DE10029887A1 - Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents
Synchrone HalbleiterspeichervorrichtungInfo
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Abstract
Ein Steuersignalgenerator (28), der externe Steuersignale (/RAS usw.) dekodiert und interne Steuersignale (RAL usw.) erzeugt, ist in eine synchrone Schaltung (40) und eine Zeitablaufeinstellschaltung (42) aufgeteilt. Die synchrone Schaltung (40) enthält Halteschaltungen (44, 54, 64, 68), die auf zueinander komplementäre interne Taktsignale (P1, P2) reagieren. Sie erzeugt synchron mit den internen Taktsignalen (P1, P2) Zustandsübergangssignale (RASP1, READP1, WRITEP1), die Betriebsmodi anzeigen. Die Zeitablaufeinstellschaltung (42) stellt die Zeitabläufe der internen Steuersignale bezüglich der ansteigenden oder abfallenden Flanken dieser Zustandsübergangssignale ein. Somit wird der Entwurf des Steuersignalgenerators (28) einfach.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf synchrone Halblei
terspeichervorrichtungen. Spezieller bezieht sie sich auf eine
synchrone Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl von
externen Steuersignalen synchron mit einem Taktsignal empfängt
und die einen Übergang unter einer Mehrzahl von Betriebszu
ständen als Reaktion auf die erfaßten externen Steuersignale
durchführt.
Halbleiterspeichervorrichtungen sind in zwei Typen klassifi
ziert: synchrone Halbleiterspeichervorrichtungen, die synchron
mit einem Taktsignal arbeiten, und asynchrone Halbleiterspei
chervorrichtungen. Ein asynchroner dynamischer Direktzugriffs
speicher (DRAM) erfaßt beispielsweise externe Steuersignale,
wie zum Beispiel ein Zeilenadressenauslösesignal (RAS), ein
Spaltenadressenauslösesignal (CAS) und ein Schreibfreigabesi
gnal (WE), asynchron als Anweisungen, die Betriebsmodis anzei
gen. Ein Steuersignalgenerator, der in dem DRAM enthalten ist,
verwendet eine asynchrone S-R-Flip-Flop-Schaltung, eine Verzö
gerungsschaltung oder ähnliches, um verschiedene Arten von in
ternen Steuersignalen gemäß den erfaßten Anweisungen zu erzeu
gen. Die internen Steuersignale ermöglichen ein Lesen von Da
ten von einem Speicherzellenfeld und ein Schreiben von Daten
in das Speicherzellenfeld. Sie enthalten beispielsweise ein
Zeilenadressenhaltesignal (RAL), um ein Zeilenadressensignal
an einem Zeilenadreßpuffer zu halten, ein Zeilenadressenfrei
gabesignal (RADE), um einen Zeilendekoder zu aktivieren, ein
Wortleitungsfreigabesignal (WLE), um einen Wortleitungstreiber
zu aktivieren, ein Spaltenadressenhaltesignal (CAL), um ein
Spaltenadressensignal an einem Spaltenadreßpuffer zu halten,
und ein Spaltendekoderfreigabesignal (CDE), um einen Spalten
dekoder zu aktivieren.
Wenn das RAS-Signal aktiviert wird, wird das RAL-Signal akti
viert. Mit einer Flanke dieses RAL-Signals als Auslöseimpuls
werden zeilenverbundene interne Steuersignale, z. B. RADE- und
WLE-Signale, nacheinander aktiviert. Wenn RAS-Signal aktiviert
wird, wird das WLE-Signal deaktiviert. Mit der Flanke dieses
WLE-Signals als Auslöseimplus werden zeilenverbundene interne
Steuersignale nacheinander deaktiviert.
Ein synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM) emp
fängt externe Steuersignale, die das RAS-Signal, das CAS-
Signal und das WE-Signal enthalten, synchron zu einem Taktsi
gnal. Die internen Steuersignale, wie zum Beispiel das RAL-
Signal, das RADE-Signal und WLE-Signal, werden aufeinanderfol
gend im wesentlichen in der gleichen Weise wie bei dem obigen
asynchronen DRAM erzeugt.
Wie oben erläutert wurde, werden in einem herkömmlichen Steu
ersignalgenerator die internen Steuersignale aufeinanderfol
gend erzeugt. Dies erfordert eine komplizierte Schaltung, um
genau die Ansteige- und Abfallzeitpunkte der internen Steuer
signale einzustellen. Um DRAM mit unterschiedlichen Speicher
zellenfeldanordnungen zu entwerfen und auch um DRAM mit ver
schiedenen Betriebsmodi zu entwerfen, mußte daher die Konfigu
ration der Steuersignalgeneratoren umfassend geändert werden.
Als Ergebnis wurde eine beträchtliche Zeit benötigt, um ver
schiedene Arten von DRAM zu entwerfen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine synchrone
Halbleiterspeichervorrichtung vorzusehen, die einen verein
fachten Steuersignalgenerator aufweist.
Weiterhin soll eine synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
vorgesehen werden, die eine kürzere Entwurfszeit benötigt.
Die Aufgabe wird gelöst durch die synchrone Halbleiterspei
chervorrichtung des Anspruches 1 oder durch die Halbleiter
speichervorrichtung des Anspruches 15 oder 16.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen an
gegeben.
Gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine synchrone Halb
leiterspeichereinrichtung, die eine Mehrzahl von externen
Steuersignalen synchron mit einem Taktsignal empfängt und die
zwischen einer Mehrzahl von Betriebszuständen als Reaktion auf
diese erfaßten externen Steuersignale wechselt, ein Speicher
zellenfeld, eine Lese-/Schreibschaltung und ein Steuersignal
generator. Die Lese-/Schreibschaltung liest Daten von dem
Speicherzellenfeld und schreibt Daten in das Speicherzellen
feld ein. Der Steuersignalgenerator erzeugt interne Steuersi
gnale zur Steuerung der Lese-/Schreibschaltung und liefert sie
zu der Lese-/Schreibschaltung. Der Steuersignalgenerator ent
hält eine synchrone Schaltung und eine Zeitablaufeinstell
schaltung. Die synchrone Schaltung erzeugt synchron mit einem
Taktsignal eine Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen, die
entsprechend eine Mehrzahl von Betriebszuständen darstellen,
als Reaktion auf die externen Steuersignale. Die Zeitablauf
einstellschaltung erzeugt asynchron zu einem Taktsignal die
internen Steuersignale als Reaktion auf die Zustandsübergangs
signalen.
Der Steuersignalgenerator der synchronen Halbleiterspei
chereinrichtung, die oben beschrieben ist, ist in zwei Schal
tungsabschnitte aufgeteilt: die synchrone Schaltung und die
Zeitablaufsteuerschaltung, so daß die synchrone Schaltung un
abhängig den Übergang der Betriebszustände steuern kann und
die Zeitablaufeinstellschaltung unabhängig den Zeitablauf der
internen Steuersignale einstellen kann. Wenn die Konfiguration
des Speicherzellenfeldes geändert ist, muß daher nur die
Zeitablaufeinstellschaltung geändert werden und nicht die syn
chrone Schaltung. Dies ermöglicht einen einfachen Entwurf des
Steuersignalgenerators, der eine Mehrzahl von Konfigurationen
für Speicherzellenfelder entspricht. Wenn die Betriebszustände
(Modi) geändert werden, muß ähnlich nur die synchrone Schal
tung geändert werden, so daß die Steuersignalgeneratoren
schnell entsprechend den verschiedenen Betriebsmodi entworfen
werden können. Als Ergebnis ist es möglich, die Entwurfszeit
zu verringern.
Bevorzugt verzögert die Zeitablaufeinstellschaltung die an
steigenden Flanken und/oder abfallenden Flanken der Zu
standsübergangssignale, um die ansteigenden Flanken und/oder
abfallenden Flanken der internen Steuersignale zu definieren.
Folglich kann die Zeitablaufeinstellschaltung hauptsächlich
mit nur Verzögerungsschaltungen konfiguriert werden, ohne daß
Halteschaltungen vorgesehen werden müssen.
Die synchrone Halbleiterspeichervorrichtung enthält ferner be
vorzugt einen 2-Phasen-Taktgenerator, der als Reaktion auf ein
Taktsignal ein erstes und zweites Taktsignal erzeugt, die zu
einander komplementär sind. Wenn das erste Taktsignal von dem
ersten Logikpegel zu dem zweiten Logikpegel geht, wird die
synchrone Schaltung aktiviert und erzeugt somit eines der Zu
standsübergangssignale. Wenn das zweite Taktsignal von dem er
sten Logikpegel zu dem zweiten Logikpegel geht, wird die syn
chrone Schaltung aktiviert und erzeugt somit ein anderes Zu
standsübergangssignal, das zu dem einem Zustandsübergangs
signal um einen halben Zyklus des ersten und zweiten Taktsi
gnals verzögert ist.
Ferner enthält die Zeitablaufeinstellschaltung bevorzugt einen
ODER-Schaltung, die ein internes Steuersignal als Reaktion auf
das einen oder andere Zustandsübergangssignal erzeugt. Da das
interne Steuersignal als Reaktion auf das Zustandsübergangs
signal erzeugt ist, das um einen halben Zyklus später ist,
wird es folglich möglich, den Zeitablauf des internen Steuer
signales ohne eine Verzögerungsschaltung mit einer Verzögerung
eines halben Zyklus einzustellen. Dies verringert die Layout
fläche der Zeitablaufeinstellschaltung.
Alternativ kann die Zeitablaufeinstellschaltung eine UND-
Schaltung aufweisen, die ein internes Steuersignal als Reakti
on auf das erste oder zweite Taktsignal und das andere Zu
standsübergangssignal erzeugt. Da der Logikpegel des anderen
Zustandsübergangssignals schon bestimmt wurde vor dem Anstieg
des Taktsignals ist es folglich möglich, das interne Steuersi
gnal direkt nach dem Anstieg des Taktsignales zu erzeugen.
Bevorzugt enthält die synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
ferner ein Phasentaktgenerator, der ein erstes und zweites
Taktsignal, die zueinander komplementär sind, als Reaktion auf
ein Taktsignal erzeugt. Die synchrone Schaltung enthält einen
Anweisungsdekoder und eine erste Halteschaltung. Der Anwei
sungsdekoder empfängt und dekodiert ein externes Steuersignal.
Die erste Halteschaltung hält das Signal von dem Anweisungsde
koder als Reaktion auf das zweite Taktsignal. Folglich wird
das externe Steuersignal während der Einstellperiode deko
diert. Die Betriebsgeschwindigkeit kann somit erhöht werden.
Ferner enthält der Anweisungsdekoder bevorzugt einen Inverter,
ein Übertragungsgatter und eine NAND-Schaltung. Der Inverter
empfängt eines der externen Steuersignale. Das Übertragungs
gatter empfängt ein anderes der externen Steuersignale. Die
NAND-Schaltung empfängt Signale, die von dem Inverter und dem
Übertragungsgatter ausgegeben werden. Folglich erreichen beide
externe Steuersignale die NAND-Schaltung ohne eine unter
schiedliche Verzögerungszeit.
Bevorzugt ist das Speicherzellenfeld in eine Mehrzahl von Bän
ken aufgeteilt. Die synchrone Schaltung enthält ferner einen
Bankdekoder, eine zweite Halteschaltung, eine Logikschaltung
und eine dritte Halteschaltung. Der Bankdekoder empfängt und
dekodiert ein Bankadressensignal, um die Bänke zu identifizie
ren. Die zweite Halteschaltung hält ein Signal von den Bankde
koder als Reaktion auf das zweite Taktsignal. Die Logikschal
tung gibt ein Signal als Reaktion auf die Signale aus, die in
der ersten und zweiten Halteschaltung gehalten sind. Die drit
te Halteschaltung hält ein Signal von der Logikschaltung als
Reaktion auf das erste Taktsignal.
Folglich wird das Bankadressensignal durch den Bankdekoder,
der vor der zweiten Halteschaltung plaziert ist, dekodiert und
die Logikschaltung verarbeitet das resultierende Signal zusam
men mit dem Signal von dem Anweisungsdekoder. Somit ist es
möglich, die Anzahl der Logikschaltungsstufen, die notwendig
für die zweite Halteschaltung sind, zu verringern. Dies ermög
licht es, den Einstellspielraum zu entspannen und die Anzahl
der Halteschaltungen zu reduzieren.
Bevorzugt enthält die synchrone Schaltung einen ersten Anwei
sungsdekoder, eine erste Logikschaltung, eine zweite Logik
schaltung, einen zweiten Anweisungsdekoder und eine Gatter
schaltung. Der erste Anweisungsdekoder dekodiert ein externes
Steuersignal. Die erste Logikschaltung erzeugt als Reaktion
auf ein Signal von dem ersten Anweisungsdekoder eines der Zu
standsübergangssignale, die sie in einen aktiven Zustand über
eine Mehrzahl von Zyklen des Taktsignals hält. Die zweite Lo
gikschaltung erzeugt als Reaktion auf das Zustandsübergangs
signal von der ersten Logikschaltung ein erstes Zurücksetzsi
gnal, um das Zustandsübergangssignal in einen inaktiven Zu
stand zu bringen, und liefert das Signal zu der ersten Logik
schaltung. Der zweite Anweisungsdekoder dekodiert das externe
Steuersignal und erzeugt ein zweites Zurücksetzsignal, um das
Zustandsübergangssignal von der ersten Logikschaltung dazu zu
bringen, in einen inaktiven Zustand zu gelangen. Die Gatter
schaltung ist zwischen der ersten und zweiten Logikschaltung
verbunden und bringt als Reaktion auf das zweite Zurücksetzsi
gnal das Zustandsübergangssignal von der ersten Logikschaltung
in den aktiven Zustand.
In dem Fall, in dem das externe Steuersignal eingegeben wird,
bevor eine vorbestimmte Einstellperiode abgeschlossen ist,
kann folglich ein Rauschen nur zu dem zweiten Zurücksetzsignal
gelangen, aber nicht zu dem ersten Zurücksetzsignal. Selbst
wenn das Zustandsübergangssignal, das in einem aktiven Zustand
über eine Mehrzahl von Zyklen gehalten werden soll, fälschli
cherweise in einen inaktiven Zustand aufgrund des Rauschens
auf dem zweiten Zurücksetzsignal gebracht wird, wird daher das
Zustandsübergangssignal schnell den normalen aktiven Zustand
wieder erlangen.
Bevorzugt enthält die synchrone Schaltung einen Dekoder und
eine Vergleichsschaltung. Der Dekoder dekodiert ein externes
Signal. Die Vergleichsschaltung vergleicht ein Signal von De
kodern mit einem Zustandsübergangssignal. Da das dekodierte
externe Signal mit dem Zustandsübergangssignal während der
Einstellperiode des externen Steuersignales verglichen wird,
ist es folglich möglich, die Betriebsgeschwindigkeit zu erhö
hen.
Bevorzugt ist das Speicherzellenfeld in einer Mehrzahl von
Bänken aufgeteilt. Die synchrone Schaltung enthält einen Bank
dekoder, eine Bankspaltenaktivierungsschaltung, eine Ver
gleichsschaltung, eine Vorladeanweisungsdekoder und eine Spal
tenabschlußschaltung. Der Bankdekoder dekodiert ein Bankena
dressensignal, um die Bänke zu identifizieren. Die Bankspal
tenaktivierungsschaltung erzeugt als Reaktion auf ein Signal
von dem Bankdekoder ein Bankspaltenaktivierungssignal, das ei
ne Bank von der Mehrzahl von Bänken anzeigt, bei der das Spal
tensystem in Betrieb ist. Die Vergleichsschaltung vergleicht
das Signal von dem Bankdekoder mit dem Bankspaltenaktivie
rungssingal. Der Vorladeanweisungsdekoder dekodiert ein exter
nes Steuersignal. Die Spaltenabschlußschaltung erzeugt als Re
aktion auf ein Übereinstimmungssignal von der Vergleichsschal
tung und ein Signal von dem Vorladeanweisungsdekoder ein Spal
tenabschlußsignal, um den Betrieb des Spaltensystems zu been
den. Da das dekodierte Bankadressensignal und das Bankspalten
aktivierungssignal während der Einstellperiode des externen
Steuersignals verglichen werden, kann folglich die Betriebsge
schwindigkeit verbessert werden.
Weitere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfin
dung ergeben sich aus der folgenden detaillierten Beschreibung
von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von
den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild, das eine Gesamtkonfi
guration eines SDRAM gemäß einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung,
Fig. 2 ein Schaltbild, das eine spezifische Kon
figuration des Speicherzellenfeldes und
der I/O-Schaltung zeigt, die in Fig. 1 ge
zeigt sind,
Fig. 3 ein Blockschaltbild, das eine spezifische
Konfiguration des in Fig. 1 und 2 gezeig
ten Steuersignalgenerators zeigt,
Fig. 4 ein Schaltbild, das eine spezifische Kon
figuration einer entsprechenden in Fig. 3
gezeigten Halteschaltung zeigt,
Fig. 5 ein Blockschaltbild, das eine spezifische
Konfiguration der in Fig. 3 gezeigten
Zeitablaufeinstellschaltung zeigt,
Fig. 6 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Lesebe
trieb des Steuersignalgenerators, der in
Fig. 3 gezeigt ist, zeigt,
Fig. 7 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Schreib
betrieb des in Fig. 3 gezeigten Steuerge
nerators zeigt,
Fig. 8 ein Schaltbild, das eine hauptsächliche
Konfiguration des Zeilensystems in dem
Steuersignalgenerator gemäß einer zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigt,
Fig. 9 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Betrieb
des in Fig. 8 gezeigten Steuersignalgene
rators zeigt,
Fig. 10 ein Schaltbild, das eine hauptsächliche
Konfiguration des Spaltensystems in dem
Steuersignalgenerator gemäß der zweiten
Ausführungsform zeigt,
Fig. 11 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Betrieb
des in Fig. 10 gezeigten Steuersignalgene
rators zeigt,
Fig. 12 ein Schaltbild, das eine spezifische An
ordnung einer synchronen Schaltung gemäß
einer dritten Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung,
Fig. 13 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Betrieb
der synchronen Schaltung zeigt, die in
Fig. 12 gezeigt ist,
Fig. 14 ein Schaltbild, das eine spezifische Kon
figuration des in Fig. 12 gezeigten Anwei
sungsdekoders zeigt,
Fig. 15 ein Schaltbild, das eine spezifische Kon
figuration der in Fig. 14 gezeigten NAND-
Schaltung mit vier Eingängen zeigt,
Fig. 16 ein Schaltbild, das eine spezifische Kon
figuration des in Fig. 12 gezeigten Bank
dekoders zeigt,
Fig. 17 ein Schaltbild, das ein Beispiel eines
Hauptabschnittes einer synchronen Schal
tung gemäß eine vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
Fig. 18 ein Schaltbild, das ein anderes Beispiel
des Hauptabschnittes des synchronen Schal
tung gemäß der vierten Ausführungsform
zeigt,
Fig. 19 ein Zeitablaufdiagramm, das ein mit einem
externen Zurücksetzsignal der in Fig. 17
und 18 gezeigten Schaltung verbundenen Be
trieb zeigt,
Fig. 20 ein Zeitablaufdiagramm, das ein mit einem
internen Zurücksetzsignal der in Fig. 17
und 18 gezeigten Schaltung verbundenen Be
trieb zeigt,
Fig. 21 ein Schaltbild, das ein noch anderes Bei
spiel des Hauptabschnittes der synchronen
Schaltung gemäß der vierten Ausführungs
form zeigt,
Fig. 22 ein Zeitablaufdiagramm, das den Betrieb
der in Fig. 21 gezeigten Schaltung zeigt,
Fig. 23 ein Schaltbild, das einen Abschnitt einer
synchronen Schaltung gemäß einer fünften
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigt,
Fig. 24 ein Schaltbild, das einen anderen Ab
schnitt der synchronen Schaltung gemäß der
fünften Ausführungsform zeigt, und
Fig. 25 ein Zeitablaufdiagramm, das einen Betrieb
der synchronen Schaltung zeigt, die in
Fig. 23 und 24 gezeigt ist.
Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfin
dung im Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnun
gen beschrieben, in denen gleiche oder entsprechende Abschnit
te durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, und eine
Beschreibung von diesen wird nicht wiederholt.
Bezugnehmend auf Fig. 1 ist die synchrone Halbleiterspeicher
vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung ein synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher
(SDRAM), der eine Mehrzahl von externen Steuersignalen /RAS,
/CAS, /WE und /CS synchron mit einem externen Taktsignal CLK
erfaßt und Übergänge zwischen einer Mehrzahl von Betriebszu
ständen (z. B. ein aktiver Modus, ein Vorlademodus, ein Lesemo
dus und ein Schreibmodus) als Reaktion auf die erfaßten exter
nen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS durchführt. Der
SDRAM ist mit einem 2-Phasen-Taktgenerator 10, einem Speicher
zellenfeld 12, einem Zeilendekoder 14, einem Spaltendekoder
16, einer Eingabe- und Ausgabeschaltung (I/O-Schaltung) 18,
einem Zeilenadressenpuffer 20, einem Spaltenadressenpuffer 22,
einem Vorverstärker 24, einem Schreibtreiber 26 und einem
Steuersignalgenerator 28 versehen.
Der 2-Phasen-Taktgenerator 10 erzeugt als Reaktion auf ein ex
ternes Taktsignal CLK zueinander komplementäre interne Taktsi
gnale P1 und P2. Das Speicherzellenfeld 12 ist in eine Mehr
zahl von (z. B. 4) Bänken aufgeteilt und enthält, wie später im
Detail beschrieben wird, eine Mehrzahl von Speicherzellen, die
in Zeilen und Spalten angeordnet sind, eine Mehrzahl von Wort
leitungen, die in Zeilen angeordnet sind, eine Mehrzahl von
Bitleitungspaaren, die in Spalten angeordnet sind, und eine
Mehrzahl von Spaltenauswahlleitungen, die entlang den Bitlei
tungspaaren angeordnet sind.
Der Zeilendekoder 14 aktiviert selektiv eine Wortleitung als
Reaktion auf ein Zeilenadressensignal RAD. Der Spaltendekoder
16 aktiviert selektiv eine Spaltenauswahlleitung als Reaktion
auf ein Spaltenadressensignal CAD. Die I/O-Schaltung 18 ent
hält, wie später im Detail beschrieben wird, ein I/O-
Leitungspaar und eine Mehrzahl von Spaltenauswahlgattern. Als
Reaktion auf die Spaltenauswahlleitung, die durch den Spalten
dekoder 16 aktiviert ist, gibt die I/O-Schaltung 18 einen Da
tenwert von einem entsprechenden Bitleitungspaar aus oder gibt
einen Datenwert in ein entsprechendes Bitleitungspaar ein.
Der Zeilenadreßpuffer 20 empfängt ein externes Adressensignal
ADD und liefert ein Zeilenadressensignal RAD zu dem Zeilende
koder 14. Der Spaltenadressenpuffer 22 empfängt das externe
Adressensignal ADD und liefert ein Spaltenadressensignal CAD
zu dem Spaltendekoder 16.
Der Vorverstärker 24 verstärkt ein Signal, das über die I/O-
Schaltung 18 von dem Speicherzellenfeld 12 ausgelesen ist, und
gibt das resultierende Signal als Datensignal DQ aus. Der
Schreibtreiber 26 verstärkt das empfangene Datensignal DQ und
schreibt das resultierende Signal über die I/O-Schaltung 18 in
das Speicherzellenfeld 12.
Der Zeilendekoder 14, der Spaltendekoder 16, die I/O-Schaltung
18, der Zeilenadreßpuffer 20, der Spaltenadressenpuffer 22,
der Vorverstärker 24 und der Schreibtreiber 26 bilden eine Le
se-/Schreibschaltung, die Daten von dem Speicherzellenfeld 12
liest und sie in das Speicherzellenfeld 12 einschreibt.
Der Steuersignalgenerator 28 erzeugt als Reaktion auf die ex
ternen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS interne Steuersi
gnale WLE, RADE, CDE, RAL, CAL, PAE und WDE zur Steuerung der
Lese-/Schreibschaltung und legt diese an die Lese-/Schreib
schaltung an.
Bezugnehmend auf Fig. 2 enthält das Speicherzellenfeld 12 eine
Mehrzahl von Wortleitungen WL, die in Zeilen angeordnet sind,
(von denen nur zwei Wortleitungen repräsentativ in der Figur
dargestellt sind), eine Mehrzahl von Bitleitungspaaren BL,
/BL, die in Spalten angeordnet sind, (von denen nur ein Bit
leitungspaar repräsentativ in der Figur dargestellt ist), eine
Mehrzahl von Speicherzellen 30, die an den Kreuzungen der
Wortleitungen WL und Bitleitungspaare BL, /BL angeordnet sind,
(nur zwei Speicherzellen sind repräsentativ in der Figur dar
gestellt), eine Mehrzahl von Spaltenauswahlleitungen CSL, die
in Spalten angeordnet sind, (nur eine repräsentative Spalten
auswahlleitung ist in der Figur dargestellt), eine Mehrzahl
von Leseverstärkern 32P, 32 N, die Potentialdifferenzen zwi
schen Bitleitungen BL und Bitleitungen /BL verstärken, (nur
ein Leseverstärker ist in der Figur repräsentativ gezeigt),
eine Mehrzahl von Vorladeschaltungen 34, die die Bitleitungs
paare BL, /BL auf eine Zwischenspannung VBL, die die Hälfte
der Stromversorgungsspannung ist, vorladen und ausgleichen
(nur eine Vorladeschaltung ist repräsentativ in der Figur ge
zeigt), und eine Mehrzahl von Bitleitungstrennschaltern 36L,
36R, die selektiv die Bitleitungspaare BL, /BL auf der linken
Seite und der rechten Seite der Figur mit den Leseverstärkern
32P, 32 N in der Mitte der Figur verbinden (nur zwei Bitlei
tungstrennschalter sind repräsentativ in der Figur gezeigt).
Die I/O-Schaltung 18 enthält ein Eingabe-/Ausgabeleitungspaar
(I/O-Leitungspaar) 10, /10, das gemeinsam für die Mehrzahl von
Bitleitungspaaren BL, /BL vorgesehen ist, und eine Mehrzahl
von Spaltenauswahlgattern 38, die entsprechend der Mehrzahl
der Bitleitungspaare BL, /BL vorgesehen sind, (von denen nur
ein Spaltenauswahlgatter in der Figur repräsentativ gezeigt
ist). Jedes Spaltenauswahlgatter 38 verbindet als Reaktion auf
ein Spaltenauswahlsignal, das von dem Spaltendekoder 16 über
die Spaltenauswahlleitung CSL empfangen ist, ein entsprechen
des Bitleitungspaar BL, /BL mit dem I/O-Leitungspaar IO, /IO.
Von den internen Steuersignalen, die durch den Steuersignalge
nerator 28 erzeugt sind, wird ein Zeilenadressenhaltesignal
RAL (im folgenden als "RAL-Signal" bezeichnet) an den Zeilena
dreßpuffer 20 angelegt. Als Reaktion auf dieses RAL-Signal
hält der Zeilenadreßpuffer 20 ein extern angelegtes Zeilena
dressensignal.
Von den internen Steuersignalen wird ein Zeilenadressenfreiga
besignal RADE (im folgenden als "RADE-Signal" bezeichnet) an
den Zeilendekoder 14 angelegt. Als Reaktion auf das RADE-
Signal erfaßt der Zeilendekoder 14 das Zeilenadressensignal RA
von dem Zeilenadressenpuffer 20.
Von den internen Steuersignalen wird ein Bitleitungstrennsi
gnal /BLI0 (im folgenden als "/BLI0-Signal" bezeichnet) an den
Bitleitungstrennschalter 36L angelegt. Der Bitleitungstrenn
schalter 36L arbeitet derart, daß das Bitleitungspaar BL, /BL
getrennt wird, wenn /BLI0 auf einem L-Pegel (logisch niedriger
Pegel) ist, und daß das Bitleitungspaar BL, /BL verbunden
wird, wenn /BLI0 auf einem H-Pegel (logisch hoher Pegel) ist.
Von den internen Steuersignalen wird ein Bitleitungstrennsi
gnal /BLI1 (im folgenden als "/BLI1-Signal" bezeichnet) an den
Bitleitungstrennschalter 36R angelegt. Der Bitleitungstrenn
schalter 36R arbeitet derart, daß das Bitleitungspaar BL, /BL
getrennt wird, wenn /BLI1 auf dem L-Pegel ist, und daß das
Bitleitungspaar BL, /BL verbunden wird, wenn /BLI1-Signal auf
einem H-Pegel ist.
Von den internen Steuersignalen wird ein Bitleitungsaus
gleichssignal BLEQ (im folgenden als "BLEQ-Signal" bezeichnet)
an die Vorladeschaltung 34 angelegt. Als Reaktion auf dieses
BLEQ-Signal wird das Bitleitungspaar BL, /BL durch die Vorla
deschaltung 34 auf die Zwischenspannung VBL vorgeladen und
ausgeglichen.
Von den internen Steuersignalen wird ein Wortleitungsfreigabe
signal WLE (im folgenden als "WLE-Signal" bezeichnet) an den
Zeilendekoder 14 angelegt. Als Reaktion auf das WLE-Signal ak
tiviert der Zeilendekoder 14 selektiv die Wortleitung WL.
