verschiedenen Frequenzbändern oder zum Umschalten zwischen Sende- und Empfangsbetrieb dienen, wobei die Antenne durch die Schalter wahlweise mit dem Sende- bzw. Empfangspfad des Sendemoduls verbunden wird. Diese Schalter können als stromgesteuert arbeitende Bauelemente, beispielsweise PIN-Dioden, oder als spannungsgesteuerte Galliumarsenidschalter ausgebildet sein. Möglich sind auch CMOS-Schalter, MEMS-Schalter oder Schalter in anderer Schaltungstechnik.
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In einer weiteren Ausbaustufe weist das RF-Modul neben dem Sendefilter zusätzlich noch ein Empfangsfilter (Rx Filter) auf, welches zusammen mit dem Schalter auf der Oberfläche des Modulsubstrats angeordnet ist. Im Inneren des Modulsubstrats können außerdem Anpassschaltungen realisiert sein, mit denen z. B. ein als Leistungsverstärker ausgebildetes Chipbauelement, das auf dem Substrat des RF Moduls angeordnet sein kann, insbesondere an die Schalter angepasst ist. Eine solche Anpassschaltung realisiert beispielsweise eine Impedanzanpassung vom Ausgang des Leistungsverstärkers an die 50 Ω, die am Eingangs des Antennenschalters anliegen.
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Das Empfangsfilter kann als konkretes Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als SAW-Filter, als BAW-Filter (Bulk A-coustic Wave) oder als keramisches Filter. In einer weiteren Ausführungsform kann auch das Rx-Filter in ein aus keramischen oder anderen dielektrischen Schichten bestehendes Modulsubstrat integriert werden, indem es dort als LC-Filter in Form integrierter Induktivitäten und Kapazitäten oder als Streifenleitungsfilter mittels elektromagnetisch verkoppelter Leitungen im Substrat realisiert ist.
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Das Substrat weist auf seinen einander gegenüberliegenden und den Filtern zugewandten Seitenflächen Anschlussflächen auf. Das Schichtsubstrat ist ansonsten in bekannter und beispielsweise eingangs erläuterter Weise aufgebaut. Insbesondere sind im Substrat eine Verzögerungsleitung oder weitere Schaltungselemente oder Schaltungen verborgen.
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Im Empfangspfad und/oder Sendepfad kann antennenseitig ein Anpassungsnetzwerk angeordnet sein, das eine Verzögerungsleitung umfasst, die zur Entkopplung des Empfangspfades im Bereich der Sendefrequenz dient und – bei Anordnung im Empfangspfad – vorzugsweise eine Länge von λ/4 hat. Die Verzögerungsleitung ist zumindest teilweise im Vielschichtsubstrat angeordnet.
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Auf der Oberseite des Substrats ist in einer Weiterbildung zumindest ein weiteres diskretes Bauelement angeordnet, das beispielsweise aus einem Chip-Bauelement, einem Transistor, einer Diode, einem Widerstand, einem Kondensator oder einer Spule ausgewählt ist.
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In dem als Chip-Bauelement ausgebildeten weiteren diskreten Bauelement kann auch eine Schaltung, ausgewählt aus Anpassungsnetzwerk, Impedanzwandler, Tiefpassfilter, MEMS (Micro Electromechanical System) oder Diplexer realisiert sein.
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Das weitere diskrete Bauelement kann als Halbleiterchip-Bauelement ausgebildet sein und z. B. einen Leistungsverstärker, einen rauscharmen Verstärker oder einen Diodenschalter umfassen.
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Im Folgenden wird das Modul anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen nur zur Veranschaulichung und sind daher nur schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt.
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1 bis 3 zeigen Module im schematischen Querschnitt
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4 zeigt zwei als Balun geeignete gekoppelte λ/4-Transformationsleitungen
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5 zeigt einen Balun in Form von verkürzten Koppelleitungen
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6 zeigt einen Balun aus LC-Gliedern
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7 zeigt die Verschaltung eines Modul in schematischer Darstellung.
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1 zeigt ein erstes als Sendemodul ausgebildetes RF-Modul im schematischen Querschnitt. Es besteht aus einem mehrschichtigen Substrat S, welches n Metallisierungsebenen ME1, ME2, ... MEn aufweist, die zwischen dielektrischen m isolierenden Schichten DS1, DS2, ... DSm angeordnet sind. Die dielektrischen Schichten bestehen vorzugsweise aus dielektrischer Keramik. Damit ist es möglich, durch entsprechende Strukturierung der Metallisierungsschichten ME im Inneren des Modulsubstrats MS integrierte passive Bauelemente zu realisieren, im vorliegenden Beispiel einen an sich bekannten Balun BA. Durch die nicht näher dargestellte Strukturierung der Metallisierungsebenen und ebenfalls nicht dargestellte Durchkontaktierungen, mit denen elektrische Verbindungen zwischen den Metallisierungsebenen geschaffen werden, können weitere Schaltungen im Inneren des Modulsubstrates realisiert und die einzelnen Komponenten elektrisch miteinander verschalten werden.
