DE1089880B - Temperaturabhaengige Schalteinrichtung - Google Patents
Temperaturabhaengige SchalteinrichtungInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
- H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
- H02H5/044—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature
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Description
DEUTSCHES
Für viele "Verwendungszwecke ist es erwünscht, einen Schaltvorgang in Abhängigkeit von der Erreichung
(Über- oder Unterschreitung) bestimmter Temperaturwerte durchzuführen. So ist beispielsweise bei
den sogenannten, Motorschutzschalter» eine Abschaltung
bei bestimmten Temperaturwerten wichtig. Weiter ist noch eine Anordnung bekanntgeworden, bei der
als Temperaturmeßglied ein Halbleiter verwendet ist, der zu einem Relais parallel geschaltet ist, das seinerseits
mit einem Vorwiderstand in Reihe angeordnet ist.
In der Hauptpatentanmeldung (deutsche Auslegeschrift 1 061 431) ist eine Anordnung zur Temperaturüberwachung
ähnlicher Art angegeben, bei der unter Verwendung eines in Abhängigkeit voxbestimmter,
insbesondere wählbarer Temperatur zum Schalten gebrachten Relais in Zusammenarbeit mit einem Halbleiter mit temperaturabhängigem Widerstand, der
Halbleiter über mindestens ein Schaltelement mit dem Relais verbunden ist, das bei Erreichen eines Schwellenwertes
einen kleinen dynamischen Widerstandswert besitzt.
Bei derartigen, Anordnungen fließt der für die Auslösung
des Relais bestimmte Strom über den Vorwiderstand und teilt sich dann in zwei zueinander parallele
Zweige, von denen der eine über den oder die parallel geschalteten Halbleiter, der andere Teil über
das Relais führt.
Da die Halbleiter in Abhängigkeit von- der Temperatur
ihren Widerstand erheblich ändern, ändert sich dementsprechend auch die Verteilung auf die parallelen
Zweige, so daß bei bestimmten Temperaturwerten der Ansprech- oder der Abfallwert des Relais erreicht
werden kann.
Nach der Erfindung kann eine Anordnung nach der Hauptpatentanmeldung (deutsche Auslegeschrift
1 061431) dadurch weitergebildet und verbessert
werden, daß das Relais zu dem Halbleiter parallel geschaltet wird. Auf diese Weise erhält man eine Anordnung,
bei der das Relais, sobald die ansteigende Temperatur einen bestimmten Wert erreicht, abfällt.
Dies unterscheidet sich also* in der Arbeitsweise von
dem Ausführungsbeispiel der Hauptpatentanmeldung, bei dem gerade umgekehrt bei einem Ansteigen der
Temperatur, sobald ein bestimmter Grenzwert erreicht ist, das Relais anzieht. Es wird also durch die
Anordnung nach der Erfindung ermöglicht, unter Verwendung von normalen Relais eine Anordnung zu
schaffen, bei der schon bei sehr kleinen Leistungen ein Relais bei genau definierten- Temperaturwerten abfällt.
Da das Relais hierbei gemäß der Vorschrift der Hauptpatentanmeldung über ein Schaltelement, wie
z. B. eine Diode, angeschlossen ist, erhält man eine Temperaturabhängige Schalteinrichtung
Zusatz zur Zusatzpatentanmeldung S 56890 VIIIb/21d3
(Auslegeschrift 1 061 431)
(Auslegeschrift 1 061 431)
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. phil. Herbert Piller, Nürnberg,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Stromverteilung, bei der das Relais so lange erregt bleibt, als die an dieser liegende Spannung, die dem
Spannungsabfall an einem Halbleiter entspricht, oberhalb der Grenzspannung der Diode liegt. Sobald also
der Spannungsabfall an dem Halbleiter diesen Wert unterschreitet, kann infolge der Sperrwirkung kein
Anteil des durch den Vorwiderstand fließenden Stromes mehr über die Relaiswicklung fließen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist schematisch in Fig. 1 der Zeichnung dargestellt. Hierbei ist
mit 1 ein temperaturabhängiger Halbleiter, mit 2 ein Relais bezeichnet. 3 stellt eine Sperrzelle dar, 4 bedeutet
den einstellbaren Vorwiderstand, 5 und 6 stellen die Klemmen dar, wobei eine Speisung mit Gleichstrom
vorausgesetzt ist, so' daß 5 an dem negativen und 6 an dem positiven Pol angeschlossen ist.
