DE1012638B - Transistor-Impulsoszillator - Google Patents
Transistor-ImpulsoszillatorInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung elektrischer Impulse mit
Hilfe eines selbstschwingenden Transistors. Sie bezweckt, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, bei der
die Impulswiederholungsfrequenzen und die Impulsbreite nur wenig von den Transistoreigensdhaften
abhängig sind, und ist gekennzeichnet durch je einen im Emitter-Basis-Krei'S bzw. im Kollektorkreis eingeschalteten
und die Schaltung entdämpfenden Schwingungskreis, die wesentlich verschiedene Resonanzfrequenzen
besitzen, wobei der Schwingungskreis mit der tieferen Resonanzfrequenz praktisch nur die
Impulswiederholungsfrequenz bestimmt und die Impulsbreite etwa gleich der halben Srihwingungsperiode
des anderen, stärker gedämpften Sohwingungskreises ist.
Es sei dabei bemerkt, daß es zur Erzeugung sinusförmiger Schwingungen an sich bekannt ist, in einen
oder in beide der erwähnten Kreise Resonanzkreise mit im letzteren Falle praktisch gleichen Resonanzfrequenzen
einzufügen, während zur Erzeugung impulsförmiger Schwingungen bisher Schaltungsanordnungen verwendet wurden, bei der die Transistorelektroden
über aperiodische, z. B. i?C-Netzwerke
miteinander verbunden sind, in welchem Falle jedoch die Transistor-Parameter eine wichtige oder
sogar eine vorwiegende Rolle spielen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 eine erste Abart und
Fig. 2 eine zweite Abart einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung darstellt; in
Fig. 3 ist die erzeugte Schwingung als Funktion der Zeit t aufgetragen.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 1 enthält einen Transistor 1 des Stromverstärkungstyps, z. B. einen
Spitzenkontakttransistor, bei dem also das Verhältnis zwischen der Kollektorstromänderung und der zugehörigen
Emissionsstromänderung größer als 1 ist. Der Transistor 1 wird auf bekannte Weise zum
Selbstschwingen gebracht, da der Basiskreis einen verhältnismäßig hohen Widerstand^ und der Emissionskreis
einen Reihenresonanzkreis 3 enthält, dessen Resonanzfrequenz etwa gleich der Wiederholungsfrequenz der zu erzeugenden Impulse ist.
Da gemäß der Erfindung der Kollektorkreis einen zweiten Resonanzkreis 4 enthält, dessen Resonanzfrequenz
sich wesentlich von der des Kreises 3 unterscheidet, und zwar mindestens einige Male höher ist,
werden bei richtiger Wahl der Dämpfungen der Kreise 3 und 4 impulsförmige Schwingungen erzeugt,
die in Fig. 3 als Funktion der Zeit t aufgetragen sind und deren Impulswiederholungsfrequenz praktisch nur
durch die Resonanzfrequenz des Kreises 3 und deren Transistor-Impulsoszillator
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 10. Oktober 1953
Niederlande vom 10. Oktober 1953
Pieter Freerk Moleman
und Jacobus Petrus Beyersbergen, Eindhoven
und Jacobus Petrus Beyersbergen, Eindhoven
(Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
Impulsbreite durch die Resonanzfrequenz des Kreises 4 bedingt wird. Der Kreis 4 hat dabei eine niedrigere
Kreisgüte als der Kreis 3.
Diese Erscheinung dürfte dadurch erklärt werden, daß der Kreis 4t, der auch eine entdämpfende Wirkung
auf die Schaltung ausübt, die Schaltung generieren läßt, wobei gemäß Fig. 3 nur eine einzige Periode
einer Schwingung mit einer Frequenz etwa gleich der Resonanzfrequenz des Kreises 4 erzeugt wird und
diese Schwingung dann den Kreis 3 erregt, der an sich diese Schwingung unmittelbar nach dieser Periode
unterdrückt. Gewünschtenfalls kann man noch z. B.
mit Hilfe eines Gleichrichters gegebenenfalls in Reihe mit einer Schwellwertspannung (nicht dargestellt) den
gegebenenfalls unerwünschten Teil dieser Schwingung unterdrücken.