Von den internen Steuersignalen wird ein Leseverstärkerfreiga
besignal SAN (im folgenden als "SAN-Signal" bezeichnet) an ei
nen N-Kanal-Leseverstärker 32 N angelegt. Als Reaktion auf die
ses SAN-Signal verringert der N-Kanal-Leseverstärker 32 N die
niedrigere Spannung auf einer der Bitleitungen BL oder /BL auf
einen Massespannungspegel.
Von den internen Steuersignalen wird ein Leseverstärkerfreiga
besignal /SAP (im folgenden als "/SAP-Signal" bezeichnet) an
einen P-Kanal-Leseverstärker 32P angelegt. Als Reaktion auf
dieses /SAP-Signal hebt der P-Kanal-Leseverstärker 32P die hö
here Spannung auf einer der Bitleitungen BL oder /BL auf einen
Stromversorgungsspannungspegel.
Von den internen Steuersignalen wird ein Spaltenadressenhalte
signal CAL (im folgenden als "CAL-Signal" bezeichnet) an den
Spaltenadressenpuffer 22 angelegt. Als Reaktion auf dieses
CAL-Signal hält der Spaltenadressenpuffer 22 ein extern ange
legtes Spaltenadressensignal.
Von den internen Steuersignalen wird ein Spaltendekoderfreiga
besignal CDE (im folgenden als "CDE-Signal" bezeichnet) an den
Spaltendekoder 16 angelegt. Der Spaltendekoder 16 wird als Re
aktion auf dieses CDE-Signal aktiviert.
Von den internen Steuersignalen wird ein Vorverstärkerfreiga
besignal PAE (im folgenden als "PAE-Signal" bezeichnet) an den
Vorverstärker 24 angelegt. Als Reaktion auf dieses PAE-Signal
wird der Vorverstärker 24 aktiviert.
Von den internen Steuersignalen wird ein Schreibtreiberfreiga
besignal WDE (im folgenden als "WDE-Signal" bezeichnet) an den
Schreibtreiber 26 angelegt. Als Reaktion auf dieses WDE-Signal
wird der Schreibtreiber 26 aktiviert.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, enthält der Steuersignalgenerator
28 eine synchrone Schaltung 40, die synchronisiert mit dem ex
ternen Taktsignal CLK und somit mit den internen Taktsignalen
P1 und P2 ist, und eine Zeitablaufeinstellschaltung 42, die
asynchron zu dem externen Taktsignal CLK und somit zu den in
ternen Taktsignalen P1 und P2 ist. Die synchrone Schaltung 40
erzeugt als Reaktion auf die externen Steuersignale /RAS,
/CAS, /WE und /CS Zustandsübergangssignale RASP1, READP1 und
WRITEP1, die Betriebszustände (Modi) dieses SDRAM zeigen. Die
Zeitablaufeinstellschaltung 42 erzeugt als Reaktion auf die
Zustandsübergangssignale RASP1, READP1 und WRITEP1 von der
synchronen Schaltung 40 interne Steuersignale RAL, BADE, /BLI
(das /BLI0 und /BLI1 repräsentiert, die in Fig. 2 gezeigt
sind), BLEQ, WLE, SAN, /SAP, CAL, CDE, PAE und WDE. Somit ist
der Steuersignalgenerator 28 in zwei Schaltungen aufgeteilt,
nämlich die synchrone Schaltung 40 und die Zeitablaufeinstell
schaltung 42. Die synchrone Schaltung 40 dekodiert eine Anwei
sung, die eine Kombination der externen Steuersignale /RAS,
/CAS, /WE und /CS ist, und steuert exklusiv den Übergang der
Betriebszustände. Die Zeitablaufeinstellschaltung 42 stellt
nur die Zeitabläufe der internen Steuersignale ein, die oben
beschrieben wurden.
Die folgende Tabelle 1 zeigt Anweisungen für Betriebsmodi, die
für diesen SDRAM angepaßt sind.
Um zum Beispiel diesen SDRAM dazu zu bringen, einen aktiven
Modus ACT zu erreichen, werden ein Zeilenadressenauslösesignal
/BAS (im folgenden als "/RAS-Signal" bezeichnet) auf einem L-
Pegel, ein Spaltenadressenauslösesignal /CAS (im folgenden als
"/CAS-Signal" bezeichnet) auf einem H-Pegel, ein Schreibfrei
gabesignal /WE (im folgenden "/WE-Signal") auf einem H-Pegel
und ein Chipauswahlsignal /CS (im folgenden "/CS-Signal") auf
einem L-Pegel geliefert. Durch Dekodieren dieser Aktivierungs
anweisung ACT erzeugt die synchrone Schaltung 40 ein Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1, das den Aktivmodus reprä
sentiert.
Um den SDRAM dazu zu bringen, in einen Vorlademodus PCG zu ge
langen, werden das /RAS-Signal auf dem L-Pegel, das /CAS-
Signal auf dem H-Pegel, das /WE-Signal auf dem L-Pegel und das
/CS-Signal auf dem L-Pegel geliefert. Die synchrone Schaltung
40 dekodiert diese Vorladeanweisung PCG und erzeugt ein Vorla
deanweisungsübergangssignal PREP1, das den Vorlademodus an
zeigt.
Um den SDRAM dazu zu bringen, in einen Lesemodus READ zu ge
langen, werden das /RAS-Signal auf dem H-Pegel, das /CAS-
Signal auf dem L-Pegel, das /WE-Signal auf dem H-Pegel, das
/CS-Signal auf dem L-Pegel und ein 10-tes Bit des Adressensi
gnals ADD [10] auf einem L-Pegel geliefert. Durch Dekodieren
dieser Leseanweisung READ erzeugt die synchrone Schaltung 40
ein Lesezustandsübergangssignal READP1, das den Lesemodus re
präsentiert.
Um den SDRAM dazu zu bringen, in einen Schreibmodus WRITE zu
gelangen, werden das /RAS-Signal auf dem H-Pegel, das /CAS-
Signal auf dem L-Pegel, das /WE-Signal auf dem L-Pegel, das
/CS-Signal auf dem L-Pegel und das 10-te Bit des Adressensi
gnals ADD [10] auf dem L-Pegel geliefert. Durch Dekodieren
dieser Schreibanweisung WRITE erzeugt die synchrone Schaltung
40 ein Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1, das den
Schreibmodus repräsentiert.
Anders als die obigen Modi repräsentiert RAP eine Leseanwei
sung mit einer Autovorladung, das ermöglicht, das ein Vorladen
automatisch durchgeführt wird, nachdem ein Blocklesen (bzw.
burst - Lesen) über eine Mehrzahl von Zyklen abgeschlossen
ist. WAP repräsentiert eine Schreibanweisung mit einem Auto
vorladen, das ermöglicht, daß ein Vorladen automatisch durch
geführt wird, nachdem ein Blockschreiben (bzw. burst - Schrei
ben über eine Mehrzahl von Zyklen abgeschlossen ist.
Genauer enthält die synchrone Schaltung 40 eine Mehrzahl von
Halteschaltungen 44, die als Reaktion auf das interne Taktsi
gnal P2 die externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS
entsprechend halten, eine Mehrzahl von Anweisungsdekodern 46,
48, 50 und 52, die die durch die Halteschaltungen 44 gehalte
nen Signale dekodieren, eine Mehrzahl von Halteschaltungen 54,
die als Reaktion auf das interne Taktsignal P1 die dekodierten
Signale von den entsprechenden Anweisungsdekodern 46, 48, 50
und 52 halten, Kombinationslogikschaltungen (CL-Schaltungen)
56, 58, 60 und 62, die als Reaktion auf die dekodierten Signa
le, die durch die Halteschaltungen 54 gehalten werden, ent
sprechend die Zustandsübergangssignale RASP1, READP1 und
WRITEP1 erzeugen, eine Mehrzahl von Halteschaltungen 64, die
als Reaktion auf das interne Taktsignal P2 die Zustandsüber
gangssignale von den Kombinationslogikschaltungen 56, 58, 60
und 62 halten, eine Kombinationslogikschaltung (CL-Schaltung)
66, die als Reaktion auf die Zustandsübergangssignale, die
durch die Halteschaltungen 64 gehalten werden, Zurücksetzsi
gnale zur Zurücksetzung der entsprechenden Zustandsübergangs
signale RASP1, READP1 und WRITEP1 erzeugt, und eine Mehrzahl
von Halteschaltungen 68, die als Reaktion auf das interne
Taktsignal P1 die Zurücksetzsignale von der Kombinationslogik
schaltung 66 halten. Die Zurücksetzsignale, die durch die Hal
teschaltungen 68 gehalten werden, werden zu den Kombinations
logikschaltungen 56, 60 und 62 entsprechend zurückgeführt.
Hier dekodiert der Anweisungsdekoder 46 die Aktivierungsanwei
sung ACT, die eine Kombination der externen Steuersignale
/RAS, /CAS, /WE und /CS ist, wie in Tabelle 1 gezeigt ist. Der
Anweisungsdekoder 48 dekodiert die Vorladeanweisung PCG, die
eine Kombination der externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE
und /CS ist, wie in der Tabelle 1 gezeigt ist. Der Anweisungs
dekoder 50 dekodiert die Leseanweisung READ, die aus einer
Kombination der externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS
gebildet ist, wie in Tabelle 1 gezeigt ist. Der Anweisungsde
koder 52 dekodiert die Schreibanweisung WRITE, die aus einer
Kombination der externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS
gebildet ist, wie in der Tabelle 1 gezeigt ist.
Die Kombinationslogikschaltung 56 erzeugt das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1, das den Aktivierungsmodus reprä
sentiert, als Reaktion auf das dekodierte Signal, das durch
die entsprechende Halteschaltung 54 gehalten wird. Die Kombi
nationslogikschaltung 60 erzeugt das Lesezustandsübergangs
signal READP1, das den Lesemodus repräsentiert, als Reaktion
auf das dekodierte Signal, das durch die entsprechende Halte
schaltung 54 gehalten wird. Die Kombinationslogikschaltung 62
erzeugt das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1, das den
Schreibmodus repräsentiert, als Reaktion auf das dekodierte
Signal, das durch die entsprechende Halteschaltung 54 gehalten
wird.
Das dekodierte Signal von dem Vorladeanweisungsdekoder 48 wird
in der entsprechenden Halteschaltung 54 gehalten und als Vor
laderücksetzsignal PREP1 den entsprechenden Kombinationslogik
schaltungen 56, 58, 60 und 62 bereitgestellt. Die Kombinati
onslogikschaltung 56 setzt das Aktivierungszustandsübergangs
signal RASP1 als Reaktion von entweder auf das Vorladerück
setzsignal PREP1 oder ein Autovorladerücksetzsignal APREP1 zu
rück. Die Kombinationslogikschaltung 60 setzt das Lesezu
standsübergangssignal READP1 als Reaktion von entweder auf das
Vorladerücksetzsignal PREP1 oder das Autovorladerücksetzsignal
APREP1 zurück. Die Kombinationslogikschaltung 62 setzt das
Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 als Reaktion auf entwe
der das Vorladerücksetzsignal PREP1 oder das Autovorladerück
setzsignal APREP1 zurück.
Jede Halteschaltung 44 enthält zum Beispiel ein CMOS-
Übertragungsgatter 70 und Inverter 72, 74 und 76, wie in Fig. 4
gezeigt ist. Das Übertragungsgatter 70 wird als Reaktion auf
das interne Taktsignal P2 eingeschaltet und erfaßt ein Einga
besignal. Die Inverter 72 und 74 bilden einen Haltekreis, der
das erfaßte Signal erhält. Der Inverter 76 gibt das erhaltene
Signal aus. Die anderen Halteschaltungen 54, 64 und 68 weisen
jeweils eine Konfiguration auf, die ähnlich zu der der Halte
schaltung 44 ist.
Andererseits enthält die Zeitablaufeinstellschaltung 42, wie
in Fig. 5 gezeigt ist, eine zeilenverbundene Zeitablaufein
stellschaltung 78, die als Reaktion auf das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1 zeilenverbundene interne Steuersi
gnale RAL, BADE, /BLI, BLEQ, WLE, SAN und /SAP erzeugt, und
eine spaltenverbundene Zeitablaufeinstellschaltung 80, die als
Reaktion auf das Lesezustandsübergangssignal READP1 und das
Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 spaltenbezogene interne
Steuersignale PAE, CAL, CDE und WDE erzeugt.
Die zeilenverbundene Zeitablaufeinstellschaltung 78 ist im we
sentlichen mit nur einer Mehrzahl von Verzögerungsschaltungen
(nicht gezeigt) ausgebildet.
Die spaltenverbundene Zeitablaufeinstellschaltung 80 enthält
eine UND-Schaltung 82, die das Lesezustandsübergangssignal
READP1 und das interne Taktsignal P1 empfängt, eine ODER-
Schaltung 84, die das Lesezustandsübergangssignal READP1 und
Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 empfängt, eine UND-
Schaltung 86, die ein Ausgabesignal von der ODER-Schaltung 84
und das interne Taktsignal P1 empfängt, eine UND-Schaltung 88,
die das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 und das interne
Taktsignal P1 empfängt, eine Verzögerungsschaltung 90, die ein
Ausgabesignal von der UND-Schaltung 82 verzögert und das PAE-
Signal erzeugt, eine Verzögerungsschaltung 92, die das Lesezu
standsübergangssignal READP1 verzögert und das CAL-Signal er
zeugt, eine Verzögerungsschaltung 94, die ein Ausgabesignal
von der UND-Schaltung 86 verzögert und das CDE-Signal erzeugt,
und eine Verzögerungsschaltung 96, die ein Ausgabesignal von
der UND-Schaltung 88 verzögert und das WDE-Signal erzeugt. So
mit ist ähnlich zu der zeilenverbundenen Zeitablaufeinstell
schaltung 78 die spaltenverbundene Zeitablaufeinstellschaltung
80 im wesentlichen aus nur einer Mehrzahl von Verzögerungs
schaltungen 90, 92, 94 und 96 gebildet.
Im folgenden wird der Betrieb des SDRAM unter Bezugnahme auf
ein Zeitablaufdiagramm, das in Fig. 6 gezeigt ist, beschrie
ben. Das interne Taktsignal P1 ist in Phase mit dem externen
Takt CLK, wohingegen das interne Taktsignal P2 eine entgegen
gesetzte Phase zu dem externen Taktsignal CLK aufweist.