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Auf der Oberfläche des Substrats S ist als RF-Funktionalität ein diskretes Bauelement F1 angeordnet, beispielsweise ein RF-Filter. Das Bauelement F1 ist mit zumindest einer Metallisierungsebene und über Durchkontaktierungen und damit verbundene Verschaltungselemente mit dem Balun BA und den als elektrischen Anschlüssen dienenden Anschlussflächen AF auf der Unterseite des Substrats S verbunden. Das Bauelement F1 kann auf dem Modul aufgeklebt sein, in SMD-Technik aufgelötet oder in Flipchip-Anordnung mit dem Substrat verbunden. In der Figur ist ein aufgeklebtes und über Bonddrähte mit elektrisch kontaktiertes Bauelement dargestellt.
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2 zeigt ein höher integriertes Modul. Im Substrat S ist neben dem Balun BA zumindest eine weitere Verschaltung VS1 integriert. Auf der Oberfläche des Substrats ist neben dem ersten, hier beispielsweise in SMD-Technik aufgebrachten ersten Bauelement F1 ein weiteres in Flipchip-Technik aufgebrachtes zweites Bauelement F2 angeordnet. Während das erste Bauelement beispielsweise ein Chipbauelement und insbesondere ein Leistungsverstärker ist, kann das zweite Bauelement F2 ein RF-Filter sein, beispielsweise ein Tx- oder Rx-Filter. Die erste Verschaltung VS1 kann eine Anpassschaltung oder ein im Substrat integriertes Tiefpaßfilter, welches als Sendefilter (Tx-Filter) eingesetzt werden kann.
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Neben den dargestellten Komponenten können im Inneren des Modulsubstrats weitere Schaltungen realisiert sein. Darüber hinaus können auf der Oberseite des Modulsubstrats diskrete Einzel-Bauelemente oder integrierte Bauelemente (Chips) angeordnet und mit der Verschaltung im Inneren des Modulsubstrats elektrisch verbunden sein.
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3 zeigt eine weitere, höher integrierte Ausführung eines RF-Moduls, bei dem im Substrat neben dem Balun BA und einer ersten Verschaltung VS1 auf dem Substrat ein Frontendmodul FEM, ein Empfangsfilter Rx und einen IC enthaltendes Chipbauelement IC angeordnet und mit den elektrischen Anschlüssen des Bauelements verbunden sind.
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Als weitere Komponente kann auf der Oberseite des Modulsubstrats ein als integriertes Halbleiter-Bauelement (Chip) ausgebildeter Schalter S angeordnet sein, der für eine Umschaltung des Sendemoduls zwischen Sende- und Empfangsbetrieb sowie gegebenenfalls für eine Umschaltung zwischen verschiedenen Sende- und Empfangsbändern ermöglicht. Das den Schalter S realisierende Bauelement kann wie dargestellt in Flip-Chip-Anordnung oder SMD Technik auf dem Modulsubstrat MS aufgebracht sein. Möglich ist es auch, den Schalter S aufzukleben und mittels Drahtbondtechnologie mit dem Sendemodul zu verschalten.
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Die beispielhaft angeführten Komponenten können auch in doppelter und mehrfacher Ausführung auf dem Modul vorhanden sein. So ist es möglich, auf dem Modul Signalpfade für den ersten Sendepfad, für den ersten Empfangspfad sowie darüber hinaus für weitere Sende- und Empfangspfade für andere Frequenzbänder oder für die Frequenzbänder unterschiedlicher Mobilfunksysteme bzw. Mobilfunkstandards vorzusehen. Dabei können einzelne Filter in unterschiedlichen Pfaden gemeinsam genutzt werden. Dies ist beispielsweise im Sendepfad möglich, da die dort eingesetzten Tiefpaßfilter für unterschiedliche Bänder zum Ausfiltern der Oberwellen geeignet sind. Für das Empfangsfilter (Rx-Filter) werden vorzugsweise Bandpaßfilter eingesetzt, so dass unterschiedliche Rx-Pfade nur im Fall eines übereinstimmenden Frequenzbandes ein Filter gemeinsam nutzen können.
