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DE102004009267B3 - Ausleseeinrichtung wenigstens eines magnetoresistiven Elementes - Google Patents

Ausleseeinrichtung wenigstens eines magnetoresistiven Elementes Download PDF

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DE102004009267B3 DE102004009267A DE102004009267A DE102004009267B3 DE 102004009267 B3 DE102004009267 B3 DE 102004009267B3 DE 102004009267 A DE102004009267 A DE 102004009267A DE 102004009267 A DE102004009267 A DE 102004009267A DE 102004009267 B3 DE102004009267 B3 DE 102004009267B3
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Abstract

Die Ausleseeinrichtung enthält eine Ausleseschaltung für wenigstens ein magnetoresistives Element (RT), dessen Signal sich in Abhängigkeit von einer äußeren Messgröße ändert. Die Schaltung umfasst einen eingangsseitigen Stromzweig (Ze) des Elementes (RT) mit einer Konstantstromquelle (Qi) oder einer Konstantspannungsquelle sowie mit Zuleitungswiderständen (R1, R3) und einen ausgangsseitigen Stromzweig (Za) mit Ableitungswiderständen (R2, R4). Für eine Signalerhöhung soll in dem ausgangsseitigen Stromzweig (Za) eine konstantspannungsquelle (Qos) zur Erzeugung einer Offset-Spannung (u0) vorgesehen sein.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Ausleseeinrichtung wenigstens eines magnetoresistiven Elementes, dessen Signal sich in Abhängigkeit von einer äußeren Messgröße ändert, wobei die Einrichtung eine Ausleseschaltung aufweist, welche einen eingangsseitigen Stromzweig des magnetoresistiven Elementes mit einer Konstantstromquelle oder einer Konstantspannungsquelle sowie Zuleitungswiderständen und einen ausgangsseitigen Stromzweig mit Ableitungswiderständen umfasst, und mit Mitteln zur Weiterverarbeitung des an dem magnetoresistiven Element abnehmbaren Signals versehen ist. Eine entsprechende Ausleseeinrichtung ist z.B. in der DE 39 33 311 C2 als Stand der Technik offenbart.
  • Bei vielen Sensoren sind ihre Signalgrößen, die insbesondere Widerstandsgrößen sein können, durch verschiedene Effekte in ihrem Signalhub limitiert. Es werden deshalb große Anstrengungen zu einer Steigerung des Signalhubs unternommen.
  • Im Folgenden wird explizit auf ein magnetoresistives Sensorelement vom sogenannten Tunnel-Magneto-Widerstands (TMR oder JMR)-Typ eingegangen (vgl. z.B. „Appl. Phys. Lett.", Vol.69, No.5, 29.Juli 1996, Seiten 708 bis 710), obwohl die angesprochenen Überlegungen auch für andere magnetoresistive Elemente, deren Signal sich in Abhängigkeit von einer äußeren Messgröße ändert, in Ansatz zu bringen sind.
  • Der TMR-Effekt wird durch die elektronische Polarisation der beteiligten magnetischen Materialien, das Barrierenmaterial und die Defektdichte an den Grenzflächen und in der Barriere bestimmt. Ideal wäre eine 100%ige Spinpolarisation.
  • Die Definition des TMR-Signalhubes T eines TMR-Elementes ist folgendermaßen gegeben: T: = ΔR/Rmin = (Rmax – Rmin)/Rmin (1)
  • Ein TMR-Sensor mit 100%iger Spinpolarisation würde einen Effekt von einem unendlichen Wert aufweisen. Bisher ist es nicht gelungen, bei Raumtemperatur eine derart hohe Spinpolarisation in einem entsprechenden Element zu erreichen. Realistische Werte des TMR-Effektes betragen einige 10 % bis maximal etwa 60 %. Dies entspricht einer Spinpolarisation von etwa 50 %.