Vorzugsweise wird der Kreis 3 mit der niedrigeren Resonanzfrequenz in den Emissionekreis und der
Kreis 4 mit der höheren Resonanzfrequenz in den Kollektorkreis geschaltet, da infolge der inneren
Impedanzen des Transistors 1 scheinbar in Reihe mit dem Kreis 3 eine Induktivität auftritt, deren Wirkung
bei dieser Schaltungsanordnung wesentlich geringer ist als bei Umtausch der Kreise 3 und 4. Vorzugsweise
wird dabei die Induktivität des Kreises 3 möglichst groß gewählt.
Fig. 2 zeigt eine Abart der Schaltungsanordnung nach Fig. 1, bei der der Reihenresonanzkreis 3 im
Emissionskreis des Transistors durch einen Parallelresonanzkreis 6 im Basiskreis ersetzt ist. Im übrigen
ist die Wirkungsweise der Schaltung praktisch dieselbe.
709 589/88
Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel hatten die Schaltungselemente nach Fig. 2 folgende Werte:
Kreis 4 = 0,2 mH und 220OpF, Kreisgüte = 5, Resonanzfrequenz = 270 kHz, Kreis 6 = 3 mH und
000 pF, Kreisgüte = 100, Resonanzfrequenz = 28 kHz, Widerstand 7 = 1000 Ohm, Widerstand 8
= 1500 Ohm, Batterie 9 = 2 V, Batterie 10 = 30 V, Impulswiederholungsfrequenz = 27,8 kHz, Impulsbreite
= 2,1 ■ 10—6 Sekunden.
IO
Claims (6)
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung elektrischer Impulse mit Hilfe eines selbstschwingenden
Transistors, gekennzeichnet durch je einen im Emitter-Basis-Kreis und im KoMektorkreis eingeschalteten
und die Schaltung entdämpfenden Schwingungskreis, die wesentlich, verschiedene Resonanzfrequenzen
besitzen, wobei der Schwingungskreis mit der tieferen Resonanzfrequenz praktisch nur die Impulswiederholungsfrequenz
bestimmt und die Impulsbreite etwa gleich der halben Schwingungsperiode des anderen, stärker
gedämpften Schwingungskreises ist.
2. Schaliung'sano.rdtiung- nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der im Emitter-Basis-Kreis geschaltete Schwingungskreis die Impulswiederholungsfrequenz
bestimmt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit einem Transistor des Stromverstärkungstyps, dadurch
gekennzeichnet, daß der Basiskreis dieses Transistors einen Widerstand und sein Emitterkreis
einen Reihenschwingungskreis enthält.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit einem Transistor des Stromverstärkungstyps, dadurch
gekennzeichnet, daß der Basiskreis dieses Transistors einen Parallelschwingungskreis enthält.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet; daß der im Kollektor kreis
eingeschaltete Schwingungsfcreis ein Rejhenschwingungskreis
ist. :";
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen
Impulse einem der Elemente des Kollektorreihen-Schwingungskreises entnommen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 70958OT8 7.57
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL754187X | 1953-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1012638B true DE1012638B (de) | 1957-07-25 |
Family
ID=19825223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN9569A Pending DE1012638B (de) | 1953-10-10 | 1954-10-06 | Transistor-Impulsoszillator |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2784315A (de) |
| DE (1) | DE1012638B (de) |
| FR (1) | FR1109386A (de) |
| GB (1) | GB754187A (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3270339A (en) * | 1962-01-08 | 1966-08-30 | Varian Associates | Intruder alarm system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2058260A (en) * | 1935-01-10 | 1936-10-20 | Rca Corp | Oscillation generator |
| GB678317A (en) * | 1949-01-28 | 1952-09-03 | Rca Corp | Improvements in sine wave semi-conductor oscillators |
-
1954
- 1954-10-06 DE DEN9569A patent/DE1012638B/de active Pending
- 1954-10-07 GB GB28923/54A patent/GB754187A/en not_active Expired
- 1954-10-08 FR FR1109386D patent/FR1109386A/fr not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2784315A (en) | 1957-03-05 |
| FR1109386A (fr) | 1956-01-25 |
| GB754187A (en) | 1956-08-01 |
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