Zuerst wird ein Fall betrachtet, bei dem die Aktivierungsan
weisung ACT als Anweisung CMD bereitgestellt wird. In diesem
Fall wird, wenn das interne Taktsignal P1 zum Zeitpunkt t0 an
steigt, das dekodierte Signal von dem Aktivierungsanweisungs
dekoder 46, der in Fig. 3 gezeigt ist, in der entsprechenden
Halteschaltung 54 gehalten. Als Reaktion auf dieses gehaltene,
dekodierte Signal wird das Aktivierungszustandsübergangssignal
RASP1 durch die Kombinationslogikschaltung 56 erzeugt. Das
heißt, daß das Signal RASP1 auf den H-Pegel ansteigt. Dieses
Aktivierungszustandsübergangssignal RASP1 wird auf dem H-Pegel
bis zum Zeitpunkt t2 gehalten, wenn die Vorladeanweisung PCG
geliefert wird, d. h. über eine Mehrzahl von Zyklen (4 Zyklen
im Fall von Fig. 6) des internen Taktsignals P1.
Das Aktivierungszustandsübergangssignal RASP1 wird an die in
Fig. 5 gezeigte zeilenverbundene Zeitablaufeinstellschaltung
78 angelegt und zeilenverbundene interne Steuersignale RAL,
RADE, /BLI, BLEQ, WLE, SAN und /SAP werden erzeugt. Genauer,
das RAL-Signal und das RADE-Signal steigen als Reaktion auf
die ansteigende Flanke des Aktivierungszustandsübergangs
signals RASP1 an. Das /BLI-Signal und das BLEQ-Signal fallen
dann als Reaktion auf die ansteigende Flanke des RADE-Signals.
Das WLE-Signal steigt als Reaktion auf die fallende Flanke des
BLEQ-Signals an. Das SAN-Signal steigt in Reaktion auf die
steigende Flanke des WLE-Signals an. Das /SAP-Signal fällt in
Reaktion auf die ansteigende Flanke des SAN-Signals ab. In
dieser Weise definiert die zeilenverbundene Zeitablaufein
stellschaltung 78 durch Verzögern der ansteigenden Flanke des
Aktivierungszustandsübergangssignals RASP1 die ansteigenden
Flanken des AAL-, des RADE-, des WLE- und des SAN-Signals und
die abfallender Flanken des /BLI-, des BLEQ- und des /SAP-
Signals.
Andererseits fällt als Reaktion auf die fallende Flanke des
Aktivierungszustandsübergangssignals RASP1 das WLE-Signal ab,
worauf der Abfall des RAL-, des RADS- und des SAN-Signals und
der Anstieg des /SAP-Signals folgt. Dann steigen als Reaktion
auf die fallende Flanke des RAL-Signals das /BLI- und das
BLEQ-Signal. Somit definiert die zeilenverbundene Zeitablauf
einstellschaltung 78 durch Verzögern der fallenden Flanke des
Aktivierungszustandsübergangssignals RASP1 die fallenden Flan
ken des AAL-, des RADE-, des WLE- und SAN-Signals und die an
steigenden Flanken des /BLI-, des BLEQ und des /SAP-Signals.
Als nächstes wird angenommen, daß die Leseanweisung READ ange
legt wird, während der SDRAM in dem aktiven Modus ist. In die
sem Fall wird, wenn das interne Taktsignal P1 zum Zeitpunkt t1
ansteigt, das dekodierte Signal von dem Leseanweisungsdekoder
50 in der entsprechenden Halteschaltung 54 gehalten. Als Reak
tion auf dieses dekodierte Signal, das gehalten wird, erzeugt
die Kombinationslogikschaltung 60 das Lesezustandsübergangs
signal READP1. Das heißt, daß das Signal READP1 auf den
H-Pegel ansteigt. Das Lesezustandsübergangssignal READP1 wird
auf dem H-Pegel während der Blockausleseperiode gehalten. Die
ses READP1 fällt auf den L-Pegel, wenn entweder das Autovorla
derücksetzsignal APREP1 von der Halteschaltung 68 von Fig. 3
zu der Kombinationslogikschaltung 60 zum automatischen Vorla
den am Ende des Blocklesens gesendet wird, oder wenn die ex
tern angelegte Vorladeanweisung PCG verursacht, daß das Vorla
derücksetzsignal PREP1 von der Halteschaltung 54 zu der Kombi
nationslogikschaltung 60 geschickt wird. Wenn der Lesemodus
eine Blocklänge von beispielsweise "4" aufweist, wird das Le
sezustandsübergangssignal READP1 auf dem H-Pegel für 4 Zyklen
des internen Taktsignals P1 gehalten, es sei denn, daß die
Vorladeanweisung PCG extern angelegt wird. In Fig. 6 wird die
Vorladeanweisung PCG während der Blockleseperiode angelegt,
wodurch das Blocklesen zwangsweise in dem zweiten Zyklus des
internen Taktsignales P1 unterbrochen wird.
Dieses Lesezustandsübergangssignal READP1 wird zu der in Fig. 5
gezeigten spaltenverbundenen Zeitablaufeinstellschaltung 80
geliefert, und spaltenverbundene bzw. spaltenbezogene interne
Steuersignale CAL, CDE und PAE werden erzeugt. Genauer, das
Lesezustandsübergangssignal READP1 wird durch die Verzöge
rungsschaltung 92 verzögert und das CAL-Signal wird erzeugt.
Dieses CAL-Signal steigt an und fällt ab als Reaktion auf die
ansteigende Flanke und die fallende Flanke des Lesezu
standsübergangssignals READP1. Die Verzögerungsschaltung 92
enthält eine Verzögerungsschaltung, die sowohl eine abfallende
Flanke als auch eine ansteigende Flanke eines Signals unabhän
gig verzögert. Mit der Verzögerungsschaltung 92 ist es daher
möglich, die Verzögerung für die abfallende Flanke und die an
steigende Flanke des Signals getrennt einzustellen.
Das Lesezustandsübergangssignal READP1 wird über die ODER-
Schaltung 84 zu der UND-Schaltung 86 geliefert. Es wird weiter
zu der Verzögerungsschaltung 94 nur geliefert, während das in
terne Taktsignal P1 auf dem H-Pegel ist, wodurch das CDE -
Signal erzeugt wird. Dieses CDE-Signal steigt an und fällt ab
entsprechend der ansteigenden und abfallenden Flanke des in
ternen Taktsignals P1.
Das Lesezustandsübergangssignal READP1 wird der Verzögerungs
schaltung 90 nur geliefert, während das interne Taktsignal P1
auf dem H-Pegel ist, wodurch das PAE-Signal erzeugt wird. Die
ses PAE-Signal steigt an und fällt ab entsprechend der anstei
genden und abfallenden Flanke des internen Taktsignals P1.
Um die ansteigenden und abfallenden Flanken der internen Steu
ersignale, die oben beschrieben sind, zu definieren, enthält
die Zeitablaufeinstellschaltung 42 eine bekannte Anstiegsver
zögerungsschaltung, die nur ansteigende Flanken verzögert, ei
ne bekannte Abfallverzögerungsschaltung, die nur abfallende
Flanken verzögert, und eine bekannte Doppelverzögerungsschal
tung, die sowohl die ansteigende als auch die abfallende Flan
ke voneinander unabhängig verzögert.
Nun wird unter Bezugnahme auf die Zeitablaufdarstellung, die
in Fig. 7 gezeigt ist, der Fall beschrieben, bei dem die
Schreibanweisung WRITE geliefert wird, während der SDRAM in
dem aktiven Modus ist.
In diesem Fall wird, wenn das interne Taktsignal P1 zum Zeit
punkt t1 ansteigt, das dekodierte Signal von dem Schreibanwei
sungsdekoder 52 in Fig. 3 in der entsprechenden Halteschaltung
54 gehalten. Als Reaktion auf dieses gehaltene, dekodierte Si
gnal erzeugt die Kombinationslogikschaltung 62 das Schreibzu
standsübergangssignal WRITEP1. Das heißt, daß das Signal
WRITEP1 auf den H-Pegel ansteigt. Dieses Schreibzustandsüber
gangssignal WRITEP1 wird auf den H-Pegel während der Block
schreibperiode gehalten und es fällt auf den L-Pegel, wie in
dem Fall des Lesezustandsübergangssignals READP1, der oben be
schrieben wurde, entweder wenn das Autovorladeanweisungssignal
APREP1 der Kombinationslogikschaltung 62 am Ende der Block
schreibperiode geliefert wird, oder wenn die Vorladeanweisung
extern angelegt wird und somit das Vorladerücksetzsignal PREP1
an die Kombinationslogikschaltung 62 angelegt wird.
Das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 ist mit einer spal
tenbezogenen Zeitablaufeinstellschaltung 80, wie in Fig. 5 ge
zeigt ist, versehen und somit werden das CDE-Signal und das
WDE-Signal erzeugt.
Genauer, das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 wird an
die Verzögerungsschaltung 96 nur angelegt, während das interne
Taktsignal P1 auf dem H-Pegel ist, wodurch das WDE-Signal er
zeugt wird. Damit steigt und fällt das WDE-Signal entsprechend
der ansteigenden und abfallenden Flanke des internen Taktsi
gnals P1.
Das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 wird zu der UND-
Schaltung 86 über die ODER-Schaltung 84 geschickt. Es wird
ferner zu der Verzögerungsschaltung 94 nur geschickt, während
das interne Taktsignal P1 auf dem H-Pegel ist, und somit wird
das CDE-Signal erzeugt. Somit steigt und fällt das CDE-Signal
entsprechend der ansteigenden und abfallenden Flanke des in
ternen Taktsignals P1.
Wie oben erläutert wurde, ist gemäß der ersten Ausführungsform
der Steuersignalgenerator 28 in die synchrone Schaltung 40 und
die Zeitablaufeinstellschaltung 42 aufgeteilt, wobei die syn
chrone Schaltung 40 die Zustandsübergangssignale RASP1, READP1
und WRITEP1 erzeugt, wohingegen die Zeitablaufeinstellschal
tung 42 die Zeitabläufe der internen Steuersignale basierend
auf diesen Zustandsübergangssignalen RASP1, READP1 und WRITEP1
einstellt. Wenn eine Änderung in der Konfiguration des Spei
cherzellenfeldes 12 auftritt und somit der Steuersignalgenera
tor 28 geändert werden muß, benötigt daher die synchrone
Schaltung 40 keine Modifikation, und nur die Zeitablaufein
stellschaltung 42 muß modifiziert werden. Als Ergebnis ist es
möglich, den Steuersignalgenerator 28 entsprechend einer Viel
zahl von Konfigurationen des Speicherzellenfeldes 12 schnell
zu entwerfen. Andererseits muß, wenn die Betriebsmodi geändert
werden und somit der Steuersignalgenerator 28 geändert werden
muß, nur die synchrone Schaltung 40 geändert werden, wobei die
Zeitablaufeinstellschaltung 42 unverändert bleibt. Folglich
kann der Steuersignalgenerator 28 schnell entsprechend den un
terschiedlichen Arten von Betriebsmodi entworfen werden.
Obwohl die synchrone Schaltung 40 gemäß der ersten Ausfüh
rungsform basierend auf dem Halten des Phasentaktes konfigu
riert ist, kann sie alternativ basierend auf dem Flip-Flop mit
einem Flankentrigger konfiguriert werden.
Der SRAM gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird nun beschrieben, zuerst bezüglich seines Zei
lensystems. Wie in Fig. 8 gezeigt ist, enthält die synchrone
Schaltung 40 gemäß der zweiten Ausführungsform ferner eine
Halteschaltung 44, die ein 10-tes Bit des Adressensignals ADD
[10] als Reaktion auf das interne Taktsignal P2 hält, eine
Halteschaltung 54, die das gehaltene Signal als Reaktion auf
das interne Taktsignal P1 hält, eine UND-Schaltung 98, die das
gehaltene Signal (d. h. das 11-te bzw. 10-te Bit des internen
Zeilenadressensignals RA [10]) und Schreibzustandsübergangs
signal WRITEP1 von der in Fig. 3 gezeigten Kombinationslogik
schaltung 62 empfängt, und eine Halteschaltung 64, die ein
Ausgabesignal von der UND-Schaltung 98 als Reaktion auf das
interne Taktsignal P2 empfängt. Die Halteschaltung 64 liefert
das gehaltene Signal zu der Zeitablaufeinstellschaltung 42 als
ein Zustandsübergangssignal C2WWREC, das ein Autovorladen an
zeigt.
Die Zeitablaufeinstellschaltung 42 enthält ferner eine ODER-
Schaltung 100, die Autovorladezustandsübergangssignal C2WWREC
und das Aktivierungszustandsübergangssignal RASP1 von der syn
chronen Schaltung 40 empfängt, eine Verzögerungsschaltung 102,
eine Verzögerungsschaltung 104, eine ODER-Schaltung 106, die
das RADE-Signal ausgibt, eine Verzögerungsschaltung 108, einen
Inverter 110 und eine UND-Schaltung 112, die das RAL-Signal
ausgibt. Hier sind die Verzögerungsschaltungen 102, 104 und
108 Doppelverzögerungsschaltungen, die sowohl die ansteigende
Flanke als auch die abfallende Flanke der entsprechenden Ein
gabesignale verzögern. Die Verzögerungsschaltung 104 und die
ODER-Schaltung 106 bilden eine Abfallverzögerungsschaltung,
die nur eine abfallende Flanke des Eingabesignals verzögert.
Nun wird der Betrieb des Steuersignalgenerators mit der oben
beschriebenen Konfiguration unter Bezugnahme auf das Zeitab
laufdiagramm, das in Fig. 9 gezeigt ist, beschrieben. Hier
wird die Blocklänge als "4" angenommen.
Wenn die Autovorladeschreibanweisung WAP, die in der vorher
gezeigten Tabelle 1 gezeigt ist, während der Aktivmodusperiode
bereitgestellt wird, steigt das Autovorladezustandsübergangs
signal C2WWREC auf einen H-Pegel zum Zeitpunkt t0 an, einen
halben Zyklus nach dem Erfassen der Anweisung WAP. Dieses Au
tovorladezustandsübergangssignal C2WWREC wird auf dem H-Pegel
bis zum Zeitpunkt t1 gehalten, einen halben Zyklus nach dem
Ende des Blockschreibens. Das RADE-Signal steigt auf den H-
Pegel an nach der ansteigenden Flanke des Aktivierungszu
standsübergangssignals RASP1 nach einer Verzögerung, die durch
die Verzögerungsschaltung 102 bestimmt ist. Als Reaktion auf
die ansteigende Flanke des RADE-Signals steigt das RAL-Signal
auf den H-Pegel an und wird für eine vorbestimmte Zeitdauer
gehalten, wodurch der in Fig. 1 und 2 gezeigte Zeilenadressen
puffer 20 aktiviert wird. Der Zeilenadressenpuffer 20 gibt so
mit das interne Zeilenadressensignal RAD aus.
