DE10054678A1 - Verfahren zur Herstellung eines ein- oder mehrdimensionalen Detektorarrays - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines ein- oder mehrdimensionalen DetektorarraysInfo
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Abstract
Zur Herstellung eines ein- oder mehrdimensionalen Detektorarrays (9; 15, 17; 70) zur Detektion elektromagnetischer Strahlung, insbesondere zur Detektion von Röntgenstrahlung, wird ein Schichtverbund (1) hergestellt. Dieser weist eine Sensorschicht (3) mit einem für die Strahlung empfindlichen Material (M) und eine Trägerschicht (5) auf. Zur Unterteilung der Sensorschicht (3) in einzelne voneinander isolierte Elemente (E11, E12, ...E1m, E21, ...Enm) werden Trennräume (7) in die Sensorschicht (3) eingebracht, indem Material (M) abgetragen wird. Vorzugsweise wird in die Trennräume (7) ein Reflektormaterial (R) eingebracht oder eingefüllt. Zur Herstellung mehrerer eindimensionaler Detektorarrays (70) wird eine durch die Trennräume (7) erzeugte Struktur matrixartig angeordneter Elemente (E11, E12, ...E1m, E21, ...Enm) in Zeilenstücke (52, 53, ...63) oder in Spaltenstücke zerlegt.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
eines ein- oder mehrdimensionalen Detektorarrays zur Detek
tion elektromagnetischer Strahlung, insbesondere zur Detekti
on von Röntgenstrahlung.
Für Computertomographengeräte oder für andere Geräte, in de
nen mittels Detektoren Röntgenstrahlung oder andere energie
reiche Strahlung detektiert werden muss, werden Leucht- oder
Szintillatorstoffe verwendet, welche die Röntgenstrahlung o
der energiereiche Strahlung in andere elektromagnetische
Strahlung transferieren, deren Spektralbereich dem menschli
chen Auge oder einem photoelektrischen Empfänger zugänglich
ist. Ein solches Szintillatormaterial, eine sogenannte UFC-
Keramik (Ultra-Fast-Ceramic), ist beispielsweise in US 5,296,163
beschrieben.
Zum Erzielen einer Ortsauflösung des Röntgensignals werden
Detektoren benötigt, die in mindestens einer Richtung struk
turiert sind.
Zur schnelleren Bildverarbeitung und aus Gründen der besseren
Ausnutzung des von einer Röntgenquelle abgestrahlten Strah
lenbündels ist es auch bekannt, einen Röntgendetektor derart
auszubilden, dass er entlang zweier senkrecht aufeinander
stehender Achsen strukturiert ist, so dass ein zweidimensio
nales Detektorarray gebildet ist. Solche zweidimensionalen
Arrays sind beispielsweise in US 5,440,129 und EP 0 819 406 A1
offenbart.
Die Herstellung von ein- oder mehrdimensionalen Detektorar
rays mit Leucht- oder Szintillationsstoff ist aufwendig und
verursacht, insbesondere bei hohen Stückzahlen, einen hohen
Fertigungsaufwand.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Herstellungs
verfahren für Detektorarrays zur Detektion elektromagneti
scher Strahlung anzugeben, mit dem solche Detektorarrays mit
geringem Aufwand herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs genannten
Art gemäß der Erfindung dadurch gelöst, dass
- a) ein Schichtverbund hergestellt wird, der eine Sensor schicht mit einem für die Strahlung empfindlichen Material und eine Trägerschicht aufweist, und
- b) das - zur Unterteilung der Sensorschicht in einzelne von einander isolierte Elemente - von der der Trägerschicht gegenüberliegenden Seite des Schichtverbunds ausgehend Trennräume in die Sensorschicht eingebracht werden, indem Material abgetragen wird.
Das Verfahren ist mit Vorteil fertigungstechnisch einfach
durchführbar. Die Trennräume können als Kanäle, Rillen oder
Nuten, insbesondere bis in die Trägerschicht hineinragend,
erzeugt werden. Sie können von einer Maschine in schnell auf
einander folgenden Arbeitsschritten parallel zueinander ein
gebracht werden. Eine Handhabung einzelner Sensorelemente ist
nicht erforderlich. Die Trennräume werden vorzugsweise durch
Sägen, Fräsen oder Erodieren eingebracht.
