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DE102004009601A1 - Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors - Google Patents

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DE102004009601A1
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Hagen Dr. Klauk
Marcus Dr. Halik
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Abstract

Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, in dem nach dem Ätzen der Gateelektrode die Entfernung der Ätzmaske entfällt, da die Ätzmaske als Gatedielektrikum dient. Die Ätzmaske bzw. das Dielektrikum besteht aus einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung.

Description

  • Feldeffekttransistoren auf der Basis organischer Halbleiter sind für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen von Interesse, die extrem niedrige Fertigungskosten, flexible oder unzerbrechliche Substrate, oder die Herstellung von Transistoren und integrierten Schaltungen über große aktive Fläche erfordern. Zum Beispiel eignen sich organische Feldeffekttransistoren als Pixelsteuerelemente in Aktiv-Matrix-Bildschirmen. Solche Bildschirme werden gewöhnlich mit Feldeffekttransistoren auf der Basis amorpher oder polykristalliner Siliziumschichten hergestellt. Die für die Herstellung hochwertiger Transistoren auf der Basis amorpher oder polykristalliner Siliziumschichten notwendigen Temperaturen von gewöhnlich mehr als 250°C erfordern die Verwendung starrer und zerbrechlicher Glas- oder Quarzsubstrate. Dank der relativ niedrigen Temperaturen, bei denen Transistoren auf der Basis organischer Halbleiter hergestellt werden, die gewöhnlich weniger als 200°C betragen, erlauben organische Transistoren die Herstellung von Aktiv-Matrix-Bildschirmen unter Verwendung billiger, flexibler, transparenter, unzerbrechlicher Polymerfolien mit erheblichen Vorteilen gegenüber Glas- oder Quarzsubstraten.
  • Ein weiteres Anwendungsgebiet für organische Feldeffekttransistoren liegt in der Herstellung von sehr preiswerten integrierten Schaltungen, wie sie zum Beispiel für die aktive Kennzeichnung und Identifizierung von Waren und Gütern zum Einsatz kommen. Diese so genannten Transponder werden gewöhnlich unter Verwendung von integrierten Schaltkreisen auf der Basis von einkristallinem Silizium hergestellt, was zu erheblichen Kosten bei der Aufbau- und Verbindungstechnik führt. Die Herstellung von Transpondern auf der Grundlage organischer Transistoren würde zu ernormen Kostensenkungen führen und könnte der Transponder-Technologie zum weltweiten Durchbruch verhelfen.
  • Bei der Herstellung von Dünnfilmtransistoren sind gewöhnlich viele Schritte erforderlich, in denen die verschiedenen Schichten des Transistors abgeschieden werden. In einem ersten Schritt wird die Gateelektrode auf einem Substrat abgeschieden, anschließend wird auf der Gateelektrode das Gatedielektrikum abgeschieden und in einem weiteren Schritt werden die Source- und Drain-Kontakte strukturiert. Im letzten Schritt wird der Halbleiter zwischen den Source- und Drain-Kontakten auf dem Gatedielektrikum abgeschieden.
  • Es werden daher hohe Anstrengungen unternommen, um den Herstellungsprozess von Feldeffekttransistoren zu vereinfachen. Zum Beispiel wird in der Literatur die Verwendung druckbarer molekularer Ätzmasken zur Strukturdefinition bei der Prozessierung organischer Transistoren beschrieben. Dazu wird auf eine ganzflächig auf dem Substrat abgeschiedene Metalllage mittels eines konformen Reliefstempels eine extrem dünne, molekulare Monolage eines geeigneten organischen Materials aufgebracht. Die Moleküle werden dabei nur in den Gebieten von Stempeln auf das Metall übertragen, in denen die erhabenen Strukturen des Stempels in Kontakt mit der Metalloberfläche treten. Diese Form des Hochdrucks wird auch als Mikrokontaktdruck ("micro contact printing") oder als Flexodruck bezeichnet. Ein solches Verfahren ist zum Beispiel von J. L. Wilbur, A. Kumar, E. Kim und G. M. Whitesides ("Microfabrication by Microcontact Printing of Self-Assembled Monolayers", Advanced Materials, 1994, 6, 600-604) beschrieben. Idealerweise sind die dabei zum Einsatz kommenden organischen Moleküle so gestaltet, dass es zwischen den einzelnen Molekülen und der Metalloberfläche zur Ausbildung chemischer Bindungen und zur Bildung einer molekularen selbstorganisierten Monolage ("self-assembled monolayer", SAM) kommt. Die auf diese Weise auf der Metalloberfläche definierten molekularen Strukturen dienen im nachfolgenden Prozessschritt als Ätzmaske und erlauben somit die gezielte Strukturierung der Metalllage mittels nasschemischer Ätzverfahren. Nachdem die molekulare Monolage ihre Aufgabe als Ätzmaske erfüllt hat, wird sie wieder entfernt, um die Metalloberfläche für die nächsten Prozessschritte freizulegen.
