DE10031115A1

DE10031115A1 - Halbleiterbauteil sowie Verfahren zur Messung seiner Temperatur

Info

Publication number: DE10031115A1
Application number: DE10031115A
Authority: DE
Inventors: Vincent Thierry
Original assignee: International Rectifier Corp USA
Current assignee: Infineon Technologies Americas Corp
Priority date: 1999-06-25
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2001-01-25
Also published as: US6300146B1; JP2001015655A; US6137165A

Abstract

Ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen (25) und ein Logik- und Schutzschaltungs-Halbleiterplättchen (30) sind zusammen auf einer gemeinsamen Leiterrahmen-Haupt-Auflagefläche (14) angeordnet, wie z. B. der Leiterrahmen-Auflagefläche eines TO220-Gehäuses. Das Logik- und Schutzschaltungs-Halbleiterplättchen (30) schließt einen MOSFET ein, der parallel zu dem Leistungs-MOSFET geschaltet ist, jedoch kleiner als der Leistungs-MOSFET ist und eine Verlustleistung aufweist, die einem vorgegebenen Bruchteil der Verlustleistung des Leistungs-MOSFET entspricht. Das Logik-und Schutzschaltungs-Halbleiterplättchen (30) schließt weiterhin einen Temperatursensor ein, der in enger Nähe zu dem MOSFET angeordnet ist und die Temperatur des MOSFET bestimmt. Das Halbleiterplättchen (30) schließt weiterhin einen weiteren Temperatursensor ein, der in Entfernung von dem MOSFET angeordnet ist, um die Temperatur des Leiterrahmens zu bestimmen. Die Temperatur des Leistungs-MOSFET kann aus der von diesen beiden Sensoren gemessenen Temperatur und aus dem Verhältnis der Verlustleistung der beiden MOSFETs bestimmt werden.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil sowie auf ein Verfahren zur Messung seiner Temperatur, und insbesondere auf ein Hybrid-Halbleiterbauteil mit einem Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen und einem Steuer- und Schutzschal tungs-Halbleiterplättchen sowie auf ein Verfahren zur Messung der Temperatur des Halbleiterbauteils und insbesondere des Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchens.

Bei einem derartigen Halbleiterbauteil ist ein integriertes Temperaturmeß- und Steuer- Halbleiterplättchen in dem gleichen Gehäuse angeordnet, wie das Leistungs-MOSFET- Halbleiterplättchen oder ein anderes Leistungs-Halbleiterbauteil mit MOS-Gate steuerung.

Die Ermittlung der Temperatur eines Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung ist sowohl unter Einschwingbedingungen als auch im eingeschwungenen Zustand äußerst wünschenswert, damit ein hoher Grad an Betriebszuverlässigkeit des Bauteils erzielt wird. Als Beispiel kann das Halbleiterbauteil bei einer vorgegebenen Halbleiter plättchen-Temperatur abgeschaltet werden. Weiterhin kann ein Überstromschutz als eine Funktion der Halbleiterplättchen-Temperatur und der Zeit erreicht werden.

Obwohl Steuer- und Schutzschaltungen in das gleiche monolithische Halbleiter plättchen integriert werden können, wie das Leistungsbauteil, um eine direkte Tempe raturmessung des Leistungsbauteils zu ermöglichen, sind derartige monolithische Bauteile kompliziert und der Herstellungsvorgang der diskreten einfacheren Leistungs bauteile wird kompliziert. Weiterhin besteht eine geringere Flexibilität bei der Auswahl der Steuerfunktionen, die zusammen mit dem Leistungs-Halbleiterbauteil integriert werden.

Es ist daher wünschenswert, ein diskretes Leistungshalbleiterbauteil zusammen mit einem getrennten Halbleiterplättchen, das die Steuer- und Schutzfunktionen einschließt, in einem gemeinsamen Gehäuse anzuordnen. Durch die Trennung der Steuer- und Schutzfunktionen von dem Leistungshalbleiterbauteil ist jedoch die Temperaturmeßschaltung in einer Entfernung von dem Leistungshalbleiterbauteil befestigt oder zusammen mit dem Leistungshalbleiterbauteil auf einem gemeinsamen Substrat befestigt, das einen relativ hohen Wärmewiderstand aufweist. Diese Trennung oder der thermische Widerstand verhindert, daß die Temperaturmeßschaltung in einfacher Weise die Temperatur der Grenzschichten des Leistungshalbleiterbauteils bestimmt. Weiterhin behindern die Trennung und der thermische Widerstand die Bestimmung der Temperatur bei Einschwingvorgängen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauteil bzw. ein Verfahren zu seiner Temperaturmessung zu schaffen, bei dem die Temperatur-Meßelemente in dem Steuer-Halbleiterplättchen in der Lage sind, genau und dynamisch die Temperatur des Leistungsbauteils zu bestimmen.

Diese Aufgabe wird durch die in den Patentansprüchen 1 bzw. 34 angegebenen Merk male gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Leistungshalbleiterbauteil geschaffen, das gemeinsam mit einem Steuer- und Temperaturmeß- (oder Logik-)Halbleiterplättchen in einem gemein samen Gehäuse angeordnet ist, wobei das Steuer- und Temperaturmeß- Halbleiterplättchen in ein kleines Leistungs-Halbleiterplättchen integriert ist, das kleiner als das Haupt-Leistungs-Halbleiterplättchen ist, jedoch ein thermisches Ansprech verhalten hat, das gleich dem des Leistungsbauteils oder ähnlich zu diesem ist. Das kleinere Leistungs-Halbleiterbauteil erwärmt die Logikelemente in einem Ausmaß, das proportional zur Erwärmung des Haupt-Leistungsbauteils ist. Temperatursensoren sind in das kleinere Halbleiterplättchen eingefügt, um die Temperatur des kleineren Bauteils sowie die des Substrates zu messen, das sowohl das Haupt-Halbleiterplättchen als auch das kleinere Halbleiterplättchen trägt, und diese Temperatursensoren liefern Signale an die Logikschaltungen in dem kleineren Halbleiterplättchen.

Bei der Durchführung der Erfindung können die Halbleiterbauteile zusammen in einem gemeinsamen Bauteilgehäuse angeordnet werden, das aus einem leitenden Leiter rahmen besteht, der einen Haupt-Auflagebereich und Anschlußstifte aufweist, die von einander getrennt sind. Der Haupt-Auflagebereich ist elektrisch mit zumindest einem der Anschlußstifte gekoppelt. Ein Formgehäuse kapselt den Leiterrahmen ein, und die Anschlußstifte erstrecken sich über eine äußere Begrenzung des vom Gehäuses hinaus und stehen für einen externen Anschluß zur Verfügung. Erste und zweite Halbleiterplättchen, die gegenüberliegende Oberflächen aufweisen, die jeweilige Elektroden enthalten, sind auf dem Haupt-Auflagebereich befestigt. Das erste Halb leiterplättchen besteht aus einem ersten Halbleiterbauteil, wie z. B. einem üblichen diskreten Leistungs-MOSFET oder einem anderen Leistungsbauteil mit MOS- Gatesteuerung. Das zweite Halbleiterplättchen umfaßt ein zweites Halbleiterbauteil, das ebenfalls ein Leistungs-MOSFET oder ein anderes Leistungsbauteil mit MOS- Gatesteuerung sein kann, wobei in diesem Halbleiterplättchen die Temperatursensoren und Logikschaltungen integriert sind und das Halbleiterplättchen wesentlich kleiner als das erste Bauteil ist. Ein erster Temperatursensor ist auf dem zweiten Halbleiter plättchen benachbart zu dem zweiten Halbleiterbauteil angeordnet, und ein zweiter Temperatursensor ist auf dem zweiten Halbleiterplättchen in einer Entfernung von dem zweiten Halbleiterbauteil angeordnet. Eine der gegenüberliegenden Oberflächen jedes der ersten und zweiten Halbleiterplättchen ist auf dem Haupt-Auflagebereich angeordnet und steht mit diesem in thermischem Kontakt. Zumindest das erste Halb leiterplättchen steht außerdem in elektrischem Kontakt mit dem Haupt-Auflagebereich. Die ersten und zweiten Halbleiterplättchen sind mit seitlichem Abstand voneinander angeordnet. Die gegenüberliegenden Oberflächen der ersten und zweiten Halb leiterplättchen sind elektrisch mit jeweiligen Anschlußstiften sowie miteinander derart verbunden, daß die Halbleiterbauteile parallel geschaltet sind.

Gemäß dieser Ausführungsform dient das kleinere MOSFET-Bauteil als ein Temperaturmeß-MOSFET, der parallel zu dem Haupt-Leistungs-MOSFET geschaltet ist. Ein erster Temperatursensor ist entweder innerhalb oder in enger Nähe zu dem Meß-MOSFET angeordnet, um die Temperatur des Meß-MOSFET zu bestimmen. Ein zweiter Temperatursensor ist auf dem Steuer- und Temperaturmeß-Halbleiterplättchen an einer entfernten Position bezüglich der Temperaturmeß-MOSFET-Zellen angeordnet, so daß die Temperatur des Leiterrahmens gemessen werden kann. Das Verhältnis der Verlustleistung des Temperaturmeß-MOSFET zu der Verlustleistung des Leistungs-MOSFET ist bekannt, und aus diesem Verhältnis und den gemessenen Temperaturen kann die Temperatur des Leistungs-MOSFET bestimmt werden.

Die Temperatursensoren können aus mehrfachen identischen Sensorelementen bestehen, wie z. B. in Serie geschalteten Polysilizium-Dioden, um die Bestimmung des gemessenen Wertes zu vereinfachen.

Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung wird die Temperatur des ersten Halbleiterbauteils des Halbleitergehäuses aus den Temperaturwerten bestimmt, die von den ersten und zweiten Temperatursensoren bestimmt werden.

Die vorliegende Erfindung bildet somit eine Form einer neuartigen "thermischen Spiegel"-Schaltung, die in einem gemeinsamen Gehäuse mit einem üblichen diskreten Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen angeordnet ist.

Somit steuert ein Logik-Halbleiterplättchen, das mit einem Herstellungsverfahren mit zehn Masken hergestellt werden kann, ein diskretes Halbleiterplättchen, das mit Hilfe von vier Masken hergestellt wird und von der Art sein kann, wie sie in dem US-Patent 5 795 793 beschrieben ist. Das gelöste Problem entsteht dadurch, daß das Logik- Halbleiterplättchen und der diskrete FET unterschiedliche Werte von R_DSON × Fläche aufweisen (beispielsweise 200 mΩ mm² für das Logik-Halbleiterplättchen und 100 mΩ mm² für den diskreten FET). Ein grundlegendes Konzept der Erfindung besteht darin, ein Ausgangssignal zu schaffen, das auf die Temperatur (T_FET) des Haupt-FET in der folgenden Form bezogen ist:

T_FET ≈ (K + 0.2)(T_SENSE - T_TAB) + T_TAB

worin:
K = ein Technologiefaktor (das Verhältnis von R_DSON × Fläche der zwei unterschiedlichen Technologien) ist. Der zusätzliche Faktor von 0,2 ergibt einen Ausgleich der lateralen Temperatur unterschiede in dem Logik-Halbleiterplättchen. Bei dem angegebenen Beispiel ist K gleich 2,0.
T_SENSE = die von einem kleinen MOSFET in dem Logik-Halbleiterplättchen hervorgerufene Temperatur, die die Logik-Halbleiterplättchen- Temperatur erzeugt.
T_TAB = die Temperatur der gemeinsamen Halterung der beiden Halb leiterplättchen ist.

Sobald T_FET 150°C (oder irgendeine andere vorgegebene Temperatur) erreicht, wird der FET abgeschaltet.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.

Die Erfindung wird nunmehr ausführlicher in der folgenden ausführlichen Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, in denen:

Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines üblichen Bauteilgehäuses vom Typ TO220 ist, in dem das Haupt-Halbleiterplättchen und das Logik-Halbleiterplättchen der Erfindung befestigt werden können,

Fig. 2 eine schematische weggeschnittene Draufsicht eines Leiterrahmens mit einem daran befestigten Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen und einem Logik- Halbleiterplättchen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist, der in dem Gehäuse nach Fig. 1 untergebracht werden kann,

Fig. 3 eine Querschnittsansicht des Leiterrahmens und der beiden Halbleiter plättchen nach Fig. 2 ist,

Fig. 4 ein Schaltbild ist, das die in dem Halbleiterplättchen nach den Fig. 2 und 3 enthaltenen Schaltungen zeigt,

Fig. 5 ein Schaltbild ist, das eine Polysiliziumdioden-Ausführung für die Tempe ratursensoren des Logik-Halbleiterplättchens nach Fig. 2 zeigt,

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht ist, die eine typische Anordnung der Tempe raturmeß-Polysiliziumdioden nach Fig. 5 innerhalb des MOSFET des Logik- Halbleiterplättchens zeigt.

Die vorliegende Erfindung ergibt ein neuartiges Halbleiterbauteil und ein Hybrid- Bauteilgehäuse, in dem ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen zusammen mit einem Steuer- und Schutzschaltungs-Halbleiterplättchen angeordnet ist, das einen kleineren Temperaturmeß-MOSFET einschließt. Das Halbleiterbauteilgehäuse ist typischerweise ein Bauteilgehäuse vom Typ TO220, obwohl irgendwelche anderen Halbleiterbauteil-Gehäuseformen ebenfalls verwendet werden können.

Es wird zunächst auf Fig. 1 Bezug genommen, in der ein übliches TO220-Gehäuse 10 für die Oberflächenmontage in einer schematischen weggeschnittenen Seiten ansicht gezeigt ist. Eine untere Oberfläche eines Halbleiterplättchens 18, wie z. B. eines Leistungs-Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung, ist mit einem metallischen Leiterrahmen-Auflagekissen 14 des Gehäuses verlötet, verklebt oder auf andere Weise an diesem angebracht. Das Auflagekissen oder die Auflagefläche 14 ergibt einen thermischen Kontakt mit dem Halbleiterplättchen 18 und kann einen elektrischen Anschluß an das Halbleiterbauteil ergeben. Ein oberer Anschluß, beispielsweise eine Source-Elektrode des Halbleiterplättchens 18, ist mit einem oder mehreren der Leiterrahmen-Anschlüsse 12 über Drahtkontaktierungsverbindungen 16 verbunden. Ein weiterer der Leiterrahmen-Anschlüsse, wie z. B. der Gate-Anschluß (der in Fig. 1 nicht gezeigt ist) ist über eine weitere (nicht gezeigte) Drahtkontaktierungsverbindung angeschlossen. Das Halbleiterplättchen 18 und ein Teil der Leiteranschlüsse 12 und der Platte 14 sind in einem Gehäusekörper eingekapselt, der typischerweise aus einem Kunstharz gebildet ist.

Die Fig. 2 und 3 zeigen ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen und ein Logik- und Schutzschaltungs-Halbleiterplättchen, die intern auf einer gemeinsamen Auflagefläche eines Leiterrahmens befestigt sind.

Als nächstes wird auf die Fig. 2 und 3 Bezug genommen, in denen in schema tischer Weise ein Leiterrahmen gezeigt ist, dessen Leiterrahmen-Aufnahmefläche 14 innerhalb des Isoliergehäuses 10 liegt. Die Aufnahmefläche 14 weist eine einstückige Ausgangs-Drain-Leitung 20 auf, die ebenso wie die Source-Leitung 12 und die Eingangs-Steuerleitung 21 das Isoliergehäuse 10 durchdringt, um zum Anschluß in einer Drei-Anschlußstift-Geometrie zur Verfügung zu stehen. Ein Leistungs-MOSFET- Halbleiterplättchen 25 ist an der Auflagefläche 14 beispielsweise durch Verlöten befestigt.

Das MOSFET-Halbleiterplättchen 25 ist ein übliches diskretes Leistungs-MOSFET- Halbleiterplättchen mit vertikaler Leitung, wie z. B. das Halbleiterplättchen, das in dem US-Patent 5 008 725 gezeigt ist. Die untere Drain-Elektrode dieses Halbleiter plättchens ist mit der Auflagefläche 14 über eine Lotschicht 26 verlötet oder auf andere Weise elektrisch und thermisch verbunden (Fig. 3). Das Halbleiterplättchen 25 kann irgendeine andere Art von Halbleiterplättchen mit MOS-Gatesteuerung sein, das in einem Herstellungsverfahren mit einer verringerten Anzahl von Masken hergestellt wird, verglichen mit der Anzahl von Maskenschritten, die erforderlich sind, um ein Halbleiterplättchen mit Logikschaltungselementen herzustellen. Typischerweise kann das Halbleiterplättchen 25 eine Breite von 4,318 mm (170 tausendstel Zoll) und eine Länge von 4,699 mm (185 tausendstel Zoll) sowie eine Dicke von 250 µm bei einem Einschaltwiderstand von 10 Milliohm und einer Sperrspannung von ungefähr 50 Volt haben. Das Halbleiterplättchen 25 hat weiterhin eine obere Source-Elektrode 27 und eine Gate-Elektrode 28.

In der Vergangenheit wurden die Temperatur messende Logikschaltungen in das Halbleiterplättchen 25 zu Temperaturmeßzwecken integriert. Dies macht die Herstel lung des Haupt-Leistungs-Halbleiterplättchens 25 jedoch sehr kompliziert, weil viele zusätzliche Herstellungsschritte erforderlich sind, wodurch die Kosten vergrößert werden.

Gemäß einem Grundgedanken der Erfindung ist ein wesentlich kleineres Hilfs- MOSFET- oder Logik-Halbleiterplättchen 30 (das in manchen Fällen als FET- oder Logik-MOSFET bezeichnet wird) parallel zu dem Haupt-FET 25 geschaltet und enthält die erforderliche integrierte Temperaturüberwachungsschaltung und andere Steuer schaltungen, die zu Messung der Temperatur und zur Durchführung einer hierauf ansprechenden Steuerung des Haupt-MOSFET 25 erforderlich sind. Das Logik- Halbleiterplättchen 30 weist eine wesentlich geringere Fläche (ungefähr die halbe Fläche) als das Haupt-Halbleiterplättchen 25 auf. Es enthält eine untere Drain- Elektrode, die mit der leitenden Auflagefläche 14, beispielsweise durch einen leitenden Epoxy-Kleber, verklebt ist, und eine Haupt-Source-Elektrode 31. Das Halbleiterplätt chen 30 kann eine Fläche von 0,889 mm (35 tausendstel Zoll) × 2,54 mm (100 tausendstel Zoll) und eine Dicke von ungefähr 400 µm aufweisen. Der Leistungsabschnitt des Halbleiterplättchens 30 kann die gleiche Geometrie wie das Haupt-Halbleiterplättchens 25 verwenden. Das Logik-Halbleiterplättchen hat jedoch einen hierin integrierten Logikbereich 33, wie dies weiter unten anhand der Fig. 4, 5 und 6 beschrieben wird.

Die Source 27 des MOSFET 25 ist mit der Source 31 des Logik-Halbleiterplättchens an dem FET 30 über einen aus Gold bestehenden Calvin-Kontaktierungsdraht 40 verbunden, und die Gate-Elektrode 41 des Halbleiterplättchens 30 ist mit der Gate- Elektrode 28 des MOSFET 25 über eine aus Gold bestehende Kontaktierungsdraht verbindung 42 verbunden.

Aluminium-Kontaktierungsdrähte 43 verbinden die Source 27 mit der Source-Anschluß leitung 12, und die Eingangs-Anschlußleitung 21 ist mit dem Eingang der integrierten Schaltung 33 in dem Halbleiterplättchen 25 über einen Kontaktierungsdraht 44 verbunden.

Es ist somit zu erkennen, daß der Haupt-MOSFET 25 und der Logik-MQSFET 30 parallel geschaltet sind, und daß die Gate-Elektrode 28 des MOSFET 25 in Abhängig keit von dem Ausgangssignal der integrierten Schaltung 33 gesteuert wird.

Damit kann entsprechend einem ersten Merkmal der Erfindung der Temperaturmeß vorgang in dem kleineren Logik-MOSFET 30 durchgeführt werden, der sich im wesentlichen proportional zu dem parallel geschalteten Haupt-MOSFET 25 erwärmt, so daß der Haupt-MOSFET 25 abgeschaltet werden kann, wenn eine Zieltemperatur gemessen wird.

Es wurde festgestellt, daß der Logik-MOSFET 30 sich nur auf ungefähr 80% der Temperatur des Haupt-MOSFET 25 erwärmt, und zwar teilweise in Abhängigkeit von den Verfahren, die zur Herstellung der MOSFETs verwendet werden. Somit hängt die Größe des Produktes von R_DSON × Halbleiterplättchen-Fläche für irgendeinen MOSFET von seinem Herstellungsverfahren ab. Die Größe R_DSON × Fläche für das zur Herstel lung des MOSFET-Halbleiterplättchens 25 verwendete Verfahren (beispielsweise das Verfahren, das in dem US-Patent 5 795 793 beschrieben ist) beträgt 100 mΩ mm², während diese Größe für das zur Herstellung des Logik-MOSFET 30 verwendete Verfahren (das SIV-Verfahren) 200 mΩ mm² beträgt. Somit ist:

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird die gemessene Temperatur an dem Halbleiterplättchen 30 an der Position der integrierten Schaltung IC 33 (nach folgend die Temperatur T_SENSE) so eingestellt, daß die Temperatur an der Kupferlasche 14 (nachfolgend T_TAB) zu der Temperatur der Oberseite des Haupt-MOSFET 25 (nachfolgend T_SENSE) durch die folgende Gleichung in Beziehung steht:

T_FET ~ 2.2 (T_SENSE - T_TAB) + T_TAB

Der Ausdruck "2.2" ist ein Technologiefaktor, bei dem das oben abgeleitete Verhältnis von 2 vergrößert wird, um die gemessene 80%ige Verringerung für das Logik- Halbleiterplättchen verglichen mit dem Haupt-Halbleiterplättchen zu berücksichtigen. Es wird angenommen, daß sich dieser Unterschied aufgrund des Unterschiedes des lateralen Temperaturgradienten in den zwei Halbleiterplättchen ergibt.

Fig. 4 ist ein Schaltbild der beiden MOSFETs 25 und 30, wobei die integrierte Schaltung 33 des MOSFET 30 in dem mit gestrichelten Linien umgebenen Block 33 gezeigt ist. Das Haupt-Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen 25 weist die externen Anschlüsse 12 und 20 nach Fig. 2 und die Gate-Elektrode 28 auf. Die Drain- Elektrode 50 des MOSFET 30 ist über das Substrat 10 in Fig. 3 mit der Drain- Elektrode 20 des MOSFET 25 verbunden, und die Source-Elektrode 31 des Logik- MOSFET 30 ist mit der Source-Elektrode 12 des MOSFET 25 verbunden. Die Gate- Elektroden 28 und 41 sind ebenfalls miteinander verbunden.

Das Eingangssignal an den Steueranschluß 21 ist mit einem Anschluß eines Treibers 52 verbunden und durch eine Zener-Diode 51 geschützt. Der Ausgang des Treibers 52 ist mit dem Gate-Anschluß 41 und den Gate-Anschlüssen von Strommeßzellen 53 verbunden, die in einer Stromspiegelschaltung mit dem Hauptkörper der Bauteilzellen 54 angeordnet sind. Der Ausgang V_SENSE ist dann mit einem Stromvergleicher 60 ver bunden, der ein Ausgangssignal an die integrierte Logikschaltung 61 erzeugt, die ein "Abschalt"-Signal an den Treiber 52 liefert, wenn der gemessene Strom irgendeinen vorgegebenen Wert übersteigt, wodurch die MOSFETs 25 und 30 abgeschaltet werden.

Die Temperatur-Sensorschaltung, die als eine Form eines "Temperaturspiegels" wirkt, hat zwei Temperaturquellen. T_TAB 70, die die Temperatur der Lasche oder der Auflagefläche 14 ist, und T_SENSE 71, die die Temperatur auf der Oberseite des MOSFET-Halbleiterplättchens 30 ist. Diese Temperatur kann beispielsweise durch Polysiliziumdioden gemessen werden, die in Fig. 6 gezeigt sind. Diese beiden Temperatursignale werden der integrierten Schaltung 73 zugeführt, die die Berechnung von T_FET (des MOSFET 25) aus der vorstehend beschriebenen Gleichung durchführt:

T_FET ≈ 2.2 (T_SENSE - T_TAB) + T_TAB

Dieser gemessene Wert wird dann mit einer vorgegebenen Auslösetemperatur, beispielsweise 150°C, verglichen, und erzeugt ein Ausgangssignal an die Logik schaltung 61 in diesem Zustand, wodurch beide MOSFETs 25 und 30 abgeschaltet werden.

Fig. 5 zeigt eine Temperatursensorschaltung zur Erzeugung des Übertemperatur signals von der Schaltung 73. So sind in Fig. 5 die Dioden 82 und 84 Polysilizium dioden, die entfernt oder weit fort von dem MOSFET 30 und auf der Lasche 14 ange ordnet sind. Diese Dioden sind in Serie mit einer Stromquelle 83 angeschaltet. Ihr Durchlaßspannungsabfall steht in Beziehung zu der Temperatur der Lasche oder Auf lagefläche.

Die Dioden 86, 88 und 90 sind ebenfalls Polysiliziumdioden auf der Oberseite der Oberfläche des Bereiches 41 des MOSFET 30, jedoch isoliert hiervon (Fig. 6), und sie sind in Serie mit einer Stromquelle 85 geschaltet. Der Ausgang jeder Kette von Dioden ist mit den Anschlüssen des Operationsverstärkers 92 verbunden, dessen Aus gangssignal auf die Temperaturdifferenz (T_SENSE - T_TAB) bezogen ist. Dieses Signal wird dann in der Schaltung 73 weiterverarbeitet, um die Berechnung von T_FET abzu schließen.

Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Ausführungsformen hiervon beschrieben wurde, sind vielfältige Abänderungen und Modifikationen und andere Anwendungen für den Fachmann erkennbar. Die vorliegende Erfindung ist daher nicht durch die vorstehende Beschreibung sondern lediglich durch die beigefügten Ansprüche beschränkt.

Claims

1. Halbleiterbauteil, das in einem Gehäuse (10) angeordnet ist, das einen leitenden Leiterrahmen mit einer Haupt-Auflagefläche (14) und ein Isoliergehäuse einschließt, dadurch gekennzeichnet, das das Halbleiterbauteil folgendes umfaßt:
ein erstes Halbleiterplättchen (25), das entgegegengesetzte Oberflächen auf weist, die jeweilige Elektroden enthalten, und das ein erstes Halbleiterbauteil bildet,
ein zweites Halbleiterplättchen (30), das entgegengesetzte Oberflächen aufweist, von denen zumindest eine zumindest eine Elektrode enthält, und das in einem Teil hiervon ein zweites Halbleiterbauteil enthält, das ein thermisches Ansprechverhalten aufweist, das dem des ersten Halbleiterbauteils entspricht,
einen ersten Temperatursensor, der auf dem zweiten Halbleiterplättchen (30) an einer Position benachbart zu dem zweiten Halbleiterbauteil angeordnet ist,
einen zweiten Temperatursensor, der auf dem zweiten Halbleiterplättchen an einer Position angeordnet ist, die weiter von dem zweiten Halbleiterbauteil entfernt ist, als der erste Temperatursensor,
wobei eine der entgegengesetzten Oberflächen jedes der ersten und zweiten Halbleiterplättchen auf der Haupt-Auflagefläche (14) im thermischen Kontakt mit dieser und in seitlichem Abstand voneinander angeordnet ist, wobei zumindest eine der entgegengesetzten Oberflächen des ersten Halbleiterplättchens (25) in elektrischem Kontakt mit der Haupt-Auflagefläche steht,
wobei die gegenüberliegenden der entgegengesetzten Oberflächen der ersten und zweiten Halbleiterplättchen (25, 30) elektrisch miteinander derart verbunden sind, daß die ersten und zweiten Halbleiterbauteile parallel miteinander verbunden sind.

2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter plättchen Halbleiterbauteile mit MOS-Gatesteuerung bilden.

3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterplättchen einen ersten MOSFET mit einer Source-Elektrode und einer Gate- Elektrode bildet, die in der gegenüberliegenden der entgegengesetzten Oberflächen angeordnet sind, und daß die Oberfläche des ersten Halbleiterplättchens, die in Kontakt mit dem Haupt-Auflagebereich (14) steht, eine Drain-Elektrode ist.

4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, bei dem das zweite Halbleiterplättchen (30) einen zweiten MOSFET mit einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Gate-Elektrode bildet, wobei zumindest die Source- und Gate-Elektroden in der gegen überliegenden der entgegengesetzten Oberfläche angeordnet sind, wobei die Source- Elektrode des zweiten MOSFET mit der Source-Elektrode des ersten MOSFET ver bunden ist und wobei die Gate-Elektrode des zweiten MOSFET mit der Gate-Elektrode des ersten MOSFET verbunden ist.

5. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß das Gehäuse ein Gehäuse von der Bauart TO220 ist.

6. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die ersten und zweiten Temperatursensoren jeweils aus zumindest einer Polysiliziumdiode bestehen.

7. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die ersten und zweiten Temperatursensoren jeweils aus einer jeweiligen Vielzahl von in Serie geschalteten Polysiliziumdioden bestehen.

8. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Temperatursensor in einem Graben angeordnet ist, der in dem zweiten Halbleiterplättchen ausgebildet ist.

9. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Temperatursensor die Temperatur des zweiten Halbleiter plättchens (30) mißt.

10. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Temperatursensor die Temperatur der Haupt-Auflagefläche (14) mißt.

11. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) einen Eingangsanschluß (21) ein schließt.

12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) eine Treiberschaltung (33) zum Einschalten und Ausschalten der ersten und zweiten Halbleiterplättchen (25, 30) als Funktion eines Eingangssignals einschließt, das dem Eingangsanschluß (21) zugeführt wird.

13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) weiterhin eine Logikschaltung zur Bestimmung der Temperatur des ersten Halbleiterbauteils aus den ersten und zweiten Temperatur werten, die von den ersten bzw. zweiten Temperatursensoren gemessen werden, und zur Lieferung eines Steuersignals an die Treiberschaltung als eine Funktion der fest gestellten Temperatur des ersten Halbleiterplättchens umfaßt.

14. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Verlustleistung des zweiten Halbleiterbauteils kleiner als die des ersten Halbleiterbauteils ist.

15. Halbleiterbauteil mit einem leitenden Leiterrahmen, der eine Haupt-Auflagefläche (14) und eine Anzahl von Anschlußstiften (12, 21, 20) aufweist, die voneinander getrennt sind, wobei die Haupt-Auflagefläche elektrisch mit zumindest einem (20) der Anzahl von Anschlußstiften gekoppelt ist, gekennzeichnet durch:
ein erstes Halbleiterplättchen (25), das entgegengesetzte Oberflächen aufweist, die jeweilige Elektroden enthalten, und das ein erstes Halbleiterbauteil enthält,
ein zweites Halbleiterplättchen (30), das entgegengesetzte Oberflächen aufweist, von denen zumindest eine zumindest eine Elektrode enthält, und das ein zweites Halbleiterbauteil mit einem thermischen Ansprechverhalten bildet, das dem des ersten Halbleiterbauteils entspricht, wobei ein erster Temperatursensor auf dem zweiten Halbleiterplättchen (30) zumindest benachbart zu dem zweiten Halbleiterbauteil ange ordnet ist und ein zweiter Temperatursensor auf dem zweiten Halbleiterplättchen entfernt von dem zweiten Halbleiterbauteil angeordnet ist,
wobei eine der entgegengesetzten Oberflächen jedes der ersten und zweiten Halbleiterplättchen (25, 30) auf der Haupt-Auflagefläche (14) und in thermischem Kontakt mit dieser und mit seitlichem Abstand voneinander angeordnet ist, wobei die eine der entgegengesetzten Oberflächen des ersten Halbleiterplättchens (25) in elektrischem Kontakt mit der Haupt-Auflageflächen (14) steht,
wobei die gegenüberliegenden der entgegengesetzten Oberflächen der ersten und zweiten Halbleiterplättchen (25, 30) elektrisch mit jeweiligen der Anschlußstifte (12, 21) und miteinander derart verbunden sind, daß die ersten und zweiten Halbleiter bauteile parallel geschaltet sind, und
ein Formgehäuse zum Einkapseln des Leiterrahmens und des ersten und des zweiten Halbleiterplättchens (25, 30) und der Kontaktierungsdrähte (40, 42, 43, 44),
wobei sich die Anschlußstifte (12, 20, 21) über eine Außenkante des Formge häuses (10) hinaus erstrecken und für einen externen Anschluß zur Verfügung stehen.