Vorzugsweise wird als für Strahlung empfindliches Material
ein Leucht- oder Szintillationsstoff verwendet, der insbeson
dere für Röntgenstrahlung empfindlich ist. Dadurch ist in
einfacher Weise ein Röntgendetektor herstellbar.
Nach einer bevorzugten Ausgestaltung enthält die Träger
schicht ein Reflektormaterial, das die von dem Leucht- oder
Szintillationsstoff emittierte Strahlung reflektiert.
Nach einer anderen bevorzugten Ausgestaltung wird in die
Trennräume ein Reflektormaterial eingefüllt, insbesondere
eingegossen. Es können insbesondere in vorteilhafter Weise
alle Trennräume in einem einzigen Arbeitsschritt gefüllt wer
den. Das eingefüllte Reflektormaterial ist insbesondere - wie
das Material der Trägerschicht - ein Material, das die von
dem Leucht- oder Szintillationsstoff emittierte Strahlung re
flektiert. Auf diese Weise sind die durch die Trennräume ge
bildeten Elemente nach vier Seiten hin und zur - von der Trä
gerschicht abgeschlossenen - Rückseite hin optisch voneinan
der bzw. von der Umgebung isoliert. Das bedeutet, dass Umge
bungslicht von fünf Seiten nicht in ein Element der Sensor
schicht eindringen kann, und dass andererseits von dem
Leucht- oder Szintillationsstoff in dem Element erzeugtes Lu
mineszenzlicht von fünf Seiten zurückreflektiert und an der
einzig offen verbleibenden Seite, beispielsweise zur Ankopp
lung eines Photodetektors, gesammelt wird. Außerdem ist durch
die mit Reflektormaterial gefüllten Trennräume ein Überspre
chen zwischen den einzelnen Elementen der Sensorschicht ver
mieden.
Nach einer besonders bevorzugten Ausgestaltung werden die
Trennräume, insbesondere als sich kreuzende Nuten, derart
eingebracht, dass eine Struktur matrixartig angeordneter Ele
mente gebildet wird.
Eine derartige matrixartige Struktur ist zur Herstellung ei
nes zweidimensionalen Detektorarrays verwendbar, wobei die
Elemente der Struktur als Sensorelemente verwendet werden.
Hierzu kann jedes der Elemente an seiner der Trägerschicht
abgewandten Seite, die bei Anbringen des genannten Reflektor
materials die einzige noch offene Seite darstellt, jeweils
mit einem photoelektrischen Empfänger, insbesondere mit einer
Photodiode, in Kontakt gebracht werden. Je eine Kombination
eines Sensorelements mit einem photoelektrischen Empfänger
bildet dann ein Detektorelement, das ausgangsseitig mit einer
Auswerteeinheit verbindbar ist.
Mit dem Verfahren nach der Erfindung können in vorteilhafter
Weise auch mehrere zweidimensionale Detektorarrays in einem
Arbeitsschritt hergestellt werden. Hierzu wird die Struktur
matrixartig angeordneter Elemente entsprechend groß gefertigt
und dann in mehrere matrixartige Teilstrukturen zerlegt.
Nach einer ganz besonders bevorzugten Ausführungsform wird
das Verfahren zur Herstellung mehrerer eindimensionaler De
tektorarrays angewandt. Hierzu wird die Struktur matrixartig
angeordneter Elemente in Zeilenstücke oder in Spaltenstücke
zerlegt, beispielsweise zersägt.
Die Zeilenstücke bzw. Spaltenstücke zur Herstellung eindimen
sionaler Detektorarrays sind in mehreren Varianten erhält
lich:
Nach einer ersten Variante werden die Zeilenstücke bzw. die Spaltenstücke gebildet, in dem die Struktur matrixartig ange ordneter Elemente entlang von mehreren, zueinander parallelen ersten Trennebenen geteilt wird, die nur durch die Trennräume verlaufen. Dabei wird vorzugsweise die Trennung entlang der Trennräume derart durchgeführt, dass beiderseits einer jeden Trennebene soviel Reflektormaterial stehen bleibt, wie zur Abschirmung der benachbarten Elemente der Sensorschicht nötig ist.
