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DE1012638B - Transistor-Impulsoszillator - Google Patents

Transistor-Impulsoszillator

Info

Publication number
DE1012638B
DE1012638B DEN9569A DEN0009569A DE1012638B DE 1012638 B DE1012638 B DE 1012638B DE N9569 A DEN9569 A DE N9569A DE N0009569 A DEN0009569 A DE N0009569A DE 1012638 B DE1012638 B DE 1012638B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
transistor
oscillation
arrangement according
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN9569A
Other languages
English (en)
Inventor
Pieter Freerk Moleman
Jacobus Petrus Beyersbergen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1012638B publication Critical patent/DE1012638B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/282Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung elektrischer Impulse mit Hilfe eines selbstschwingenden Transistors. Sie bezweckt, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, bei der die Impulswiederholungsfrequenzen und die Impulsbreite nur wenig von den Transistoreigensdhaften abhängig sind, und ist gekennzeichnet durch je einen im Emitter-Basis-Krei'S bzw. im Kollektorkreis eingeschalteten und die Schaltung entdämpfenden Schwingungskreis, die wesentlich verschiedene Resonanzfrequenzen besitzen, wobei der Schwingungskreis mit der tieferen Resonanzfrequenz praktisch nur die Impulswiederholungsfrequenz bestimmt und die Impulsbreite etwa gleich der halben Srihwingungsperiode des anderen, stärker gedämpften Sohwingungskreises ist.
Es sei dabei bemerkt, daß es zur Erzeugung sinusförmiger Schwingungen an sich bekannt ist, in einen oder in beide der erwähnten Kreise Resonanzkreise mit im letzteren Falle praktisch gleichen Resonanzfrequenzen einzufügen, während zur Erzeugung impulsförmiger Schwingungen bisher Schaltungsanordnungen verwendet wurden, bei der die Transistorelektroden über aperiodische, z. B. i?C-Netzwerke miteinander verbunden sind, in welchem Falle jedoch die Transistor-Parameter eine wichtige oder sogar eine vorwiegende Rolle spielen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 eine erste Abart und
Fig. 2 eine zweite Abart einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung darstellt; in
Fig. 3 ist die erzeugte Schwingung als Funktion der Zeit t aufgetragen.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 1 enthält einen Transistor 1 des Stromverstärkungstyps, z. B. einen Spitzenkontakttransistor, bei dem also das Verhältnis zwischen der Kollektorstromänderung und der zugehörigen Emissionsstromänderung größer als 1 ist. Der Transistor 1 wird auf bekannte Weise zum Selbstschwingen gebracht, da der Basiskreis einen verhältnismäßig hohen Widerstand^ und der Emissionskreis einen Reihenresonanzkreis 3 enthält, dessen Resonanzfrequenz etwa gleich der Wiederholungsfrequenz der zu erzeugenden Impulse ist.
Da gemäß der Erfindung der Kollektorkreis einen zweiten Resonanzkreis 4 enthält, dessen Resonanzfrequenz sich wesentlich von der des Kreises 3 unterscheidet, und zwar mindestens einige Male höher ist, werden bei richtiger Wahl der Dämpfungen der Kreise 3 und 4 impulsförmige Schwingungen erzeugt, die in Fig. 3 als Funktion der Zeit t aufgetragen sind und deren Impulswiederholungsfrequenz praktisch nur durch die Resonanzfrequenz des Kreises 3 und deren Transistor-Impulsoszillator
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 10. Oktober 1953
Pieter Freerk Moleman
und Jacobus Petrus Beyersbergen, Eindhoven
(Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
Impulsbreite durch die Resonanzfrequenz des Kreises 4 bedingt wird. Der Kreis 4 hat dabei eine niedrigere Kreisgüte als der Kreis 3.
Diese Erscheinung dürfte dadurch erklärt werden, daß der Kreis 4t, der auch eine entdämpfende Wirkung auf die Schaltung ausübt, die Schaltung generieren läßt, wobei gemäß Fig. 3 nur eine einzige Periode einer Schwingung mit einer Frequenz etwa gleich der Resonanzfrequenz des Kreises 4 erzeugt wird und diese Schwingung dann den Kreis 3 erregt, der an sich diese Schwingung unmittelbar nach dieser Periode unterdrückt. Gewünschtenfalls kann man noch z. B.
mit Hilfe eines Gleichrichters gegebenenfalls in Reihe mit einer Schwellwertspannung (nicht dargestellt) den gegebenenfalls unerwünschten Teil dieser Schwingung unterdrücken.
Vorzugsweise wird der Kreis 3 mit der niedrigeren Resonanzfrequenz in den Emissionekreis und der Kreis 4 mit der höheren Resonanzfrequenz in den Kollektorkreis geschaltet, da infolge der inneren Impedanzen des Transistors 1 scheinbar in Reihe mit dem Kreis 3 eine Induktivität auftritt, deren Wirkung bei dieser Schaltungsanordnung wesentlich geringer ist als bei Umtausch der Kreise 3 und 4. Vorzugsweise wird dabei die Induktivität des Kreises 3 möglichst groß gewählt.
Fig. 2 zeigt eine Abart der Schaltungsanordnung nach Fig. 1, bei der der Reihenresonanzkreis 3 im Emissionskreis des Transistors durch einen Parallelresonanzkreis 6 im Basiskreis ersetzt ist. Im übrigen ist die Wirkungsweise der Schaltung praktisch dieselbe.
709 589/88
Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel hatten die Schaltungselemente nach Fig. 2 folgende Werte: Kreis 4 = 0,2 mH und 220OpF, Kreisgüte = 5, Resonanzfrequenz = 270 kHz, Kreis 6 = 3 mH und 000 pF, Kreisgüte = 100, Resonanzfrequenz = 28 kHz, Widerstand 7 = 1000 Ohm, Widerstand 8 = 1500 Ohm, Batterie 9 = 2 V, Batterie 10 = 30 V, Impulswiederholungsfrequenz = 27,8 kHz, Impulsbreite = 2,1 ■ 10—6 Sekunden.
IO