  • Das Auslesen des Signalhubes eines entsprechenden TMR-Sensorelementes geschieht beispielsweise mit Hilfe einer an sich bekannten Standardschaltung( vgl. z.B. die DE 39 33 311 C2 ), wie sie in 1 der Zeichnung angedeutet ist. Mit dieser für Einzelsensoren besonders günstigen Schaltung kann eine sogenannte Vier-Punkt oder Draht/Leiter)-Messung erfolgen, die einen Eliminierung aller Zuleitungs- und Ableitungswiderstände ermöglicht. In der Figur sind bezeichnet mit
    Ze ein eingangsseitiger, durch eine gestrichelte Schleife dargestellter Stromzweig,
    R1, R3 Zuleitungswiderstände bzw. deren Widerstandswerte,
    Qi eine Konstantstromquelle,
    i1 ein eingangsseitiger Strom der Quelle,
    Za ein ausgangsseitiger Stromzweig in zu Ze entsprechender Darstellung,
    R2, R4 Ableitungswiderstände bzw. deren Widerstandswerte,
    u2 eine ausgangsseitige Spannung,
    MS diese Spannung verarbeitende und auswertende, in der Figur nicht näher ausgeführte, da an sich bekannte Mittel
    sowie mit
    RT ein TMR-Sensorelement bzw. dessen Widerstandswert.
  • Dieses Sensorelement ist an seinen beiden Anschlusspunkten A1 und A2 eingangsseitig in den eingangsseitigen Stromzweig Ze und ausgangsseitig in den ausgangsseitigen Stromzweig Za integriert.
  • Bei dieser bekannten Standardschaltung zur Vier-Punkt-Messung läuft der Strom i1 durch das Sensorelement RT und erzeugt einen exakt messbaren Spannungsabfall u2, falls der Strom i2 = 0 ist. Der Widerstandswert RT des TMR-Widerstandes kann in Abhängigkeit von einem äußeren Magnetfeld die beiden Werte Rmin und Rmax annehmen. Dabei kann sein Signalhub T für einen konstanten Messstrom i1 folgendermaßen beschrieben werden: T: = (u2max – u2min)/u2min (2a) T: = (i2 * Rmax – i2 * Rmin)/i2 * Rmin (2b)(Dabei bedeuten „*" das Multiplikationszeichen und „/" das Divisionszeichen.).
  • Für eine konstante Messspannung u1 von einer Konstantspannungsquelle ergäben sich entsprechende Gleichungen.
  • Will man zu einer Steigerung des Signalhubes T gelangen, so ist an Gleichung (2) anzusetzen. Unter Bezugnahme auf Gleichung (2b) eröffneten sich insbesondere folgende Möglichkeiten:
    • – Rmax→ unendlich; wie vorstehend angesprochen, ist eine entsprechende Erhöhung der Spinpolarisation nicht bekannt.
    • – i2 → null; hierbei würde sich kein Effekt ergeben, da sowohl der Nenner als auch der Zähler von Gleichung (2b) nach null gingen.
    • – Rmin → null; Rmin ist insbesondere aus technologischen und geometrischen Gründen eine vorgegebene Größe, die nur in beschränktem Umfang variiert werden kann.
  • D.h., es sind keine Ansätze bekannt, den tatsächlichen TMR-Effekt zu erhöhen. Durch einen parasitären geometrischen Effekt (vgl. die eingangs genannte Literaturstelle aus „Appl. Phys. Lett."), insbesondere auf Grund von inhomogenen Stromverteilungen, konnte zwar der gemessene TMR-Effekt verbessert werden. Dies ist jedoch nur für Sensorelemente mit großen Flächen und hohen Zuleitungswiderständen realisierbar; solche Sensorelemente sind jedoch für einen konkreten Einsatz uninteressant.
  • Klassische Verstärkerschaltungen in Silizium-Technologie können zwar auch schwache TMR-Signalhübe derart verstärken, dass eine Weiterverarbeitung z.B, als digitaler Signallevel möglich ist. Nachteilig ist jedoch dabei, dass bei linearen Verstärkern auch Rmin mit verstärkt wird. D.h., die relative Änderung des Signals bleibt auch hier praktisch unverändert.