Nach einer ersten Variante werden die Zeilenstücke bzw. die Spaltenstücke gebildet, in dem die Struktur matrixartig ange ordneter Elemente entlang von mehreren, zueinander parallelen ersten Trennebenen geteilt wird, die nur durch die Trennräume verlaufen. Dabei wird vorzugsweise die Trennung entlang der Trennräume derart durchgeführt, dass beiderseits einer jeden Trennebene soviel Reflektormaterial stehen bleibt, wie zur Abschirmung der benachbarten Elemente der Sensorschicht nötig ist.
Allein bei Ausführung von Teilungen entlang solcher ersten
Trennebenen sind die Elemente der dadurch erhaltenen Spal
tenstücke bzw. Zeilenstücke als Sensorelemente Verwendbar.
Sie können an ihrer der Trägerschicht abgewandten Seite, die
nicht vom Reflektormaterial bedeckt ist, jeweils mit einem
photoelektrischen Empfänger, insbesondere mit einer Photodio
de, in Kontakt gebracht werden.
Nach einer zweiten Variante werden Zeilenstücke bzw. Spal
tenstücke gebildet, in dem die Struktur matrixartig angeord
neter Elemente entlang von mehreren, zueinander parallelen
zweiten Trennebenen geteilt wird, die jeweils zwischen zwei
ersten Trennebenen verlaufen und jeweils eine Zeile bzw. eine
Spalte in mehrere parallele Zeilenstücke bzw. Spaltenstücke
zertrennen. Die zweiten Trennebenen verlaufen vorzugsweise
parallel zu den ersten Trennebenen.
Während bei der ersten Variante beispielsweise n-Zeilenstücke
generierbar sind, falls die matrixartige Struktur n-Zeilen
aufweist, werden bei der zweiten Variante aus einer Struktur
mit n-Zeilen 2n-Zeilenstücke erzeugt. Bei der zweiten Varian
te ist es daher zweckmäßig, die Höhe der Zeilen (in Spalten
richtung) entsprechend größer zu wählen.
Vorzugsweise wird bei der zweiten Variante vor dem Zerlegen
in Zeilenstücke bzw. in Spaltenstücke an der der Träger
schicht gegenüber liegenden Seite des Schichtverbunds eine
Abdeckschicht aufgebracht, die vorzugsweise ein Reflektorma
terial enthält.
Auf diese Weise sind auch die gemäß der zweiten Variante er
zeugten Sensorelemente nach fünf Raumrichtungen hin abge
schirmt.
Eine offene, nicht abgeschirmte Seite bleibt bei der zweiten
Variante bei den Sensorelementen insbesondere an den zweiten
Trennebenen. Die nach der zweiten Variante erzeugten Zeilen
stücke bzw. Spaltenstücke werden daher vorzugsweise mit ihren
Elementen als Sensorelemente verwendet, in dem sie an den
zweiten Trennebenen jeweils mit einem photoelektrischen Emp
fänger, insbesondere mit einer Photodiode, in Kontakt ge
bracht werden.
Das für Strahlung empfindliche Material ist vorzugsweise eine
Leuchtstoffkeramik, insbesondere eine "Ultra-Fast-Ceramic"
(UFC-Keramik), beispielsweise eine solche wie sie in US 5,296,163,
Spalte 6, Zeile 50 bis Spalte 8, Zeile 32, be
schrieben ist.
Für die mit Reflektormaterial versehenen Bestandteile des
hergestellten Detektorarrays wird vorzugsweise ein diffus re
flektierendes oder streuendes Material, vorzugsweise weißer
Farbe, z. B. ein mit Titanoxid gefülltes Epoxidharz, verwen
det.
Das hergestellte Detektorarray ist mit Vorteil zur Detektion
von Röntgenstrahlung in einem Computertomographen verwendbar.
Bei der Verfahrensvariante zur Herstellung eines zweidimensi
onalen Detektorarrays werden dann die Zeilen und Spalten der
hergestellten Struktur matrixartig angeordneter Elemente in
ihrer Anzahl, Breite und Reihenfolge an die sogenannte z-
Richtung oder ϕ-Richtung des Computertomographen angepasst.
