DE10147116A1 - Oberflächenwellenbauelement - Google Patents

Abstract

Ein Oberflächenwellenbauelement ist derart angeordnet, daß die Energie einer akustischen Oberflächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung eingeschlossen ist. Zumindest ein Interdigitalwandler, der eine Mehrzahl von Elektrodenfingern und eine erste und eine zweite Sammelschienenelektrode aufweist, befindet sich auf einem piezoelektrischen Substrat, an dem eine akustische Oberflächenwelle anregbar ist, die in der Ausbreitungsrichtung einen Anisotropieindex lambda von weniger als etwa -1 aufweist. Die Elektrodenfinger weisen jeweils eine Filmdicke von nicht weniger als etwa 0,04 lambda auf, wobei lambda die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle ist. Zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienenelektrode weist eine Dicke auf, die größer ist als die jedes Elektrodenfingers.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächen­ wellenbauelement, wie z. B. ein Oberflächenwellenfilter für die Verwendung als ein Bandfilter bei Mobilkommunikations­ ausrüstung.

Da Oberflächenwellenfilter im Gegensatz zu dielektrischen Filtern oder anderen Filtern in der Größe reduziert werden können, werden dieselben öfter als Bandfilter in Mobilkom­ munikationsausrüstung verwendet. Von Bandfiltern für die Verwendung bei Mobilkommunikationsausrüstung wird erwartet, daß dieselben in den Übertragungsbändern einen niedrigen Verlust aufweisen. Dementsprechend wurden die Oberflächen­ wellenfilter auf verschiedene Weise entwickelt und aufge­ baut, um den Verlust zu reduzieren.

Beispielsweise wurde ein Oberflächenfilter vorgeschlagen, das einen Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator ver­ wendet, wie es in Fig. 15A gezeigt ist. Hier sind Gitterre­ flektoren 202 und 203, die jeweils eine Mehrzahl von Elek­ trodenfingern aufweisen, an beiden der Seiten in der Ober­ flächenwellenausbreitungsrichtung eines Interdigitalwand­ lers 201 angeordnet. Der Verlust in dem Übertragungsband des Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonators ist durch die Gitterreflektoren 202 und 203 reduziert.

Darüber hinaus wurde ein Oberflächenwellenresonator mit nur einem Interdigitalwandler 205 vorgeschlagen, wie es in Fig. 15B gezeigt ist. Hier ist die Anzahl der Elektroden in dem Interdigitalwandler 205 groß, beispielsweise 200 Elektro­ den. Dadurch kann Oberflächenwellenenergie in dem Bereich eingeschlossen werden, in dem der Interdigitalwandler 205 positioniert ist, ohne daß Reflektoren vorgesehen sind. Das heißt, ein Energieeinschlußoberflächenwellenresonator vom Mehrfachpaartyp ist gebildet.

Ferner sind eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern 206 und 207 in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung in dem Re­ sonatortyp-Oberflächenwellenfilter angeordnet, das in Fig. 16C gezeigt ist. Gitterreflektoren 208 und 209 sind an bei­ den Seiten in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung des Bereichs angeordnet, in dem die Interdigitalwandler 206 bzw. 207 positioniert sind.

Darüber hinaus wurden ein Oberflächenwellenfilter mit einer Leiterschaltungskonfiguration und ein Oberflächenwellenfil­ ter mit einer Gitterschaltungskonfiguration vorgeschlagen, bei denen jeweils eine Kombination von mehreren Oberflä­ chenwellenresonatoren vorgesehen ist, wie es oben beschrie­ ben und in Fig. 15A und 15B gezeigt ist.

Wie oben beschrieben ist, kann die Energie einer angeregten Oberflächenwelle durch Vorsehen von Reflektoren, oder durch Erhöhen der Anzahl der Elektrodenfingerpaare eines Interdi­ gitalwandlers eingeschlossen werden. Somit kann der Q-Wert, der eine Resonanzcharakteristik ist, verbessert und der Verlust reduziert werden.

Andererseits werden der Elektrodenwiderstand eines Oberflä­ chenwellenbauelements, der Oberflächenwellenmodus, die Elektrodenkapazität usw. durch das Verhältnis der Breite L1 jedes Elektrodenfingers 211 in einem Interdigitalwandler, der in Fig. 17 gezeigt ist, basierend auf der Zwischenraum­ größe L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern 211 in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung in den Interdigital­ wandlern, d. h. das Verhältnis von L1/(L1 + L2) (hierin nach­ folgend kurz als Nutzverhältnis bezeichnet), und darüber hinaus der Elektrodenfilmdicke h/λ des Interdigitalwandlers (λ ist die Wellenlänge einer Oberflächenwelle, und h/λ ist eine Filmdicke standardisiert durch λ) beeinflußt. Somit ist es für die Entwicklung des Oberflächenwellenbauelements wichtig, diese Parameter zu optimieren.

Die Zwischenraumlänge L2 stellt den Abstand des Zwischen­ raums in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung dar.

Wie oben beschrieben ist, wurden Oberflächenwellenfilter herkömmlicherweise auf verschiedene Weise entwickelt, um die Filtercharakteristika zu verbessern. Beispielsweise of­ fenbart die japanische ungeprüfte Patentanmeldung Nr. 7-28368 ein longitudinal gekoppeltes Resonatortyp- Oberflächenwellenfilter, das ein piezoelektrisches LiTaO₃- Substrat mit einem 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X- Richtung und darüber hinaus Modenkoppeln in der horizonta­ len Richtung bezüglich des Oberflächenwellenausbreitungs­ wegs verwendet. Gemäß dieser Veröffentlichung kann der ohm­ sche Widerstandsverlust reduziert werden, und die Steilheit der Filtercharakteristik kann durch Einstellen der Elektro­ denfilmdicke des Interdigitalwandlers, so daß dieselbe in dem Bereich von 0,06 λ bis 0,10 λ liegt, und außerdem durch Einstellen des Nutzverhältnisses des Interdigitalwandlers auf etwa 0,6 oder höher erhöht werden.

Andererseits offenbart die japanische ungeprüfte Patentan­ meldung Nr. 6-188673 ein Leiter-Oberflächenwellenfilter, bei dem mehrere Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellen­ resonatoren auf einem LiTaO₃-Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung gebildet sind. Fig. 18 zeigt die Leiterschaltung. In Fig. 18 stellen S1 und S2 Reihenarmre­ sonatoren dar und P1 bis P3 stellen jeweils Parallelarmre­ sonatoren dar. Bei diesem herkömmlichen Oberflächenwellen­ filter liegt die Elektrodenfilmdicke h/λ des Interdigital­ wandlers in dem Bereich von 0,4 λ bis 0,10 λ, wobei eine unerwünschte Störung von dem Übertragungsband entfernt wer­ den kann, um die Filtercharakteristik zu verbessern.

Gemäß den oben beschriebenen Veröffentlichungen kann der Widerstandsverlust reduziert werden, und der Störungsunter­ drückungseffekt kann durch Einstellen der Filmdicke des In­ terdigitalwandlers bei 0,04 λ oder höher, und durch Ein­ stellen des Nutzverhältnisses bei 0,5 oder höher erhalten werden, wenn das LiTaO₃ mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung verwendet wird.

In jüngster Zeit wurden Mobilkommunikationssysteme bei hö­ heren Frequenzen betrieben, und die Frequenzen, bei denen Oberflächenwellenfilter in den Systemen betrieben werden, werden höher, d. h. die Frequenzen liegen in dem Bereich von 800 MHz bis 2,5 GHz. Die Schallgeschwindigkeiten von Oberflächenwellen betragen etwa mehrere tausend Meter pro Sekunde. Wenn somit ein Oberflächenwellenbauelement gebil­ det ist, um bei 800 MHz bis 2,5 GHz zu wirken, ist die Wel­ lenlänge einer Oberflächenwelle kurz, d. h. etwa mehrere Mikrometer. Dementsprechend müssen die Elektrodenstrukturen zum Definieren der Interdigitalwandler und der Reflektoren sehr fein sein.

Daher wird der absolute Wert der Elektrodenfilmdicke klein, und die Breite jedes Elektrodenfingers wird klein. Als Fol­ ge kann der Verlust (ohmsche Verlust), der durch den Elek­ trodenwiderstand bewirkt wird, nicht unbedeutend gemacht werden.

Wenn darüber hinaus die Dicke jeder Elektrode klein wird, ist die Stärke der Elektrode reduziert. Dementsprechend können Elektroden, die in der Lage sind, drahtgebondet zu werden, nicht gebildet werden.

Daher wurde versucht, daß die Filmdicke von Abschnitten der Elektroden, wie z. B. Sammelschienenelektroden, Umkehrelek­ troden und Drahtbondingkontaktflächen, außer den Elektro­ denabschnitten, an denen in der Praxis eine Oberflächenwel­ le angeregt wird, erhöht wird, um den ohmschen Verlust so weit wie möglich zu reduzieren, wobei die Stärke, die für Drahtbonding erforderlich ist, sichergestellt ist.

Die ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 62-47206 of­ fenbart beispielsweise ein Oberflächenwellenfilter, bei dem eine akustische Kopplung der Komponente einer Oberflächen­ welle in der vertikalen Richtung zu der Oberflächenwellen­ ausbreitungsrichtung bewirkt wird. Wie es in dieser Veröf­ fentlichung beschrieben ist, ist bei diesem Oberflächenwel­ lenfilter die Dicke jeder der Sammelschienenelektroden, die durch die Interdigitalwandler geteilt werden, die in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung zueinander benachbart sind, größer als die jedes Elektrodenfingers der Interdigi­ talwandler. Somit kann die Schallgeschwindigkeit gesteuert werden, während der Widerstand reduziert wird. Daher kann eine wünschenswerte Filtercharakteristik erhalten werden.

Bei den in Fig. 15A und 15B gezeigten Oberflächenwellenre­ sonatoren und bei dem Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter, das in Fig. 16 gezeigt ist, kann die Energie durch Erhöhen der Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren und durch Erhöhen der Anzahl von Elektrodenpaaren der Interdigital­ wandler eingeschlossen werden, um die Oberflächenwelle im wesentlichen vollständig zu reflektieren. Die Oberflächen­ welle weist jedoch nicht nur eine Komponente in X-Richtung auf, sondern auch eine Komponente in der zu der X-Richtung vertikalen Richtung, d. h. eine Komponente in Y-Richtung in der vertikalen Richtung zu der Hauptebene des piezoelektri­ schen Substrats. Somit breitet sich die Oberflächenwelle aus, während sich die Komponente in Y-Richtung in einer Strahlform erstreckt. Aus diesem Grund ist es notwendig, die Energie der Oberflächenwelle in der Y-Achsenrichtung ausreichend einzuschließen. Wenn die Energie nicht ausrei­ chend eingeschlossen ist, erhöht sich der Beugungsverlust, so daß der Q-Wert verschlechtert ist.

Wie es in dem Journal of the Acoustical Society of Japan, 3-1-1, 77-78 (1979/6) beschrieben ist, ist der Anisotropie­ index γ auf einem LiTaO₃ mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung geringer als -1. Der Anisotropieindex γ ist eine Konstante in der folgenden Formel, durch die die Schallgeschwindigkeit (θ), die erhalten wird, wenn die Aus­ breitungsrichtung um einen Winkel θ von der X-Achse ab­ weicht, ausgedrückt wird. In der Formel ist V0 die Schall­ geschwindigkeit, wenn θ gleich 0° ist.