Am Ende des Blockschreibens ist der automatische Vorladebe
trieb durchzuführen. Dieses Vorladen muß gestartet werden,
nachdem der letzte Datenwert vollständig in die Speicherzelle
eingeschrieben ist. Daher müssen die zeilenbezogenen internen
Steuersignale, wie zum Beispiel das RADE-Signal, nachdem dem
Abfallen des Aktivierungszustandsübergangssignals RASP1 abfal
len.
Für die zeilenbezogenen internen Steuersignale, die das RADE-
Signal enthalten, muß für einen Abfall beispielsweise nach ei
nem halben Zyklus hinter dem internen Taktsignal P1 eine Ver
zögerungsschaltung vorgesehen werden, die eine Verzögerung
aufweist, die gleich zu einem halben Zyklus ist.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird jedoch das Auto
vorladezustandsübergangssignal C2WWREC als Reaktion auf das
interne Taktsignal P2 erzeugt. Dieses Zustandsübergangssignal
C2WWREC fällt einen halben Zyklus hinter dem Abfallen des Ak
tivierungszustandsübergangssignals RASP1 ab. Die ODER-
Schaltung 100 verursacht, daß das RADE-Signal als Reaktion auf
die später abfallende Flanke von entweder dem Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1 oder dem Autovorladezustandsüber
gangssignal C2WWREC (in diesem Fall das Autovorladezu
standsübergangssignal C2WWREC) abfällt.
Daher ist es nicht notwendig, eine Verzögerungsschaltung vor
zusehen, die sicherstellt, daß die zeilenbezogenen internen
Steuersignale, die das BADE-Signal enthalten, einen halben Zy
klus nach dem Anstieg des internen Taktsignals P1 abfällt. Als
Ergebnis kann die Layoutfläche der Zeitablaufeinstellschaltung
42 kleiner gemacht werden.
Nun enthält bezüglich des Spaltensystems, wie in Fig. 10 ge
zeigt ist, die synchrone Schaltung 40 eine Halteschaltung 64,
die das Lesezustandsübergangssignal READP1 von der Kombinati
onslogikschaltung 60 als Reaktion auf das interne Taktsignal
P2 hält. Die Halteschaltung 64 liefert das gehaltene Signal an
die Zeitablaufeinstellschaltung 42 als ein Zustandsübergangs
signal C2WREAD1.
Die Zeitablaufeinstellschaltung 42 enthält eine UND-Schaltung
114, die das interne Taktsignal P1 und das Lesezustandsüber
gangssignal READP1 empfängt, eine UND-Schaltung 116, eine Ver
zögerungsschaltung 118, eine Verzögerungsschaltung 120, eine
UND-Schaltung 122, eine UND-Schaltung 124, die das interne
Taktsignal P1 und das Zustandsübergangssignal C2WREAD1 emp
fängt, einen Inverter 126, eine UND-Schaltung 128, eine Verzö
gerungsschaltung 130, eine Verzögerungsschaltung 132, eine
UND-Schaltung 134 und eine ODER-Schaltung 136. Ein Steuersi
gnal MCL2, das eine CAS-Wartezeit anzeigt, wird der UND-
Schaltung 116 und dem Inverter 126 bereitgestellt. Wenn das
Steuersignal MCL2 auf einem H-Pegel ist, beträgt die CAS-
Wartezeit "2", und wenn das Steuersignal MCL2 auf einem
L-Pegel ist, beträgt die CAS-Wartezeit "3".
Der Betrieb des Steuersignalgenerators mit der oben beschrie
benen Konfiguration wird nun unter Bezugnahme auf die Zeitab
laufdarstellung, die in Fig. 11 gezeigt ist, beschrieben. Hier
wird angenommen, daß die Blocklänge "4" beträgt und daß die
CAS-Wartezeit "3" beträgt.
Mit der CAS-Wartezeit von "3" steigt die Anzahl der Pipeli
nestufen an, und somit werden einige der spaltenbezogenen in
ternen Steuersignale, wie zum Beispiel das PAE-Signal, einen
Zyklus hinter den anderen erzeugt.
Das Lesezustandsübergangssignal READP1, das als Reaktion auf
die ansteigende Flanke des internen Taktsignals P1 ansteigt,
wird in der Halteschaltung 64 als Reaktion auf das interne
Taktsignal P2 gehalten, und das Zustandsübergangssignal
C2WREAD1 steigt als Antwort auf die ansteigende Flanke des in
ternen Taktsignal P2 an. Das Zustandsübergangssignal C2WREAD1
liegt somit einen halben Zyklus hinter dem Zustandsübergangs
signal READP1.
In dem Fall, bei dem die CAS-Wartezeit "3" beträgt, ist das
Steuersignal MCL2 auf dem L-Pegel, und somit gibt die UND-
Schaltung 122 konstant ein Signal auf dem L-Pegel aus. Im Ge
gensatz dazu gibt die UND-Schaltung 134 ein Signal als Reakti
on auf das interne Taktsignal P1 und auf das Zustandsüber
gangssignal C2WREAD1 aus. Daher gibt die ODER-Schaltung 136
das Ausgabesignal von der UND-Schaltung 134 als PAE-Signal
aus.
Wie in dem Fall des Zustandsübergangssignal READP1 wird das
Zustandsübergangssignal C2WREAD1 auf dem H-Pegel während der
Blockleseperiode von 4 Zyklen gehalten. Während dieser Periode
steigt und fällt das PAE-Signal entsprechend der ansteigenden
und abfallenden Flanke des internen Taktsignals P1.
Wie oben beschrieben wurde, ist das Zustandsübergangssignal
C2WREAD1 schon auf dem H-Pegel bevor das interne Taktsignal P1
ansteigt. Daher ist es für das PAE-Signal möglich, daß es un
mittelbar nach dem Anstieg des internen Taktsignals P1 an
steigt.
Bei der synchronen Schaltung bzw. Synchronschaltung 40 gemäß
der ersten Ausführungsform, wie in Fig. 3 gezeigt ist, werden
die externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS zuerst als
Reaktion auf das interne Taktsignal P2 gehalten und die Anwei
sungen werden danach dekodiert. Im Gegensatz dazu, wie in Fig.
12 gezeigt ist, dekodiert die synchrone Schaltung 40 gemäß der
dritten Ausführungsform zuerst die Anweisungen der externen
Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS und hält dann die deko
dierten Signale als Reaktion auf das interne Taktsignal P2. Im
allgemeinen wird eine Einstellperiode von 1,5 ns bis 2 ns für
externe Signale bezüglich einem Taktsignal vorgesehen. Somit
kann durch Durchführen der logischen Verknüpfungen der exter
nen Signale innerhalb dieser Einstellperiode die gesamte Be
triebsgeschwindigkeit erhöht werden.
Bei der synchronen Schaltung 40 gemäß der dritten Ausführungs
form sind, wie in Fig. 12 gezeigt ist, die Anweisungsdekoder
46, 48, 50 und 52 vor den entsprechenden Halteschaltungen 44
vorgesehen. Daher empfangen die Anweisungsdekoder 46, 48, 50
und 52 direkt die externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und
/CS und nicht über die Halteschaltungen. Die Halteschaltungen
44 halten die dekodierten Signale von den entsprechenden An
weisungsdekodern 46, 48, 50 und 52 als Reaktion auf das inter
ne Taktsignal P2.
Das Speicherzellenfeld SDRAM ist in vier Bänke aufgeteilt. Da
jede Bank unabhängig von der anderen arbeitet, müssen die Zu
standsübergangssignale für jede Bank erzeugt werden.
Um selektiv die vier Bänke zu aktivieren, enthält die synchro
ne Schaltung 40 ferner Bankdekoder 138, 140, 142 und 144, die
die Bankadressensignale BA0 und BA1 dekodieren. Wie in dem
Fall der Anweisungsdekoder 46, 48, 50 und 52, die oben be
schrieben wurden, sind die Bankdekoder 138, 140, 142 und 144
vor den Halteschaltungen 44 vorgesehen und empfangen direkt
die extern angelegten Bankadressensignale BA0, BA1. Die Halte
schaltungen 44 halten die dekodierten Signale von den Bankde
kodern 138, 140, 142 und 144 als Reaktion auf das interne
Taktsignal P2.
Um selektiv den Halteschaltungen 54 die dekodierten Banksigna
le /BAP2 [0] bis [3] von den Halteschaltungen 44 bereitzustel
len, enthält die synchrone Schaltung 40 ferner vier NOR-
Schaltungen 146 mit zwei Eingängen (negative Logik, NICHT-
ODER-Schaltungen mit zwei Eingängen), die gemeinsam die deko
dierten Aktivierungssignale /ACTP2 von der Halteschaltung 44
empfangen, und vier NOR-Schaltungen (negative Logik) 148 mit
zwei Eingängen, die gemeinsam das dekodierte Vorladesignal
/PREP2 von der Halteschaltung 44 empfangen. Die Halteschaltun
gen 54 halten Signale von den entsprechenden NOR-Schaltungen
146 als Reaktion auf das interne Taktsignal P1. Die Signale
I1WACT [0] bis [3], die in den Halteschaltungen 54 gehalten
werden, werden zu entsprechenden Kombinationslogikschaltungen
56 geliefert. Die Halteschaltungen 54 halten Signale von den
entsprechenden NOR-Schaltungen 148 als Reaktion auf das inter
ne Taktsignal P1. Die Signale I1WPRE [0] bis [3], die in den
Halteschaltungen 54 gehalten werden, werden zu den entspre
chenden Kombinationslogikschaltungen 56 geliefert. Die Kombi
nationslogikschaltungen 56 erzeugen Aktivierungszustandsüber
gangssignale RASP1 [0] bis [3] als Reaktion auf die Signale
I1WACT [0] bis [3] und bringen diese Aktivierungszustandsüber
gangssignale RASP1 [0] bis [3] dazu, einen aktiven Zustand zu
erreichen, als Reaktion auf die entsprechenden Signale
I1WPRE [0] bis [3].
Die Halteschaltung 44 hält ein dekodierte Lesesignal von dem
Leseanweisungsdekoder 50 als Reaktion auf das interne Taktsi
gnal P2. Die Halteschaltung 54 hält das dekodierte Lesesignal
/READP2, das in der Halteschaltung 44 gehalten wird, als Reak
tion auf das interne Taktsignal P1 und sendet das gehaltene
Signal zu der Kombinationslogikschaltung 62.
Die Halteschaltung 44 hält ein dekodiertes Schreibsignal von
dem Schreibanweisungsdekoder 52 als Reaktion auf das interne
Steuersignal P2. Die Halteschaltung 54 hält das dekodierte
Schreibsignal /WRITEP2, das in der Halteschaltung 44 gehalten
wird, als Reaktion auf das interne Taktsignal P1 und sendet
das gehaltene Signal zu der Kombinationslogikschaltung 62.
Die Kombinationslogikschaltung 60 erzeugt das Lesezustands
übergangssignal READP1 als Reaktion auf das Signal von der
entsprechenden Halteschaltung 54. Die Kombinationslogikschal
tung 62 erzeugt das Schreibzustandsübergangssignal WRITEP1 als
Reaktion auf das Signal von der entsprechenden Halteschaltung
54. Es wird darauf hingewiesen, daß die Kombinationslogik
schaltungen 60 und 62 gemeinsam ein Spaltenabschlußsignal
COLTERMP1 empfangen, was später detaillierter in Verbindung
mit der fünften Ausführungsform beschrieben wird.
Wie oben beschrieben wurde, ist der Aktivierungsanweisungsde
koder 46 vor der Halteschaltung 44 vorgesehen, um direkt die
externen Steuersignale /RAS, /CAS, /WE und /CS zu empfangen.
Daher wird, wie in dem Zeitablaufdiagramm von Fig. 13 gezeigt
ist, das Dekodieren der Aktivierungsanweisung durch den Anwei
sungsdekoder 46 innerhalb der Einstellperiode ts vor dem An
stieg des internen Taktsignals P1 abgeschlossen. Folglich
steigt das Signal I1WACT[i] (i = 1 bis 3) direkt nach dem An
stieg des internen Taktsignals P1 an.
Ähnlich ist der Vorladeanweisungsdekoder 48 vor der Halte
schaltung 44 vorgesehen und empfängt direkt externe Steuersi
gnale /RAS, /CAS, /WE und /CS. Daher ist das Dekodieren der
Vorladeanweisung durch den Anweisungsdekoder 48 innerhalb der
Einstellperiode ts abgeschlossen und als Ergebnis steigt das
Signal I1WPRE[i] direkt nach dem Anstieg des internen Taktsi
gnals P1 an.
Der Leseanweisungsdekoder 50 und der Schreibanweisungsdekoder
52 sind auch vor den Halteschaltungen 44 vorgesehen, und somit
steigen die Signale /COLPR1 und /COLWP1 direkt nach dem An
stieg des internen Taktsignals P1 an.
Ähnlich sind die Bankdekoder 138, 140, 142 und 144 vor den
Halteschaltungen 44 vorgesehen. Folglich wird das Dekodieren
der Bankadressen durch die Bankdekoder 138, 140, 142 und 144
innerhalb der Einstellperiode ts abgeschlossen.
Bevorzugt enthält der Aktivierungsanweisungsdekoder 46, wie in
Fig. 14 gezeigt ist, einen Inverter 150, der das /RAS-Signal
empfängt, ein CMOS-Übertragungsgatter 152, das das /CAS-Signal
empfängt, ein CMOS-Übertragungsgatter 154, das /WE empfängt,
einen Inverter 156, der /CS empfängt, und eine NAND-Schaltung
(NICHT-UND-Schaltung) 158 mit vier Eingängen, die die Ausgabe
signale der Inverter 150 und 156 und der Übertragungsgatter
152, 154 empfängt.
Die Übertragungsgatter 152 und 154 werden nicht notwendiger
weise benötigt, da sie das /CAS-Signal und das /WE-Signal zu
der NAND-Schaltung 158 ohne Ändern ihrer Logik übertragen. Das
Vorsehen der Übertragungsgatter 152 und 154, die jeweils die
gleiche Verzögerungszeit wie die entsprechenden Inverter 150,
156 aufweisen, ermöglicht jedoch, daß alle externen Steuersi
gnale /RAS, /CAS, /WE und /CS die NAND-Schaltung 158 zur glei
chen Zeit erreichen.
Bevorzugt sind die anderen Anweisungsdekoder 48, 50 und 52 in
der gleichen Weise wie der Aktivierungsanweisungsdekoder 46
konfiguriert, der oben beschrieben wurde. Die Orte zum Einfü
gen der Inverter und der Übertragungsgatter sind jedoch für
jeden der Anweisungsdekoder 48, 50 oder 52 verschieden.