Drei Ausführungsbeispiele eines Herstellungsverfahrens nach
der Erfindung werden nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 9
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen ersten Verfahrensschritt 2u allen drei Ausfüh
rungsbeispielen,
Fig. 2 einen zweiten Verfahrensschritt zu allen drei Ausfüh
rungsbeispielen,
Fig. 3 einen dritten Verfahrensschritt bezogen auf ein erstes
und ein zweites Ausführungsbeispiel,
Fig. 4 einen vierten Verfahrensschritt bezogen auf das zweite
Ausführungsbeispiel,
Fig. 5 einen dritten Verfahrensschritt bezogen auf ein drittes
Ausführungsbeispiel,
Fig. 6 einen vierten Verfahrensschritt bezogen auf das dritte
Ausführungsbeispiel,
Fig. 7 einen fünften Verfahrensschritt bezogen auf das dritte
Ausführungsbeispiel,
Fig. 8 einen sechsten Verfahrensschritt bezogen auf das dritte
Ausführungsbeispiel und
Fig. 9 ein nach dem dritten Ausführungsbeispiel hergestelltes
eindimensionales Detektorarray.
Fig. 1 zeigt einen Schichtverbund 1, der aus einer einstücki
gen planparallel geläppten Leuchtstoffscheibe oder Sensor
schicht 3 besteht, die einseitig mit einer ca. 0,5 mm dicken
Trägerschicht 5, die ein Reflektormaterial R enthält, verse
hen wurde. Die Trägerschicht 5 kann durch Aufgießen, bei
spielsweise durch Aufgießen mit einem Epoxidharz oder Kunst
harz, dem als Füllstoff weißes Titanoxid beigemengt wurde,
durch Aufkleben einer reflektierenden Folie oder durch Auf
kleben eines weißen keramischen Materials geschehen. Die Sen
sorschicht 3 enthält strahlungsempfindliches Material M.
In einem zweiten in Fig. 2 dargestellten Verfahrensschritt
wird die Sensorschicht 3 durch Sägen, Erodieren oder ein an
deres Abtragungsverfahren in eine gewünschte Arraystruktur
gebracht. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wurden entlang einer
- senkrecht auf der Zeichenebene stehenden - Richtung des
Schichtverbunds 1 insgesamt vierzehn Trennräume 7 einge
bracht, die als Sägeschlitze oder Kanäle ausgebildet sind und
sich bis in die Trägerschicht 5 erstrecken.
Es werden auch senkrecht zu der genannten ersten Richtung
verlaufende und die in Fig. 2 ersichtlichen Nuten kreuzende -
weitere Nuten oder Schlitze in die Sensorschicht 3 einge
bracht, so dass eine Struktur matrixartig angeordneter Ele
mente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm gebildet wird. Dieser drit
te Verfahrensschritt ist im Ergebnis in der Draufsicht 8 der
Fig. 3 ersichtlich.
Je nach Anzahl, Folge und Abstand der eingebrachten Kanäle
weist die gebildete Matrix Zeilen und Spalten gleicher Breite
auf (siehe Fig. 5) oder Zeilen und Spalten variierender Breite
(siehe Fig. 3).
In die Trennräume 7 wird ein Reflektormaterial R enthaltendes
Füllmaterial, beispielsweise mit Titanoxid vermengtes Kunst
harz, eingegossen. Dabei wird soviel Füllmaterial eingegos
sen, dass die Kanäle oder Trennräume 7 überfüllt sind, d. h.
überlaufen, um einen Schrumpf des Füllmaterials beim nachfol
genden Aushärten zu berücksichtigen.
Als Ergebnis der vorgenannten Vorgehensweise wird gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel nach der Erfindung z. B. das in Fig.
3 in einer Draufsicht 8 auf den Schichtverbund 1 der Fig. 2
dargestellte zweidimensionale Detektorarray 9 erzeugt. Es be
steht aus 121 Elementen Eij (i: Zeilenindex, j: Spaltenindex)
mit einer Anzahl n = 11 an Zeilen und einer Anzahl m = 11 an
Spalten. Die n = 11 Zeilen sind im wesentlichen äquidistant
und von gleicher Breite und erstrecken sich - für die vorge
sehene Verwendung in einem Computertomographen - in dessen
sogenannte ϕ-Richtung. Die m = 11 Spalten weisen unterschied
liche Breiten auf und erstrecken sich in eine Richtung, die
als z-Richtung für den Computertomographen vorgesehen ist.
Die einzelnen Elemente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm des Detek
torarrays 9 der Fig. 3 sind nach den vier Raumrichtungen der
Zeichenebene der Fig. 3 und an der Rückseite von Reflektorma
terial R eingeschlossen. Der Einschluss mit Reflektormaterial
R kommt bei den randseitigen Elementen dadurch zustande, dass
durch mit Reflektormaterial R gefüllte Trennräume 7 in etwa
mittig Trennschnitte 6 ausgeführt wurden, mit denen randsei
tiges Material M abgetrennt wurde, und bei denen zur Abschir
mung benachbarter Elemente ausreichendes Reflektormaterial R
stehen blieb.
An der in der Draufsicht der Fig. 3 ersichtlichen Oberseite
sind die Elemente Eij offen. An dieser Oberseite werden sie
abgeschliffen, poliert und/oder geläppt, so dass auch über
schüssiges Reflektormaterial R abgetragen und ein gewünschtes
Dickenmaß erreicht ist. Anschließend wird an der offenen Sei
te jedes Elements Eij des Detektorarrays 9 jeweils ein (nicht
explizit dargestellter) photoelektrischer Empfänger in Kon
takt gebracht. Beispielsweise wird ein an die Matrixstruktur
des Detektorarrays 9 angepasstes Photodiodenarray aufgebracht,
so dass in einem Schritt alle Elemente E11, E12,
. . . E1m, E21, . . . Enm kontaktiert werden.
Nach dem Aushärten der Trägerschicht 5 wird sie bis auf ca.
0,3 mm abgeschliffen.
Bei dem in Fig. 4 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel
wurde gemäß den vorgenannten Schritten 1-3 (Fig. 1-Fig. 3)
eine größere Matrixstruktur mit einer größeren Anzahl von E
lementen hergestellt, die nunmehr in einem vierten Schritt
durch Trennen entlang einer Linie 10 in zwei matrixartige
Teilstrukturen 11, 13 zerlegt wird, so dass insgesamt zwei
zweidimensionale Detektorarrays 15, 17 gebildet werden.
Mit dem beschriebenen Herstellungsverfahren sind ohne großen
Aufwand zweidimensionale Detektorarrays für einen Computerto
mographen herstellbar, wobei die Strukturierung sehr flexibel
wählbar und präzise ausführbar ist. Die Verfahren sind insbe
sondere für kleinere und mittlere Stückzahlen sehr kosten
günstig.
Ein drittes Ausführungsbeispiel wird nachfolgend anhand der
Fig. 5 bis 9 erläutert. Es zielt auf die Herstellung ein
dimensionaler Detektorarrays ab.
In Fig. 5 ist in Draufsicht 8 (Fig. 2) eine gemäß den Fig. 1
und 2 und den vorgenannten Schritten 1 bis 3 hergestellte
Struktur matrixartiger Elemente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm
dargestellt, die entlang der Matrixachsen x, y 8 Zeilen bzw.
16 Spalten aufweist. In diesem Zustand sind zumindest die in
nenliegenden Elemente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm (n = 6,
m = 14) nach fünf Raumrichtungen hin optisch abgeschirmt und
an der in der Draufsicht der Fig. 5 ersichtlichen Oberseite
offen. Trennschnitte wie in Fig. 2 (Bezugszeichen 6) wurden
bei diesem Beispiel in diesem Stadium noch nicht durchge
führt.
Das Ausgießen der Trennräume 7 in einer Gießform kann auch
derart vorgenommen werden, dass auch die außenliegenden Ele
mente randseitig mit Reflektormaterial R bedeckt werden. Dann
wären alle 8 × 16 Elemente nach 5 Raumrichtungen hin optisch
abgeschirmt.
In einem folgenden vierten Schritt wird, wie in Fig. 6 darge
stellt, eine Abdeckschicht 21 (Dicke ca. 0,6 mm) mit Reflek
tormaterial R auf die noch offene Oberseite aufgebracht, so
dass die innenliegenden Elemente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm
mit strahlungsempfindlichem Material M nunmehr allseitig von
Reflektormaterial R umgeben sind. Das Aufbringen der Abdeck
schicht 21 kann in einem Arbeitsgang zusammen mit dem Auffül
len der Trennräume 7 geschehen, indem z. B. in einer Silicon
gießform ein entsprechendes Gießharz unter Auffüllen der
Trennräume 7 und Anbringen der Abdeckschicht 21 eingegossen
wird. Nach dem Eingießen wird in einem Nachbearbeitungs
schritt ein eventueller Überschuss an Reflektormaterial R ab
getragen und durch Schleifen oder Polieren die gewünschte Di
cke von ca. 0,3 mm und die gewünschte Oberflächenqualität
eingestellt.
Wie in Fig. 7 veranschaulicht, wird anschließend in einem
fünften Schritt an den vier Kanten jeweils unter Bildung ei
nes Randstreifens 23 die Abdeckschicht 21 abgetragen, so dass
die darunter liegende Matrixstruktur mit den Enden ihrer Zei
len und Spalten sichtbar wird.
Fig. 8 zeigt, wie im nachfolgenden sechsten Schritt der
Schichtverbund 1 der Fig. 7 durch Zerschneiden in y-Richtung
entlang erster Trennebenen 31, 33, 35 und zweiter Trennebenen
41, 43 und 45 in insgesamt 12 Zeilenstücke 52, 53 . . . 63 zer
schnitten wird. Hierbei ist zur Erhöhung der Anschaulichkeit
die Abdeckschicht 21 transparent dargestellt. Die Zeilenstü
cke 52, 53 . . . 63 werden jeweils als zusammenhängendes Einzel
stück abgeschnitten, wobei abwechselnd ein Schnitt entlang
einer der ersten Trennebenen 31, 33, 35 und entlang einer der
zweiten Trennebenen 41, 43, 45 vorgenommen wird. Die ersten
Trennebenen 31, 33, 35 verlaufen ausschließlich durch die
Trennräume 7 und parallel zu den eingesägten Kanälen oder
Schlitzen. Die zweiten Trennebenen 41, 43, 45 werden parallel
zu den ersten Trennebenen 31, 33, 35 ausgerichtet und führen
zur Zerteilung je eines Elements E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm
in zwei Teile. Mit anderen Worten: Die innenliegenden n = 6
Zeilen werden in 12 parallele Zeilenstücke 52, 53 bis 63 ge
trennt. Aus diesem Grunde wurde der Abstand der Trennräume 7
zwischen zwei Zeilen i derart gewählt, dass er in etwa dem
zweifachen der möglichen Höhe h eines Sensorelements ent
spricht, wobei die Schnittbreite der zweiten Trennebenen 41,
43, 45 und die Breite der Trennräume 7 berücksichtigt wurde.
Die ersten Trennebenen 31, 33, 35 werden derart entlang der
Trennräume 7 geführt, dass beidseitig noch ausreichend Re
flektormaterial R zur Abschirmung der benachbarten entstehen
den Sensorelemente stehen bleibt. Die zweiten Trennebenen 41,
43, 45 durchtrennen die Elemente E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm
mittig. Durch die Schnitte entlang dieser zweiten Trennebenen
41, 43, 45 ergibt sich der Vorteil, dass die entstandenen
Leuchtstoffpixel oder Sensorelemente eine präzise Oberfläche
mit ausbruchsfreien Kanten aufweisen, da das strahlungsemp
findliche Material M in der Trennebene allseitig durch Re
flektormaterial R geschützt ist.
Vor dem Zerschneiden in y-Richtung werden in x-Richtung ent
lang von Linien 65, die parallel zu und in Trennräumen 7 ver
laufen, Abtrennungen derart vorgenommen, dass die Stirnseiten
des Schichtverbunds 1 noch mit Reflektormaterial R bedeckt
bleiben.
Mit dem Verfahren sind zeitsparend mehrere eindimensionale
Detektorarrays 70 herstellbar, wovon eines in Fig. 9 darge
stellt ist (m = 48). Eine Handhabung einzelner Pixel oder Pi
xelreihen ist nicht erforderlich. Die gewünschten Arraystruk
turen sind mit einer Präzision von etwa +/-0,010 mm herstellbar.
Das eindimensionale Detektorarray 70 der Fig. 9 ist
an fünf Seiten mit Reflektormaterial R umgeben und nur an der
in dieser Ansicht ersichtlichen Vorderseite, die den zweiten
Trennebenen 41, 43, 45 der Fig. 8 entspricht, optisch zugäng
lich. An dieser Vorderseite kann das als Zeilenstück entstan
dene eindimensionale Detektorarray 70 mit einer Zeile photo
elektrischer Empfänger, insbesondere mit einer Photodioden
zeile, kontaktiert werden.