Der Strom fließt also von der Klemme 6 über den Halbleiter 1 und den Vorwiderstand 4 zur Klemme 5.
Entsprechend dem Widerstand des Halbleiters tritt an diesem ein Spannungsabfall auf, so daß die an dem
Widerstand stehende Spannung als treibende Spannung durch die Spule des Relais 2 einen Strom- in
Durchlaßrichtung der Sperrzelle treibt. Wenn der Widerstand des Halbleiters infolge einer Temperaturerhöhung
auf einen bestimmten Wert gefallen ist, so daß der Spannungsabfall an diesem Widerstand den
Grenzs.pannungswert der Diode unterschreitet, setzt die Sperrwirkung der Diode ein. Es kann dann kein
Strom mehr über die Wicklung des Relais fließen, SO'
daß dieses abfällt.
Eine Anordnung für ein System mit drei Einflußgroßen,
also beispielsweise drei Halbleitern, von denen jeder unter dem Einfluß der Temperatur einer Phasenwicklung
eines dreiphasigen Gerätes steht, ist in Fig. 2
009 609/172
dargestellt. Hierbei ist das Relais 2 mit zwei gegeneinanderwirkenden
Wicklungen ausgeführt und über drei verschiedene Sperrzellen an die einzelnen Systeme
angeschlossen, von denen jedes wie bei der Anordnung nach Fig. 1 aus einem Halbleiter 1 und einem zweckmäßig
einstellbaren Vorwiderstand 4 besteht. Durch die zweite Wicklung ist hierbei die Möglichkeit erschlossen,
bei unsymmetrischer Belastung die Leistungsbeiträge von den anderen Zweigen so>
weit zu kompensieren, daß die Widerstandsänderung eines einzigen Halbleiters dazu ausreicht, das Relais zum
Ansprechen zu bringen.
In Fig. 3 ist als Ergänzung zu einer Anordnung mit drei Wicklungen ein. Schema über die Stromverhältnisse
wiedergegeben. Es ist hierbei davon ausgegangen, daß der Strom in den einzelnen Heißleitern bei
Umspannung gleich groß ist und den Wert i beträgt". Es sind dementsprechend die drei sich bei der Parallelschaltung
addierenden Ströme, die durch die Wicklung 21 des Relais 2 fließen, übereinander aufgetragen.
Außerdem ist auch der Wert des Anzugsstromes des Relais und der Wert des Abfallstromes des Relais
— mit ia und ie bezeichnet — angegeben. Der Kompensationswicklung
22 des Relais ist noch ein Widerstand 7 vorgeschaltet, mit dessen Hilfe der Kcmpensationstrom,
der unmittelbar von, der Klemme 5 über diesen Widerstand und die Wicklung 22 zur Klemme 6
fließt, eingestellt werden kann. Diese Einstellung muß hierbei so erfolgen, daß die Differenz der normalen
Ströme in den drei Halbleitern und dem Strom ik
durch die Wicklung 22 einen Wert ergibt, der zwischen dem Anzugsstrom und. dem Abfallstrom des
Relais liegt. Bei einer solchen Bemessung wird sichergestellt, daß das Relais, das zunächst in angezogenem
Zustand liegt, bei dem Ausfall auch nur einer der über die Dioden führenden Teilströme abfällt, da die Differenz
der beiden restlichen über die Halbleiter führenden Ströme und dem Kompensationsstrom einen. Wert
ergibt, der unterhalb des Abfallstromes des Relais liegt.
Als Dioden eignen sich vorzugsweise solche auf Siliziumbasis mit einer gewissen Dotierung (bzw.
Verunreinigung). Vor allem sind solche gut geeignet, bei denen die Dotierung aus Teilen des fünften periodischen
Systems, wie Antimon oder Arsen, bestehen. Solche Dioden, wie sie z. B. unter dem Namen »Zener-Dioden«
bekannt sind, haben die Eigenschaft, daß bis zu einer Spannung von. etwa 0,5 V kein Strom fließt,
dieser aber dann mit einem verhältnismäßig steilen Knick einsetzt, wobei beim Zurückgehen der Spannungpraktisch
remanenzfrei dieselbe Kurve bestrichen wird, deren Neigung in sich in gewissem Maße temperaturabhängig
ist. An Stelle von Halbleitern können auch andere Widerstände verwendet werden, die
eine starke Temperaturabhängigkeit haben, wobei sowohl mit solchen mit positiver als auch mit negativer
Temperaturabhängigkeit gearbeitet werden kann. In Zusammenarbeit mit den vorerwähnten Dioden auf
der Siliziumbasis ist. es zweckmäßig, Widerstände mit einer negativen Temperaturcharakteristik zu verwenden,
bei denen bei bestimmten Temperaturwerten der Widerstand stark abfällt (sogenannte Heißleiter).
