DE1089482B

DE1089482B - Verfahren zur Herstellung eines gasgefuellten pumpstengellosen Entladungsgefaesses

Info

Publication number: DE1089482B
Application number: DES64547A
Authority: DE
Inventors: Alex Bahr
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1959-08-21
Filing date: 1959-08-21
Publication date: 1960-09-22

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines gasgefüllten pumpstengellosen Entladungsgefäßes, insbesondere eines Ein- oder Mehrstreckenüberspannungsableiters.

Es ist bekannt, daß man Entladungsgefäße in einer Vakuumkammer evakuiert, die Kammer mit Edelgas eines gewählten Druckes füllt und das Entladungsgefäß durch Löten oder Verschmelzen in der Vakuumkammer schließt. Aufgabe der Erfindung ist es, dieses verhältnismäßig umständliche Verfahren zu vereinfachen. Erfindungsgemäß wird dazu vorgeschlagen, daß das Füllgas auf einer Temperatur gehalten wird, bei der die thermische Ausdehnung des Füllgases im Moment des vakuumdichten Verschließ ens des Entladungsgefäßes so hoch ist, daß nach dem Erkalten im Entladungsgefäß der geforderte Unterdruck herrscht.

Das Verfahren wird nachfolgend an Hand der Fig. 1 näher erläutert:

Dort befindet sich in der Einschmelzkammer 1 ein Einstreckenüberspannungsableiter, der aus den beiden Elektroden 2 und 3 sowie dem zwischen diesen Elektroden angeordneten Isolierkörper 4 besteht. Durch die Teile 5 und 6 wird der zusammengesteckte Überspannungsableiter zusammengehalten. Während des Einschmelzvorganges strömt durch den Einlaß 7 das Füllgas, z. B. Argon, mit etwa Atmosphärendruck durch die Einschmelzkammer 1. Um die Elektroden des Überspannungsabieiters mit dem Keramikkörper 4 zu verbinden, werden die Elektroden durch die Hochfrequenzspule 8 erhitzt. Die erhitzten Teile des Überspannungsableiters erhitzen ihrerseits das Füllgas. Die Temperatur der erhitzten Teile des Überspannungsableiters wird dabei so gewählt, daß das Füllgas seinerseits auf die gewünschte Temperatur gebracht wird. Bekanntlich beträgt nach dem Gasgesetz die Ausdehnung des Gases V2-3 des Volumens pro Grad der Erwärmung, und daraus errechnet sich dann der im fertiggestellten Entladungsgefäß herrschende Gasdruck. Durch den Wegfall kostspieliger Evakuierungseinrichtungen ist die zu dem vorgeschlagenen Ver- fahren benötigte Einschmelzvorrichtung relativ einfach, und die Investierungskosten sind gering.

Ein fertiger Überspannungsableiter ist in Fig. 2 noch einmal deutlich dargestellt. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich jedoch nicht nur zur Herstellung von Einstreckenüberspannungsableitern, sondern in gleicher Weise z. B. zur Herstellung von Verfahren zur Herstellung

eines gasgefüllten pumpstengellosen

Entladungsgefäßes

Anmelder:

Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2

Alex Bahr, Berlin-Siemensstadt,
ist als Erfinder genannt worden

Zweistreckenüberspannungsableitern, von denen einer in Fig. 3 dargestellt ist. Die Erfindung beschränkt sich auch nicht darauf, daß die Erwärmung des Füllgases durch Teile des Entladungsgefäßes selbst erfolgt, sie verlangt lediglich, daß das im Augenblick des vakuumdichten Verschließens vorhandene Füllgas die Temperatur aufweist, die nach dem Erkalten den geforderten Unterdruck im Gefäß ergibt.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung eines gasgefüllten pumpstengellosen Entladungsgefäßes, insbesondere eines Ein- oder Mehrstreckenüberspannungsableiters, dadurch gekennzeichnet, daß das Füllgas auf einer Temperatur gehalten wird, bei der die thermische Ausdehnung des Füllgases im Moment des vakuumdichten Verschließens des Entladungsgefäßes so hoch ist, daß nach dem Erkalten im Entladungsgefäß der geforderte Unterdruck herrscht.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Erwärmen des Gases durch die zur Herstellung der vakuumdichten Verbindungen erwärmten Wandungsteile erfolgt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 051 986.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen