DE102004030726A1 - Process to etch manufacture printed circuit board by regulation of electrolytic cell voltage transverse to the direction of travel - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft das Galvanisieren und elektrolytische Ätzen von dünnen Schichten auf ebenem Behandlungsgut in Durchlaufanlagen mit horizontalem oder vertikalem Transport des Gutes. Die bevorzugte Anwendung ist das Behandeln von Leiterplatten und Leiterfolien. Die fortschreitende Miniaturisierung der. Elektronik erfordert zunehmend Leiterplatten und Leiterfolien, die in Feinleitertechnik ausgeführt sind. Die Strukturen auf diesem Behandlungsgut erreichen kleinste Leiterzugbreiten und Leiterabstände von 20 μm und darunter. Für derartige Abmessungen der elektrolytisch und ätztechnisch herzustellenden Strukturen müssen Basiswerkstoffe der Leiterplatten verwendet werden, die eine sehr dünne metallische Kaschierung aufweisen. In der Regel handelt es sich bei der Kaschierung von Leiterplatten und Leiterfolien um eine Kupferkaschierung. Die Dicke dieser Kaschierung reicht herunter bis zu 1 μm. Die Abmessungen der zu behandelnden Flächen betragen bis zu 660 mm im Quadrat. Beim elektrolytischen Behandeln muß der Behandlungsstrom in der dünnen Kaschierung des Behandlungsgutes über diese vergleichsweise langen Strecken fließen. Der dabei auftretende elektrische Spannungsabfall in der Kaschierung wirkt sich sehr störend auf die Gleichmäßigkeit der elektrolytischen Behandlung aus. Der Spannungsabfall ist örtlich unterschiedlich, weil der Strom zur Kontaktseite des Behandlungsgutes fließt und in dieser Richtung, d.h. quer zur Transportrichtung zunimmt.The This invention relates to electroplating and electrolytic etching of thin Layers on level material to be treated in continuous systems with horizontal or vertical transport of the goods. The preferred application is the treatment of printed circuit boards and conductor foils. The progressive Miniaturization of the. Electronics increasingly requires circuit boards and conductor foils, which are implemented in fine conductor technology. The structures on this material reach the smallest conductor widths and conductor distances of 20 μm and under. For Such dimensions of the electrolytically and etchable produced Structures must Base materials of printed circuit boards are used, which are a very thin metallic Have lamination. As a rule, it is the lamination of printed circuit boards and conductor foils around a Kupferkaschierung. The Thickness of this lamination goes down to 1 μm. The dimensions amount of the surfaces to be treated up to 660 mm square. In electrolytic treatment, the treatment stream in the thin one Lamination of the treated material over this comparatively long Routes flow. The occurring electrical voltage drop in the lamination affects very disturbing on the uniformity the electrolytic treatment. The voltage drop is locally different, because the current flows to the contact side of the material to be treated and in this direction, i. increases transversely to the transport direction.
Dies hat örtlich unterschiedliche Zellspannungen UZ zur Folge und damit eine ungleichmäßige elektrolytische Behandlung der Oberfläche und der Löcher des Behandlungsgutes. Dies gilt für das Galvanisieren ebenso wie für das elektrolytische Ätzen von Behandlungsgut mit dünnen metallischen Schichten. Als Beispiel für das elektrolytische Ätzen sei hier das Differenzätzen von Feinleitern genannt. Zunächst werden auf eine sehr dünne vollflächige Kupferschicht mittels fototechnisch aufgebrachten, elektrisch nicht leitenden Resiststrukturen die Leiterzüge galvanisiert. Die Dicke dieser Leiterzüge beträgt z. B. 20 μm. Nach Entfernung des Resistes werden die Leiterzüge ohne Ätzresist und die ursprüngliche Kupferkaschierung gemeinsam geätzt. Dieser Ätzprozeß, der mit Differenzätzen bezeichnet wird, ist beendet, wenn die Zwischenräume zwischen den Leiterzügen vollständig ausgeätzt sind. Hierzu eignet sich das chemische Ätzen im Sprühätzverfahren. Wegen der oben genannten zunehmenden Präzision der Strukturen gewinnt für dieses Differenzätzen das elektrolytische Ätzen zunehmend an Bedeutung, weil damit grundsätzlich eine höhere Ätzgenauigkeit und Gleichmäßigkeit zu erzielen ist. Nur noch eine sehr dünne Restschicht muß nach dem elektrolytischen Ätzen chemisch geätzt werden.This has locally different cell voltages U Z result and thus uneven electrolytic treatment of the surface and the holes of the material to be treated. This applies to electroplating as well as for the electrolytic etching of material to be treated with thin metallic layers. As an example of the electrolytic etching here is called the differential etching of fine conductors. First, the conductor tracks are galvanized on a very thin copper surface layer by means of phototechnically applied, electrically non-conductive resist structures. The thickness of these conductors is z. B. 20 microns. After removal of the resist, the traces are etched together without etch resist and the original copper clad. This etching process, called differential etching, is complete when the gaps between the circuit traces are completely etched out. For this purpose, chemical etching is suitable in a spray-etching process. Because of the above-mentioned increasing precision of the structures, the electrolytic etching is becoming increasingly important for this difference etching, because in principle a higher etching accuracy and uniformity can be achieved. Only a very thin residual layer must be chemically etched after the electrolytic etching.