V(θ) = V0 × (1 + γ/2 × θ²)

In dem Fall, in dem der Anisotropieindex γ geringer als -1 ist, ist die Energie eingeschlossen, wenn die Geschwindig­ keit in dem Wellenleiter geringer ist als die außerhalb des Wellenleiters. Das heißt, Vs/Vm < 1 ist die Bedingung, die für Energieeinschließen erforderlich ist, wobei Vs die Ge­ schwindigkeit einer Oberflächenwelle in dem Bereich ist, in dem die Elektrodenfinger vorgesehen sind, und Vm die Ge­ schwindigkeit der Oberflächenwelle ist, die sich auf jeder Sammelschienenelektrode ausbreitet.

Andererseits wurde herausgefunden, daß das Verhältnis Vs/Vm, d. h. das Verhältnis von Vs, das die Geschwindigkeit einer Oberflächenwelle darstellt, die sich in dem Bereich ausbreitet, in dem die Elektrodenfinger ineinandergreifen, zu Vm, das die Geschwindigkeit der Oberflächenwelle dar­ stellt, die sich auf jeder Sammelschienenelektrode ausbrei­ tet, abhängig von dem Nutzverhältnis und der Elektroden­ filmdicke wesentlich variiert ist, wenn die Filmdicke der Elektrodenfinger und der Sammelschienenelektrode zueinander gleich sind.

Insbesondere wenn die Elektrodenfilmdicke klein und das Nutzverhältnis niedrig ist, ist das Verhältnis Vs/Vm < 1 erfüllt. Wenn die Elektrodenfilmdicke und auch das Nutzver­ hältnis erhöht sind, ist das Verhältnis Vs/Vm verschlech­ tert. Das Verhältnis Vs/Vm erreicht Vs = Vm bei einer be­ stimmten Bedingung. Wenn das Nutzverhältnis oder die Elek­ trodenfilmdicke weiter erhöht wird, wird das Verhältnis Vs/Vm weniger als 1. Das heißt, in der Y-Achsenrichtung kann im wesentlichen keine Energie eingeschlossen werden.

Fig. 19 zeigt eine Beziehung zwischen der Elektrodenfilm­ dicke h/λ und dem Verhältnis Vs/Vm, die erhalten wird, wenn der aus Al hergestellte Interdigitalwandler auf einem LiTaO₃- Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X- Richtung gebildet ist, und das Nutzverhältnis 0,5 ist. Wie aus Fig. 19 ersichtlich ist, weist das Verhältnis Vs/Vm ei­ nen maximalen Wert auf, wenn die Elektrodenfilmdicke h/λ in dem Bereich 3% bis 4% liegt, nämlich in dem Bereich von 0,03 bis 0,04. Wenn die Elektrodenfilmdicke h/λ größer wird, ist das Verhältnis Vs/Vm verringert, und ändert sich entlang der parabolischen Kurve. Insbesondere wird beobach­ tet, daß sich das Verhältnis Vs/Vm schnell verringert, wenn die Elektrodenfilmdicke h/λ 0,06 λ überschreitet.

Falls die Länge in der Y-Achsenrichtung jeder Sammelschie­ nenelektrode unendlich ist, kann die Energie eingeschlossen werden, vorausgesetzt daß das Verhältnis Vs/Vm geringer als 1 ist. In dem Fall, in dem die Länge in der Y- Achsenrichtung von jeder der Sammelschienen endlich ist, wird der Energieeinschlußeffekt reduziert, wenn das Ver­ hältnis Vs/Vm nicht ausreichend groß ist. Somit ist der Verlust in der Filtercharakteristik erhöht.

Fig. 20 zeigt eine Beziehung zwischen dem Nutzverhältnis und dem Verhältnis Vs/Vm, die erhalten wird, wenn der In­ terdigitalwandler aus Al hergestellt ist und die Elektro­ denfilmdicke konstant ist, d. h. 0,06 λ auf einem LiTaO₃- Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung.

Wie es in Fig. 20 ersichtlich ist, ist das Verhältnis Vs/Vm groß, wenn das Nutzverhältnis niedrig ist. Während das Nutzverhältnis erhöht ist, ist das Verhältnis Vs/Vm redu­ ziert. Insbesondere wenn das Nutzverhältnis 0,8 überschrei­ tet wird das Verhältnis Vs/Vm geringer als 1. Somit ist die Energieeinschlußbedingung nicht erfüllt.

Ferner zeigt die folgende Tabelle 1 die Änderung des Ver­ hältnisses Vs/Vm, die erhalten wird, wenn das Nutzverhält­ nis und die Elektrodenfilmdicke variiert werden.

Wie aus Tabelle 1 ersichtlich ist, verringert sich das Ver­ hältnis Vs/Vm, während sich die Filmdicke und das Nutzver­ hältnis erhöhen. Insbesondere ist das Verhältnis Vs/Vm ge­ ringer als 1, wenn die Beziehungen, die die folgenden For­ meln (1) bis (6) erfüllen, erhalten werden, d. h., bei den Bedingungen, bei denen die Werte, die in den Spalten auf der rechten Seite von den dicken Linien in Tabelle 1 aufge­ listet sind, erhalten werden können. Somit kann der Wellen­ modus in der Y-Axialrichtung nicht wesentlich erfüllt wer­ den.

L1/(L1 + L2) ≧ 0,55 und h/λ ≧ 0,100 (1)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,60 und h/λ ≧ 0,090 (2)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,65 und h/λ ≧ 0,080 (3)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,70 und h/λ ≧ 0,070 (4)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,75 und h/λ ≧ 0,065 (5)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,80 und h/λ ≧ 0,055 (6)

Bei den in Fig. 15A und 15B gezeigten Oberflächenwellenre­ sonatoren und bei dem in Fig. 16 gezeigten Resonatortyp- Oberflächenwellenfilter kann der Elektrodenwiderstandsver­ lust reduziert werden, und eine unerwünschte Störung kann durch Erhöhen der Elektrodenfilmdicke und außerdem durch Erhöhen des Nutzverhältnisses eliminiert werden. Es wurde bestimmt, daß dies vorzuziehen ist.

Mit Bezugnahme auf den Energieeinschlußeffekt in der Y- Achsenrichtung der Oberflächenwelle wird der Einschließef­ fekt bei einer Elektrodenfilmdicke von 0,04 λ maximal, und wird reduziert, wenn die Elektrodenfilmdicke 0,04 λ oder größer wird.

Darüber hinaus werden ähnliche Phänomene beobachtet, wenn das Nutzverhältnis erhöht ist. Der Energieeinschlußeffekt ist bei einem Nutzverhältnis von 0,5 oder höher reduziert.

Insbesondere kann die Energieeinschlußbedingung in dem Be­ reich nicht erfüllt werden, in dem die Beziehung zwischen der Elektrodenfilmdicke und dem Nutzverhältnis eine be­ stimmte Bedingung erfüllt. Somit ist der Verlust in der Filtercharakteristik erhöht.

Dementsprechend ist es vorzuziehen, daß die Elektrodenfilm­ dicke bis zu 0,04 λ und das Nutzverhältnis bis zu 0,5 be­ trägt, um den größten Energieeinschlußeffekt zu erhalten.

Wenn jedoch die Elektrodenfilmdicke klein und das Nutzver­ hältnis 0,5 oder geringer ist, ist die Filtercharakteristik aus einem anderem als dem oben beschriebenen Grund ver­ schlechtert, wie es aus der oben beschriebenen ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 7-283682 und der ungeprüf­ ten japanischen Patentanmeldung Nr. 6-188673 ersichtlich ist.

In anderen Worten ausgedrückt, sind die optimale Elektro­ denstruktur eines Oberflächenwellenfilters zum Erhalten der bevorzugten Filtercharakteristik desselben und die optimale Elektrodenstruktur vom Standpunkt des oben beschriebenen Energieeinschlußeffekts in der Y-Achsenrichtung unter­ schiedlich. Beide der Elektrodenstrukturen haben eine Kom­ promißbeziehung.

Darüber hinaus beschreibt die ungeprüfte japanische Patent­ anmeldung Nr. 62-47206, daß der akustische Kopplungsgrad zwischen den Interdigitalwandlern verbessert werden kann, und die Bandbreite durch Erhöhen der Dicke jeder Sammel­ schienenelektrode, die von den Interdigitalwandlern, die in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung zueinander be­ nachbart sind, gemeinschaftlich verwendet wird, erhöht wer­ den kann, um größer zu sein als die von jedem Elektroden­ finger, bis die Schallgeschwindigkeit Vs der Oberflächen­ welle, die sich an den Elektrodenfingern ausbreitet, gleich ist wie die Schallgeschwindigkeit Vb der Oberflächenwelle, die sich auf jeder Sammelschienenelektrode ausbreitet.

Die oben beschriebenen Phänomene werden bei der Konfigura­ tion des Oberflächenwellenfilters bewirkt, bei der die In­ terdigitalwandler senkrecht zu der Oberflächenwellenaus­ breitungsrichtung akustisch miteinander gekoppelt sind. Wenn Vs gleich Vb ist, ist der oben beschriebene Energie­ einschlußeffekt in der Y-Achsenrichtung im Gegenteil redu­ ziert.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Oberflä­ chenwellenbauelement, ein Element zur gemeinschaftlichen Verwendung einer Antenne und ein Kommunikationsausrüstungs­ gerät mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1, 2, 3, 11, 12, 13, ein Element gemäß Anspruch 16 und ein Kommunikationsausrüstungsgerät gemäß Anspruch 17 gelöst.

Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, schaffen be­ vorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Oberflächenwellenbauelement, das die Energie einer an­ geregten Oberflächenwelle effizient einschließen und dar­ über hinaus den Verlust reduzieren und die Filtercharakte­ ristik verbessern kann.

Gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement ein piezoelektrisches Substrat, an dem eine Oberflächenwel­ le angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 aufweist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der an dem piezoelek­ trischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkom­ ponente und eine erste und zweite Sammelschienenelektrode umfassen, und in denen die Energie der Oberflächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, wobei die Elektroden­ finger jeweils eine Filmdicke von nicht weniger als etwa 0,04 λ aufweisen, wobei λ die Wellenlänge der Oberflächen­ welle ist, und wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienenelektrode eine Dicke aufweisen, die größer ist als die von jedem Elektrodenfinger.

Gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauele­ ment ein piezoelektrisches Substrat, an dem die Oberflä­ chenwelle angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 auf­ weist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehr­ zahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkomponente und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode umfassen, und in denen die Energie der Ober­ flächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, wobei die Elektrodenfingerbreite L1 des Interdigitalwandlers und die Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfin­ gern in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung die For­ mel von L1/(L1 + L2) ≧ 0,5 erfüllen, und wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienen­ elektrode eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers.

Gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauele­ ment ein piezoelektrisches Substrat, an dem eine Oberflä­ chenwelle angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 auf­ weist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehr­ zahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkomponente und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode umfassen, und in denen die Energie der Ober­ flächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, wobei die Filmdicke h1 jedes Elektrodenfingers, die Elektrodenfinger­ breite L1, die Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfinger in der Oberflächenwellenrichtung, und die Wellenlänge λ der Oberflächenwelle eine der folgenden For­ meln (1) bis (6) erfüllen:

L1/(L1 + L2) ≧ 0,55 und h/λ ≧ 0,100 (1)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,60 und h/λ ≧ 0,090 (2)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,65 und h/λ ≧ 0,080 (3)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,70 und h/λ ≧ 0,070 (4)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,75 und h/λ ≧ 0,065 (5)

L1/(L1 + L2) ≧ 0,80 und h/λ ≧ 0,055 (6)

wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienenelektrode eine Dicke aufweist, die größer ist als die jedes Elektrodenfingers.