  • Aus der DE 100 08 987 C2 geht ein Verfahren zum Anpassen von magnetoresistiven Positionssensoren an Kurbelwellen und Nockenwellen eines Motors hervor. Hierbei wird das Signal einer Brückenschaltung mit zwei magnetoresistiven Elementen mittels eines Gleichstrom-Offset-Gliedes dahingehend eingestellt, dass Fehlanpassungen der magnetoresistiven Elemente beseitigt werden. Das Offset-Glied stellt folglich von seiner Funktion her ein Abgleichmittel dar, das einen angeschlossenen Komparator-Operationsverstärker auf den Kennlinienbereich der magnetoresistiven Elemente einstellt. Eine Verstärkung des Signalhubs der magnetoresistiven Elemente ist damit nicht verbunden.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Ausleseeinrichtung mit den eingangs genannten Merkmalen dahingehend auszugestalten, dass mit ihr eine Signalerhöhung ermöglicht wird, ohne dass die vorstehend angesprochenen Probleme bedeutsam sind.
  • Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Demgemäß soll die Ausleseeinrichtung das Merkmal aufweisen, dass in ihrem ausgangsseitigen Stromzweig eine Konstantspannungsquelle zur Erzeugung einer Offset-Spannung vorgesehen ist, die ein Mittel zur Einstellung eines Signalhubs des wenigstens einen magnetoresistiven Elementes ist.
  • Mit dieser erfindungsgemäßen Maßnahme wird die Gleichheit von der Beziehung u2 = i2 * RT (3)gezielt aufgehoben. Damit ändert sich die Gleichung (2) folgendermaßen: Teff = [Rmax + u0/i1 – (Rmin + u0/i1)/(Rmin + u0/i1) = T * Rmin * i1/(Rmin * i1 + u0), (4) wobei Teff der tatsächliche Signalhub und u0 die als eine Offset-Spannung ansehbare Spannung der Konstantspannungsquelle sind.
  • Die Wirksamkeit dieser Maßnahme kann an Hand der Gleichung (4) folgendermaßen abgeschätzt werden:
    • • Bei Rmin * i1 = –u0 (5)tritt eine Polstelle auf.
    • • Folgende Stabilität ist gegeben: Der Stromnullpunkt von i1 verschiebt sich gegenüber dem Spannungsnullpunkt von u2; d.h., geht der Strom i1 → null, geht Teff ebenfalls → null.
    • • Da die erfindungsgemäße Ausleseeinrichtung nunmehr nicht linear auf eine [u2 = i2 * RT]-Änderung reagiert, können die einzelnen Parameter der Teile der Schaltung ohne weiteres so eingestellt werden, dass die gewünschte Steigerung des Signalhubes erreicht wird.
  • Magnetoresistive Elemente mit entsprechend erhöhtem Signalhub sind deshalb insbesondere zu einer Ausbildung von Elementen der Sensorik, der magnetischen Logik oder von Speicherzellen oder vor Teilen dieser Elemente geeignet.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Ausleseeinrichtung gehen aus den abhängigen Ansprüchen hervor. Dabei kann die erfindungsgemäße Ausführungsform nach Anspruch 1 mit den Merkmalen eines der Unteransprüche oder vorzugsweise auch mit denen aus mehreren Unteransprüchen kombiniert werden.
  • Demgemäß können für die Ausleseeinrichtung vorteilhaft noch zusätzlich folgende Merkmale vorgesehen werden
    • • So kann der eingangsseitige Stromzweig die Konstantstromquelle enthalten und kann auch dem ausgangsseitigen Stromzweig das magnetoresistive Element zugeordnet sein. Es ergibt sich so eine einfache Ausleseschaltung analog zu dem bekannten Vier-Punkt-Messaufbau.
    • • Stattdessen ist es aber auch möglich, dass der eingangsseitige Stromzweig die Konstantspannungsquelle und einen Messwiderstand enthält, der auch dem ausgangsseitigen Stromzweig zugeordnet ist.
    • • Bei der letztgenannten Ausführungsform kann der Spannungsabfall an dem Messwiderstand mittels der Konstantspannungsquelle zur Erzeugung der zusätzlichen Offset-Spannung eingestellt werden.
    • • Ferner ist es besonders vorteilhaft, wenn das wenigstens eine magnetoresistive Element vom AMR- oder GMR- oder CMR- oder insbesondere vom TMR-Typ ist.