Auf die Gleichmäßigkeit über die gesamte Oberfläche der elektrolytisch zu ätzenden Leiterplatte wirkt sich allerdings eine sehr dünne Kupferbasisschicht störend aus. Der elektrische Spannungsabfall in der beim Ätzen noch dünner werdenden Schicht hat die genannten unterschiedlichen Zellspannungen UZ zur Folge. Es treten damit die gleichen störenden Einflüsse dünner Schichten auf, wie beim Galvanisieren. Beim elektrolytische Ätzen ist das Behandlungsgut überwiegend anodisch gepolt und die Elektroden negativ. Beim Galvanisieren ist die Polarität umgekehrt. in diesem Falle werden die Elektroden mit Anoden bezeichnet. Die Erfindung gilt in beiden Fällen für die Anwendung von Gleichstrom und Pulsstrom. Beim bipolaren Pulsstrom ist die jeweilige Polarität kurzzeitig umgepolt. Die überwiegende Polarität ist jedoch so, wie oben genannt. Zur Kürzung der nachfolgenden Beschreibung der Erfindung wird diese nur noch am Beispiel des Galvanisierens beschrieben. Sie betrifft jedoch auch uneingeschränkt das elektrolytische Ätzen.On the uniformity over the entire surface of the electrolytically etched circuit board, however, a very thin copper base layer has a disturbing effect. The electrical voltage drop in the still thinner during etching layer has the said different cell voltages U Z result. Thus, the same disturbing influences of thin layers occur, as in galvanizing. During electrolytic etching, the material to be treated is predominantly poled anodically and the electrodes are negative. When galvanizing, the polarity is reversed. In this case, the electrodes are called anodes. The invention applies in both cases for the application of direct current and pulse current. In bipolar pulse current, the respective polarity is reversed for a short time. However, the predominant polarity is as mentioned above. To shorten the following description of the invention, this will be described only by the example of electroplating. However, it also fully relates to the electrolytic etching.
Zur
Verringerung des störenden
Einflusses von dünnen
Schichten bei der elektrolytischen Behandlung ist das in der Druckschrift
Eine
Verringerung des Spannungsabfalles ΔU in der Kupferkaschierung wird
auch erreicht, wenn das Behandlungsgut nicht nur an einer Seite sondern
beidseitig gegenüber
liegend elektrisch kontaktiert wird. Eine derartige Kontaktierung
ist der Druckschrift
Es wurde auch schon versucht das Problem der dünnen Kaschierung zu lösen, durch hochohmige Anoden und mit einer Einspeisung des Behandlungsstromes in die Anoden an der dem Kontaktmittel gegenüber liegenden Seite. Ebenso eine Schrägstellung der Anoden mit dem größten Anoden-/Kathodenabstand an der Kontaktseite. Beide Verfahren sind zu einseitig. Sie decken nur einen kleinen Bereich der Dicke von Kupferkaschierung ab. Deshalb haben sie sich in der Praxis auch nicht durchgesetzt.It was already trying to solve the problem of thin lamination, by high-impedance anodes and with a feed of the treatment current in the anodes on the side opposite the contact means. As well a skew the anodes with the largest anode / cathode distance at the contact page. Both methods are too one-sided. They cover only a small area of the thickness of Kupferkaschierung. Therefore have they are not enforced in practice.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur elektrolytischen Behandlung von ebenem Behandlungsgut wie z.B. Leiterplatten anzugeben, die die oben genannten technischen Nachteile nicht aufweisen. Insbesondere soll die Aufgabe sehr kostengünstig gelöst werden, wobei die elektrolytische Behandlung gleichmäßig quer zur Transportrichtung über das gesamte Behandlungsgut erfolgen soll.task It is the object of the present invention to provide a method and an apparatus for the electrolytic treatment of flat items such as e.g. Circuit boards indicate that the above technical disadvantages do not have. In particular, the task should be solved very inexpensively, wherein the electrolytic treatment uniformly across the transport direction over the entire material to be treated should take place.