Vorzugsweise weist zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienenelektrode eine Mehrschichtstruk­ tur auf, bei der eine Mehrzahl von Elektrodenfilmen anein­ ander laminiert sind, wobei zumindest ein Abschnitt der er­ sten und der zweiten Sammelschienenelektrode eine Dicke aufweist, die größer ist als die jedes Elektrodenfingers.

Außerdem ist vorzugsweise bei jeder Sammelschienenelektrode mit einer Mehrschichtstruktur der Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert, angeordnet, um jeweils mit den Elektrodenfingern verbunden zu sein, und die Elektrodenfil­ me, die die zweite und die nachfolgenden Schichten definie­ ren, bestehen aus einem Metall, das anders ist als das, das verwendet wird, um den Elektrodenfilm zu bilden, der die unterste Schicht definiert.

Außerdem ist vorzugsweise bei jeder Sammelschienenelektrode mit einer Mehrschichtstruktur zumindest eine Schicht des Elektrodenfilms, der die zweite und nachfolgenden Schichten definiert, aus einem Metall mit einer relativ hohen Dichte hergestellt, im Vergleich zu dem Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert.

Außerdem weist bei jeder Sammelschienenelektrode mit einer Mehrschichtstruktur vorzugsweise zumindest eine Schicht der Elektrodenfilme, die die zweite und die nachfolgenden Schichten definieren, einen niedrigeren Widerstand und eine größere Dicke im Vergleich zu dem Elektrodenfilm auf, der die unterste Schicht definiert.

Vorzugsweise ist bei jeder Sammelschienenelektrode mit ei­ ner Mehrschichtstruktur zwischen den Elektrodenfilmen, die die Mehrschichtstruktur bilden, ein isolierender Film ange­ ordnet, wobei eine elektrische Verbindung zwischen dem obe­ ren und dem unteren Elektrodenfilm sichergestellt wird.

Darüber hinaus liegen bei jeder Sammelschienenelektrode mit einer Mehrschichtstruktur der Abstand g der Grenze zwischen der Sammelschienenelektrode und den Elektrodenfingern in dem Elektrodenfilm der untersten Schicht zu der Kante an der Elektrodenfingerseite des Elektrodenfilms, der aus Al besteht, und die zweite Schicht definiert, und die Filmdic­ ke M des Elektrodenfilms, die die zweite Schicht definiert, vorzugsweise in dem Bereich, der durch die Formel von M ≧ 0,159 g - 0,094 bestimmt wird, wobei die Werte von g und M ganzzahlige Vielfache der Wellenlänge λ der Oberflächenwel­ le sind.

Außerdem liegt bei jeder Sammelschienenelektrode mit einer Mehrschichtstruktur die Filmdicke Ma der zweiten Schicht vorzugsweise in dem Bereich, der durch die Formel Ma × (d0/da) ≧ 0,159 g - 0,094 ist, wobei g der Abstand von der Grenze zwischen der Sammelschienenelektrode und den Elek­ trodenfingern zu der Kante auf der Elektrodenfingerseite des Elektrodenfilms der die zweite Schicht definiert, ist, Ma die Elektrodenfilmdicke der zweiten Schicht ist, und die Werte von g bzw. M durch ganzzahlige Vielfache der Wellen­ länge λ der Oberflächenwelle ausgedrückt werden, die zweite Schicht aus einem Metall ohne Al besteht, da die Dichte des Metalls der zweiten Schicht ist und d die Dichte von Al ist.

Gemäß einem vierten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauele­ ment ein piezoelektrisches Substrat, an dem eine Oberflä­ chenwelle angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 auf­ weist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehr­ zahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkomponente und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode umfassen, bei denen die Energie der Oberflä­ chenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, und die Filmdicke der Elektrodenfinger in dem Interdigitalwandler nicht weniger als etwa 0,04 λ beträgt, wobei λ die Wellen­ länge der Oberflächenwelle ist, und einen isolierender Film, der auf jeder Sammelschienenelektrode angeordnet ist, so daß die Dicke der Sammelschienenelektrode größer ist als die jedes Elektrodenfinger.

Gemäß einem fünften bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauele­ ment ein piezoelektrisches Substrat, an dem eine Oberflä­ chenwelle angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 auf­ weist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehr­ zahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkomponente und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode enthalten, in denen die Energie der Oberflä­ chenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, wobei die Elektrodenfingerbreite L1 und die Zwischenraumlänge L2 zwi­ schen benachbarten Elektrodenfingern in der Oberflächenwel­ lenausbreitungsrichtung die Formel L1/(L1 + L2) ≧ 0,5 er­ füllt, und einen isolierenden Film, der auf jeder Sammel­ schienenelektrode angeordnet ist, so daß die Dicke der Sam­ melschienenelektrode größer ist als die jedes Elektroden­ fingers.

Gemäß einem sechsten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauele­ ment ein piezoelektrisches Substrat, an dem eine Oberflä­ chenwelle angeregt wird, und das einen Anisotropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 auf­ weist, und zumindest einen Interdigitalwandler, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und eine Mehr­ zahl von Elektrodenfingern umfaßt, die jeweils Al als eine Hauptkomponente und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode enthalten, bei denen die Energie der Oberflä­ chenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der Oberflächenwelle eingeschlossen ist, wobei die Filmdicke h1 jedes Elektrodenfingers, die Elektrodenfinger­ breite L1, die Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern in der Oberflächenwellenrichtung, die Wellenlänge λ der Oberflächenwelle eine der oben beschrie­ benen Formeln (1) bis (6) erfüllen, und ferner einen isolie­ renden Film, der auf der Sammelschienenelektrode angeordnet ist.

Vorzugsweise umfaßt das Oberflächenwellenbauelement gemäß den verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ferner einen isolierenden Film, der auf den Elektrodenfingern angeordnet ist, wobei die Dicke jedes Sammelschienenelektrodenabschnitts, der den isolie­ renden Film umfaßt, größer ist als der Elektrodenfingerab­ schnitt, der den isolierenden Film umfaßt.

Außerdem ist das piezoelektrische Substrat, an dem eine Oberflächenwelle angeregt werden kann, und das einen Aniso­ tropieindex γ in der Ausbreitungsrichtung von weniger als etwa -1 aufweist, vorzugsweise ein LiTaO₃-Substrat, an dem eine Pseudooberflächenwelle angeregt werden kann, bei­ spielsweise ein LiTaO₃-Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Aus­ breitung in X-Richtung.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Antennenteilungsbauele­ ment zumindest eines der Oberflächenwellenbauelemente gemäß den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.

Außerdem umfaßt gemäß noch einem weiteren bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Kommunika­ tionsausrüstungsvorrichtung zumindest ein Antennenteilungs­ bauelement gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel, das in dem vorhergehenden Absatz beschrieben ist.

Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden von der folgenden detaillier­ ten Beschreibung offensichtlich werden.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden­ konfiguration eines Ein-Anschlußpaar- Oberflächenwellenresonators gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Filmdicke jeder Sammelschienenelektrode und der Schallgeschwindigkeit Vm einer Oberflächenwelle zeigt, die sich auf dem Sammelschienenabschnitt ausbreitet;

Fig. 3 eine schematische Draufsicht eines Oberflächen­ wellenbauelements gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 ein Diagramm, das die Filtercharakteristika des Oberflächenwellenbauelements des ersten Ausfüh­ rungsbeispiels und eines Vergleichsbeispiels des­ selben zeigt;

Fig. 5A ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen einer Zwischenraumlänge g und der Bandbreite bei M = 840 nm zeigt;

Fig. 5B ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge g und der Bandbreite bei M = 840 nm zeigt;

Fig. 6 ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge g und der Bandbreite bei M = 280 nm zeigt;

Fig. 7 ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge g und der Filmdicke M zeigt, die erhalten wird, wenn Energieeinschließen wirk­ sam ist;

Fig. 8 eine Draufsicht, die den Oberflächenwellenresona­ tor gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 9 ein Diagramm, das die Filtercharakteristika des Oberflächenwellenbauelements des zweiten bevor­ zugten Ausführungsbeispiels und eines Vergleichs­ beispiels desselben zeigt;

Fig. 10 eine schematische Draufsicht, die das Oberflä­ chenwellenbauelement gemäß einem dritten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung zeigt;

Fig. 11 eine Querschnittsansicht, die die Sammelschienen­ elektrode des Oberflächenwellenbauelements des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels und ei­ nen isolierenden Film zeigt, der auf der Sammel­ schienenelektrode angeordnet ist;

Fig. 12 ein Diagramm, das die Filtercharakteristika des Oberflächenwellenbauelements des dritten bevor­ zugten Ausführungsbeispiels und eines Vergleichs­ beispiels desselben zeigt;

Fig. 13 ein Schaltbild, das ein Teilungsbauelement zeigt, das konfiguriert ist, um das Oberflächenwellen­ bauelement der verschiedenen bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zu umfassen;

Fig. 14 ein schematisches Blockdiagramm eines Kommunika­ tionssystems, das ein Teilungsbauelement gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfaßt;

Fig. 15A eine schematische Draufsicht, die einen herkömm­ lichen Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellen­ resonator zeigt;

Fig. 15B eine schematische Draufsicht, die einen weiteren herkömmlichen Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellen­ resonator zeigt;

Fig. 16 eine Draufsicht eines herkömmlichen Resonatortyp- Oberflächenwellenfilters;

Fig. 17 eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts des herkömmlichen Oberflächenwellenbauelements;

Fig. 18 ein Leitertyp-Schaltbild;

Fig. 19 ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Filmdicke jeder Elektrode und Vs/Vm des herkömm­ lichen Oberflächenwellenbauelements zeigt; und

Fig. 20 ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen dem Nutzverhältnis jeder Elektrode und Vs/Vm des her­ kömmlichen Oberflächenwellenbauelements zeigt.

Die vorliegende Erfindung wird von der folgenden Beschrei­ bung bevorzugter Ausführungsbeispiele des Oberflächenwel­ lenbauelements der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen offensichtlich werden.

Fig. 3 ist eine schematische Draufsicht eines Oberflächen­ wellenbauelements gemäß einem ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ein Oberflächen­ wellenbauelement 1 umfaßt vorzugsweise ein im wesentlichen rechteckiges piezoelektrisches Substrat 2. Das piezoelek­ trische Substrat 2 ist vorzugsweise durch ein LiTaO₃- Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung definiert.

Eine Mehrzahl von Ein-Anschlußpaar- Oberflächenwellenresonatoren ist auf dem piezoelektrischen Substrat 2 angeordnet, um eine Leiterschaltungskonfigurati­ on zu definieren. Das heißt, Reihenarmresonatoren 3 und 4, Parallelarmresonatoren 5 bis 7, Elektrodenanschlußflächen 8 bis 12 und eine Verdrahtungselektrode, die dieselben ver­ bindet, sind durch Photolithographie und einen Ätzprozeß gebildet.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement 1 dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels werden die Elektrodenanschlußflächen 8 und 9 als Eingangs- und Ausgangsanschluß verwendet. Die Reihenkombination der Reihenarmresonatoren 3 und 4 ist mit dem Reihenarm zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangsan­ schluß verbunden. Die Elektrodenanschlußflächen 10 bis 12 sind jeweils mit der Masse verbunden. Die Parallelarmreso­ natoren 5 bis 7 sind jeweils zwischen den Reihenarm und der Masse geschaltet, um ein Leiterfilter zu definieren.