Claims (13)
1. Verfahren zur Herstellung eines ein- oder mehrdimensiona
len Detektorarrays (9; 15, 17; 70) zur Detektion elektromag
netischer Strahlung, insbesondere zur Detektion von Röntgen
strahlung,
- a) wobei ein Schichtverbund (1) hergestellt wird, der eine Sensorschicht (3) mit einem für die Strahlung empfindlichen Material (M) und eine Trägerschicht (5) aufweist, und
- b) wobei - zur Unterteilung der Sensorschicht (3) in einzelne voneinander isolierte Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) - von der der Trägerschicht (5) gegenüberliegenden Seite des Schichtverbunds (1) ausgehend Trennräume (7) in die Sensor schicht (3) eingebracht werden, indem Material (M) abgetragen wird.
2. Verfahren nach Ansprüch 1,
wobei als für Strahlung empfindliches Material (M) ein
Leucht- oder Szintillationsstoff verwendet wird, der insbe
sondere für Röntgenstrahlung empfindlich ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
wobei die Trägerschicht (5) ein Reflektormaterial (R) ent
hält, das die von dem Leucht- oder Szintillationsstoff emit
tierte Strahlung reflektiert.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei in die Trennräume (7) ein Reflektormaterial (R) einge
bracht oder eingefüllt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die Trennräume (7), insbesondere als sich kreuzende Nu
ten, derart eingebracht werden, dass eine Struktur matrixar
tig angeordneter Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) ge
bildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
wobei - zur Herstellung eines zweidimensionalen Detektorar
rays (9) - die Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) als
Sensorelemente verwendet und optional an ihrer der Träger
schicht (5) abgewandten Seite jeweils mit einem photoelektri
schen Empfänger, insbesondere mit einer Photodiode, in Kon
takt gebracht werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6,
wobei - zur Herstellung mehrerer zweidimensionaler Detektor
arrays (15, 17) - die Struktur matrixartig angeordneter Ele
mente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) in mehrere matrixartige
Teilstrukturen (11, 13) zerlegt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 5,
wobei - zur Herstellung mehrerer eindimensionaler Detektorar
rays (70) - die Struktur matrixartig angeordneter Elemente
(E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) in Zeilenstücke (52, 53, . . ., 63)
oder in Spaltenstücke zerlegt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
wobei die Zeilenstücke (52, 53, . . .,63) bzw. die Spaltenstücke
gebildet werden, indem die Struktur matrixartig angeordneter
Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) entlang von mehreren,
zueinander parallelen ersten Trennebenen (31, 33, 35) geteilt
wird, die nur durch die Trennräume (7) verlaufen.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) der Spal
tenstücke bzw. der Zeilenstücke als Sensorelemente verwendet
und optional an ihrer der Trägerschicht (5) abgewandten Seite
jeweils mit einem photoelektrischen Empfänger, insbesondere
mit einer Photodiode, in Kontakt gebracht werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei Zeilenstücke (52, 53, . . ., 63) bzw. Spaltenstücke gebil
det werden, indem die Struktur matrixartig angeordneter Elemente
(E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) entlang von mehreren, zu
einander parallelen zweiten Trennebenen (41, 43, 45) geteilt
wird, die jeweils zwischen zwei ersten Trennebenen (31, 33,
35) verlaufen und jeweils eine Zeile (i) bzw. eine Spalte (j)
in mehrere parallele Zeilenstücke (52, 53, . . ., 63) bzw. Spal
tenstücke zertrennen.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
wobei vor dem Zerlegen in Zeilenstücke (52, 53, . . ., 63) bzw.
in Spaltenstücke an der der Trägerschicht (5) gegenüberlie
genden Seite des Schichtverbunds (1) eine Abdeckschicht (21)
aufgebracht wird, die vorzugsweise ein Reflektormaterial (R)
enthält.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12,
wobei die Elemente (E11, E12, . . . E1m, E21, . . . Enm) der Zeilen
stücke (52, 53, . . ., 63) bzw. der Spaltenstücke als Sensorele
mente verwendet und optional an den zweiten Trennebenen (41,
43, 45) jeweils mit einem photoelektrischen Empfänger, insbe
sondere mit einer Photodiode, in Kontakt gebracht werden.