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung elektrischer Impulse mit Hilfe eines selbstschwingenden Transistors, gekennzeichnet durch je einen im Emitter-Basis-Kreis und im KoMektorkreis eingeschalteten und die Schaltung entdämpfenden Schwingungskreis, die wesentlich, verschiedene Resonanzfrequenzen besitzen, wobei der Schwingungskreis mit der tieferen Resonanzfrequenz praktisch nur die Impulswiederholungsfrequenz bestimmt und die Impulsbreite etwa gleich der halben Schwingungsperiode des anderen, stärker gedämpften Schwingungskreises ist.
2. Schaliung'sano.rdtiung- nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der im Emitter-Basis-Kreis geschaltete Schwingungskreis die Impulswiederholungsfrequenz bestimmt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit einem Transistor des Stromverstärkungstyps, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiskreis dieses Transistors einen Widerstand und sein Emitterkreis einen Reihenschwingungskreis enthält.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit einem Transistor des Stromverstärkungstyps, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiskreis dieses Transistors einen Parallelschwingungskreis enthält.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet; daß der im Kollektor kreis eingeschaltete Schwingungsfcreis ein Rejhenschwingungskreis ist. :";
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Impulse einem der Elemente des Kollektorreihen-Schwingungskreises entnommen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 70958OT8 7.57
DEN9569A 1953-10-10 1954-10-06 Transistor-Impulsoszillator Pending DE1012638B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL754187X 1953-10-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1012638B true DE1012638B (de) 1957-07-25

Family

ID=19825223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN9569A Pending DE1012638B (de) 1953-10-10 1954-10-06 Transistor-Impulsoszillator

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2784315A (de)
DE (1) DE1012638B (de)
FR (1) FR1109386A (de)
GB (1) GB754187A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3185940A (en) * 1961-07-06 1965-05-25 Gen Electric Complementary transistor negative resistance relaxation oscillator
US3270339A (en) * 1962-01-08 1966-08-30 Varian Associates Intruder alarm system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2058260A (en) * 1935-01-10 1936-10-20 Rca Corp Oscillation generator
GB678317A (en) * 1949-01-28 1952-09-03 Rca Corp Improvements in sine wave semi-conductor oscillators

Also Published As

Publication number Publication date
US2784315A (en) 1957-03-05
FR1109386A (fr) 1956-01-25
GB754187A (en) 1956-08-01

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