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Sofern die Filter beidseitig „single ended” ausgeführt sind, also zwei unsymmetrische Anschlüsse aufweisen, und für die weitere Verarbeitung des Signals im Mobilfunk Endgerät ein symmetrisches Signal benötigt wird, ist unmittelbar an das entsprechende Filter ein Balun geschaltet. Sofern das symmetrische Signal erst auf einer späteren Stufe benötigt wird und in einer ersten Bearbeitungsstufe, beispielsweise im Verstärker ein unsymmetrisches Signal verarbeitet werden kann, so kann der Balun in einen anderen Abschnitt des jeweiligen Signalpfades eingebaut werden.
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Mit Hilfe von Schaltern ist es auch möglich, gemeinsam genutzte Komponenten unterschiedlichen Pfaden zuzuschalten.
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4 zeigt einen an sich bekannten Balun, der in das Substrat S integriert werden kann. Er besteht aus insgesamt 4 Leitungsabschnitten, die jeweils eine Transformationsleitung TL der elektromagnetischen Länge λ/4, wobei je zwei der Transformationsleitungen elektromagnetisch gekoppelt sind. Zwei der Transformationsleitungen TL11 und TL12 sind in Serie mit dem unsymmetrischen Eingang INu geschaltet bzw. verbunden. Jeweils räumlich parallel zu einer der Transformationsleitungen TL11, TL12, mit dieser koppelnd, aber galvanisch getrennt zu dieser ist eine den Pol des symmetrischen Ausgangs OUTb mit dem Masseanschluss verbindende Transformationsleitung TL21, TL22 angeordnet. Über die beiden Koppelleitungen wird so das nur in einer Phase vorliegende Eingangssignal in ein symmetrisches, mit einem Phasenversatz von 180° auftretendes Ausgangssignal umgewandelt.
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Die Transformationsleitungen TL werden im Form abgewinkelter Leiterbahnen in je einer Metallisierungsebene ME des Substrats S realisiert. Vorzugsweise ist jede Transformationsleitungen TL in einer eigenen Metallisierungsebene angeordnet, wobei die beiden miteinander gekoppelten Transformationsleitungen in einander benachbarten Metallisierungsebenen vorgesehen sind. Zwischen den beiden Ebenen für das erste koppelnde Paar von Transformationsleitungen und dem zweiten Paar koppelnder Transformationsleitungen ist vorzugsweise eine abschirmende und mit Masse verbundene Metallisierungsebene angeordnet. Die notwendigen elektrischen Verbindungen sind dann über Durchkontaktierungen gewährleistet, die gegebenenfalls über mehrere Ebenen reichen. Auf diese Weise lässt sich der in der 4 gezeigte Balun in einem mehrschichtigen Substrat mit beispielsweise 5 Metallisierungsebenen verwirklichen.
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Bei mit niedrigerer Frequenz arbeitenden RF-Modulen kann die erforderliche Länge der λ/4-Transformationsleitungen TL so groß sein, dass dafür zusätzliche Modulfläche benötigt werden würde, die über den Flächenbedarf der an der Oberfläche des Substrats angeordneten diskreten Bauelemente hinausgeht.
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5 zeigt eine Anordnung mit verkürzten Koppelleitungen, die aufgrund der dargestellten Verschaltung eine Länge von weniger als λ/4 aufweisen können. Derartig verkürzte Koppelleitungen besitzen beispielsweise eine Länge von λ/8. Gegenüber dem bekannten in 4 dargestellten Balun unterscheidet sich diese Leitung neben der kürzeren Länge der Transformationsleitung durch zwei parallel nach Masse geschaltete Kapazitäten C1, C2, die in dem mit dem unsymmetrischen Eingang INu verbundenen Zweig angeordnet sind, wobei die Verzweigungspunkte für die beiden parallel geschalteten Kapazitäten vor der ersten, bzw. nach der zweiten Transformationsleitung TL11, TL12 angeordnet sind. Die beiden mit dem symmetrischen Ausgang OUTb verbundenen Leitungsabschnitte bzw. Transformationsleitungen TL21, TL22 verbindenden den jeweiligen Pol des symmetrischen Ausgangs mit Masse. Auch diese Schaltung kann in der beschriebenen Weise in unterschiedlichen Metallisierungsebenen in das Substrat S verwirklicht werden. Zusätzlich zu dem in 4 dargestellten Balun sind hier zwei oder vier Ebenen zur Realisierung der Kapazitäten C1, C2 erforderlich. Dies können auch die Ebenen sein, in denen die Transmissionsleitungen angeordnet sind. Dafür ist der Flächenbedarf aufgrund der verkürzten Länge der Transformationsleitungen gegenüber dem in 4 dargestellten Balun geringer.
