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DE10132125A1 - Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht und texturierte Metallschicht - Google Patents

Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht und texturierte Metallschicht

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Publication number
DE10132125A1
DE10132125A1 DE10132125A DE10132125A DE10132125A1 DE 10132125 A1 DE10132125 A1 DE 10132125A1 DE 10132125 A DE10132125 A DE 10132125A DE 10132125 A DE10132125 A DE 10132125A DE 10132125 A1 DE10132125 A1 DE 10132125A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
textured
metal layer
bath
electrodeposition
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10132125A
Other languages
English (en)
Inventor
Marc Vogelaere
Ursus Krueger
Ralf-Reiner Volkmar
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE10132125A priority Critical patent/DE10132125A1/de
Publication of DE10132125A1 publication Critical patent/DE10132125A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/12Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by electrolysis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52Alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/005Epitaxial layer growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

Die Erfindung bezeiht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht durch epitaktisches Aufwachsen auf einem texturierten Substrat mittels Elektrodeposition. DOLLAR A Um ein solches Verfahren variabel im Hinblick auf die jeweils erzeugte Metallschicht auszugestalten, wird erfindungsgemäß zur Elektrodeposition ein Bad mit AgPd, AgSn, Al, Au, AuNi, AuCo, Bi, Cr, Cu, CuSn, CuSn, CuZn, Fe, In, Mn, Ni, NiP, NiFe, NiW, NiCo, Pb, PbSn, Pd, PdNi, PdCo, Pt, Rh, Sn, SnNi verwendet. DOLLAR A Die Erfindung bezieht sich ferner auf eine nach obigem Verfahren hergestellte texturierte Metallschicht.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht durch epitaktisches Aufwachsen auf einem texturierten Substrat mittels Elektrodeposition.
  • Ein Verfahren dieser Art ist aus dem Aufsatz "Fabrication of cube-textured Ag-buffered Ni substrates by electro-epitaxial deposition" von Godall, Moore, Pecz, Grime, Salter und Grovenor in der Zeitschrift "Superconductor Science and Technology" 14 (2001), S. 124-129 bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren wird eine texturierte Metallschicht mittels Elektrodeposition als Silber-Film auf einem geeigneten texturierten Substrat aus Ni und Ni-Legierungen hergestellt. Diese texturierte Metallschicht kann dann ihrerseits als ein Silber-Substrat zum Herstellen beispielsweise texturierter supraleitender Bänder benutzt werden.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs angegebenen Art so zu verbessern, dass es mit vergleichsweise geringen Kosten durchgeführt werden kann.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei dem eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß zur Elektrodeposition ein Bad mit AgPd, AgSn, Al, Au, AuNi, AuCo, Bi, Cr, Cu, CuSn, CuZn, Fe, In, Mn, Ni, NiP, NiFe, NiW, NiCo, Pb, PbSn, Pd, PdNi, PdCo, Pt, Rh, Sn, SnNi verwendet.
  • Der wesentliche Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass mit ihm galvanische Bäder unterschiedlicher Zusammensetzung verwendet werden können, so dass entsprechend dem jeweiligen Anwendungsfall eines supraleitenden Leiters Metallschichten aus unterschiedlichen Metallen als Substrat bei dessen Herstellung verwendet werden können.
  • Der obenbezeichneten Literaturstelle lässt sich ferner ein durch epitaktisches Aufwachsen auf einem texturierten Substrat erzeugte texturierte Metallschicht entnehmen. Der Erfindung liegt diesbezüglich die Aufgabe zugrunde, eine Metallschicht vorzuschlagen, die sich einfach unter Anpassung an ihren jeweiligen Verwendungszweck herstellen lässt. Zur Lösung dieser Aufgabe besteht die texturierte Metallschicht erfindungsgemäß aus AgPd, AgSn, Al, Au, AuNi, AuCo, Bi, Cr, Cu, CuSn, CuZn, Fe, In, Mn, Ni, NiP, NiFe, NiW, NiCo, Pb, PbSn, Pd, PdNi, PdCo, Pt, Rh, Sn, SnNi.
  • Bei dem Erzeugen einer texturierten Metallschicht durch epitaktisches Aufwachsen mittels Elektrodeposition kann in einer Weise vorgegangen werden, wie dies aus der oben genannten Literaturstelle hervorgeht. Es ist nur jeweils ein galvanisches Bad mit einer Zusammensetzung hinsichtlich der Metalle vorzusehen, wie es oben beschrieben worden ist.

Claims (2)

1. Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht durch epitaktisches Aufwachsen auf einem texturierten Substrat mittels Elektrodeposition, dadurch gekennzeichnet, dass
zur Elektrodeposition ein Bad mit AgPd, AgSn, Al, Au, AuNi, AuCo, Bi, Cr, Cu, CuSn, CuZn, Fe, In, Mn, Ni, NiP, NiFe, NiW, NiCo, Pb, PbSn, Pd, PdNi, PdCo, Pt, Rh, Sn, SnNi verwendet wird.
2. Durch epitaktisches Aufwachsen mittels Elektrodepositen auf einem texturierten Substrat erzeugte texturierte Metallschicht, dadurch gekennzeichnet, dass
die Metallschicht aus AgPd, AgSn, Al, Au, AuNi, AuCo, Bi, Cr, Cu, CuSn, CuZn, Fe, In, Mn, Ni, NiP, NiFe, NiW, NiCo, Pb, PbSn, Pd, PdNi, PdCo, Pt, Rh, Sn, SnNi besteht.
DE10132125A 2001-06-28 2001-06-28 Verfahren zum Erzeugen einer texturierten Metallschicht und texturierte Metallschicht Withdrawn DE10132125A1 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005103342A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-03 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum abscheiden einer schicht aus einer formgedächtnislegierung
KR100705092B1 (ko) 2005-05-10 2007-04-06 엘지전자 주식회사 형상기억합금을 이용한 제진배관의 제조방법
CN111187944A (zh) * 2020-01-06 2020-05-22 河南师范大学 一种强立方织构的双层镍基复合基带的制备方法

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