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| DE10054678A DE10054678A1 (de) | 2000-11-03 | 2000-11-03 | Verfahren zur Herstellung eines ein- oder mehrdimensionalen Detektorarrays |
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Families Citing this family (13)
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|---|---|---|---|---|
| MXPA05000913A (es) * | 2002-07-23 | 2005-03-23 | Nutrinova Gmbh | Agente reductor de colesterol hecho a partir de fibra dietetica y sustancias reductoras de colesterol. |
| US8385499B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-02-26 | General Electric Company | 2D reflector and collimator structure and method of manufacturing thereof |
| US20110211667A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Abdelaziz Ikhlef | De-populated detector for computed tomography and method of making same |
| US8963097B2 (en) | 2010-07-06 | 2015-02-24 | Koninklijke Philips N.V. | Method for producing a scintillator array with silver (Ag) based spacers |
| CN103003717B (zh) | 2011-04-25 | 2015-09-30 | 日立金属株式会社 | 闪烁器阵列的制造方法 |
| WO2014065328A1 (ja) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | 日立金属株式会社 | 放射線検出器の製造方法 |
| JP6075028B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-02-08 | 東レ株式会社 | シンチレータパネル |
| EP3443387B1 (de) * | 2016-04-15 | 2022-06-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Auf einer oberfläche eines szintillators angeordnete lichtsensoren |
| CN112673286B (zh) | 2018-09-10 | 2024-11-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 双传感器子像素辐射探测器 |
| EP3690489A1 (de) | 2019-01-29 | 2020-08-05 | Koninklijke Philips N.V. | Subpixelstrahlungsdetektor mit doppeltem sensor |
| EP3620826A1 (de) | 2018-09-10 | 2020-03-11 | Koninklijke Philips N.V. | Mehrteiliger einschichtiger strahlungsdetektor |
| CN114586111A (zh) * | 2019-11-13 | 2022-06-03 | 株式会社东芝 | 闪烁器阵列、闪烁器阵列的制造方法、放射线检测器及放射线检查装置 |
| CN113970393B (zh) * | 2020-11-06 | 2024-10-22 | 钛深科技(深圳)有限公司 | 压力传感装置、电路、称重装置和压力分布检测系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3507734A (en) * | 1965-02-26 | 1970-04-21 | Isomet Corp | Process of making an imaging scintillation chamber |
| DE19842947A1 (de) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Strahlendetektors und ein somit hergestellter Strahlendetektor eines Computertomographen |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3936645A (en) * | 1974-03-25 | 1976-02-03 | Radiologic Sciences, Inc. | Cellularized Luminescent structures |
| US5179284A (en) * | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
| DE4224931C2 (de) | 1992-07-28 | 1995-11-23 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorkeramik und deren Verwendung |
| DE4334594C1 (de) | 1993-10-11 | 1994-09-29 | Siemens Ag | Detektor für energiereiche Strahlung |
| US5391879A (en) * | 1993-11-19 | 1995-02-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation detector |
| US5867554A (en) | 1996-06-20 | 1999-02-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Spiral scan computed tomography apparatus having a modular surface detector for radiation |
| US6143119A (en) * | 1997-04-09 | 2000-11-07 | Seidner; Marc A. | Composite moulding and method of making |
| JPH1117290A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層基板及びその製造方法 |
| US6245184B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-06-12 | General Electric Company | Method of fabricating scintillators for computed tomograph system |
-
2000
- 2000-11-03 DE DE10054678A patent/DE10054678A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-10-22 IL IL14609701A patent/IL146097A0/xx unknown
- 2001-11-01 JP JP2001336515A patent/JP2002236182A/ja not_active Withdrawn
- 2001-11-05 US US09/985,563 patent/US6793857B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3507734A (en) * | 1965-02-26 | 1970-04-21 | Isomet Corp | Process of making an imaging scintillation chamber |
| DE19842947A1 (de) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Strahlendetektors und ein somit hergestellter Strahlendetektor eines Computertomographen |
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| US6793857B2 (en) | 2004-09-21 |
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