Jeder der Reihenarmresonatoren 3 und 4 und der Parallelarm­ resonatoren 5 bis 7 ist ein Ein-Anschlußpaar- Oberflächenwellenresonator, der einen Interdigitalwandler umfaßt, der in der ungefähren Mitte in der Oberflächenwel­ lenausbreitungsrichtung angeordnet ist, und Gitterreflekto­ ren, die auf beiden Seiten in der Oberflächenwellenausbrei­ tungsrichtung des Interdigitalwandlers angeordnet sind.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die Elektrodenfingereingriffsbreite von jedem der Interdigital­ wandler der Reihenarmresonatoren 3 und 4 vorzugsweise etwa 50 µm, die Anzahl der Elektrodenpaare beträgt 100 und die Anzahl der Elektrodenfinger jedes Reflektors beträgt 100. Die Elektrodenfingerteilung bei jedem der Reihenarmresona­ toren 3 und 4 beträgt vorzugsweise etwa 2,31 µm. Dement­ sprechend beträgt die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vorzugsweise etwa 4,63 µm. Die Reihenarmresonatoren 3 und 4 weisen vorzugsweise die gleiche Konfiguration auf, wie sie oben beschrieben ist.

Die Parallelarmresonatoren 5 bis 7 weisen im wesentlichen die gleiche Konfiguration auf. Insbesondere beträgt die Elektrodenfingereingriffsbreite jedes Interdigitalwandlers vorzugsweise etwa 55 µm. Die Anzahl der Elektrodenfinger­ paare beträgt 85, und die Anzahl der Elektrodenfinger jedes Reflektors beträgt 100. Die Elektrodenfingerteilung beträgt etwa 2,41 µm. Das heißt, die Wellenlänge der Oberflächen­ welle beträgt vorzugsweise etwa 2,81 µm.

Bei dem Parallelarmresonator 6 beträgt die Elektrodenfin­ gereingriffsbreite des Interdigitalwandlers vorzugsweise etwa 110 µm. Die Anzahl der Elektrodenfingerpaare beträgt 85, und die Anzahl der Elektrodenfinger jedes Reflektors beträgt 100. Die Elektrodenfingerteilung beträgt vorzugs­ weise etwa 2,15 µm (die Wellenlänge der Oberflächenwelle beträgt vorzugsweise etwa 4,30 µm).

Es wird darauf hingewiesen, daß in Fig. 3 die Resonatoren 3 bis 7 schematisch gezeigt sind, und die Anzahl der Elektro­ denfinger und der Elektrodenfingereingriffsbreiteverhält­ nisse anders ist als die der Resonatoren, die jeweils in der Praxis verwendet werden.

Die Reihenarmresonatoren 3 und 4, die Parallelarmresonato­ ren 5 bis 7, die Elektrodenanschlußflächen 8 bis 12 und die Verdrahtungselektrode, die dieselben verbindet, bestehen vorzugsweise aus Al. Die Filmdicke jeder dieser Elektroden ohne die Sammelschienenelektroden, die nachfolgend be­ schrieben sind, beträgt vorzugsweise etwa 420 nm. Die Wel­ lenlänge einer Oberflächenwelle auf den Reihenarmresonato­ ren 3 und 4 beträgt vorzugsweise etwa 4,63 µm. Somit ist das Verhältnis (h/λ (%)) der Filmdicke jedes der Elektro­ denfinger des Interdigitalwandlers der Reihenarmresonatoren 3 und 4 zu der Wellenlänge etwa 9,1%.

Somit beträgt die Wellenlänge einer Oberflächenwelle auf den Parallelarmresonatoren 5 und 7 vorzugsweise etwa 4,81 µm. Somit ist das Verhältnis (h/λ (%)) der Filmdicke jedes der Elektrodenfinger der Interdigitalwandler der Paralle­ larmresonatoren 5 und 7 zu der Wellenlänge vorzugsweise et­ wa 8,7%.

Darüber hinaus betragen die Nutzverhältnisse der Elektro­ denfinger der Interdigitalwandler in den Reihenarmresonato­ ren 3 und 5 und den Parallelarmresonatoren 5 bis 7 jeweils etwa 0,5.

Bezüglich der Sammelschienenelektroden der Interdigital­ elektroden in den Reihenarmresonatoren 3 und 4 und den Par­ allelarmresonatoren 5 bis 7 ist ein Elektrodenfilm mit ei­ ner Dicke von etwa 840 nm, der die zweite Schicht defi­ niert, an jeden Sammelschienenelektrodenfilm laminiert, der aus Al besteht und eine Dicke von 420 nm aufweist, der in Fig. 3 nicht gezeigt ist. Dies wird mit Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die die Elektrodenkonfiguration von einem der Ein-Anschlußpaar-Oberflächenschallwellen­ resonatoren zeigt, die als die Reihenarmresonatoren 3 und 4 und die Parallelarmresonatoren 5 bis 7 verwendet werden. Ein Interdigitalwandler 14 ist in der Mitte des Ein- Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonators 13 angeordnet, und Gitterreflektoren 15 und 16 sind jeweils auf beiden Seiten in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung des Interdigi­ talwandlers 14 angeordnet. Der Interdigitalwandler 14 ent­ hält eine Mehrzahl von Elektrodenfingern 14a und 14b. Eine Mehrzahl von Elektrodenfingern 14a und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern 14b sind angeordnet, um ineinander zu greifen. Die Enden der Mehrzahl der Elektrodenfinger 14a an einer Seite sind mit der Sammelschienenelektrode 14c ver­ bunden. Die Mehrzahl von Elektrodenfingern 14b ist mit der Sammelschienenelektrode 14d elektrisch verbunden, die auf der entgegengesetzten Seite der Sammelschienenelektrode 14c angeordnet ist, wobei ein Paar von kammförmigen Elektroden vorgesehen ist, die ineinander greifen.

Die Reflektoren 15 und 16 sind derart angeordnet, daß die beiden Enden einer Mehrzahl von Elektrodenfingern 15a und außerdem die beiden Enden einer Mehrzahl von Elektrodenfin­ gern 16a jeweils miteinander kurzgeschlossen sind.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel, sind bei den Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonatoren 13, die je­ weils die Reihenarmresonatoren 3 und 4 und die Parallelarm­ resonatoren 5 bis 7 bilden, Elektrodenfilme 17 und 18, die zweite Schichten definieren, die durch eine Schraffur ge­ zeigt sind, an zumindest einem Abschnitt der Sammelschie­ nenelektrode 14c bzw. 14d laminiert. Das heißt, die Sammel­ schienenelektroden 14c und 14d weisen jeweils eine Mehr­ schichtstruktur auf. Die zweiten Elektrodenfilme 17 und 18 bestehen aus Al. Jede Dicke beträgt vorzugsweise etwa 840 nm. Dementsprechend beträgt die Filmdicke auf der Basis der Wellenlänge der Oberflächenwelle etwa 17%.

Darüber hinaus sind die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, jeweils so auf den Sammel­ schienenelektroden 14c und 14d angeordnet, daß dieselben außerhalb der Grenzen zwischen den Sammelschienenelektroden 14c und 14d und den Elektrodenfingern 14a und 14a, die mit den Sammelschienenelektroden 14c bzw. 14d verbunden sind, im wesentlichen senkrecht zu der Oberflächenwellenausbrei­ tungsrichtung angeordnet sind. In anderen Worten ausge­ drückt, die Kanten B der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, die auf den Seiten der Elek­ trodenfinger 14a und 14b liegen, sind im wesentlichen senk­ recht zu der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung jeweils außerhalb der Grenzen A zwischen den Sammelschienenelektro­ den 14c und 14d und den Elektroden 14a und 14b angeordnet. Die Abstände g zwischen den Grenzen A und den Kanten B sind jeweils vorzugsweise bei etwa 4 µm eingestellt, d. h. bei etwa 0,8 λ bis etwa 0,9 λ.

Die Reihenarmresonatoren 3 und 4 die Parallelarmresonatoren 5 bis 7 umfassen bei dem Oberflächenwellenbauelement 1 die­ ses bevorzugten Ausführungsbeispiels jeweils den in Fig. 1 gezeigten Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator 13.

Das Oberflächenwellenbauelement 1 dieses bevorzugten Aus­ führungsbeispiels kann durch Verwenden der Elektrodenan­ schlußfläche 8 als Eingangsanschluß und der Elektrodenan­ schlußfläche 9 als Ausgangsanschluß und Verbinden der Elek­ trodenanschlußflächen 10 bis 12 mit der Masse als ein Lei­ terfilter betrieben werden. Das Verhältnis der Filmdicke von jedem der Elektrodenfinger der Reihenarmresonatoren 3 und 4 und der Parallelarmresonatoren 5 und 7 zu der Wellen­ länge ist vorzugsweise zwischen 9,1% und 8,7%. Das Nutzver­ hältnis jedes Interdigitalwandlers beträgt vorzugsweise et­ wa 0,5.

Falls somit die Filmdicke jedes der Elektrodenfinger 14a und 14b des Interdigitalwandlers 14 im wesentlichen gleich ist wie die Filmdicke von jeder der Sammelschienenelektro­ den 14c und 14d, wird der Energieeinschlußeffekt in der Y- Axialrichtung reduziert.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind jedoch die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten defi­ nieren, an die Sammelschienenelektrode 14c bzw. 14d lami­ niert. Dementsprechend wird die Schallgeschwindigkeit einer Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden 14c und 14d ausbreitet, um etwa 140 m/sek geringer.

Als Folge ist das Verhältnis Vs/Vm, d. h. das Verhältnis der Schallgeschwindigkeit Vs der Oberflächenwelle, die sich auf dem Elektrodenfingereingriffsbereich ausbreitet zu der Ausbreitungsgeschwindigkeit Vm der Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden ausbreitet, erhöht. Somit ist der Energieeinschlußeffekt in der Y-Axialrichtung erhöht.

Fig. 2 ist ein Diagramm, das Änderungen bei der Schallge­ schwindigkeit einer Oberflächenwelle zeigt, die sich auf den Sammelschienenelektroden 14c und 14d ausbreitet, die erhalten werden, wenn die Dicke von der Gesamtheit von je­ der der Sammelschienenelektroden 14c und 14d variiert wird, ohne daß die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, gebildet werden. Der Interdigital­ wandler und die Reflektoren sind ähnlich geformt wie der obige Reihenarmresonator 3, außer daß die Dicke jeder Sam­ melschienenelektrode variiert ist.

Wenn die Dicke jeder Sammelschienenelektrode um etwa 0,01 λ erhöht wird, wie es in Fig. 2 ersichtlich ist, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, wird die Schallge­ schwindigkeit Vm der Oberflächenwelle um etwa 8,4 m/sek niedriger.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Elek­ trodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definie­ ren, an die Sammelschienenelektroden 14c und 14d laminiert, so daß die Schallgeschwindigkeit Vm einer Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden 14c und 14d aus­ breitet, niedrig wird. Dadurch ist das Verhältnis Vs/Vm auf weniger als etwa 1 eingestellt. Dementsprechend kann das Energieeinschließen in der Y-Axialrichtung effektiv ausge­ führt werden, und der Verlust in der Filtercharakteristik kann reduziert werden, wie es aus den Ergebnissen von Fig. 2 ersichtlich ist.