    • • Vorteilhaft wird die Offset-Spannung zwischen 0 und 1,5 Volt liegend gewählt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 2 bis 5 noch weiter erläutert. In der Zeichnung zeigen deren
  • 1 die eingangs bereits beschriebene Ausleseeinrichtung nach dem Stand der Technik für eine Vier-Punkt-Messung,
  • 2 eine erste Ausführungsform einer Ausleseeinrichtung nach der Erfindung mit einer eingangsseitigen Konstantstromquelle,
  • 3 in einem Diagramm den relativen effektiven Signalhub Teff/T in Abhängigkeit von einem Eingangsstrom i1 für eine Ausführungsform nach 2,
  • 4 für eine entsprechende Ausführungsform in einem weiteren Diagramm den TMR-Effekt in Abhängigkeit von einem äußeren Magnetfeld Hext
    und
  • 5 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Ausleseeinrichtung mit einer eingangsseitigen Konstantspannungsquelle.
  • Bei den nachfolgenden Ausführungsbeispielen sei explizit nur ein Sensorelement vom TMR-Typ angenommen. Sinngemäß gilt jedoch das Gleiche auch für andere magnetoresistive Elemente wie insbesondere vom AMR- oder GMR- oder CMR-Typ (vgl. z.B. den Band „XMR-Technologien" – Technologieanalyse: Magnetismus; Bd. 2, VDI-Technologiezentrum „Physikalische Technologien", Düsseldorf (DE), 1997, Seiten 11 bis 46). Gleichfalls wird hier als Anwendung nur ein einzelnes Element zugrunde gelegt. Jedoch sind andere Anwendungen mit mehreren Elementen, beispielsweise der MRAM-Technologie oder magnetischen Logik möglich. Auch andere Sensorprinzipien, die als Signalgröße einen Strom oder eine Spannung aufweisen, wie z.B. von Hall-Sensorelementen, Temperatursensoren oder Druckdosen, können in eine entsprechende Ausleseeinrichtung integriert sein, um an ihnen einen höheren Signalhub zu gewinnen.
  • Die Ausführungsform der Ausleseschaltung nach 2 einer erfindungsgemäßen Einrichtung unterscheidet sich von der bekannten Ausführungsform nach 1 lediglich dadurch, dass in ihren ausgangsseitigen Stromzweig Za zusätzlich eine Spannungsquelle Qos mit der Konstantspannung u0 als sogenannter Offset eingefügt ist.
  • Die Steigerung des Signalhubs auf Grund dieser Maßnahme kann durch Simulation leicht abgeschätzt werden: Für Rmin = 100 Ω ergeben sich mit u0 als Parameter die Kurvenverläufe des Diagramms der 3. Dabei sind in Abszissenrichtung der Strom i1 (in Ampere) und in Ordinatenrichtung der davon abhängige relative effektive Signalhub Teff/T (in %) aufgetragen. Wie dem Diagramm zu entnehmen ist, bewirkt ein positiver Strom i1 für die einzelnen angegebenen Parameter von u0 eine Verstärkung. So kann z.B. für eine konstante Offset-Spannung u0 = –0,1 V bei einem Strom i1 = 0,7 mA eine Steigerung des Signalhubs um den Faktor 4 (= 400 %) abgelesen werden. Diese Steigerung ist in dem Diagramm durch eine gepfeilte Linie S veranschaulicht.
  • Gemäß einem konkreten Ausführungsbeispiel einer Ausleseschaltung nach 2 ergibt sich dann das aus 4 ersichtliche Messdiagramm des magnetoresistiven Effektes TMR (in %) in Abhängigkeit von einem externen Magnetfeld Hext (in A/m), wobei hier als konkrete Parameter gewählt wurden:
    i1 = 100 μA; RT = 75 Ω; Kurve K1: u0 = 0 V;
    Kurve K2: u0 = –10 mV. Aus dem Diagramm ist ersichtlich, dass sich ein Signalhub von ca. 12 % (Kurve K1) auf ca. 350 % (Kurve K2) verstärken lässt. Selbstverständlich sind noch größere Verstärkungen zu erreichen. D.h., durch Addition einer Offset-Spannung u0 in dem ausgangsseitigen Stromzweig der erfindungsgemäßen Ausleseeinrichtung ist auf einfache Weise eine Verstärkung des Signalhubs von Sensorelementen möglich.