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6 zeigt einen aus L- und C-Gliedern realisierten Balun, der aus einer Parallelschaltung einer Induktivität L1 und einer Kapazität C3 besteht. Die beiden Parallelzweige sind am unsymmetrischen Eingang T1 zusammengefaßt und ausgangsseitig einzeln mit je einem Pol T21b, T22b des symmetrischen Ausgangs verbunden. Ausgangsseitig sind die beiden parallelen Äste mit einem weiteren Parallelzweig überbrückend verbunden, in dem eine Kapazität C4 und eine Induktivität L2 in Serie angeordnet sind. Zwischen C4 und L2 ist dieser überbrückende Parallelzweig mit Masse verbunden.
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Auch dieser Balun kann in einfacher Weise in einem mehrschichtigen Substrat von strukturierten und dielektrische Schichten DS getrennter Metallisierungsebenen ME realisiert werden. Während eine Induktivität sich beispielsweise aus einem mäandrierendem Leitungsabschnitt darstellen lässt, wird jede Kapazität C in Form zweier benachbarter aber elektrisch nicht verbundener Leiter realisiert. Die beiden Leiter können in gleichen oder einander benachbarten Metallisierungsebenen angeordnet sein. Auf diese Weise kann der in 6 dargestellte Balun in einem Mehrschichtsubstrat verwirklicht werden, welches zumindest 2 Metallisierungsebenen aufweist. Möglich ist es auch, weitere Metallisierungsebenen zur Verschaltung der einzelnen Elemente vorzusehen, so dass sich die Gesamtzahl der erforderlichen Metallisierungsebenen entsprechend erhöht.
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Ein RF-Modul mit integrierten Balun hat den Vorteil, dass es sich einfach und integriert herstellen lässt, gegenüber einem Modul mit diskretem Balun eine geringere Modulfläche benötigt und insgesamt kostengünstiger und mit geringerem Verfahrensaufwand hergestellt werden kann.
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7 zeigt ein Schaltbild für ein hochintegriertes Modul, welches Sende- und Empfangsfilter für drei unterschiedliche Kommunikationsbänder bzw. -systeme aufweist, und in dem zusätzlich noch ein Leistungsverstärker und die erforderlichen Antennenschalter integriert sind. Das Modul weist ein weiteres Submodul, nämlich ein Frontendmodul FEM auf, auf dem zwei beispielsweise als SAW-Filter realisierte Bandpaßfilter für ein erstes und ein zweites Rx-Band, beispielsweise für R × 900 und R × 1800 angeordnet sind. Die beiden Filter R × 900 und R × 1800 sind mit einem Schalter SL verbunden, der die beiden Filter wahlweise dem Antennenanschluss für die Antenne A verbindet. Ein weiteres Rx-Filter, das ebenfalls als SAW-Filter ausgebildete R × 1900 ist als diskretes Filter unabhängig vom Frontendmodul auf dem Substrat angeordnet und ebenfalls mit dem Schalter S im Frontendmodul verbunden und so mit der Antenne verbindbar.
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Für den Sendezweig sind ein erstes Sendefilter T × 850/900, welches für zwei Frequenzbänder geeignet ist, und ein zweites Sendefilter T × 1800/1900, welches ebenfalls für zwei Frequenzbänder geeignet ist, vorgesehen. Während das erste Sendefilter T × 850/900 antennenseitig einen unsymmetrischen (single ended) Ausgang aufweist, ist das zweite Tx-Filter T × 1800/1900 antennenseitig mit einem balanced (symmetrischen) Ausgang ausgestattet und benötigt einen Balun BA, der im Substrat S integriert ist. Auf diese Weise wird in den beiden Tx-Pfaden je ein unsymmetrisches Signal in den Leistungsverstärker PA geleitet und dort in beispielsweise drei Verstärkerstufen auf die gewünschte Sendeleistung verstärkt. Ebenfalls als unsymmetrisches Signal wird der jeweilige Tx-Pfad hinter dem Leistungsverstärker PA über den Schalter SL mit dem Antennenausgang verbunden. Die drei Ausgänge für die Rx-Signale von 900, 1800 und 1900 MHz ebenso wie die Eingänge für die Sendepfade sind jeweils symmetrisch ausgebildet und mit einem entsprechenden Chipbauelement verbunden, welches auf der Sendeseite als Synthesizer und auf der Empfängerseite als Receiver ausgebildet ist.
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Obwohl das Modul nur anhand weniger Ausführungsbeispiele erläutert wurde, ist es nicht auf diese beschränkt. Module mit integriertem Balun lassen sich in beliebiger Kombination von zusätzlichen Komponenten oder in anderer Zusammenstellung realisieren, ohne dass dabei von der Erfindung abgewichen wird.