In Fig. 4 zeigen die durchgezogenen Linien die Filtercha­ rakteristika des Oberflächenwellenbauelements 1 dieses be­ vorzugten Ausführungsbeispiels. Darüber hinaus zeigen in Fig. 4 die gestrichelten Linien die Filtercharakteristika eines Vergleichsbeispiels des Oberflächenwellenbauelements, das ähnlich konfiguriert ist wie das des bevorzugten Aus­ führungsbeispiels, außer daß die Elektrodenfilme, die die zweiten Schichten definieren, nicht vorgesehen sind. Die Filtercharakteristikakurven der Einfügungsverluste, die auf der Skala vergrößert sind, die auf der rechten Seite der Ordinate gezeigt ist, sind in dem unteren Abschnitt von Fig. 4 gezeigt.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement dieses bevorzugten Aus­ führungsbeispiels sind die Filtercharakteristika in dem Übertragungsband wesentlich verbessert, obwohl das Minimum des Einfügungsverlusts nicht wesentlich verändert ist, wie es aus Fig. 4 ersichtlich ist. Dies liegt wahrscheinlich daran, daß die Mehrschichtstrukturen der Sammelschienen­ elektroden 14c und 14d den Elektrodenwiderstandwert redu­ zieren und darüber hinaus den Oberflächenwellenenergleein­ schlußeffekt wesentlich verbessern.

Bei diesem Ausführungsbeispiel wird das LiTaO₃-Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Ausbreitung in X-Richtung als das piezo­ elektrische Substrat verwendet. Es kann beispielsweise je­ doch auch ein LiTaO₃-Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Aus­ breitung in X-Richtung mit einem anderen Schnittwinkel von etwa 33° bis etwa 46° verwendet werden. In diesem Fall kön­ nen ähnliche Vorteile erhalten werden. Ferner können andere geeignete piezoelektrische Einkristallsubstrate verwendet werden.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel bestehen die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten defi­ nieren, ebenfalls vorzugsweise aus Al. Die Elektrodenfilme, die die zweiten Schichten definieren, können aus einem Me­ tallmaterial bestehen, das anders ist als das, das verwen­ det wird, um die ersten Schichten zu bilden. Darüber hinaus können als Elektrodenmaterial nicht nur Al, sondern vor­ zugsweise auch Al-enthaltende Legierungen verwendet werden.

Darüber hinaus können beide der Elektrodenfilme, die die ersten Schichten definieren und die Elektrodenfilme, die die zweiten Schichten definieren, aus einem anderem Metall als Al und einer Al-enthaltenden Legierung bestehen. Dar­ über hinaus kann jeder Elektrodenfilm, der selbst die erste Schicht definiert, ein Mehrschichtfilm sein, der eine Mehr­ zahl von zusammen laminierten Metallfilmen umfaßt.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt jeder der Abstände g von den Grenzen A zwischen den Sammelschienenelektroden 14c und 14d und den Elektrodenfingern zu den Kanten B der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten auf den Seiten der Elektrodenfinger 14a und 14b definieren, vorzugsweise etwa 4 µm, d. h. etwa 0,8 λ bis etwa 0,9 λ. Daher sollte der Zwischenraumlänge g ausreichend Beachtung geschenkt werden, um einen zufriedenstellenden Energieeinschlußeffekt zu erhalten.

Wenn die Zwischenraumlänge g jedes der Reihenarmresonatoren und der Parallelarmresonatoren in dem Oberflächenwellenbau­ element 1 dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels variiert wird, ist die Filtercharakteristik verändert. Der Erfinder dieser Patentanmeldung hat herausgefunden, daß sich der Energieeinschlußeffekt ändert, wenn die Zwischenraumlänge g und die Filmdicke M jedes der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, variiert werden. Grundsätzlich kann der Einschlußeffekt erhalten werden, wenn jede Elektrodenfilmdicke der Reflektoren größer ist als die jeder Sammelschiene. Falls jedoch die Zwischenraum­ länge g übermäßig größer ist, können in einigen Fällen kei­ ne ausreichenden Einschlußeffekte erhalten werden.

Somit wurde die Bandbreite des Oberflächenwellenbauelements durch Ändern der Zwischenraumlänge g und der Filmdicke M jedes der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, untersucht. Fig. 5A und 5B, Fig. 6, und die folgende Tabelle 2 zeigen die Ergebnisse.

Fig. 5A zeigt die Ergebnisse, die erhalten werden, wenn die Filmdicke jedes der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, etwa 840 nm (0,188 λ) be­ trägt. Fig. 5B zeigt die Ergebnisse, die erhalten werden, wenn die Filmdicke etwa 560 nm (0,126 λ) beträgt. Fig. 6 zeigt die Ergebnisse, die erhalten werden, wenn die Film­ dicke etwa 280 nm (0,063 λ) beträgt. Wie in den Fig. 5A, 5B und 6 ersichtlich ist, neigt die Bandbreite dazu, reduziert zu werden, wenn die Zwischenraumlänge g erhöht wird. Diese Tendenz wird bemerkenswert, wenn die Filmdicke M klein ist.

Zum Vergleich sind die Bandbreiten der Elektroden, die je­ weils keine Zweischichtstruktur aufweisen, durch die ge­ strichelten Linien in Fig. 5A, 5B und 6 gezeigt. Wie in Fig. 5A, 5B und 6 ersichtlich ist, sind die Bandbreiten in der Nähe der Zwischenraumlänge g von etwa 8 µm bei einer Filmdicke M von etwa 840 nm, in der Nähe der Zwischenraum­ länge g von etwa 6 µm bei einer Filmdicke von M von etwa 560 nm und in der Nähe der Zwischenraumlänge g von etwa 4,5 µm bei einer Filmdicke M von etwa 280 nm auf den gleichen Pegel reduziert wie diejenigen der Elektroden, die jeweils keine Zweischichtstruktur aufweisen.

Diese Ergebnisse sind durch das Diagramm von Fig. 7 ge­ zeigt, das durch eine Approximation erster Ordnung erhalten wird. Die erhaltene Approximationsgleichung ist M ≧ 0,159 g - 0,094.

Die Werte von M und g werden durch ganzzahlige Vielfache von λ ausgedrückt.

Somit kann ein gewünschter Energieeinschlußeffekt an das Oberflächenwellenbauelement zurückgegeben werden, indem das Bauelement gebildet wird, um die Gleichung von M ≧ 0,159 g - 0,094 zu erfüllen. Somit kann die Bandbreite des Bauele­ ments erhöht werden.

In dem Fall, in dem die Metallfilme, die die zweiten Schichten definieren, aus einem Metall außer Al bestehen, ist das Oberflächenwellenbauelement aufgebaut, um die For­ mel Ma × (d0/da) ≧ 0,159 g - 0,084 zu erfüllen, bei der Ma die Metallfilmdicke von jeder der zweiten Schichten ist und do die Dichte von Al ist.

Fig. 8 ist eine schematische Draufsicht, die einen Ein- Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator für die Verwendung bei einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigt.

Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird vor­ zugsweise ein Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator 21, der in Fig. 8 gezeigt ist, verwendet. Das Oberflächen­ wellenbauelement 21 des zweiten bevorzugten Ausführungsbei­ spiels ist im wesentlichen ähnlich aufgebaut wie das des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels, außer daß der Ein- Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator 21 als jeder der Serienarmresonatoren 3 und der Parallelarmresonatoren 5 bis 7 verwendet wird. Dementsprechend ist das Oberflächenwel­ lenbauelement des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels ein Leitertyp-Filter, der die beiden Reihenarmresonatoren und die drei Parallelarmresonatoren umfaßt.

Der Ein-Anschlußpaar-Oberflächenwellenresonator 21 umfaßt drei Interdigitalwandler 23 bis 25, die in der Oberflächen­ wellenausbreitungsrichtung auf einem piezoelektrischen Sub­ strat 22 angeordnet sind. Bei diesem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel ist das piezoelektrische Substrat 22 eben­ falls aus einem LiTaO₃-Substrat mit 36°-Y-Schnitt und Aus­ breitung in X-Richtung gebildet.

Gitterelektroden 26 und 27 sind an den beiden Seiten in der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung des Bereichs angeord­ net, an dem die Interdigitalwandler 23-25 vorgesehen sind.

Die Elektrodenfingereingriffsbreite bei den Interdigital­ wandlern 23-25 beträgt vorzugsweise etwa 122 µm. Die Zahl der Elektrodenfingerpaare des Interdigitalwandlers 24, der in der ungefähren Mitte der Interdigitalwandler 23-25 an­ geordnet ist, beträgt vorzugsweise 18. Die Zahl der Elek­ trodenfingerpaare jedes Interdigitalwandlers 23 und 25, die an beide Seiten angeordnet sind, beträgt vorzugsweise 11. Die Zahl der Elektrodenfingerpaare jedes Reflektors 26 und 27 beträgt vorzugsweise 120. Die Teilung zwischen den Elek­ trodenfingern in den Interdigitalwandlern 23-25 beträgt etwa 2,1 µm. Die Wellenlänge einer akustischen Oberflächen­ welle beträgt etwa 4,2 µm.

Die Interdigitalwandler 23-25 und die Reflektoren 26 und 27 sind alle aus Al hergestellt. Die Filmdicke jedes der Interdigitalwandler 23-25, die die Elektrodenfilme sind, die unter den Elektrodenfilmen gebildet sind, die die zwei­ ten Schichten bilden, die später beschrieben werden, be­ trägt etwa 320 nm. Das bedeutet, daß die Filmdicke jedes Elektrodenfingers etwa 7,4% der Wellenlänge der akusti­ schen Oberflächenwelle beträgt. Das Nutzverhältnis jedes Interdigitalwandlers 23-25 beträgt etwa 0,72.

Die Interdigitalwandler 23-25 umfassen eine Mehrzahl von Elektrodenfingern 23a, 23b, 24a, 24b, 25a und 25b und erste und zweite Sammelschienenelektroden 23c, 23d, 24c, 24d, 25c bzw. 25d. Außerdem sind bei diesem bevorzugten Ausführungs­ beispiel die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, an die Sammelschienenelektroden 23c, 23d, 24c, 25c und 25d laminiert. Die Bereiche, in denen die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten defi­ nieren, laminiert sind, sind zu Darstellungszwecken schraf­ fiert.

Die Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, bestehen ähnlich wie die des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels aus Al, wobei die Filmdicke derselben vorzugsweise etwa 840 nm beträgt.

Jede Zwischenraumlänge g von den Grenzen zwischen den Sam­ melschienenelektroden und den Elektrodenfingern bis zu den Kanten der Elektrodenfingerseiten der Elektrodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definieren, beträgt etwa 2 µm, d. h. etwa 0,5 λ.

In Fig. 9 stellen die durchgezogenen Linien die Filtercha­ rakteristik des Oberflächenwellenbauelements dar, das gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel gebildet ist. Zum Vergleich stellen die unterbrochenen Linien die Filtercha­ rakteristik des Oberflächenwellenbauelements dar, das ähn­ lich wie das Oberflächenwellenbauelement dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels aufgebaut ist, mit der Ausnahme, daß keine zweiten Elektrodenfilme auf die Sammelschienenab­ schnitte laminiert sind. Die Charakteristika, die in dem unteren Teil von Fig. 9 dargestellt sind, sind die Einfü­ gungsverluste, die auf der Skala, die auf der rechten Seite der Ordinate gezeigt ist, vergrößert sind.