  • Nachfolgend wird noch auf fünf verschiedene konkrete Ausführungsmöglichkeiten a) bis e) von erfindungsgemäßen Ausleseeinrichtungen näher eingegangen:
  • a) Konstantstromquelle Qi für i0
  • Es wird eine Standardstromquelle mit einer Ausgangsspannung vorgesehen, die durch Gleichung (3) vorgegeben ist. Der Messstrom steht für die Signalhub-Auswertung durch Stromspiegel oder ähnliche zur Verfügung. Dabei wird die Spannung uT (bei einem Signalhub T) zweckmäßig nicht zu groß gewählt, um eine Zerstörung des Sensorelementes zu vermeiden. Es gilt die folgende Beziehung: uTmin = i1 * Rmin = u0 * Teff/T/(1 – Teff/T), (6)wobei uTmin die Spannung bei minimalem Signalhub bedeutet.
  • b) Offset-Spannungsquelle Qos für u0
    • – Vorteilhaft wird eine Spannung um 0 V gewählt, die kleiner als die Betriebsspannung ist, um so eine einfache Generierung zu ermöglichen. Der Spannungsbereich von u0 wird vorzugsweise zwischen 0 Volt und 1,5 Volt liegend gewählt.
    • – Die Spannung u0 sollte größer als das Grundrauschen der Schaltung sein, z.B. bei 0,1 V liegen.
    • – Eine Potenzialfreiheit sollte gewährleistet sein, falls die Offset-Spannungsquelle sich in dem ausgangsseitigen Zweig Za gemäß 2 in dessen oberen Ast des Zweiges befindet.
    • – Demgegenüber kann ein Potenzialbezug vorhanden sein, falls die Spannungsquelle in dem unteren Ast dieses Zweiges sich befindet und die Spannungsmessung potenzialfrei ist.
    • – Für die Spannungsquelle kann vorteilhaft eine Bandgap-Referenz-Quelle z.B. mit 1,24 V, eine Schottky-Diode z.B. von 0,3 V in Siliziumtechnologie oder ein pn-Übergang eines Si-Halbleiterbauelementes mit etwa 0,65 V vorgesehen werden.
    • – Sollten niedrige Spannungen erforderlich sein, so kann dies über einen Spannungsteiler sehr einfach realisiert werden.
    • – Eine weitere TMR-Zelle kann vorgesehen werden, die in einfacher Weise, insbesondere mittels eines Resetstromes oder einer magnetischen Schirmung, auf Rmin eingestellt wird und an der ein entsprechender Spannungsabfall hervorgerufen wird.
  • c) Dimensionierung weiterer Parameter
  • Für u0 = 0,3 V und i1 * Rmin = 0,35 V ergibt sich eine Verstärkung von Teff/T = 7; für diese Werte kann beispielsweise
    eine niederohmige Anwendung wie in einem Festplattenkopf mit: RT = 100 Ω bei 3,5 mA oder
    eine hochohmige Anwendung wie bei einem Drehsensor mit: RT = 117 kΩ bei 3 μA
    vorgesehen werden.
  • d) Verwendung einer eingangsseitigen Konstantspannungsquelle
  • Eine entsprechende Schaltung geht aus 5 hervor. Hier wird ein Spannungsabfall an einem Messwiderstand Rmess, der in den eingangsseitigen Stromzweig Ze integriert ist, verändert. Dies geschieht mit Hilfe der Offset-Spannung u0 der erfindungsgemäß zusätzlichen Konstantspannungsquelle Qu, welche sich in dem ausgangsseitigen Stromzweig Za befindet. Der Messwiderstand Rmess ist also als sowohl dem eingangsseitigen wie auch dem ausgangsseitigen Stromzweig zugehörend zu betrachten. Für diese alternative Schaltung nach der Figur wird der Strom i1 durch RT auch durch den Widerstand Rmess geleitet, der in einer zu 2 vergleichbaren Anordnung ausgelesen wird. Dabei verändert RT den fließenden Strom i1 folgendermaßen: i1: = u1/(RT + R1 + R3 + Rmess) = u1 (RT + RS), (7)wobei RS den Gesamtwert aller eingangsseitigen Zuleitungswiderstände bedeutet. R5 und R6 sind parasitäre Ableitungswiderstände in dem ausgangsseitigen Stromzweig Za; sie werden nicht von Strömen durchflossen. u2 errechnet sich zu u2: = i1 * Rmess – u0 = u1/(RT + RS) * Rmess – u0 (8)
  • Für diese Schaltung ergeben sich insbesondere die folgenden Vorteile:
    • – Es kann eine einfache Konstantspannungsquelle Qu für die eingangsseitige Spannung u1 verwendet werden.