  • Bei der Verwendung der so strukturierten Metalllage als Gateelektrode des Transistors ist der sich an die Entfernung der molekularen Ätzmaske unmittelbar anschließende Prozessschritt die Abscheidung des Gatedielektrikums zum Zwecke der elektrischen Isolation der Gateelektrode von der organischen Halbleiterschicht, die in einen weiteren Prozessschritt abgeschieden wird. Als Gatedielektrikum in organischen Transistoren kommen in der Regel anorganische Oxide oder Nitride, wie zum Beispiel Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid oder Tantaloxid oder isolierende Polymere wie zum Beispiel Polyvinylphenol zum Einsatz.
  • Die Prozessierung von Gatedielektrika auf der Basis sowohl anorganischer Oxide und Nitride als auch isolierender Polymere erfordert in der Regel relativ große Schichtdicken um etwa 100 nm oder dicker und führt daher zu der Notwendigkeit relativ hoher Versorgungsspannungen für den Betrieb der Transistoren. Die Versorgungsspannungen liegen im Bereich von etwa 10 Volt oder höher. Prinzipiell können die Versorgungsspannungen durch Verwendung dünnerer Gegendielektrika zwar reduziert werden, allerdings führt diese Reduzierung der Schichtdicke bei den oben genannten, herkömmlichen Dielektrikumsmaterialien unweigerlich zu einer inakzeptablen Erhöhung der Leckströme und in der Regel zu einer Verringerung der Ausbeute.
    •
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt darin, ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors bereitzustellen, das gegenüber herkömmlichen Verfahren weniger Prozessschritte aufweist, und zudem die Herstellung eines Feldeffekttransistors ermöglicht, der bei einer Versorgungsspan nung von weniger als 5 Volt und insbesondere von weniger als 3 Volt betrieben werden kann.
  • Die Aufgabe der Erfindung wurde durch den Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst und ein Feldeffekttransistor, der durch das erfindungsgemäße Verfahren herstellbar ist, wurde durch den Gegenstand des Anspruchs 19 bereitgestellt.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren weist folgende Schritte auf:
    • a) Bereitstellen eines Substrats;
    • b) ganzflächige Abscheidung einer Gateelektrode;
    • c) in Kontakt bringen der Gateelektrode mit einer organischen Verbindung, um eine auf der Gateelektrode angeordnete selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung zu erhalten;
    • d) Ätzen der Gateelektrode mit der darauf angeordneten selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung derart, dass die selbstorganisierte Monolage im Wesentlichen nicht abgetragen wird;
    • e) Abscheiden und falls notwendig Strukturieren einer Source- und einer Drain-Kontakte ohne die selbstorganisierte Monolage zu entfernen; und anschließend
    • f) Abscheiden eines Halbleitermaterials, wobei die Schritte e) und f) auch in umgekehrter Reihenfolge durchgeführt werden können.
  • Die selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung dient als Dielektrikum und als Ätzmaske gleichzeitig, so dass sie nach dem Ätzen der Gateelektrode, um sie zu strukturieren, nicht entfernt werden muss.
  • Im günstigen Fall kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren der herkömmlich notwendige Schritt des Abscheidens des Dielektrikums nach dem Strukturieren der Gateelektrode gänzlich entfallen. Es muss lediglich gewährleistet sein, dass es bei der nachfolgenden Abscheidung der Source- und Drainelektrode nicht zu einem elektrischen Kurzschluss zwischen den Source- und Drain-Kontakten und der Gateelektrode kommt. Ein solcher Kurzschluss kann auftreten, falls die molekulare Benetzung der Gateelektrode entlang der vertikalen Ätzkanten nach dem Ätzen der Gatelage unzureichend ist. Wenn es zum Beispiel bei dem nasschemischen Ätzen der Gateelektrode zu einer hinreichenden Unterätzung des Metalls gekommen ist, kann die Abscheidung entlang der Ätzkanten gänzlich entfallen. Im Falle einer unzureichenden Molekularbenetzung der Gatelage entlang der Ätzkanten nach dem Ätzen der Gateelektrode kann die Gefahr elektrischer Kurzschlusse zwischen den Source- und Drainkontakten und der Gateelektrode durch eine nochmalige Benetzung der Gatelage mit einer molekularen selbstorganisierten Monolage eliminiert werden.