Wie in Fig. 9 dargestellt ist, wird die Filtercharakteri­ stik in der Bandbreite wesentlich verbessert, obwohl der minimale Einfügungsverlust nicht verändert wird, indem die Elektrodenfilme, die die zweiten Schichten gemäß diesem be­ vorzugten Ausführungsbeispiel definieren, verglichen mit dem Oberflächenwellenbauelement, das keine Elektrodenfilme aufweist, die die zweiten Schichten definieren, laminiert werden.

Dies bedeutet, daß die Filmdicke jedes Elektrodenfingers der Interdigitalwandler 23-25 etwa 7,4% der Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle beträgt, wobei das Nutz­ verhältnis jedes Interdigitalwandlers 23-25 etwa 0,27 be­ trägt. Wie oben beschrieben wurde, kann die Energie der akustischen Oberflächenwelle in der Y-Achsenrichtung nicht von den Elektrodenfilmen eingeschlossen werden, die nur die ersten Schichten definieren. Eine derartige Filtercharakte­ ristik jedoch, die in Fig. 9 durch die unterbrochenen Lini­ en dargestellt ist, kann selbst dann erzielt werden, wenn die Elektrodenfilme, die nur die ersten Schichten definie­ ren, vorgesehen sind, da die Elektrodenfingereingriffsbrei­ te jedes Interdigitalwandlers groß ist, d. h. etwa 30 λ.

Die laminierten Elektrodenfilme 17 und 18 jedoch, die die zweiten Schichten definieren, bewirken, daß die Filtercha­ rakteristik wesentlich ansteigt, wie oben beschrieben wur­ de.

Insbesondere können Niedrigverlustfiltercharakteristika un­ ter der Voraussetzung erhalten werden, daß zumindest ein Teil der Sammelschienenelektroden eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers ist, wobei insbeson­ dere Vs/Vm < 1 erfüllt ist, selbst wenn die Bedingungen, unter denen der Wellenmodus im wesentlichen in der Y- Achsenrichtung vorhanden ist, nicht erfüllt werden, d. h. wenn die Filmdicke h1 jedes Elektrodenfingers, die Elektro­ denfingerbreite L1 und die Länge L2 des Zwischenraums zwi­ schen benachbarten Elektrodenfingern in der Oberflächenwel­ lenausbreitungsrichtung eine der Formeln (1) bis (6) erfül­ len.

Fig. 10 ist eine schematische Draufsicht eines Oberflächen­ wellenbauelements gemäß einem dritten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ein Oberflächen­ wellenbauelement 31 des dritten bevorzugten Ausführungsbei­ spiels ist auf die gleiche Weise konfiguriert wie das des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels. So sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Die wie­ derholte Beschreibung wird weggelassen, indem auf die rele­ vante Erklärung des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels verwiesen wird.

Das vorliegende bevorzugte Ausführungsbeispiel unterschei­ det sich dahingehend von dem ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel, als daß, nachdem die Elektrodenanordnung, die in Fig. 10 gezeigt ist, gebildet ist, ein SiO₂-Film (nicht gezeigt) gebildet wird, um so eine Dicke von etwa 500 nm aufzuweisen, indem die gesamte obere Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2 besputtert wird. Danach wird ein Resist auf derselben mit Ausnahme der Serienarmresona­ toren 3 und 4, der Parallelarmresonatoren 5-7 und der Elektrodenanschlußflächen 8-12 angebracht. In diesem Zu­ stand wird der SiO₂-Film auf den Elektrodenfingern und den Elektrodenanschlußflächen durch Ätzen entfernt. So kann die Zuverlässigkeit der elektrischen Verbindung zwischen Ver­ bindungsdrähten und den Elektrodenanschlußflächen 8-12 gefestigt werden, da der SiO₂-Film auf den Elektrodenan­ schlußflächen 8-12 von denselben entfernt wird.

Die Oberflächenwellenausbreitungsgeschwindigkeit Vs in dem Bereich, in dem die Elektrodenfinger ineinandergreifen, wird höher als die Schallgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden ausbreitet, auf die der SiO₂-Film laminiert wurde, da der SiO₂-Film auf den Elektrodenfingern entfernt wurde. Anders ausgedrückt wird das Verhältnis Vs/Vm < 1.

Insbesondere wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der SiO₂-Film 33, der einen Isolationsfilm definiert, an die Gesamtoberflächen der Sammelschienenelektroden 32 laminiert, was in der Querschnittsansicht aus Fig. 11 ge­ zeigt ist. So weisen alle Sammelschienenelektroden eine Mehrschichtstruktur auf. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein Isolationsfilm mit Ausnahme eines Metallfilms la­ miniert sein, wenn zumindest ein Teil der Sammelschienen­ elektroden verglichen mit den Elektrodenfingern dicker ist. In diesem Fall können die gleichen Vorteile wie bei dem er­ sten bevorzugten Ausführungsbeispiel erzielt werden, da die Schallgeschwindigkeit Vm der akustischen Oberflächenwelle, die sich zu den Sammelschienenelektroden ausbreitet, nied­ rig wird.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel definiert der SiO₂-Film 33 vorzugsweise den Isolationsfilm. Die Dicke des Isolationsfilms beträgt etwa 500 nm, was etwa 11% der Wel­ lenlänge der akustischen Oberflächenwelle ist. Die Dichte des SiO₂-Films beträgt etwa 2,21 g/cm³ und ist verglichen mit der Dichte von etwa 2,69 g/cm³ des Al-Films, der die Elektroden bildet, etwas geringer, da der SiO₂-Film durch Sputtern gebildet ist. Andererseits ist die Zwischenraum­ länge g klein, nämlich etwa 0,1 λ. Folglich ist der Ener­ gieeinschlußeffekt für die akustische Oberflächenwelle in der Y-Achsenrichtung genauso groß wie bei dem ersten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel.

In Fig. 12 stellen die durchgezogenen Linien die Filtercha­ rakteristik des Oberflächenwellenbauelements des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels dar, das wie oben be­ schrieben konfiguriert ist. Die unterbrochenen Linien stel­ len die Filtercharakteristik eines Oberflächenwellenbauele­ ments zum Vergleich dar, das auf die gleiche Weise wie das des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels konfiguriert ist, mit der Ausnahme, daß kein SiO₂-Film gebildet ist. Die Filtercharakteristika in dem unteren Teil von Fig. 12 sind die Einfügungsverluste, die an der Skala, die an der rech­ ten Seite der Ordinate gezeigt ist, vergrößert sind.

Wie aus Fig. 12 ersichtlich ist, ist der Energieeinschluß­ effekt bei dem Oberflächenwellenbauelement des dritten be­ vorzugten Ausführungsbeispiels aufgrund der Bildung des SiO₂-Films ebenfalls verbessert. So können erwünschte Fil­ tercharakteristika erhalten werden.

Bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Isolationsfilm der Elektrodenfinger entfernt, so daß der SiO₂-Film als der Isolationsfilm nur auf den Sammelschie­ nenelektroden gebildet ist. Der Isolationsfilm kann auf den Elektrodenfingern gebildet sein, wobei die Dicke des Isola­ tionsfilms auf den Elektrodenfingern kleiner als die auf den Sammelschienenelektroden ist. In diesem Fall kann die Schallgeschwindigkeit Vm der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden ausbreitet, ge­ steuert werden, um kleiner zu sein als die Ausbreitungsge­ schwindigkeit Vs der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf den Elektrodenfingern ausbreitet, indem die Differenz der Dicke zwischen den Isolationsfilmen angepaßt wird. So kann die Filtercharakteristik ähnlich wie die des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels verbessert werden.

Ferner kann ein Film, der aus einem geeigneten Isolations­ material besteht und nicht der SiO₂-Film ist, verwendet werden. Zur Filmbildung können Aufdampfungsverfahren, che­ mische Aufdampfungsverfahren usw. verwendet werden.

Ferner kann, ähnlich wie bei dem dritten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel, der Isolationsfilm auf den Sammelschie­ nenelektroden gebildet sein, der auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet ist, an dem die Elektrodenanordnung auf die gleiche Weise wie bei dem zweiten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel gebildet ist, mit der Ausnahme, daß die Elek­ trodenfilme 17 und 18, die die zweiten Schichten definie­ ren, nicht gebildet sind. In diesem Fall kann die Geschwin­ digkeit Vm gesteuert werden, um ähnlich niedrig wie bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel zu sein, so daß die Energie der akustischen Oberflächenwelle eingeschlossen werden kann.

Die Oberflächenwellenbauelemente, die jeweils eine Leiter­ schaltungskonfiguration aufweisen, sind in dem ersten bis dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben. Gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorlie­ genden Erfindung wird der Energieeinschlußeffekt für die akustische Oberflächenwelle in der Y-Achsenrichtung in ei­ nem Anschlußpaaroberflächenwellenresonator stark verbes­ sert, wodurch die Filtercharakteristik eines Filters, das unter Verwendung des einen Anschlußpaaroberflächenwellenre­ sonators gebildet ist, sehr verbessert werden kann, usw. So kann die vorliegende Erfindung nicht nur auf Oberflächen­ wellenfilter, die jeweils eine Leiterschaltungskonfigurati­ on aufweisen, angewendet werden, sondern auch auf verschie­ denen Typen von Oberflächenwellenfiltern und Oberflächen­ wellenresonatoren.

Als nächstes wird ein Beispiel eines Antennenteilungsbau­ elements bzw. eines Bauelements zur gemeinschaftlichen Ver­ wendung einer Antenne, das das Oberflächenwellenfilter ge­ mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfaßt, Bezug nehmend auf Fig. 13 beschrieben.

Fig. 13 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Antennentei­ lungsbauelement des vorliegenden bevorzugten Ausführungs­ beispiels darstellt. Ein Antennenteilungsbauelement 70 die­ ses Ausführungsbeispiels umfaßt ein Paar von Leiterfiltern 61, die jeweils ähnlich wie das Leiteroberflächenwellenfil­ ter, das in Fig. 3 ist, sind, mit der Ausnahme, daß sich die Zahl von Stufen von der des Filters, das in Fig. 3 ge­ zeigt ist, unterscheidet. Insbesondere sind die Eingangsan­ schlüsse 62 der jeweiligen Leiterfilter 61 miteinander ver­ bunden, um ein erstes Tor 71 zu definieren. Andererseits werden die Ausgangsanschlüsse 63 der jeweiligen Leiterfil­ ter 61 verwendet, wie diese sind, um das zweite und dritte Tor des Antennenteilungselements dieses bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiels zu bilden.

Das Antennenteilungsbauelement kann aufgebaut sein, um ein Paar der Leiterfilter 61 zu umfassen, wie oben beschrieben wird.

Ferner kann eine Kommunikationsausrüstung durch eine Ver­ wendung des Antennenteilungsbauelements, das oben beschrie­ ben ist, gebildet werden. Fig. 14 zeigt ein Beispiel einer derartigen Kommunikationsausrüstung.

Ein Kommunikationsausrüstungsgerät 81 dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels umfaßt vorzugsweise das Antennentei­ lungsbauelement 70 und Sende/Empfangsschaltungen 82 und 83. Das erste Tor 71 des Antennenteilungsbauelements 70 ist mit einer Antenne 84 verbunden. Die Ausgangsanschlüsse 63 und 63, die das zweite und das dritte Tor bilden, sind mit der Sende/Empfangsschaltung 82 bzw. 83 verbunden.