16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter plättchen (25, 30) zumindest jeweilige Halbleiterbauteile mit MOS-Steuerung ein schließen.

17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung ein erster MOSFET mit einer Source- Elektrode und einer Gate-Elektrode ist, die in der gegenüberliegenden der entgegen gesetzten Oberflächen angeordnet sind, und daß die Oberfläche des ersten Halbleiter plättchens, die im Kontakt mit der Haupt-Auflagefläche (14) steht, die Drain-Elektrode ist, wobei die Source-Elektrode des ersten MOSFET mit einem entsprechenden (12) der Anschlußstifte verbunden ist.

18. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 15-17, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung einen zweiten MOSFET mit einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Gate-Elektrode einschließt, daß zumindest die Source- und Gate-Elektroden in der gegenüberliegenden der entgegen gesetzten Oberflächen angeordnet sind, daß die Source-Elektrode des zweiten MOSFET mit der Source-Elektrode des ersten MOSFET verbunden ist, und daß die Gate-Elektrode des zweiten MOSFET mit der Gate-Elektrode des ersten MOSFET verbunden ist.

19. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 15-18, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl von Stiften (12, 20, 21) zumindest einen ersten Anschlußstift (20), der einstückig mit der Haupt-Auflageflächen (14) ausgebildet ist und sich von einer Kante hiervon erstreckt, und zumindest zwei zweite Anschlußstifte (12, 21) einschließt, die von der Haupt-Auflagefläche (14) getrennt sind.

20. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Anschlußstifte (12, 21) entlang der Kante der Haupt-Auflagefläche (14) angeordnet sind, der den ersten Anschlußstift (20) enthält.

21. Halbleiterbauteil nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Form gehäuse (10) ein Gehäuse von der TO220-Bauart bildet.

22. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 19-21, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der zweiten Anschlußstifte elektrisch mit dem ersten Halbleiter plättchen (25) verbunden ist, und daß ein weiterer der zweiten Anschlußstifte elektrisch mit dem zweiten Halbleiterplättchen (30) verbunden ist.

23. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 19-22, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) einen Eingangsanschluß aufweist, der elektrisch mit einem jeweiligen (21) der Anschlußstifte verbunden ist.

24. Halbleiterbauteil nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) eine Treiberschaltung (52) zum Ein- und Ausschalten der ersten und zweiten Halbleiterplättchen (25, 30) als Funktion eines Eingangssignals einschließt, das dem Eingangsanschluß (21) zugeführt wird.

25. Halbleiterbauteil nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterplättchen (30) weiterhin eine Logikschaltung (60, 73) zur Bestimmung der Temperatur des ersten Halbleiterplättchens (25) aus den ersten und zweiten Tempe raturwerten, die von dem ersten bzw. zweiten Temperatursensor gemessen werden, und zur Lieferung eines Steuersignals an die Treiberschaltung (52) als Funktion der ermittelten Temperatur des ersten Halbleiterplättchens (25) aufweist.

26. Integriertes Schaltungsbauteil, das in einem Halbleiterplättchen ausgebildet ist, das entgegengesetzte Oberflächen aufweist, von denen zumindest eine eine Elektrode enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte Schaltungsbateil folgendes umfaßt:
ein Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung
einen ersten Temperatursensor, der auf dem Halbleiterplättchen benachbart zu dem Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung angeordnet ist, um die Temperatur des Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung zu messen, und
einen zweiten Temperatursensor, der auf dem Halbleiterplättchen in Entfernung von dem Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung angeordnet ist, um die Temperatur eines Substrates zu messen, auf dem das Halbleiterplättchen befestigt ist.

27. Schaltungsbauteil nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß das Halb leiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung ein MOSFET mit einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Gate-Elektrode ist, und daß zumindest die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode des MOSFET in einer der entgegengesetzten Oberflächen des Halbleiterplättchens ausgebildet sind.

28. Schaltungsbauteil nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Temperatursensoren jeweils aus zumindest einer Polysiliziumdiode bestehen.

29. Schaltungsbauteil nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Temperatursensoren jeweils aus einer jeweiligen Vielzahl von in Serie geschalteten Polysiliziumdioden bestehen.

30. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 26-29, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Temperatursensor in einem Graben angeordnet ist, der in dem Halbleiter bauteil mit MOS-Gatesteuerung angeordnet ist.