Gelöst wird die Aufgabe durch das Verfahren gemäß der Patentansprüche 1 bis 8 und durch die Vorrichtung gemäß der Patentansprüche 9 bis 16.Is solved the object by the method according to claims 1 to 8 and by the device according to the claims 9 to 16th
Die
Erfindung wird nachfolgend an Hand der schematischen und nicht maßstäblichen
Gemäß der
Das
Behandlungsgut wird in
Im
Randbereich der Leiterplatten tritt insbesondere bei einem größeren Anoden-/Kathodenabstand
eine Feldlinienkonzentration auf, wenn die Anoden
Der
obere Behandlungsstrom IA5 fließt von den
oberen Anoden
Die Anoden sind in der Praxis quer zur Transportrichtung elektrisch sehr gut leitend, so dass durch den Stromfluß ein nur unbedeutender elektrischer Spannnungsabfall in dieser Richtung auftritt.The Anodes are in practice transverse to the transport direction electrically very good conducting, so that by the flow of current an insignificant electrical Voltage drop occurs in this direction.
Der
elektrische Widerstand typischer Kupferkaschierungen beträgt pro dm2 nur etwa 1 Milliohm. Übliche elektrische Ströme durch
diese Flächen
betragen bis zu 100 Ampere bei Zellspannungen UZ in der
Größenordnung
von 1 bis 2 Volt. Bei einer Leiterplattenbreite von 600 mm treten
dann etwa 0,3 Volt Unterschiede in den örtlich wirkenden Zellspannungen
UZ auf. Den Einfluß der Zellspannung UZ auf die örtliche Stromdichte i zeigt
die
Gemäß des Diagrammes
in
d~i·td ~ i · t
Mit zunehmender Stromdichte i und zunehmender Behandlungszeit t wird die Schichtdicke d größer. Die vorliegende Erfindung kombiniert den elektrolytisch gegebenen Stromdichteverlauf i als Funktion der örtlich wirkenden Zeltspannung UZ mit der Behandlungszeit t gemäß der obigen Formel. Quer zur Transportrichtung muß an jeder Steile das Produkt aus Stromdichte i und der Behandlungszeit t immer gleich groß sein, um in dieser Richtung eine gleichmäßige Schichtdicke d abzuscheiden. Erfindungsgemäß wird bei hoher Stromdichte i, die in der Nähe der Kontaktmittel auftritt, die Behandlungszeit t klein gewählt. Im Kontaktmittel fernen Bereich ist die Stromdichte i in Folge des Spannungsabfalles ΔU in der Kupferkaschierung kleiner. Entsprechend muß die Behandlungszeit t größer eingestellt werden.With increasing current density i and increasing treatment time t, the layer thickness d becomes larger. The present invention combines the electrolytically given current density trace i as a function of the spatially acting tent voltage U Z with the treatment time t according to the above formula. Transverse to the transport direction, the product of current density i and the treatment time t must always be the same size at each location, in order to deposit a uniform layer thickness d in this direction. According to the invention, at high current density i, which occurs in the vicinity of the contact means, the treatment time t is chosen to be small. In the far-range contact means, the current density i is smaller as a result of the voltage drop .DELTA.U in the copper cladding. Accordingly, the treatment time t must be set larger.
Die
Stromdichteunterschiede quer zur Transportrichtung sind abhängig von
der elektrischen Leitfähigkeit
der Kupferkaschierung und damit von der Dicke derselben. Mit abnehmender
Dicke, so wie es bei der Feinleitertechnik vorkommt, werden die Stromdichteunterschiede
quer zur Transportrichtung größer. Für eine bestimmte
z.B. mittlere Stromdichte in Höhe
von z.B. 6 A/dm2 läßt sich eine gleichmäßige elektrolytische
Abscheidung mittels unterschiedlicher Behandlungszeiten t einstellen.