Bei dem Antennenteilungsbauelement 70 ist das eine Paar der Leiterfilter 61 konfiguriert, um unterschiedliche Übertra­ gungsbänder aufzuweisen, wodurch die Antenne 84 als Sende- und Empfangsantenne verwendet werden kann.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beträgt die Filmdicke jedes Elektrodenfingers der Interdigitalelektrode nicht weniger als etwa 0,04 λ. Selbst wenn das Bauelement in dem Zustand ist, daß der Energieeinschlußeffekt dazu neigt, reduziert zu sein, kann der Energieeinschlußeffekt stark verbessert werden, da zumindest ein Abschnitt der er­ sten und zweiten Sammelschienenelektrode eine Dicke auf­ weist, die größer als die des Elektrodenfingers ist, so daß die Schallgeschwindigkeit Vm einer akustischen Oberflächen­ welle, die sich auf den Sammelschienenelektroden ausbrei­ tet, verglichen mit der Schallgeschwindigkeit Vs der aku­ stischen Oberflächenwelle, die sich auf den Elektrodenfin­ gern ausbreitet, niedrig wird. So liefert das Oberflächen­ wellenbauelement, wenn es in einem Oberflächenwellenfilter verwendet wird, das eine Leiterschaltungskonfiguration auf­ weist, eine Niedrigverlustfiltercharakteristik.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß einem anderen be­ vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird das Verhältnis von L1/(L1 + L2) erfüllt, was bedeutet, daß das Nutzverhältnis nicht weniger als etwa 0,5 beträgt. Selbst wenn das Bauelement in dem Zustand ist, daß der Energieeinschlußeffekt dazu neigt, reduziert zu sein, wird der Energieeinschlußeffekt stark verbessert, da zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienen­ elektrode eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers ist, so daß die Schallgeschwindigkeit Vm der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf jeder Sam­ melschienenelektrode ausbreitet, verglichen mit der Schall­ geschwindigkeit Vs der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf den Elektrodenfingern ausbreitet, niedrig wird. So weist das Oberflächenwellenbauelement, wenn es in einem Oberflächenwellenfilter verwendet wird, das eine Leiter­ schaltungskonfiguration aufweist, eine Niedrigverlustfil­ tercharakteristik auf.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird eine der oben beschriebenen Formeln (1) bis (6) erfüllt, wobei im wesentlichen die Be­ dingungen, unter denen kein Wellenmodus in der Y- Achsenrichtung vorhanden ist, im wesentlichen nicht erfüllt werden. In diesem Fall jedoch wird die Schallgeschwindig­ keit Vm einer akustischen Oberflächenwelle, die sich auf jeder Sammelschienenelektrode ausbreitet, verglichen mit der Schallgeschwindigkeit Vs der akustischen Oberflächen­ welle, die sich auf den Elektrodenfingern ausbreitet, nied­ rig, da zumindest ein Abschnitt der ersten und der zweiten Sammelschienenelektrode eine Dicke aufweist, die größer als die der Elektrodenfinger ist. Folglich wird Vs/Vm < 1 er­ füllt, so daß der Energieeinschluß in der Y-Achsenrichtung durchgeführt werden kann. So kann, wenn das Bauelement in einem Filter verwendet wird, eine Niedrigverlustfiltercha­ rakteristik erzielt werden.

Gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung weist zumindest ein Abschnitt der Sammelschienen­ elektrode eine Dicke auf, die größer als die jedes Elektro­ denfingers ist. Verschiedene Verfahren können verwendet werden, um die Filmdicke jeder Sammelschienenelektrode zu erhöhen. Dies kann realisiert werden, indem zumindest ein Abschnitt der Sammelschienenelektrode gebildet wird, um ei­ ne Mehrschichtstruktur aufzuweisen, die eine Mehrzahl von Filmen umfaßt, die aneinanderlaminiert sind.

In dem Fall, in dem zumindest ein Abschnitt jeder Sammel­ schienenelektrode eine Mehrschichtstruktur aufweist, kann die Mehrschichtstruktur durch ein Laminieren zumindest ei­ nes Elektrodenfilms auf den Elektrodenfilm gebildet werden, wobei die Mehrschichtstruktur auch durch ein Laminieren ei­ nes Isolationsfilms an den Elektrodenfilm gebildet werden kann. In dem Fall, bei dem die Mehrzahl von Elektrodenfil­ men laminiert wird, um die Mehrschichtstruktur zu erhalten, wird der Elektrodenfilm, der die unterste Schicht defi­ niert, geformt, um mit den Elektrodenfingern verbunden zu sein. In dem Fall, bei dem die zweite Schicht und die nach­ folgenden Schichten aus einem Material gebildet sind, das sich von dem des Elektrodenfilms, der die unterste Schicht definiert, unterscheidet, kann der Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert, durch das gleiche Verfahren zum Bilden der Elektrodenfinger gebildet sein. Ferner kann, da die zweite Schicht und die nachfolgenden Schichten aus dem Metall gebildet sind, das sich von dem des Elektrodenfilms, der die unterste Schicht definiert, unterscheidet, der Typ des Metalls ausgewählt werden, so daß ein hoher Energieein­ schlußeffekt erzielt werden kann.

In dem Fall, bei dem zumindest eine Schicht der zweiten Schicht und der nachfolgenden Schichten aus einem Metall gebildet ist, das verglichen mit dem Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert, eine relativ hohe Dichte aufweist, kann ein großer Massenadditionseffekt erzielt werden, wodurch die Schallgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf den Sammelschienenelektroden ausbreitet, weiter reduziert werden kann. Wenn z. B. die er­ ste Schicht aus Al oder einer Legierung, die Al enthält, gebildet ist, kann ein großer Energieeinschlußeffekt für die akustische Oberflächenwelle erzielt werden, indem zu­ mindest eine Schicht der zweiten und der nachfolgenden Schichten unter Verwendung eines Metalls gebildet wird, das eine relativ hohe Dichte aufweist, wie z. B. Au, Ag, W, Ti, Ni oder eines anderen geeigneten Materials.

Ferner kann in dem Fall, bei dem zumindest eine Schicht der Elektrodenfilme, die die zweite und die nachfolgenden Schichten definieren, verglichen mit dem Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert, einen niedrigeren Wi­ derstand und eine größere Dichte aufweist, die Schallge­ schwindigkeit einer akustischen Oberflächenwelle, die sich auf der Sammelschienenelektrode ausbreitet, effektiv ge­ steuert werden, um niedrig zu sein. So kann der Oberflä­ chenwellenenergieeinschlußeffekt stark verbessert werden. Der Energieeinschlußeffekt kann z. B. verbessert werden, in­ dem zumindest eine Schicht der zweiten Schicht und der nachfolgenden Schichten mit der Verwendung von Au, Ag, Cu oder einem anderen geeigneten Material, wie oben beschrie­ ben wurde, gebildet wird.

In jeder Sammelschienenelektrode, die eine Mehrschicht­ struktur aufweist, kann ein Isolationsfilm zwischen Elek­ trodenfilmen gebildet werden, die die Mehrschichtstruktur bilden, um so eine elektrische Verbindung zwischen dem obe­ ren und dem unteren Elektrodenfilm zu festigen. In diesem Fall kann die Schallgeschwindigkeit der akustischen Ober­ flächenwelle, die sich auf der Sammelschienenelektrode aus­ breitet, gesteuert werden, um niedrig zu sein, und zwar aufgrund des Masseadditionseffekts des Isolationsfilms. So kann ein erwünschter Energieeinschlußeffekt erzielt werden.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß verschiedenen be­ vorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann der Oberflächenwellenenergieeinschlußeffekt stark ver­ bessert werden, wobei die Bandbreite erhöht werden kann, wenn M ≧ 0,159 g - 0,094 oder Ma × (d0/da) ≧ 0,159 g - 0,094 erfüllt wird.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beträgt die Filmdicke der Elektrodenfinger in dem Interdi­ gitalwandler vorzugsweise nicht weniger als etwa 0,04 λ. Unter dieser Bedingung kann der Oberflächenwellenenergie­ einschluß in der Y-Achsenrichtung nicht zufriedenstellend durchgeführt werden. Dennoch wird, da der Isolationsfilm auf der Sammelschienenelektrode gebildet ist, die Ausbrei­ tungsgeschwindigkeit Vm der akustischen Oberflächenwelle, die sich auf der Sammelschienenelektrode ausbreitet, auf­ grund des Masseadditionseffekts des Isolationsfilms nied­ rig. So kann ein ausreichender Oberflächenwellenenergieein­ schlußeffekt erzielt werden. So kann das Oberflächenwellen­ bauelement, wenn es für ein Oberflächenwellenfilter verwen­ det wird, eine Niedrigverlustfiltercharakteristik liefern.

Ähnlich beträgt bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung das Nutzverhältnis nicht weniger als etwa 0 03505 00070 552 001000280000000200012000285910339400040 0002010147116 00004 03386,5. Da der Isolationsfilm auf der Sammelschienenelektrode gebildet ist, kann die Schallgeschwindigkeit der akusti­ schen Oberflächenwelle, die sich auf jeder Sammelschienen­ elektrode ausbreitet, gesteuert werden, um niedrig zu sein, selbst wenn sich das Oberflächenwellenbauelement in dem Zu­ stand befindet, daß der Oberflächenwellenenergieeinschluß­ effekt in der Y-Achsenrichtung nicht ausreichend durchge­ führt werden kann. So wird Vs/Vm < 1 erfüllt. Folglich kann der Oberflächenwellenenergieeinschluß in der Y- Achsenrichtung ähnlich wie bei dem Oberflächenwellenbauele­ ment gemäß dem vierten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden. Wenn das Ober­ flächenwellenbauelement verwendet wird, um z. B. ein Filter zu definieren, kann eine Niedrigverlustfiltercharakteristik erzielt werden.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird eine der oben beschriebenen Formeln (1) bis (6) er­ füllt. Die Bedingung, unter der ein Wellenmodus in der Y- Achsenrichtung vorhanden ist, wird im wesentlichen nicht erfüllt. Auch wird in diesem Fall ein Isolationsfilm auf der Sammelschienenelektrode gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung gebildet. So wird die Schallgeschwindigkeit der akustischen Oberflä­ chenwelle, die sich auf der Sammelschienenelektrode aus­ breitet, reduziert. So wird Vs/Vm < 1 erfüllt. Folglich kann der Oberflächenwellenenergieeinschluß in der Y- Achsenrichtung ähnlich wie bei dem Oberflächenwellenbauele­ ment gemäß dem vierten oder fünften bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt wer­ den. Wenn das Oberflächenwellenbauelement verwendet wird, um z. B. ein Filter zu definieren, kann eine Niedrigverlust­ filtercharakteristik erzielt werden.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß verschiedenen be­ vorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind Isolationsfilme an den Elektrodenfingern und Sammel­ schienenelektroden angebracht. In dem Fall, bei dem die Dicke des Isolationsfilms, der an jeder Sammelschienenelek­ trode angebracht ist, größer als die des Isolationsfilms ist, der an jeder Sammelschienenelektrode angebracht ist, wird die Schallgeschwindigkeit Vm der akustischen Oberflä­ chenwelle, die sich auf der Sammelschienenelektrode aus­ breitet, niedrig. So wird das Verhältnis Vs/Vm < 1 erfüllt. Die akustische Oberflächenwelle in der Y-Achsenrichtung kann effektiv eingeschlossen werden. Wenn das Oberflächen­ wellenbauelement verwendet wird, um z. B. ein Filter zu de­ finieren, kann eine Niedrigverlustfiltercharakteristik er­ zielt werden.