  • Der Kern der Erfindung liegt daher darin, dass die selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung, die als Dielektrikum dient, sowohl als Ätzmaske bei der Strukturierung der Gateelektrode mittels Ätzens dient als auch als Gatedielektrikum eingesetzt wird, wodurch die andernfalls gegebene Notwendigkeit für das Entfernen der selbstorganisierten Monolage nach dem Ätzen entfällt und sich eine Vereinfachung des Herstellungsprozesses dadurch ergibt.
  • Um die Gefahr eines Kurzschlusses zwischen der Gateelektrode und der Source- bzw. Drainelektrode zu minimieren, ist in einer vorteilhaften Ausführungsform vorgesehen, nach dem Ätzen der Gateelektrode mit der darauf angeordneten selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung, die Gateelektrode mit der organischen Verbindung nachzubenetzen, um die organische Verbindung entlang der Ätzkanten abzuscheiden.
  • In der vorteilhaften Ausführungsform, weist die Gateelektrode an der Oberfläche eine Metalloxidschicht auf. Als Materialien kommen in dieser Ausführungsform alle Materialien mit nativer oder gezielt erzeugter Oxidschicht in Frage, wie zum Beispiel Aluminium, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid, Wolfram, Titanwolfram, Tantalwolfram, Wolframnitrid, Wolframcarbonitrid, Iridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontiumrutheniumoxid bzw. eine Kombination dieser Schichten und/oder Materialien und gegebenenfalls zusätzlich eine Schicht aus Silizium, Titannitridsilizium, Siliziumoxynitrid, Siliziumoxid, Siliziumcarbid oder Siliziumcarbonitrid.
  • Die Schicht der selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung, die als Ätzmaske dient, wird vorzugsweise mittels eines Druckverfahrens auf die Gateelektrode abgeschieden.
  • Die selbstorganisierte Schicht der organischen Verbindung wird in einer besonders bevorzugten Ausführungsform mittels eines speziell angefertigten Relief-Stempels aus Polydimethylsiloxan auf die Oberfläche einer auf ein Substrat gedampften Metallschicht übertragen.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist die organische Verbindung, die die selbstorganisierte Monolage bildet, einen Rest auf, der mit der Oberfläche der Gateelektrode eine Wechselwirkung eingeht.
  • In Abhängigkeit von dem für die Gateelektrode verwendeten Material und von der Oberfläche der Gateelektrode kommen viele Reste in Frage, die mit der Oberfläche der Gateelektrode eine Wechselwirkung eingehen. Beispielsweise werden folgende Gruppen genannt: R-SiCl3, R-SiCl2, Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2, R-Si(OR)3, R-Si(OR)2Alkyl, R-SiOR(Alkyl)2, R-PO(OH)2, R-CHO, SH, OH, NH2, COOH, CONH2, CONHOH oder CONHNH2 in Frage. Die selbstorganisierte Monolage, die auf der Gateelektrode angeordnet ist, soll eine hohe Substratspezifität sowie eine hohe thermische, chemische und mechanische Stabilität der Schicht aufweisen. Die Gruppe R ist beliebig auszuwählen, wobei es vorteilhaft ist, wenn R eine Gruppe bestehend aus n-Alkyl, n-Alkyl(thio)ether, lineare aromatische Gruppen der Formel -(C6H4)n- aufweist, wobei n eine ganze Zahl zwischen 2 und 6 ist, wobei R auch eine heteroaromati sche Gruppe sein kann. Es ist vorteilhaft, dass die organische Verbindung linear ausgerichtet ist, um durch die seitlichen Wechselwirkungen der R Gruppe, wie z. B. durch ππ, Dipol-Dipol oder CT-Wechselwirkungen, die selbstorganisierte Monolage zu stabilisieren.