31. Schaltungsbauteil nach einem der Ansprüche 26-30, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Oberfläche des Halbleiterplättchens einen Eingangsanschluß einschließt.

32. Schaltungsbauteil nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß das Halb leiterplättchen eine Treiberschaltung zum Ein- und Ausschalten zumindest des genannten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung als Funktion eines Eingangs signals einschließt, das dem Eingangsanschluß zugeführt wird.

33. Schaltungsbauteil nach Anspruch 32, gekennzeichnet durch eine Logikschaltung zur Bestimmung der Temperatur eines entfernt angeordneten zweiten Halbleiter bauteils mit MOS-Gatesteuerung aus ersten und zweiten Temperaturwerten, die von dem ersten bzw. zweiten Temperatursensor gemessen werden, und zur Lieferung eines Steuersignals an die Treiberschaltung als eine Funktion der ermittelten Tempe ratur des weiteren Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung, wobei das Halbleiter bauteil mit MOS-Gatesteuerung und das entfernt angeordnete zweite Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung auf einem gemeinsamen thermisch leitenden Substrat (14) angeordnet sind.

34. Verfahren zur Bestimmung der Temperatur eines ersten Halbleiterbauteils, das in einem Bauteilgehäuse angeordnet ist, das aus einem leitenden Leiterrahmen mit einer Haupt-Auflagefläche besteht, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Anordnen eines ersten Halbleiterplättchens auf der Haupt-Auflagefläche, wobei das erste Halbleiterplättchen entgegengesetzte Oberflächen aufweist, die jeweilige Elektroden enthalten, derart, daß eine der entgegengesetzten Oberflächen des ersten Halbleiterplättchens auf der Haupt-Auflagenfläche angeordnet ist und mit dieser in elektrischen und thermischen Kontakt steht, wobei das erste Halbleiterplättchen das erste Halbleiterbauteil bildet, und
Anordnen eines zweiten Halbleiterplättchens auf der Haupt-Auflagefläche, wobei das zweite Halbleiterplättchen entgegengesetzte Oberflächen aufweist, von denen zumindest eine zumindest eine Elektrode enthält, derart, daß eine der entgegengesetzten Oberflächen des zweiten Halbleiterplättchens auf der Haupt- Auflagefläche angeordnet ist, mit dieser in thermischem Kontakt steht und mit Abstand von dem ersten Halbleiterplättchen angeordnet ist, wobei das zweite Halbleiterplättchen ein zweites Halbleiterbauteil bildet, das ein thermisches Ansprech verhalten aufweist, das dem des ersten Halbleiterbauteils entspricht, wobei ein erster Temperatursensor auf dem zweiten Halbleiterplättchen zumindest benachbart zu dem zweiten Halbleiterbauteil angeordnet ist und ein zweiter Temperatursensor auf dem zweiten Halbleiterplättchen entfernt von dem zweiten Halbleiterbauteil mit MOS- Gatesteuerung angeordnet ist,
elektrisches Verbinden der gegenüberliegenden der entgegengesetzten Ober flächen der ersten und zweiten Halbleiterplättchen miteinander derart, daß die ersten und zweiten Halbleiterbauteile parallel geschaltet sind,
Bestimmen eines ersten Temperaturwertes, der die Temperatur des zweiten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung darstellt, unter Verwendung des ersten Temperatursensors,
Bestimmen eines zweiten Temperaturwertes, der die Temperatur der Haupt- Auflagefläche darstellt, unter Verwendung des zweiten Temperatursensors, und
Bestimmen der Temperatur des ersten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung aus den ersten und zweiten Temperaturwerten.

35. Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauteile Halbleiterbauteile mit MOS-Gatesteuerung sind.

36. Verfahren nach Anspruch 34 oder 35, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung ein erster MOSFET mit einer Source- Elektrode und einer Gate-Elektrode ist, die in der gegenüberliegenden der entgegen gesetzten Oberflächen angeordnet sind, und daß die Oberfläche des ersten Halbleiterplättchens, die mit der Haupt-Auflagefläche in Kontakt steht, die Drain- Elektrode ist.

37. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung ein zweiter MOSFET mit einer Source- Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Gate-Elektrode ist, daß zumindest die Source- und Gate-Elektroden in der gegenüberliegenden der entgegengesetzten Ober flächen angeordnet sind, daß die Source-Elektrode des zweiten MOSFET mit der Source-Elektrode des ersten MOSFET verbunden ist, und daß die Gate-Elektrode des zweiten MOSFET mit der Gate-Elektrode des ersten MOSFET verbunden ist.

38. Verfahren nach einem der Ansprüche 34-37, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Temperatursensoren jeweils aus einer jeweiligen Vielzahl von in Serie geschalteten Polysiliziumdioden gebildet sind.

39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Temperaturwerte jeweils durch die Addition von jeweiligen Werten bestimmt werden, die von jeder der Vielzahl von in Serie geschalteten Dioden bestimmt werden.

40. Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die Verlustleistung des zweiten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung kleiner als die des ersten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung ist.

41. Verfahren nach einem der Ansprüche 34-40, dadurch gekennzeichnet, daß die Verlustleistung des zweiten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung ungefähr halb so groß ist wie die des ersten Halbleiterbauteils mit MOSFET-Halbleiterbauteil- Gatesteuerung.

42. Verfahren nach einem der Ansprüche 34-41, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des ersten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung weiterhin durch das Verhältnis der Verlustleistung des zweiten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung zur Verlustleistung des ersten Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung bestimmt wird.