    • – Rmess kann in weiten Grenzen an die Anforderung der Ausleseschaltung angepasst werden.
    • – Ferner besteht die Möglichkeit, die Konstantspannungsquellen für die Offsetspannung u0 und die eingangsseitige Spannung u1 derart zu koppeln, dass sich nach Gleichung (8) ein stabilisierender Effekt ergibt.
  • Rmess könnte ein Präzisionswiderstand oder ein integrierter Widerstand, z.B. ein Transistor als Widerstand sein.
  • e) Alternative für u0:
    • Rmin * (1 + T) * i1 = – u0 (5b)
    lässt sich ebenso wählen, um den gleichen Verstärkungseffekt zu erhalten.
  • Bei den vorstehend angesprochenen Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, dass als magnetoresistives Element ein Sensorelement insbesondere vom TMR-Typ zugrunde gelegt ist. Selbstverständlich kann das magnetoresistive Element auch als ein Element der magnetischen Logik oder einer Speicherzelle ausgebildet sein, wobei es das ganze Bauelement oder aber auch nur einen Teil eines solchen Elementes bilden kann.

Claims (10)

  1. Ausleseeinrichtung wenigstens eines magnetoresistiven Elementes, dessen Signal sich in Abhängigkeit von einer äußeren Messgröße ändert, mit einer Ausleseschaltung, welche • einen eingangsseitigen Stromzweig des magnetoresistiven Elementes mit einer Konstantstromquelle oder einer Konstantspannungsquelle sowie Zuleitungswiderständen und • einen ausgangsseitigen Stromzweig mit Ableitungswiderständen umfasst, und mit Mitteln zur Weiterverarbeitung des an dem magnetoresistiven Element abnehmbaren Signals, dadurch gekennzeichnet, dass in dem ausgangsseitigen Stromzweig (Za) eine Konstantspannungsquelle (Qos) zur Erzeugung einer Offset-Spannung (u0) vorgesehen ist, die ein Mittel zur Einstellung eines Signalhubs des wenigstens einen magnetoresistiven Elementes (RT) ist.
  2. Ausleseeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der eingangsseitige Stromzweig (Ze) die Konstantstromquelle (Qi) enthält und dass auch dem ausgangsseitigen Stromzweig (Za) das magnetoresistive Element (RT) zugeordnet ist.
  3. Ausleseeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der eingangsseitige Stromzweig (Ze) die Konstantspannungsquelle (Qu) und einen Messwiderstand (Rmess) enthält, der auch dem ausgangsseitigen Stromzweig (Za) zugeordnet ist.
  4. Ausleseeinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsabfall an dem Messwiderstand (Rmess) mittels der Konstantspannungsquelle (Qos) zur Erzeugung der zusätzlichen Offset-Spannung (u0) einzustellen ist.
  5. Ausleseeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine magnetoresistive Element (RT) vom AMR- oder GMR- oder CMR- oder insbesondere vom TMR-Typ ist.
  6. Ausleseeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Offset-Spannung (u0) zwischen 0 Volt und 1,5 Volt liegt.
  7. Ausleseeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die Offset-Konstantspannungsquelle (Qos) eine Bandgap-Referenz-Quelle oder eine Schottky-Diode oder ein pn-Übergang eies Si-Halbleiterbauelementes vorgesehen ist.
  8. Ausleseeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass für die Offset-Konstantspannungsquelle (QoS) eine Spannungsteiler-Schaltung vorgesehen ist.
  9. Ausleseeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass für die Offset-Konstantspannungsquelle (Qos) der Spannungsabfall an einem TMR-Element vorgesehen ist, das auf einen Minimalwiderstand (Rmin) eingestellt ist.
  10. Ausleseeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das magnetoresistive Element (RT) als ein Element oder ein Teil eines Elementes der Sensorik, der magnetischen Logik oder einer Speicherzelle ausgebildet ist.
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