  • Das Ätzen der Gateelektrode, um die Elektrode zu strukturieren, wird vorzugsweise mittels nasschemischer Ätzmethoden durchgeführt. Wenn die Gateelektrode aus zum Beispiel Aluminium besteht, kann das Substrat etwa eine Minute lang in eine gemischte Säurelösung getaucht werden. Die Lösung enthält vorzugsweise Orthophosphorsäure, Salpetersäure, Essigsäure und Wasser. Die Konzentration der in der Lösung zum nasschemischen Ätzen vorhandenen Säuren ist so zu wählen, dass die Schicht der organischen Verbindung, die die auf der Gateelektrode eine selbstorganisierte Monolage bildet, im Wesentlichen nicht abgetragen wird. Die Lösung kann zum Beispiel zwischen 60 und 90 Gew.-% Orthophosphorsäure, 2 bis 8 % Salpetersäure, 2 bis 8 % Essigsäure und der Rest Wasser enthalten.
  • Die Stärke der Gateelektrode beträgt zwischen etwa 20 und etwa 300 nm, vorzugsweise zwischen etwa 20 und etwa 100 nm. In einer besonderen Ausführungsform beträgt die Stärke der Gateelektrode etwa 20 bis 50 nm.
  • Die Stärke der selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung entspricht der Länge des organischen Moleküls, da es sich hier um lediglich eine Molekularlage handelt. Abhängig von der Länge des organischen Moleküls, und in diesem Zusammenhang der Gruppe R, beträgt die Stärke der selbstorganisierten Monolage zwischen etwa 1 nm und etwa 20 nm. Besonders bevorzugt sind die organischen Verbindungen, die eine Stärke der selbstorganisierten Monolage von etwa 2 bis 10 nm ergeben.
  • Nachdem die Gateelektrode durch vorzugsweise nasschemisches Ätzen strukturiert wurde, erfolgt gegebenenfalls eine nochmalige Benetzung mit der organischen Verbindung entlang der Ätzkanten durch Eintauchen in eine alkoholische Lösung der organischen Verbindung.
  • Im Anschluss werden Source- und Drain-Kontakte aufgedampft und strukturiert.
  • Im letzten Schritt erfolgt die Abscheidung des Halbleiters, der in einer besonders bevorzugten Ausführungsform ein organisches Polymer ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform besteht das Polymer aus zum Beispiel Pentazen, Tetrazen oder Polythiophen.
  • Durch die sehr geringe Stärke des Gatedielektrikums, das durch die selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung definiert wird, kann ein Feldeffekttransistor, der durch das erfindungsgemäße Verfahren herstellbar ist, mit einer Versorgungsspannung von weniger als 5 Volt und in einer bevorzugten Ausführungsform von weniger als 3 Volt betrieben werden.
    •
  • Die Erfindung wird nun anhand der Figuren näher erläutert.
  • Es zeigt:
  • 1 Prozessablauf bei der Herstellung eines herkömmlichen Feldeffekttransistors;
  • 2 Prozessablauf bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors;
  • 3 schematischer Querschnitt einer Struktur mit unzureichender molekularer Benetzung der Gateelektrode entlang der Ätzkanten;
  • 4 schematischer Prozessablauf für die nochmalige Benetzung der Gateelektrode entlang der Ätzkanten;
  • 5 schematischer Querschnitt einer Struktur mit hinreichender Unterätzung;
  • 6 Strom-Spannungskennlinien eines erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors;
  • 7 Stromspannungskennlinien eines Inverters mit gesättigter Last.
  • 1 beschreibt die notwendigen Schritte bei der Herstellung eines herkömmlichen Feldeffekttransistors. Auf einem Substrat (1) wird in der 1a eine Lage (2) eines Materials, das für die Herstellung der Gateelektrode verwendet wird, abgeschieden. Darauf wird wie in der 1b dargestellt, eine Ätzmaske (3) durch vorzugsweise durch eine Drucktechnik auf die Lage der Gateelektrode (2) abgeschieden. In der 1c wird das Ergebnis nach dem Ätzschritt und der Strukturierung der Gateelektrode dargestellt. Aus der 3 ist ersichtlich, dass die Ätzkanten freiliegen (4).