Die Anwendung der neuen Kombination ist nicht nur, wie beim Ausführungsbeispiel vorausgesetzt, in
Gleichstromsystemen möglich, sondern auch in solchen
mit Wechselstrom. Sie gibt die Möglichkeit, in. sehr vollkommener Weise einen Schaltvorgang von
mehreren Temperaturwerten oder auch von in. Form von Temperaturwerten wiedergegebenen anderen Einflußgrö'ßen
zu stellen.
Claims (8)
1. Anordnung zur Temperaturüberwachung von Motoren,, Transformatoren, od. dgl., insbesondere
Motorschutzschalter, unter Verwendung eines Halbleiters mit temperaturabhängigem Widerstand
als Temperaturmeßglied, der mit einem Relais zusammenarbeitet, das mit einem Vorwiderstand in
Reihe liegt, wobei der Halbleiter über mindestens ein Schaltelement (3) mit dem Relais verbunden
ist, das bei Erreichen eines Schwellenwertes einen kleinen dynamischen Widerstandswert besitzt,
nach Patentanmeldung S 56890 VIII b/21ds (deutsche
Auslegeschrift 1061431), dadurch gekennzeichnet,
daß das Relais zu dem temperaturabhängigen. Halbleiter parallel geschaltet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Schaltelement (3) eine Halbleitersperrzelle
verwendet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 bzw. 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Schaltelement eine Diode
auf Siliziumbasis mit einer geringen Dotierung (Zener-Diode) verwendet ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter ein, Widerstand
verwendet ist, dessen Widerstandswert mit zunehmender Temperatur geringer wird,
5. Anordnung nach Anspruch 1 bis 3, bei der mehrere in Form von Temperaturen wiedergegebene
Einflußgrößen auf die Schalteinrichtung einwirken, dadurch gekennzeichnet, daß für jede
Einflußgröße ein eigenes System von Halbleiter, Schaltspule und Diode vorgesehen ist.
6. Abänderungsform einer Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine gemeinsame
Schaltspule über eine entsprechende Anzahl von Dioden zu je einem solchen Halbleiter
parallel geschaltet ist,
7. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß neben der Schaltspule noch eine
zweite Spule vorgesehen, ist, über die unter Vorschaltung eines Vorschaltwiderstandes eine der
Schaltspule entgegenwirkende Erregung geführt ist.
8. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenerregung so· bemessen
ist, daß der Normalstrom in seiner Größe zwischen dem Anzugstrom und dem Abfallstrom des Relais
liegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 031 416;
Herrnkind: Die Glimmröhre und ihre Schaltungen, München, 1952, S, 46.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 031 416;
Herrnkind: Die Glimmröhre und ihre Schaltungen, München, 1952, S, 46.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES63112A DE1089880B (de) | 1959-05-23 | 1959-05-23 | Temperaturabhaengige Schalteinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES63112A DE1089880B (de) | 1959-05-23 | 1959-05-23 | Temperaturabhaengige Schalteinrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1089880B true DE1089880B (de) | 1960-09-29 |
Family
ID=7496140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES63112A Pending DE1089880B (de) | 1959-05-23 | 1959-05-23 | Temperaturabhaengige Schalteinrichtung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1089880B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1663122B1 (de) * | 1963-09-11 | 1970-11-05 | Siemens Ag | Schutzeinrichtung zur Temperaturueberwachung der Wicklungen von elektrischen Maschinen und Geraeten |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1031416B (de) * | 1957-03-14 | 1958-06-04 | Siemens Ag | Anordnung zur Temperaturueberwachung von Motoren, Transformatoren od. dgl. |
-
1959
- 1959-05-23 DE DES63112A patent/DE1089880B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1031416B (de) * | 1957-03-14 | 1958-06-04 | Siemens Ag | Anordnung zur Temperaturueberwachung von Motoren, Transformatoren od. dgl. |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1663122B1 (de) * | 1963-09-11 | 1970-11-05 | Siemens Ag | Schutzeinrichtung zur Temperaturueberwachung der Wicklungen von elektrischen Maschinen und Geraeten |
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