Wie in Fig. 15 gezeigt ist, enthält die NAND-Schaltung 158 mit
vier Eingängen bevorzugt vier Eingabeknoten 160, 162, 164 und
166, einen Ausgabeknoten 167, vier P-Kanal-MOS-Transistoren
168, 170, 172 und 174, die zueinander parallel verbunden sind,
vier N-Kanal-MOS-Transistoren 176, 178, 180 und 182, die mit
einander in Reihe verbunden sind, und vier N-Kanal-MOS-
Transistoren 184, 186, 188 und 190, die miteinander in Reihe
verbunden sind.
Bei den N-Kanal-MOS-Transistoren 168, 170, 172 und 174 sind
jeweils die Sourceanschlüsse mit einem Stromversorgungsknoten
verbunden, sind jeweils die Drainanschlüsse mit einem Ausgabe
knoten 167 verbunden und sind jeweils die Gates mit den ent
sprechenden Eingabeknoten 160, 162, 164 und 166 verbunden. Die
N-Kanal-MOS-Transistoren 176, 178, 180 und 182 sind zwischen
dem Ausgabeknoten 176 und einem Masseknoten verbunden und ihre
Gates sind jeweils mit den entsprechenden Eingabeknoten 160,
162, 164 und 166 verbunden. Die N-Kanal-MOS-Transistoren 184,
186, 188 und 190 sind zwischen dem Ausgabeknoten 167 und einem
Masseknoten verbunden, d. h. sie sind parallel mit den N-Kanal-
MOS-Transistoren 176, 178, 180 und 182 verbunden. Das Gate des
N-Kanal-MOS-Transistors 184 und das Gate des N-Kanal-MOS-
Transistors 182 sind gemeinsam mit einem Eingabeknoten 166
verbunden. Die Gates der N-Kanal-MOS-Transistoren 186 und 180
sind gemeinsam mit dem Eingabeknoten 164 verbunden. Die Gates
der N-Kanal-MOS-Transistoren 188 und 178 sind gemeinsam mit
dem Eingabeknoten 162 verbunden. Die Gates der N-Kanal-MOS-
Transistoren 190 und 176 sind gemeinsam mit dem Eingabeknoten
160 verbunden.
Mit einer solchen Anordnung kann die NAND-Schaltung 158 mit
vier Eingängen ein Ausgabesignal mit der gleichen Antwortzeit
erzeugen, unabhängig davon welche Eingangssignale an welche
Eingabeknoten angelegt werden.
Der Bankdekoder 138 enthält bevorzugt, wie in Fig. 16 gezeigt
ist, einen Inverter 192, der das Bankadressensignal BA0 emp
fängt, einen Inverter 194, der das Bankadressensignal BA1 emp
fängt, und eine NAND-Schaltung 196 mit vier Eingängen, die die
Ausgabesignale von den Invertern 192 und 194 sowie Stromver
sorgungsspannungen VCC empfängt.
Die NAND-Schaltung 196 muß nicht notwendigerweise als ein
NAND-Schaltung mit vier Eingängen konfiguriert sein, da die
NAND-Schaltung 196 an zwei der vier Eingabeknoten die Strom
versorgungsspannungen VCC empfängt. Alternativ kann sie aus
einer NAND-Schaltung mit zwei Eingängen gebildet sein. Die An
weisungsdekoder 46, 48, 50 und 52 enthalten jedoch alle NAND-
Schaltungen mit vier Eingängen. Es ist daher besser, Bankdeko
der 138, 140, 142 und 144 zu haben, die mit NAND-Schaltungen
mit vier Eingängen konfiguriert sind, um die Eingabesignale
zeitlich zu steuern.
Obwohl die anderen Bankdekoder 140, 142 und 144 grundsätzlich
die gleiche Konfiguration wie der Bankdekoder 138 aufweisen,
sind die Anzahl der Inverter, die mit den Eingabeknoten zu
verbinden sind, oder die Anzahl der Eingabeknoten, an die die
Stromversorgungsspannung VCC anzulegen ist, für jeden der
Bankdekoder 140, 142, 144 verschieden. Zusätzlich ist es wün
schenswert, daß ein CMOS-Übertragungsgatter mit einem Eingabe
knoten verbunden ist, zu dem das Bankadressensignal BA0 oder
BA1 direkt angelegt wird, und nicht über einen Inverter, so
daß die Eingabesignale derart zeitlich gesteuert werden, wie
in der in Fig. 14 gezeigten Konfiguration.
Bei der synchronen Schaltung 40, die in Fig. 12 gezeigt ist,
wird das Signal I1WPRE[i], das als Reaktion auf die extern an
gelegte Vorladeanweisung erzeugt ist, der Kombinationslogik
schaltung 56 zur Verfügung gestellt. Das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1[i], das durch die Kombinationslo
gikschaltung 56 erzeugt wird, muß auf dem H-Pegel für eine
Mehrzahl von Zyklen gehalten werden, es sei denn, daß das Si
gnal I1WPRE[i] bereitgestellt wird.
In dem Fall, bei dem die externe Anweisung mit einer Einstell
periode bereitgestellt wird, die kürzer ist als die normale
Einstellperiode, kann jedoch das Signal I1WPRE[i] illegal bzw.
ungültig erzeugt werden. Wenn das Aktivierungszustandsüber
gangssignal RASP1[i] als Reaktion auf ein solches ungültiges
Signal I1WPRE[i] einmal zurückgesetzt ist, wird es nicht mehr
in seinen normalen Zustand zurückkehren.
Anders als das Vorladeanweisungssignal I1WPRE[i] kann ein
Blockendesignal, das durch die Kombinationslogikschaltung für
ein Autoauffrischen nach dem Blocklesen oder Blockschreiben
erzeugt wird, auch verwendet werden, um das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1[i] zurückzusetzen. Da das deko
dierte Vorladesignal I1WPRE[i] ein externes Rücksetzsignal
ist, kann es das ungültige Rauschen enthalten, wie oben be
schrieben wurde. Das Blockendesignal ist jedoch ein internes
Rücksetzsignal und wird somit nicht durch ein ungültiges Rau
schen beeinflußt.
Somit ist in der vierten Ausführungsform, wie in Fig. 17 ge
zeigt ist, eine Logikschaltung 198 zwischen der Kombinations
logikschaltung 56 und der Halteschaltung 64 vorgesehen, und
ferner ist eine Logikschaltung 200 zwischen der Kombinations
logikschaltung 66 und der Halteschaltung 68 vorgesehen. Die
Logikschaltung 198 empfängt das dekodierte Vorladesignal
I1WPRE[i] als ein externes Rücksetzsignal RSTP1. Die Logik
schaltung 200 empfängt das Blockendesignal als ein internes
Zurücksetzsignal RSTP2. Daher wird, obwohl das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1[i] direkt als Reaktion auf das ex
terne Rücksetzsignal RSTP1 zurückgesetzt wird, das Autovorla
designal von der Kombinationslogikschaltung 66 als Reaktion
auf das interne Rücksetzsignal RSTP2 zurückgesetzt.
Alternativ können, wie in Fig. 18 gezeigt ist, eine ODER-
Schaltung 202 und eine UND-Schaltung 204 anstatt der Logik
schaltung 200 verwendet werden. Die ODER-Schaltung 202 emp
fängt das Autovorladesignal von der Kombinationslogikschaltung
66 und das Blockendesignal als das interne Rücksetzsignal
RSTP2. Die UND-Schaltung 204 empfängt das Ausgabesignal von
der ODER-Schaltung 202 und das interne Taktsignal P1. Die Hal
teschaltung 54 hält das dekodierte Aktivierungssignal
I1WACT[i] als Reaktion auf ein Ausgabesignal von der UND-
Schaltung 204.
Wie in dem Fall oben beschrieben wurde, wird das Aktivierungs
zustandsübergangssignal RASP1[i] direkt als Reaktion auf das
externe Rücksetzsignal RSTP1 zurückgesetzt. Während der Zeit,
in der Aktivierungszustandsübergangssignal RASP1[i] auf dem
H-Pegel gehalten wird, wird das Ausgabesignal der UND-
Schaltung 204 auf dem L-Pegel fixiert. Somit kann das Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1[i] auf dem H-Pegel gehalten
werden. Wenn das interne Zurücksetzsignal RSTP2 auf den H-
Pegel ansteigt, wird jedoch das interne Taktsignal P1 zu der
Halteschaltung 54 geliefert, um das Aktivierungszustandsüber
gangssignal RASP1[i] zurückzusetzen.
Nun wird der Betrieb der in Fig. 17 und 18 gezeigten Schaltun
gen unter Bezugnahme auf die Zeitablaufdiagramme, die in Fig. 19
und 20 gezeigt sind, beschrieben.
Fig. 19 zeigt den Betrieb in dem Fall, bei dem das Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1[i] als Reaktion auf das ex
terne Zurücksetzsignal RSTP1 zurückgesetzt werden soll. Fig. 20
zeigt den Betrieb, wenn das Aktivierungszustandsübergangs
signal RASP1 als Reaktion auf das interne Rücksetzsignal RSTP2
zurückgesetzt werden soll.
Wie in Fig. 19 gezeigt ist, steigt, wenn die Aktivierungsan
weisung ACT extern angelegt wird, das dekodierte Aktivierungs
signal I1WACT[i] von der NOR-Schaltung 146, die in Fig. 12 ge
zeigt ist. Danach steigt das Aktivierungszustandsübergangs
signal RASP1 als Reaktion auf den Anstieg des internen Taktsi
gnals P1. Bei dem Abfall des internen Taktsignals P1, d. h.
wenn das interne Taktsignal P2 ansteigt, fällt das dekodierte
Aktivierungssignal I1WACT[i], aber das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1 wird auf dem H-Pegel gehalten. Da
nach wird die Vorladeanweisung PCG extern angelegt. Dann
steigt als Reaktion auf den Anstieg des internen Taktsignals
P1 das externe Zurücksetzsignal RSTP1 (d. h. I1WPRE[i]). Wenn
dieses externe Zurücksetzsignal RSTP1 an die in Fig. 17 und 18
gezeigte Logikschaltung 198 angelegt wird, wird das Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1 zurückgesetzt.
Fig. 20 zeigt den Fall, bei dem ein Leseautovorladesignal mit
einer Blocklänge von "2" eingegeben wird.
Bezugnehmend auf Fig. 20 wurde die Aktivierungsanweisung ACT
bereitgestellt und somit wird das Aktivierungszustandsüber
gangssignal RASP1 auf dem H-Pegel gehalten. Wenn die Autovor
ladeleseanweisung RAP zu dieser Zeit bereitgestellt wird,
steigt RSTP2 einen halben Zyklus vor dem Blockende als Reakti
an auf den Anstieg des internen Taktsignals P2 an. Aufgrund
von diesem Signal fällt das Aktivierungszustandsübergangs
signal RASP1 bei dem Anstieg von P1 ab.
Wie oben erläutert wurde, ist gemäß der vierten Ausführungs
form der Zurücksetzweg in zwei Wege aufgeteilt, nämlich den
externen und den internen. Als Ergebnis kann, selbst wenn eine
externe Anweisung ungültigerweise in Bezug zu der normalen
Einstellperiode eingegeben wird, ein fehlerhaftes Zurücksetzen
des Aktivierungszustandsübergangssignals RASP1 verhindert wer
den.
Bei der in Fig. 17 gezeigten Schaltung kann ein Spitzenrau
schen erzeugt werden aufgrund eines Rennens zwischen den Hal
teschaltungen 54 und 68 zu Beginn des zweiten Zyklus, nachdem
das Aktivierungszustandsübergangssignal RASP1 den H-Pegel er
reicht hat. Die Ausgabe der Halteschaltung 54 geht von dem
H-Pegel auf den L-Pegel in dem zweiten Zyklus. Die Ausgabe der
Halteschaltung 68, die zum Halten des Zustandes des Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1[i] nach dem zweiten Zyklus
ist, geht von dem L-Pegel auf den H-Pegel zu Beginn des zwei
ten Zyklus. Wenn die Ausgaben von beiden Halteschaltungen 54
und 68 den L-Pegel gleichzeitig erreichen, selbst nur für ei
nen Augenblick, wird hier das Spitzenrauschen in dem Aktivie
rungszustandsübergangssignal RASP1 erzeugt. Da die zeilenbezo
genen internen Steuersignale in bezug auf die ansteigende oder
abfallende Flanke des Aktivierungszustandsübergangssignals
RASP1 erzeugt werden, kann ein solches Spitzenrauschen eine
Fehlfunktion verursachen.
Um ein solches Spitzenrauschen zu verhindern, ist es bevor
zugt, die Schaltung, die in Fig. 17 gezeigt ist, zu der von
Fig. 21 zu ändern. Die in Fig. 21 gezeigte Schaltung ist mit
einer ODER-Schaltung 206, die das dekodierte Aktivierungs
signal I1WACT[i] von der Halteschaltung 54 empfängt, einer
ODER-Schaltung 208, die die Ausgabesignale von den Halteschal
tungen 64 und 68 empfängt, und einer NOR-Schaltung 210, die
ein Ausgabesignal von der ODER-Schaltung 208 und das dekodier
te Vorladesignal I1WPRE[i] von der Halteschaltung 54, die in
Fig. 12 gezeigt ist, empfängt, versehen. Das Ausgabesignal von
der NOR-Schaltung 210 wird zu der ODER-Schaltung 206 gelie
fert. Diese ODER-Schaltungen 206, 208 und die NOR-Schaltung
210 sind in der Kombinationslogikschaltung 56 enthalten.
Der Betrieb dieser Schaltung wird nun unter Bezug auf das
Zeitablaufdiagramm, das in Fig. 22 gezeigt ist, beschrieben.
Wie oben beschrieben wurde, steigt das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP1 nach der Eingabe der Aktivierungs
anweisung ACT als Reaktion auf die ansteigende Flanke des in
ternen Taktsignals P1 an. Da die Halteschaltung 64 dieses Ak
tivierungszustandsübergangssignals RASP1[i] als Reaktion auf
das interne Taktsignal P2 hält, wird das Aktivierungszu
standsübergangssignal RASP2[i], das von dieser Halteschaltung
64 ausgegeben wird, einen halben Zyklus nach dem Aktivierungs
zustandsübergangssignal RASP1[i] erzeugt. Die Spannung an ei
nem Ausgabeknoten NB der ODER-Schaltung 208 erreicht einen
H-Pegel als Reaktion auf die ansteigende Flanke des Aktivie
rungszustandsübergangssignals RASP2[i]. Die Spannung an einem
Ausgabeknoten NA der Halteschaltung 68 erreicht einen H-Pegel
als Reaktion auf die ansteigende Flanke des zweiten Zyklus des
internen Taktsignals P1. Selbst wenn das Ansteigen dieses Kno
tens NA etwas verzögert ist, ist hier der Logikpegel des Kno
tens NB schon einen halben Zyklus früher als sein Ansteigen
festgelegt, und daher wird das Aktivierungszustandsübergangs
signal RASP1 nicht durch das oben beschriebene Spitzenrauschen
beeinflußt.