Die unterschiedlichen Behandlungszeiten t werden durch unterschiedlich
lange Anoden in Transportrichtung
Bevorzugt werden unlösliche Anoden verwendet. Diese bestehen meist aus Titan mit einer elektrisch leitfähigen und anodisch resistenten Beschichtung.Prefers become insoluble Anodes used. These are usually made of titanium with an electric conductive and anodic resistant coating.
Insgesamt sind diese Werkstoffe sehr teuer. Deshalb sind die erfindungsgemäß konisch verlaufenden Anoden sehr wirtschaftlich, zumal sie ein Verschleißteil sind und von Zeit zu Zeit zu erneuern sind. Auch entsprechend geformte lösliche Anoden sind für die Erfindung verwendbar.All in all These materials are very expensive. Therefore, the invention are conical Anodes running very economical, especially since they are a wearing part and renewed from time to time. Also shaped accordingly soluble Anodes are for the invention can be used.
In
bestehenden elektrolytischen Durchlaufanlagen sind die Anoden rechteckig
geschnitten. Wenn in diesen Anlagen Leiterplatten mit dünneren Kupferkaschierungen
produziert werden sollen, so läßt sich
auch hierfür
die Erfindung in einer zweiten Ausführungsform vorteilhaft nutzen,
um eine ebene elektrolytische Behandlung zu erreichen. In diesem Falle
werden gemäß der
Die
Wirkung der Schichtdickenblenden
Die
Behandlungszeiten t der elektrolytischen Zellen in der Durchlaufanlage
addieren sich zur Gesamtbehandlunszeit. Zu erkennen ist, dass die
Gesamtzeit in der Nähe
der Kontaktmittel am kleinsten ist und mit zunehmendem Abstand vom
Kontaktmittel zunimmt. Dies gleicht über die gesamte Durch laufanlage
die quer zur Transportrichtung kleiner werdende Stromdichte i so
aus, dass das Produkt von i·t
wieder gleich groß bleibt.
Die Passivbereiche
Mit
den oben beschriebenen erfindungsgemäßen Maßnahmen läßt sich eine Durchlaufanlage sehr
genau für
ein Produkt mit einer bestimmten Kupferbasisschichtdicke einstellen.
In der Praxis kommt es jedoch oft vor, dass Leiterplatten mit unterschiedlich
dicken Kupferkaschierungen und/oder mit unterschiedlichen Transportgeschwindigkeiten
für verschieden
dicke Abscheidungen zu behandeln sind. In diesem Falle müssen die
Schichtdickenblenden
Deshalb
wird erfindungsgemäß bevorzugt auch
vorgeschlagen, nur den in Transportrichtung gesehen ersten Teil
der Durchlaufanlage mit den beschriebenen Schichtdickenanoden
Bei
dünner
Kupferkaschierung wird, wie beschrieben, ohne Blenden an der Kontaktseite
mehr Kupfer abgeschieden als an der Kontakt fernen Seite. Wenn dagegen
der Anfangsbereich der Durchlaufanlage mit Schichtdickenblenden
Ist
nun in der selben Anlage eine dicke Kupferkaschierung zu galvanisieren,
so ist die beschriebene Kompensation der Abscheidungen im Anfangsbereich
und Endbereich der Durchlaufanlage nicht mehr oder nur in geringem
Maße erforderlich.