  • In der 1b, muss dann die Ätzmaske (3) entfernt werden, bevor ein Dielektrikum (5) über der Gateelektrode abgeschieden wird.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren, ist ersichtlich, dass der Schritt des Entfernens der Ätzmaske (3) vollständig entfällt, da die selbstmolekulare Monolage der organischen Verbindung (3a) sowohl als die Ätzmaske (3) als auch die Dielektrikumsschicht (5) für den nachfolgenden Prozess dient. Die Prozessabläufe, vergleichbar mit den in den 1a bis 1e dargestellten Schritten sind in 2 dargestellt.
  • Im günstigen Fall kann bei der erfindungsgemäßen Mehrfachverwendung der molekularen Monolage (3a) nicht nur der Prozessschritt des Entfernens der Ätzmaske (3) entfallen, sondern auch der Prozessschritt, der in der 1e bzw. 2d dargestellt ist. Es muss lediglich gewährleistet sein, dass es bei der nachfolgenden Abscheidung der Source- (6) und Drainelektrode (7) nicht zu einem elektrischen Kurzschluss zwischen den Source- (6) und Drainelektroden (7) und der Gateelektrode (2) kommt. Ein solcher Kurzschluss kann auftreten, falls die molekulare Benetzung der Gatelage (4) entlang der Ätzkanten (4) nach dem Ätzen der Gatelage unzureichend ist. Diese Situation ist in 3 schematisch dargestellt.
  • Im Falle einer unzureichenden Molekularbenetzung der Gatelage entlang der Ätzkanten, wie es zum Beispiel in 3a dargestellt ist, kann die Gefahr elektrischer Kurzschlüsse zwischen den Source- (6) bzw. Drainelektroden (7) und der Gateelektrode (2) durch eine nochmalige Benetzung der Gatelage entlang der Ätzkanten (4) mit einer molekularen selbstorganisierten Monolage (3a) eliminiert werden.
  • Dieser Schritt ist in 4 dargestellt. Das Ergebnis nach der Abscheidung und Strukturierung der Source- (6) bzw. Drainelektroden (7) ist in 4 dargestellt.
  • Auf die nochmalige Benetzung der Ätzkanten kann verzichtet werden, wenn es gewährleistet ist, dass es nicht zu einem Kurzschluss kommen kann. Das könnte der Fall sein, wenn es durch das nasschemische Ätzen der Gatelage (2) zu einer hinreichenden Unterätzung des Metalls gekommen ist, wie es in 5a dargestellt ist. Die Situation ist in 5a bzw. 5b dargestellt worden.
  • Die Herstellung des erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors wird anhand des nachfolgenden Beispiels erläutert.
  • Als Gatematerial wird Aluminium verwendet und als die organische Verbindung wird beispielsweise eine n-Alkylphosphonsäure erläutert. Auf einer auf ein Glassubstrat gedampften, etwa 20 nm dicken Aluminiumschicht wird eine selbstorganisierte Monolage der n-Alkylphosphonsäure mittels eines speziell angefertigten Reliefstempels aus Polydimethylsiloxan übertragen. Zum nasschemischen Ätzen des Aluminiums wird das Substrat etwa eine Minute lang in eine gemischte Säurelösung bestehend aus 80 % Orthophosphorsäure, 5 % Salpetersäure, 5 Essigsäure und 10 % Wasser getaucht. Falls notwendig, erfolgt eine nochmalige Benetzung der Aluminiumgatelage durch Eintauchen in eine alkoholische Phosphonsäurelösung. Im Anschluss wird eine etwa 30 nm dicke Schicht Gold aufgedampft und strukturiert, zum Beispiel unter Verwendung von Fotolithografie und nasschemischem Ätzen. Im letzten Schritt erfolgt die Abscheidung der organischen Halbleiterschicht, zum Beispiel durch thermisches Verdampfen von Pentazen.
  • Die Eigenschaften eines durch das Beispiel hergestellten Feldeffekttransistors sind in 6 und 7 dargestellt. 6 zeigt die Strom-Spannungskennlinien eines Pentazen-Transistors und die 7 eines Inverters mit gesättigter Last, die durch die erfindungsgemäße Mehrfachverwendung einer gedruckten molekularen selbstorganisierten Monolage des Phosphonsäurederivats als Maske und als Dielektrikum für das nasschemische Ätzen der Aluminiumgateelektroden hergestellt worden ist. Als Substrat wurde ein thermisch oxidierter Siliziumwafer eingesetzt; die Source- und Drainkontakte wurden, wie oben beschrieben, durch Abscheidung und nasschemische Strukturierung einer dünnen Gold-Schicht erzeugt.