Normalerweise können in einem SDRAM externe Steuersignale mit
Zustandsübergangssignalen verglichen werden und die Ergebnisse
des Vergleiches können seinen Betrieb steuern. Beispielsweise
kann der Betrieb des Spaltensystems durch eine extern angeleg
te Vorladeanweisung unterbrochen werden. Genauer, wenn eine
Bank, in der das Spaltensystem in Betrieb ist, eine Vorladean
weisung empfängt, wird der Betrieb des Spaltensystems in der
Bank unterbrochen, um das Vorladen zu starten. Andererseits
wird, wenn die Vorladeanweisung zu einer anderen Bank gegeben
wird als die, in der das Spaltensystem in Betrieb ist, der Be
trieb des Spaltensystems nicht unterbrochen, und das automati
sche Vorladen wird zeitgerecht begonnen.
Ein Ziel der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist es, die Betriebsgeschwindigkeit zu erhöhen durch
Durchführen eines Vergleichs zwischen den externen Steuersi
gnalen und den Zustandsübergangssignalen während der Einstell
periode zum Empfangen der externen Steuersignale, wie in dem
Fall der Anweisungsdekodierer gemäß der dritten Ausführungs
form, die oben beschrieben wurde.
Wie in Fig. 23 gezeigt ist, enthält zusätzlich zu den in Fig. 12
gezeigten Komponenten die synchrone Schaltung 40 gemäß der
fünften Ausführungsform einen Lese-/Schreibanweisungsdekoder
212, eine Halteschaltung 44, die das dekodierte Signal von dem
Dekoder 212 als Reaktion auf das interne Taktsignal P2 hält,
einen Multiplexer 214, der entweder ein Bankspaltenaktivie
rungssignal BNKCAP2[i], das die Bank anzeigt, in der das Spal
tensystem in Betrieb ist, oder ein dekodiertes Banksi
gnal/BAP2[i] von der Halteschaltung 44 von Fig. 12 als Reakti
on auf ein dekodiertes Spaltensignal /COLP2, das in der Halte
schaltung 44 gehalten wird, auswählt, eine Halteschaltung 54,
die ein Signal von dem Multiplexer 214 als Reaktion auf das
interne Taktsignal P1 hält, einen Puffer 216, der ein Signal
von der Halteschaltung 54 empfängt, und eine Halteschaltung
64, die ein Signal von dem Puffer 216 als Reaktion auf das in
terne Taktsignal P2 hält und das Signal als Bankspaltenakti
vierungssignal /BNKCAP2[i] ausgibt. Hier sind der Multiplexer
214, die Halteschaltung 54, der Puffer 216 und die Halteschal
tung 64 für jede Bank vorgesehen. Der Lese-/Schreibahweisungs
dekoder 212 gibt ein dekodiertes Signal auf einem L-Pegel aus,
wenn die Leseanweisung oder die Schreibanweisung angelegt
wird. Der Multiplexer 214 wählt das dekodierte Bankauswahlsi
gnal /BAP2[i] aus, wenn das dekodierte Spaltensignal /COLP2
auf dem L-Pegel ist, d. h. wenn die Lese-/Schreibanweisung emp
fangen wird, und wählt das Bankspaltenaktivierungssignal
BNKCAP2[i] aus, wenn das dekodierte Spaltensignal /COLP2 auf
dem H-Pegel ist.
Wie in Fig. 24 gezeigt ist, enthält die synchrone Schaltung
ferner NOR-Schaltungen (negative Logik) 218, 220, 222 und 224,
die entsprechend dekodierte Banksignale /BAP2[0] bis [3] von
den Halteschaltungen 44, die in Fig. 12 gezeigt sind, und
Bankspaltenaktivierungssignale /BNKCAP2[0] bis [3] von den
Halteschaltungen 64, die in Fig.</ 04432 00070 552 001000280000000200012000285910432100040 0002010029887 00004 04313BOL< 23 gezeigt sind, empfängt,
eine NOR-Schaltung 226, die Ausgabesignale von den NOR-
Schaltungen 218, 220, 222 und 224 empfängt, eine UND-Schaltung
228, die ein Übereinstimmungssignal /MATCHP2 von der NOR-
Schaltung 226 und das dekodierte Vorladesignal /PREP2 von der
in Fig. 12 gezeigten Halteschaltung 44 empfängt, und eine Hal
teschaltung 54, die ein Ausgabesignal von der UND-Schaltung
228 als Reaktion auf das interne Taktsignal P1 hält und das
Signal als Spaltenabschlußsignal COLTERMP1 ausgibt. Hier bil
den die NOR-Schaltungen 218, 220, 222, 224 und die NOR-
Schaltung 226 eine Vergleichsschaltung, die das Übereinstim
mungssignal /MATCHP2 auf den L-Pegel aktiviert, wenn eines der
Bankspaltenaktivierungssignale /BNKCAP2[i] mit dem entspre
chenden dekodierten Banksignal /BAP2[i] übereinstimmt. Das
Spaltenabschlußsignal COLTERMP1 wird an die in Fig. 12 gezeig
ten Kombinationslogikschaltungen 60 und 62 angelegt.
Der Betrieb der synchronen Schaltung 40 mit der oben beschrie
benen Konfiguration wird nun unter Bezugnahme auf die Zeitab
laufdarstellung, die in Fig. 25 gezeigt ist, beschrieben. Hier
wird angenommen, daß die Bank#1 eine Vorladeanweisung emp
fängt, während das Spaltensystem in der Bank#1 einen Lesebe
trieb durchführt.
Wenn die Leseanweisung READ extern zugeführt wird und das in
terne Taktsignal P2 ansteigt, d. h. das interne Taktsignal P1
abfällt, fällt das dekodierte Spaltensignal /COLP2 auf den
L-Pegel.
Wenn andererseits das Bankadressensignal BA0 auf dem H-Pegel
und das Bankadressensignal BA1 auf dem L-Pegel der ausgewähl
ten Bank#1 zugeführt werden und das interne Taktsignal P2 an
steigt, d. h. das interne Taktsignal P1 abfällt, dann fällt das
dekodierte Banksignal /BAP2[1] auf den L-Pegel.
Da das dekodierte Spaltensignal /COLP2 auf dem L-Pegel ist,
wie oben beschrieben wurde, wird das dekodierte Banksignal
/BAP2[1] durch den Multiplexer 214 ausgewählt und zu der Hal
teschaltung 54 geliefert. Somit fällt das Bankspaltenaktivie
rungssignal /BNKCAP2 auf den L-Pegel als Reaktion auf den An
stieg des internen Taktsignals P2, d. h. den Abfall des inter
nen Taktsignals P1.
Wie oben beschrieben wurde, fällt in dem Fall, bei dem die
Vorladeanweisung PCG für die Bank#1 extern geliefert wird,
während das Spaltensystem in der Bank#1 in dem Lesemodus ist,
das dekodierte Banksignal /BAP2[1] auf den L-Pegel als Reakti
on auf den Anstieg des internen Taktsignals P2, d. h. den Ab
fall des internen Taktsignals P1. Zu dieser Zeit sind sowohl
das dekodierte Banksignal /BAP2[1] als auch das Bankspaltenak
tivierungssignal /BNKCAP2[1] auf dem L-Pegel und somit fällt
das Übereinstimmungssignal /MATCHP2 auf den L-Pegel. Da die
Vorladeanweisung PCG vorgesehen ist, ist das dekodierte Vorla
designal /PREP2 auf dem L-Pegel. Folglich steigt das Spalten
abschlußsignal COLTERMP1 auf den H-Pegel als Reaktion auf den
Anstieg des internen Taktsignals P1. Aufgrund des Vorhanden
seins der Vorladeanweisung PCG fällt das Aktivierungszustands
übergangssignal RASP1[1] auf den L-Pegel.
Das Spaltenabschlußsignal COLTERMP1 auf dem H-Pegel wird an
die Kombinationslogikschaltungen 60 und 62, die in Fig. 12 ge
zeigt sind, geliefert, und somit erreicht das Lesezu
standsübergangssignal READP1 den L-Pegel. Folglich wird der
Lesebetrieb des Spaltensystems in der Bank#1 unterbrochen.
Es wird angemerkt, daß, wenn die Vorladeanweisung PCG zu ande
ren Bänken geliefert wird, das Spaltenabschlußsignal COLTERMP1
auf dem L-Pegel gehalten wird und die Aktivierungszu
standsübergangssignale RASP1[0], [2] und [3] für die anderen
Bänke jeweils den L-Pegel erreichen.
Wie oben erläutert wurde, wird gemäß der fünften Ausführungs
form der Vergleich der dekodierten Banksignale /BAP2[0] bis
[3] und der Bankspaltenaktivierungssignale /BNKCAP2[0] bis [3]
während der Einstellperiode zum Empfangen der externen Signale
durchgeführt. Somit kann die Betriebsgeschwindigkeit verbes
sert werden.
Claims (16)
1. Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehr
zahl von externen Steuersignalen synchron mit einem Taktsignal
empfängt und Übergänge zwischen einer Mehrzahl von Betriebszu
ständen als Reaktion auf die empfangenen externen Steuersigna
le durchführt, mit
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Lese-/Schreibschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 24, 26), die einen Datenwert von dem Speicherzellenfeld (12) liest und ei nen Datenwert in das Speicherzellenfeld (12) einschreibt, und
einem Steuersignalgenerator (28), der ein internes Steuersi gnal zur Steuerung der Lese-/Schreibschaltung (14, 16, . . ., 26) erzeugt und zu der Lese-/Schreibschaltung (14, 16, . . . 26) lie fert,
wobei der Steuersignalgenerator (28)
eine synchrone Schaltung (40), die synchron zu dem Taktsignal ist und auf die externen Steuersignale reagiert, zur Erzeugung einer Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen, die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die asynchron zu dem Taktsignal ist und auf die Zustandsübergangssignalen reagiert, zur Erzeugung des internen Steuersignals aufweist.
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Lese-/Schreibschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 24, 26), die einen Datenwert von dem Speicherzellenfeld (12) liest und ei nen Datenwert in das Speicherzellenfeld (12) einschreibt, und
einem Steuersignalgenerator (28), der ein internes Steuersi gnal zur Steuerung der Lese-/Schreibschaltung (14, 16, . . ., 26) erzeugt und zu der Lese-/Schreibschaltung (14, 16, . . . 26) lie fert,
wobei der Steuersignalgenerator (28)
eine synchrone Schaltung (40), die synchron zu dem Taktsignal ist und auf die externen Steuersignale reagiert, zur Erzeugung einer Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen, die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die asynchron zu dem Taktsignal ist und auf die Zustandsübergangssignalen reagiert, zur Erzeugung des internen Steuersignals aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der
die Zeitablaufeinstellschaltung (42) eine ansteigende Flanke
und/oder eine abfallende Flanken des Zustandsübergangssignales
verzögert, um eine ansteigende Flanke und/oder abfallende
Flanken des internen Steuersignales zu definieren.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, weiter mit
einem 2-Phasen-Taktgenerator (10), der auf das Taktsignal rea
giert, zur Erzeugung eines ersten und zweiten Taktsignales,
die zueinander komplementär sind,
wobei die synchrone Schaltung (40) eines der Zustandsüber
gangssignale aktiviert und somit erzeugt, wenn das erste Takt
signal von einem ersten Logikpegel zu einem zweiten Logikpegel
geht, und ein anderes der Zustandsübergangssignale aktiviert
und somit erzeugt, wenn das zweite Taktsignal von dem ersten
Logikpegel zu dem zweiten Logikpegel geht, wobei das andere
Zustandsübergangssignal hinter dem einen Zustandsübergangs
signal um einen halben Zyklus des ersten und zweiten Taktsi
gnals ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der
die Zeitablaufeinstellschaltung (42) eine ODER-Schaltung (100,
136) enthält, die auf das eine Zustandsübergangssignal und das
andere Zustandsübergangssignal reagiert, zur Erzeugung des in
ternen Steuersignals.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der
die Zeitablaufeinstellschaltung (42) eine UND-Schaltung (114,
124) enthält, die auf das erste oder zweite Taktsignal und das
andere Zustandsübergangssignal reagiert, zur Erzeugung des in
ternen Steuersignals.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter mit
einem 2-Phasen-Taktgenerator (10), der auf das Taktsignal rea giert, zur Erzeugung eines ersten und eines zweiten Taktsigna les, die zueinander komplementär sind,
wobei die synchrone Schaltung (40)
eine erste Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten des externen Steuersignales,
einen Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), der das in der er sten Halteschaltung (44) gehaltene Signal dekodiert,
eine zweite Halteschaltung (54), die auf das erste Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), und
eine Logikschaltung (56, 58, 60, 62), die auf das Signal rea giert, das in der zweiten Halteschaltung (54) gehalten ist, zum Erzeugen des Zustandsübergangssignals aufweist.
einem 2-Phasen-Taktgenerator (10), der auf das Taktsignal rea giert, zur Erzeugung eines ersten und eines zweiten Taktsigna les, die zueinander komplementär sind,
wobei die synchrone Schaltung (40)
eine erste Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten des externen Steuersignales,
einen Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), der das in der er sten Halteschaltung (44) gehaltene Signal dekodiert,
eine zweite Halteschaltung (54), die auf das erste Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), und
eine Logikschaltung (56, 58, 60, 62), die auf das Signal rea giert, das in der zweiten Halteschaltung (54) gehalten ist, zum Erzeugen des Zustandsübergangssignals aufweist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter mit
einem 2-Phasen-Taktgenerator (10), der auf das Taktsignal rea giert, zum Erzeugen eines ersten und zweiten Taktsignales, die zueinander komplementär sind,
wobei die synchrone Schaltung (40)
einen Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), der das externe Steuersignal empfängt und dekodiert, und
eine erste Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52) aufweist.
einem 2-Phasen-Taktgenerator (10), der auf das Taktsignal rea giert, zum Erzeugen eines ersten und zweiten Taktsignales, die zueinander komplementär sind,
wobei die synchrone Schaltung (40)
einen Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52), der das externe Steuersignal empfängt und dekodiert, und
eine erste Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Anweisungsdekoder (46, 48, 50, 52) aufweist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der
der Anweisungsdekoder (46)
einen Inverter (150, 156), der eines der externen Steuersigna le empfängt,
ein Übertragungsgatter (152, 154), das ein anderes der exter nen Steuersignale empfängt, und
eine NAND-Schaltung (158), die die Ausgabesignale von dem In verter (150, 156) und dem Übertragungsgatter (152, 154) emp fängt, aufweist.