Die Schichtdickenblenden
Im
nachfolgenden Teil der Durchlaufanlage, der nicht mit Schichtdickenblenden
Bei
dünner
Kupferkaschierung wird im Anfangsbereich der Durchlaufanlage, der
mit Schichtdickenblenden
Während des Galvanisierens wächst die Schicht, d.h. die Schichtdicke nimmt in der Durchlaufanlage von elektrolytischer Zelle zur nächsten kontinuierlich zu. Damit ändern sich die Galvanisierungsbedingungen in den elektrolytischen Zellen entlang der Transportbahn. Weil für jede elektrolytische Zelle oder Zellgruppe die Galvanisierströme durch unabhängige Gleichrichter individuell einstellbar sind, kann auf das Schichtwachstum steuerungstechnisch und regelungstechnisch reagiert werden. Insbesondere bei langsamer Transportgeschwindigkeit und damit großer Behandlungszeit t mit deutlicher Zunahme der Schichtdicke je Zelle, kann in jeder elektrolytischen Zelle eine andere, für die jeweils momentane Schichtdicke optimale Stromdichte i eingestellt werden. Eine derartige Durchlaufanlage erlaubt es, in der Praxis Leiterplatten mit Kupferkaschierungen von z.B. 1 μm bis zu 18 μm zu produzieren, wobei in allen Fällen eine ebene Schicht erzeugt wird. Zur Erreichung der ebenen Sollschichtstärke ist bei den dünnsten Kupferkaschierungen, die besonders kritisch sind, lediglich mit einer kleineren Transportgeschwindigkeit und/oder niedrigeren Stromdichte zu galvanisieren. In der Praxis wurde eine bestehende Durchlaufanlage erfindungsgemäß mit Schichtdickenblenden ausgerüstet und für Kupferkaschierungen von 1,5 μm bis zu 18 μm dimensioniert. Dies ist ein bisher noch nicht vorgekommener großer Bereich. Mit Transportgeschwindigkeiten zwischen 1,5 m/min. und 2,5 m/min. wurden ebene Schichten abgeschieden, wobei die vorgegebenen Toleranzen der Schichtdicken von +–10 % sicher eingehalten wurden.During the Electroplating grows the layer, i. the layer thickness decreases in the continuous flow system from electrolytic cell to the next continuously too. Change with it the electroplating conditions in the electrolytic cells along the transport track. Because for every electrolytic cell or Cell group the galvanizing currents by independent Rectifiers are individually adjustable, can be on the layer growth be reacted control technology and control technology. Especially at slow transport speed and thus a long treatment time t with significant increase in layer thickness per cell, can in each electrolytic cell another, for each instantaneous layer thickness optimal current density i can be adjusted. Such a continuous system allows, in practice PCBs with copper cladding from e.g. 1 μm up to 18 μm to produce, in all cases a flat layer is generated. To achieve the flat target layer thickness is at the thinnest Copper laminations, which are particularly critical, only with a smaller transport speed and / or lower current density to galvanize. In practice, an existing continuous flow system According to the invention with layer thickness diaphragms equipped and for Copper laminations of 1.5 μm up to 18 μm dimensioned. This is a previously unseen large area. With transport speeds between 1.5 m / min. and 2.5 m / min. planar layers were deposited, whereby the given tolerances the layer thicknesses of + -10 % were safely adhered to.
Ein großer Vorteil der Erfindung ist es ferner, dass die Präzision der Kupferabscheidung zu Lasten des Produktionsdurchsatzes nahezu beliebig gesteigert werden kann. Bei der Feinleitertechnik wird die zulässige Schichtdickentoleranz immer kleiner. Eine erfindungsgemäß ausgerüstete Durchlaufanlage erfüllt diese Ansprüche. Ein geringfügig kleinerer erfüllt diese Ansprüche. Ein geringfügig kleinerer Produktionsdurchsatz wird dann zu Gunsten der notwendigen Präzision gerne in Kauf genommen. Insgesamt erfordert die Erfindung vergleichsweise zum Stand der Technik sehr geringe Kosten, wobei dennoch ein großer Nutzen erzielt wird. Nicht zuletzt, weil die damit ausgerüstete Durchlaufanlage sehr flexibel an die Anforderungen der jeweiligen Produkte angepaßt werden kann, ohne die Anlage umbauen zu müssen.One greater Another advantage of the invention is that the precision of the copper deposition increased at the expense of production throughput almost arbitrarily can be. In the case of fine conductor technology, the permissible layer thickness tolerance becomes always smaller. An inventively equipped continuous flow system fulfills these requirements Claims. A little bit smaller meets this Claims. A little bit smaller production throughput will then be in favor of the necessary precision accepted. Overall, the invention requires comparatively the prior art very low cost, yet a great benefit is achieved. Not least because the throughput system equipped with it be adapted very flexibly to the requirements of the respective products can do without having to rebuild the plant.
Auch bei einer zweiseitigen Einspeisung des Behandlungsgutes wird bei dünnen Kaschierungen ein Schichtdickenabfall zur Mitte der Leiterplatten auftreten, auch wenn dieser kleiner ist als bei der einseitigen Einspeisung. Bei der zweiseitigen Einspeisung werden die erfindungsgemäßen Schichtdickenblenden oder Schichtdickenanoden spiegelbildlich symmetrisch in die Durchlaufanlage eingebaut. Auch hier wird mittels der Stromdichteeinstellung, wie beschrieben, eine gleichmäßige elektrolytische Behandlung erreicht.Also in a two-sided feed of the material to be treated is at thin Laminations a layer thickness drop occur to the middle of the printed circuit boards, even if this is smaller than with the one-sided feed. In the case of two-sided feed, the layer thickness diaphragms according to the invention are used or layer thickness anodes mirror symmetrically in the flow system built-in. Again, by means of the current density adjustment, such as described, a uniform electrolytic Treatment achieved.