    • 1
    Substrat
    2
    Gateelektrode bzw. Gateelektrodenmaterial
    3
    Ätzmaske
    3a
    selbstorganische Monolage einer organischen Verbindung
    4
    Ätzkante(n)
    5
    Gatedielektrikum
    6
    Sourcelektrode
    7
    Drainelektrode

Claims (20)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Substrats; b) ganzflächige Abscheidung einer Gateelektrode; c) in Kontakt bringen der Gateelektrode mit einer organischen Verbindung, um eine auf der Gateelektrode angeordnete selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung zu erhalten; d) Ätzen der Gateelektrode mit der darauf angeordneten selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung derart, dass die selbstorganisierte Monolage im Wesentlichen nicht abgetragen wird; e) Abscheiden und falls notwendig Strukturieren einer Source- und einer Drainelektrode ohne die selbstorganisierte Monolage zu entfernen; und anschließend f) Abscheiden eines Halbleitermaterials, wobei die Schritte e) und f) auch in umgekehrter Reihenfolge ausgeführt werden können.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ätzen der Gateelektrode mit der darauf angeordneten selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung, die Gateelektrode mit der organischen Verbindung nachbenetzt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gateelektrode an der Oberfläche eine Metalloxidschicht aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gateelektrode aus der Gruppe bestehend aus Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid, Wolfram, Titanwolfram, Tantalwolfram, Wolframnitrid, Wolframcarbonitrid, Irridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontiumruteniumoxid ausgewählt ist bzw. aus einer Kombination dieser Schichten und/oder Materialien und gegebenenfalls zusätzlich eine Schicht aus Silizium, Titannitridsilizium, Siliziumoxynitrid, Siliziumoxid, Siliziumcarbid oder Siliziumcarbonitrid aufweist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Kontakt bringen der Gateelektrode mit der organischen Verbindung durch eine Drucktechnik erfolgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in Kontakt bringen der Gateelektrode mit der organischen Verbindung mittels Mikrokontaktdrucks erfolgt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Verbindung einen Rest aufweist, der mit der Oberfläche der Gateelektrode eine Wechselwirkung eingeht.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Rest der organischen Verbindung aus der Gruppe bestehend aus R-SiCl3, R-SiCl2Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2, R-Si(OR)3, R-Si(OR)2Alkyl, R-SiOR(Alkyl)2, R-PO(OH)2, R-PO(OR)2 (Alkyl), R-CHO, R-CH=CH2, R-COH, R-CONH2, R-CONHOH, R-CONHNH2, R-OH oder R-NH2 ausgewählt ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen der Gateelektrode mit der darauf angeordneten selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung mittels nasschemischer Ätzmethoden erfolgt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen mittels einer phosphorsäurehaltigen Lösung erfolgt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung zusätzlich Salpetersäure enthält.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung zusätzlich Essigsäure enthält.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Source- und Drainelektroden unabhängig voneinander aus der Gruppe bestehend aus Gold, Silber, Kupfer, Platin, Palladium, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid, Wolfram, Titanwolfram, Tantalwolfram, Wolframnitrid, Wolframcarbonitrid, Irridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontiumrutheniumoxid ausgewählt ist bzw. aus einer Kombination dieser Schichten und/oder Materialien und gegebenenfalls zusätzlich eine Schicht aus Silizium, Titannitridsilizium, Siliziumoxynitrid, Siliziumoxid, Siliziumcarbid oder Siliziumcarbonitrid aufweist.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der Gateelektrode zwischen etwa 20 und etwa 300 nm, vorzugsweise zwischen etwa 20 und etwa 100 nm beträgt.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der Gateelektrode etwa 20 bis etwa 50 nm beträgt.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der selbstorganisierten Monolage der organischen Verbindung zwischen etwa 1 und etwa 20 nm, vorzugsweise zwischen etwa 2 und etwa 10 nm beträgt.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial ein organisches Halbleitermaterial ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Halbleitermaterial aus der Gruppe bestehend aus Pentazen, Tetrazen und Polythiophen ausgewählt ist.
  19. Feldeffekttransistor herstellbar nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18.
  20. Feldeffekttransistor nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor mit einer Spannung von weniger als 5 Volt, vorzugsweise von weniger als 3 Volt betrieben wird.
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