der Anweisungsdekoder (46)
einen Inverter (150, 156), der eines der externen Steuersigna le empfängt,
ein Übertragungsgatter (152, 154), das ein anderes der exter nen Steuersignale empfängt, und
eine NAND-Schaltung (158), die die Ausgabesignale von dem In verter (150, 156) und dem Übertragungsgatter (152, 154) emp fängt, aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, bei der die NAND-Schaltung
(158)
einen ersten Eingabeknoten (160),
einen zweiten Eingabeknoten (162),
einen Ausgabeknoten (167),
einen ersten P-Kanal-MOS-Transistor (168), der ein mit dem er sten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein mit einem Stromversorgungsknoten verbundenes Source und ein mit dem Aus gabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen zweiten P-Kanal-MOS-Transistor (170), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein mit einem Stromversorgungsknoten verbundene Source und ein mit dem Aus gabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen ersten N-Kanal-MOS-Transistor (176), der ein mit dem er sten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein Source und ein mit dem Ausgabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen zweiten N-Kanal-MOS-Transistor (178), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein mit einem Masseknoten verbundene Source und ein mit dem Source des er sten N-Kanal-MOS-Transistors (176) verbundenes Drain aufweist,
einen dritten N-Kanal-MOS-Transistor (188), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein Source und ein mit dem Ausgabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist, und
einen vierten N-Kanal-MOS-Transistor (190), der ein mit dem ersten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein mit einem Masseknoten verbundene Source und ein mit dem Source des drit ten N-Kanal-MOS-Transistors (188) verbundenes Drain aufweist,
aufweist.
einen ersten Eingabeknoten (160),
einen zweiten Eingabeknoten (162),
einen Ausgabeknoten (167),
einen ersten P-Kanal-MOS-Transistor (168), der ein mit dem er sten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein mit einem Stromversorgungsknoten verbundenes Source und ein mit dem Aus gabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen zweiten P-Kanal-MOS-Transistor (170), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein mit einem Stromversorgungsknoten verbundene Source und ein mit dem Aus gabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen ersten N-Kanal-MOS-Transistor (176), der ein mit dem er sten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein Source und ein mit dem Ausgabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist,
einen zweiten N-Kanal-MOS-Transistor (178), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein mit einem Masseknoten verbundene Source und ein mit dem Source des er sten N-Kanal-MOS-Transistors (176) verbundenes Drain aufweist,
einen dritten N-Kanal-MOS-Transistor (188), der ein mit dem zweiten Eingabeknoten (162) verbundenes Gate, ein Source und ein mit dem Ausgabeknoten (167) verbundenes Drain aufweist, und
einen vierten N-Kanal-MOS-Transistor (190), der ein mit dem ersten Eingabeknoten (160) verbundenes Gate, ein mit einem Masseknoten verbundene Source und ein mit dem Source des drit ten N-Kanal-MOS-Transistors (188) verbundenes Drain aufweist,
aufweist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei der das
Speicherzellenfeld (12) in eine Mehrzahl von Bänke aufgeteilt
ist,
wobei die synchrone Schaltung (40) weiter aufweist
einen Bankdekoder (138, 140, 142, 144), der ein Bankadressen signal empfängt und dekodiert, zum Identifizieren der Bänke,
eine zweite Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Bankdekoder (138, 140, 142, 144),
eine Logikschaltung (146, 148), die auf die in der ersten und zweiten Halteschaltung (44) gehaltenen Signale reagiert, zum Ausgeben eines Signals und
eine dritte Halteschaltung (54), die auf das erste Taktsignal reagiert, zum Halten des Signals von der Logikschaltung (146, 148).
wobei die synchrone Schaltung (40) weiter aufweist
einen Bankdekoder (138, 140, 142, 144), der ein Bankadressen signal empfängt und dekodiert, zum Identifizieren der Bänke,
eine zweite Halteschaltung (44), die auf das zweite Taktsignal reagiert, zum Halten eines Signales von dem Bankdekoder (138, 140, 142, 144),
eine Logikschaltung (146, 148), die auf die in der ersten und zweiten Halteschaltung (44) gehaltenen Signale reagiert, zum Ausgeben eines Signals und
eine dritte Halteschaltung (54), die auf das erste Taktsignal reagiert, zum Halten des Signals von der Logikschaltung (146, 148).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der
der Anweisungsdekoder (46) eine erste NAND-Schaltung (158) mit einer Mehrzahl von Eingabeknoten enthält und
der Bankdekoder (138) eine zweite NAND-Schaltung (196) mit der gleichen Anzahl von Eingabeknoten wie die erste NAND-Schaltung (158) enthält.
der Anweisungsdekoder (46) eine erste NAND-Schaltung (158) mit einer Mehrzahl von Eingabeknoten enthält und
der Bankdekoder (138) eine zweite NAND-Schaltung (196) mit der gleichen Anzahl von Eingabeknoten wie die erste NAND-Schaltung (158) enthält.
12. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der
die synchrone Schaltung (40) aufweist
einen ersten Anweisungsdekoder (46), der die externen Steuer signale dekodiert,
eine erste Logikschaltung (56), die auf ein Signal von dem er sten Anweisungsdekoder (46) reagiert, zum Erzeugen von einem der Zustandsübergangssignale, das einen aktiven Zustand über eine Mehrzahl von Zyklen des Taktsignales hält,
eine zweite Logikschaltung (66), die auf das Zustandsüber gangssignal von der ersten Logikschaltung (56) reagiert, zum Erzeugen und Liefern eines ersten Zurücksetzsignals zu der er sten Logikschaltung (56), um das Zustandsübergangssignal dazu zu bringen, in einen inaktiven Zustand zu gelangen,
einen zweiten Anweisungsdekoder (48), der die externen Steuer signale dekodiert und ein zweites Zurücksetzsignal erzeugt, um das Zustandsübergangssignal von der ersten Logikschaltung (56) dazu zu bringen, daß es einen inaktiven Zustand erreicht, und
eine Gatterschaltung (198), die zwischen der ersten und zwei ten Logikschaltung (56, 66) verbunden ist und die auf das zweite Zurücksetzsignal reagiert, um das Zustandsübergangs signal von der ersten Logikschaltung (56) dazu zu bringen, ei nen inaktiven Zustand zu erreichen.
die synchrone Schaltung (40) aufweist
einen ersten Anweisungsdekoder (46), der die externen Steuer signale dekodiert,
eine erste Logikschaltung (56), die auf ein Signal von dem er sten Anweisungsdekoder (46) reagiert, zum Erzeugen von einem der Zustandsübergangssignale, das einen aktiven Zustand über eine Mehrzahl von Zyklen des Taktsignales hält,
eine zweite Logikschaltung (66), die auf das Zustandsüber gangssignal von der ersten Logikschaltung (56) reagiert, zum Erzeugen und Liefern eines ersten Zurücksetzsignals zu der er sten Logikschaltung (56), um das Zustandsübergangssignal dazu zu bringen, in einen inaktiven Zustand zu gelangen,
einen zweiten Anweisungsdekoder (48), der die externen Steuer signale dekodiert und ein zweites Zurücksetzsignal erzeugt, um das Zustandsübergangssignal von der ersten Logikschaltung (56) dazu zu bringen, daß es einen inaktiven Zustand erreicht, und
eine Gatterschaltung (198), die zwischen der ersten und zwei ten Logikschaltung (56, 66) verbunden ist und die auf das zweite Zurücksetzsignal reagiert, um das Zustandsübergangs signal von der ersten Logikschaltung (56) dazu zu bringen, ei nen inaktiven Zustand zu erreichen.
13. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der
die synchrone Schaltung (40)
einen Dekoder (212), der ein externes Signal dekodiert, und
eine Vergleichsschaltung (226), die ein Signal von dem Dekoder (212) mit dem Zustandsübergangssignal vergleicht, aufweist.
die synchrone Schaltung (40)
einen Dekoder (212), der ein externes Signal dekodiert, und
eine Vergleichsschaltung (226), die ein Signal von dem Dekoder (212) mit dem Zustandsübergangssignal vergleicht, aufweist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das Speicherzellen
feld (12) in eine Mehrzahl von Bänke aufgeteilt ist,
wobei die synchrone Schaltung (40) aufweist
einen Bankdekoder (138, 140, 142, 144), der ein Bankadressen signal dekodiert, um die Bänke zu identifizieren,
eine Bankspaltenaktivierungsschaltung (216), die auf ein Si gnal von dem Bankdekoder (138, 140, 142, 144) reagiert, zum Erzeugen eines Bankspaltenaktivierungssignals, das von der Mehrzahl von Bänken eine Bank bezeichnet, bei der ihre Spal tenschaltungsanordnung in Betrieb ist,
eine Vergleichsschaltung (226), die das Signal von dem Bankde koder (138, 140, 142, 144) mit dem Bankspaltenaktivierungssin gal vergleicht,
einen Vorladeanweisungsdekoder (48), der das externe Steuersi gnal dekodiert, und
eine Spaltenabschlußschaltung (228), die auf ein Übereinstim mungssignal von der Vergleichsschaltung (226) und ein Signal von dem Vorladeanweisungsdekoder (48) reagiert, zum Erzeugen eines Spaltenabschlußsignals, um den Betrieb der Spaltenschal tungsanordnung zu beenden.
wobei die synchrone Schaltung (40) aufweist
einen Bankdekoder (138, 140, 142, 144), der ein Bankadressen signal dekodiert, um die Bänke zu identifizieren,
eine Bankspaltenaktivierungsschaltung (216), die auf ein Si gnal von dem Bankdekoder (138, 140, 142, 144) reagiert, zum Erzeugen eines Bankspaltenaktivierungssignals, das von der Mehrzahl von Bänken eine Bank bezeichnet, bei der ihre Spal tenschaltungsanordnung in Betrieb ist,
eine Vergleichsschaltung (226), die das Signal von dem Bankde koder (138, 140, 142, 144) mit dem Bankspaltenaktivierungssin gal vergleicht,
einen Vorladeanweisungsdekoder (48), der das externe Steuersi gnal dekodiert, und
eine Spaltenabschlußschaltung (228), die auf ein Übereinstim mungssignal von der Vergleichsschaltung (226) und ein Signal von dem Vorladeanweisungsdekoder (48) reagiert, zum Erzeugen eines Spaltenabschlußsignals, um den Betrieb der Spaltenschal tungsanordnung zu beenden.
15. Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl von Be
triebszuständen als Reaktion auf ein Taktsignal und auf eine
Mehrzahl von externen Steuersignalen erzeugt, mit
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Leseschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 24), die einen Daten wert von dem Speicherzellenfeld (12) ausliest, und
einem Steuergenerator (28), der ein internes Steuersignal zur Steuerung der Leseschaltung (14, 16, . . ., 24) liefert,
wobei der Steuersignalgenerator (28) ein Signal empfängt, das als Reaktion auf die externen Steuersignale erzeugt ist, und
wobei der Steuergenerator (28) aufweist
zumindest zwei Signalhalteeinheiten (64, 68), die durch ein internes Taktsignal gesteuert sind, das als Reaktion auf das Taktsignal erzeugt ist,
eine Schaltung (56, 60), die eine Mehrzahl von Zustandsüber gangssignalen erzeugt, die als Reaktion auf Ausgaben der Si gnalhalteeinheiten (64, 68) erzeugt sind und die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die die Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen empfängt, bei zumindest zwei Zu standsübergangssignale voneinander verschiedene Verzögerungen erzeugt und das interne Steuersignal erzeugt.
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Leseschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 24), die einen Daten wert von dem Speicherzellenfeld (12) ausliest, und
einem Steuergenerator (28), der ein internes Steuersignal zur Steuerung der Leseschaltung (14, 16, . . ., 24) liefert,
wobei der Steuersignalgenerator (28) ein Signal empfängt, das als Reaktion auf die externen Steuersignale erzeugt ist, und
wobei der Steuergenerator (28) aufweist
zumindest zwei Signalhalteeinheiten (64, 68), die durch ein internes Taktsignal gesteuert sind, das als Reaktion auf das Taktsignal erzeugt ist,
eine Schaltung (56, 60), die eine Mehrzahl von Zustandsüber gangssignalen erzeugt, die als Reaktion auf Ausgaben der Si gnalhalteeinheiten (64, 68) erzeugt sind und die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die die Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen empfängt, bei zumindest zwei Zu standsübergangssignale voneinander verschiedene Verzögerungen erzeugt und das interne Steuersignal erzeugt.
16. Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl von Be
triebszuständen als Reaktion auf ein Taktsignal und auf eine
Mehrzahl von externen Steuersignalen erzeugt, mit
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Schreibschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 26), die einen Da tenwert in das Speicherzellenfeld (12) einschreibt, und
einem Steuergenerator (28), der ein internes Steuersignal für die Steuerung der Schreibschaltung (14, 16, . . ., 26) liefert,
wobei der Steuergenerator (28) ein Signal empfängt, das als Reaktion auf die externen Steuersignale erzeugt ist, und
wobei der Steuergenerator (28) aufweist
zumindest zwei Signalhalteeinheiten (64, 68), die durch ein internes Taktsignal gesteuert sind, das als Reaktion auf das Taktsignal erzeugt ist,
eine Schaltung (56, 60), die eine Mehrzahl von Zustandsüber gangssignalen erzeugt, die als Reaktion auf Ausgaben der Si gnalhalteeinheiten (64, 68) erzeugt sind und die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die die Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen empfängt, bei zumindest zwei der Zu standsübergangssignale voneinander verschiedene Verzögerungen erzeugt und das interne Steuersignal erzeugt.
einem Speicherzellenfeld (12),
einer Schreibschaltung (14, 16, 18, 20, 22, 26), die einen Da tenwert in das Speicherzellenfeld (12) einschreibt, und
einem Steuergenerator (28), der ein internes Steuersignal für die Steuerung der Schreibschaltung (14, 16, . . ., 26) liefert,
wobei der Steuergenerator (28) ein Signal empfängt, das als Reaktion auf die externen Steuersignale erzeugt ist, und
wobei der Steuergenerator (28) aufweist
zumindest zwei Signalhalteeinheiten (64, 68), die durch ein internes Taktsignal gesteuert sind, das als Reaktion auf das Taktsignal erzeugt ist,
eine Schaltung (56, 60), die eine Mehrzahl von Zustandsüber gangssignalen erzeugt, die als Reaktion auf Ausgaben der Si gnalhalteeinheiten (64, 68) erzeugt sind und die entsprechend die Mehrzahl von Betriebszuständen anzeigen, und
eine Zeitablaufeinstellschaltung (42), die die Mehrzahl von Zustandsübergangssignalen empfängt, bei zumindest zwei der Zu standsübergangssignale voneinander verschiedene Verzögerungen erzeugt und das interne Steuersignal erzeugt.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| DE10029887A Withdrawn DE10029887A1 (de) | 1999-06-22 | 2000-06-16 | Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung |
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| JP4531892B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2010-08-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路、半導体集積回路の制御方法、および可変遅延回路 |
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