Bei dem Antennenteilungsbauelement, das eines der Oberflä­ chenwellenbauelemente gemäß verschiedenen bevorzugten Aus­ führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung enthält, wird der Verlust in dem Antennenteilungsbauelement minimiert, da der Oberflächenwellenverlust niedrig ist.

Ferner wird bei der Kommunikationsausrüstung, die das An­ tennenteilungsbauelement bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung umfaßt, der Gesamtverlust in der Kommunikationsausrüstung minimiert, da die Ausrüstung das Antennenteilungsbauelement umfaßt, das einen niedrigen Ver­ lust aufweist, wie oben beschrieben wurde.

Claims (17)

1. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der an dem piezoelektrischen Substrat (2; 22) angeord­ net ist und eine erste und eine zweite Sammelschienen­ elektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) umfaßt, wobei die Mehr­ zahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) mit der ersten und zweiten Sammelschie­ nenelektrode verbunden ist, um ein Paar von kammförmi­ gen Elektroden zu definieren, die ineinandergreifen, wobei die Mehrzahl von Elektrodenfingern Al als eine Hauptkomponente enthält,
wobei jeder der Elektrodenfinger (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) eine Filmdicke von nicht weniger als etwa 0,04 λ aufweist, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle ist, und
wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers ist, so daß die Energie der akustischen Oberflächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der akustischen Oberflä­ chenwelle eingeschlossen ist.

2. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der auf dem piezoelektrischen Substrat (2; 22) ange­ ordnet ist und eine erste und eine zweite Sammelschie­ nenelektrode und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern umfaßt, wobei die Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) mit der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) verbunden ist, um ein Paar von kammförmigen Elektroden zu definieren, die ineinander­ greifen, wobei die Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) Al als eine Hauptkomponente enthält,
wobei eine Elektrodenfingerbreite L1 des Interdigital­ wandlers (14; 23, 24, 25) und eine Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in der Oberflächenwel­ lenausbreitungsrichtung die Formel L1/(L1 + L2) ≧ 0,5 erfüllen, und
wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) ist, so daß die Energie der akustischen Oberflächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Aus­ breitungsrichtung der akustischen Oberflächenwelle eingeschlossen ist.

3. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der an dem piezoelektrischen Substrat (2; 22) angeord­ net ist und eine erste und eine zweite Sammelschienen­ elektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) umfaßt, wobei die Mehr­ zahl von Elektrodenfingern mit der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) verbunden ist, um ein Paar von kammför­ migen Elektroden zu definieren, die ineinandergreifen, wobei die Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) Al als eine Hauptkompo­ nente enthält,
wobei eine Filmdicke h1 jedes Elektrodenfingers (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b), eine Elektroden­ fingerbreite L1, eine Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in der Oberflächenwellenrichtung und eine Wellenlänge λ der akustischen Oberflächenwel­ le eine der folgenden Formeln (1) bis (6) erfüllen:
L1/(L1 + L2) ≧ 0,55 und h/λ ≧ 0,100 (1)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,60 und h/λ ≧ 0,090 (2)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,65 und h/λ ≧ 0,080 (3)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,70 und h/λ ≧ 0,070 (4)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,75 und h/λ ≧ 0,065 (5)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,80 und h/λ ≧ 0,055 (6), und
wobei zumindest ein Abschnitt der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) eine Dicke aufweist, die größer als die jedes Elektrodenfingers (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) ist, so daß die Energie der akustischen Oberflächenwelle im wesentlichen senkrecht zu der Aus­ breitungsrichtung der akustischen Oberflächenwelle eingeschlossen ist.

4. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem zumindest ein Abschnitt der ersten und zweiten Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) eine Mehr­ schichtstruktur aufweist, bei der eine Mehrzahl von Elektrodenfilmen aneinanderlaminiert ist, wodurch zu­ mindest ein Abschnitt der ersten und zweiten Sammel­ schienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) eine Dicke aufweist, die größer ist als die jedes Elektrodenfingers (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b).

5. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß Anspruch 4, bei dem der Elektrodenfilm, der die unterste Schicht in jeder Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) definiert, die eine Mehrschichtstruktur aufweist, angeordnet ist, um mit den Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) verbunden zu sein, wobei die Elektrodenfil­ me, die die zweite und nachfolgende Schichten definie­ ren, aus einem Metall bestehen, das sich von dem un­ terscheidet, das verwendet wird, um den Elektrodenfilm zu bilden, der die unterste Schicht definiert.

6. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß Anspruch 5, bei dem in jeder Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32), die eine Mehr­ schichtstruktur aufweist, zumindest eine Schicht der Elektrodenfilme, die die zweite und nachfolgende Schichten definieren, aus einem Metall besteht, das verglichen mit dem Elektrodenfilm, der die unterste Schicht definiert, eine relativ hohe Dichte aufweist.

7. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß Anspruch 5 oder 6, bei dem in jeder Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32), die eine Mehrschichtstruktur aufweist, zumindest eine Schicht der Elektrodenfilme, die die zweite und nachfolgende Schichten definieren, verglichen mit dem Elektroden­ film, der die unterste Schicht definiert, einen nied­ rigeren Widerstand und eine höhere Dichte aufweist.

8. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, bei dem in jeder Sammelschie­ nenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32), die eine Mehrschichtstruktur aufweist, ein Isola­ tionsfilm (33) zwischen Elektrodenfilmen, die die Mehrschichtstruktur bilden, angeordnet ist, wobei eine elektrische Verbindung zwischen dem oberen und dem un­ teren Elektrodenfilm sichergestellt wird.

9. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 8, bei dem in jeder Sammelschie­ nenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32), die eine Mehrschichtstruktur aufweist, eine Strecke g von der Grenze (A) zwischen der Sammelschie­ nenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) und den Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in dem Elektrodenfilm der unter­ sten Schicht bis zu der Kante (B) der Elektrodenfin­ gerseite des Elektrodenfilms, der aus Al besteht und die zweite Schicht definiert, und die Filmdicke M des Elektrodenfilms, der die zweite Schicht definiert, in dem Bereich liegen, der durch die Formel M ≧ 0,159 g - 0,094 definiert wird, wobei Werte von g und M ganzzah­ lige Vielfache der Wellenlänge λ der akustischen Ober­ flächenwelle sind.

10. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, bei dem in jeder Sammelschie­ nenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32), die eine Mehrschichtstruktur aufweist, die Elek­ trodenfilmdicke Ma der zweiten Schicht in dem Bereich liegt, der durch die Formel M × (d0/da) ≧ 0,159 g - 0,094 definiert wird, wobei g die Strecke von der Grenze (A) zwischen der Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) und den Elek­ trodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in dem Elektrodenfilm der untersten Schicht bis zu der Kante (B) der Elektrodenfingerseite des Elektroden­ films ist, der aus Al besteht und die zweite Schicht definiert, wobei die Werte von g bzw. M durch ganzzah­ lige Vielfache der Wellenlänge A der akustischen Ober­ flächenwelle ausgedrückt werden, wobei die zweite Schicht aus einem Metall mit Ausnahme von Al besteht, und wobei da die Dichte des Metalls der zweiten Schicht ist und d0 die Dichte von Al.

11. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern, wobei jeder Finger Al als eine Hauptkomponente enthält, und eine erste und eine zweite Sammelschienenelektrode auf­ weist, wobei die Energie der akustischen Oberflächen­ welle im wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungs­ richtung der akustischen Oberflächenwelle eingeschlos­ sen ist,
wobei die Filmdicke jedes Elektrodenfingers in dem In­ terdigitalwandler nicht weniger als etwa 0,04 λ be­ trägt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Ober­ flächenwelle ist, und
wobei ein Isolationsfilm an jeder Sammelschienenelek­ trode gebildet ist, so daß die Dicke der Sammelschie­ nenelektroden größer ist als die jedes Elektrodenfin­ gers.

12. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der an dem piezoelektrischen Substrat (2; 22) angeord­ net ist und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b), wobei jeder Finger Al als eine Hauptkomponente enthält, und eine erste und eine zweite Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) aufweist, wobei die Energie der akustischen Oberflächenwelle im wesentli­ chen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der akusti­ schen Oberflächenwelle eingeschlossen ist,
wobei die Elektrodenfingerbreite L1 und die Zwischen­ raumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in der Ober­ flächenwellenausbreitungsrichtung die Formel L1/(L1 + L2) ≧ 0,5 erfüllen, und
wobei ein Isolationsfilm (33) an jeder Sammelschienen­ elektrode angeordnet ist, so daß die Dicke der Sammel­ schienenelektroden (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) größer ist als die jedes Elektrodenfingers (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b).

13. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) mit folgenden Merkmalen:
einem piezoelektrischen Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächenwelle, die in der Ausbreitungs­ richtung einen Anisotropieindex γ von weniger als etwa -1 aufweist, anregbar ist; und
zumindest einem Interdigitalwandler (14; 23, 24, 25), der an dem piezoelektrischen Substrat (2; 22) angeord­ net ist und eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b), wobei jeder Finger Al als eine Hauptkomponente enthält, und eine erste und eine zweite Sammelschienenelektrode (14c, 14d; 23c, 23d, 24c, 24d, 25c, 25d; 32) aufweist, wobei die Energie der akustischen Oberflächenwelle im wesentli­ chen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der akusti­ schen Oberflächenwelle eingeschlossen ist,
wobei die Filmdicke h1 jedes Elektrodenfingers, die Elektrodenfingerbreite L1, die Zwischenraumlänge L2 zwischen benachbarten Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) in der Oberflächenwel­ lenrichtung und die Wellenlänge λ der akustischen Oberflächenwelle eine der folgenden Formeln (1) bis (6) erfüllen:
L1/(L1 + L2) ≧ 0,55 und h/λ ≧ 0,100 (1)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,60 und h/λ ≧ 0,090 (2)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,65 und h/λ ≧ 0,080 (3)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,70 und h/λ ≧ 0,070 (4)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,75 und h/λ ≧ 0,065 (5)
L1/(L1 + L2) ≧ 0,80 und h/λ ≧ 0,055 (6), und
wobei der Interdigitalwandler ferner einen Isolations­ film (33) umfaßt, der an den Sammelschienenelektroden angebracht ist.

14. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, das ferner einen weiteren Isolationsfilm aufweist, der an den Elektrodenfingern (14a, 14b; 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b) angebracht ist, wobei der Isolationsfilm (33) eine Dicke auf­ weist, die größer ist als die des weiteren Isolations­ films, der an jedem Elektrodenfinger angebracht ist.

15. Oberflächenwellenbauelement (1; 21; 31) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem das piezoelektrische Substrat (2; 22), an dem eine akustische Oberflächen­ wellen anregbar ist, ein LiTaO₃-Substrat ist, an dem eine akustische Pseudooberflächenwelle anregbar ist.

16. Element (70) zur gemeinschaftlichen Verwendung einer Antenne (84), das zumindest ein Oberflächenwellenbau­ element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 umfaßt.

17. Kommunikationsausrüstungsgerät (81), das das Element (70) zur gemeinschaftlichen Verwendung einer Antenne (84) aus Anspruch 16 umfaßt.