Es kann vorkommen, dass der Verlauf der Summenschichtdicke quer zur Transportrichtung nicht linear ist, sondern eine geringfügige Erhöhung oder Absenkung im Mittenbereich des Behandlungsgutes aufweist. Die Feinkorrektur läßt sich durch nicht linear geschnittene Kanten der Schichtdickenanoden oder Schichtdickenblenden quer zur Transportrichtung erreichen.It may happen that the course of the cumulative layer thickness across the Transport direction is not linear, but a slight increase or Lowering in the middle region of the material to be treated has. The fine correction let yourself by non-linearly cut edges of the layer thickness anodes or Layer thickness panels reach transversely to the transport direction.
Die Anordnung der Schichtdickenblenden oder der Schichtdickenanoden erfolgt im Wesentlichen im Anfangsbereich der Durchlaufanlage. Die erste oder die ersten elektrolytische Zellen können jedoch auch aus anderen Gründen ohne diese Maßnahmen ausgerüstet sein. Zum Beispiel, um zunächst eine kleine Anfangsschicht im gesamten Leiterplattenbereich zu galvanisieren und zu verstärken. Ähnliches gilt für den Endbereich der Durchlaufanlage, der mit besonderen Blenden ausgerüstet sein kann.The Arrangement of the layer thickness diaphragms or the layer thickness anodes takes place essentially in the initial area of the continuous system. The first however, the first electrolytic cells may be made from others establish without these measures equipped be. For example, at first to electroplate a small initial layer throughout the board area and reinforce. something similar applies to the end area of the continuous system, which can be equipped with special screens.
- 11
- Behandlungsgut, Leiterplatte, Leiterfolie,treated, PCB, conductor foil,
- 22
- Obere elektrolytische ZelleUpper electrolytic cell
- 33
- Untere elektrolytische ZelleLower electrolytic cell
- 44
- Kontaktmittelcontact means
- 55
- Obere AnodeUpper anode
- 66
- Untere AnodeLower anode
- 77
- Obere KaschierungUpper lamination
- 88th
- Untere KaschierungLower lamination
- 99
- Randblendeedge panel
- 1010
- Kontaktbahn, KontaktseiteContact track, Contact
- 1111
- Transportrichtung, TransportbahnTransport direction, transport path
- 1212
- Elektrolytelectrolyte
- 1313
- SchichtdickenblendeCoating Thickness panel
- 1414
- Passivbereichpassive range
- 1515
- Obere SchichtdickenanodeUpper Coating Thickness anode
- 1616
- Untere SchichtdickenanodeLower Coating Thickness anode
- 1717
- Kontakt ferner BereichContact distant area
- dd
- Schichtdickelayer thickness
- tt
- Behandlungszeittreatment time
- i i
- Stromdichte, örtlich wirksame StromdichteCurrent density, locally effective current density
- II
- Behandlungsstromtreatment current
Claims (16)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004030726A DE102004030726A1 (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Process to etch manufacture printed circuit board by regulation of electrolytic cell voltage transverse to the direction of travel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004030726A DE102004030726A1 (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Process to etch manufacture printed circuit board by regulation of electrolytic cell voltage transverse to the direction of travel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102004030726A1 true DE102004030726A1 (en) | 2006-01-19 |
Family
ID=35507949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102004030726A Withdrawn DE102004030726A1 (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Process to etch manufacture printed circuit board by regulation of electrolytic cell voltage transverse to the direction of travel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102004030726A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023763A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Hübel, Egon, Dipl.-Ing. (FH) | Method and device for the electrolytic treatment of high-resistance layers |
| CN110592650A (en) * | 2019-09-03 | 2019-12-20 | 昆山东威科技股份有限公司 | An electrolytic etching device |
-
2004
- 2004-06-25 DE DE102004030726A patent/DE102004030726A1/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023763A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Hübel, Egon, Dipl.-Ing. (FH) | Method and device for the electrolytic treatment of high-resistance layers |
| CN110592650A (en) * | 2019-09-03 | 2019-12-20 | 昆山东威科技股份有限公司 | An electrolytic etching device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |