DE1086811B - Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-GleichrichternInfo
- Publication number
- DE1086811B DE1086811B DEI14740A DEI0014740A DE1086811B DE 1086811 B DE1086811 B DE 1086811B DE I14740 A DEI14740 A DE I14740A DE I0014740 A DEI0014740 A DE I0014740A DE 1086811 B DE1086811 B DE 1086811B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wire
- contacting
- alloyed
- sleeve
- aluminum wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W72/00—
-
- H10W72/20—
-
- H10W72/5524—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S228/00—Metal fusion bonding
- Y10S228/904—Wire bonding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines
Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern, insbesondere von Siliziumleistungsgleichrichtern, bei
dem die einzelnen Anschluß elemente miteinander verlötet oder verschweißt und die einzelnen Gleichrichter-Elemente
durch eine mit einer Drahtdurchführung versehene Hülle abgeschlossen werden.
Wie bekannt, bestehen derartige Gleichrichterelemente aus einem Siliziumkristall, auf dessen eine
Oberfläche ein Aluminiumdraht auflegiert wird, der etwa senkrecht zu dieser Oberfläche steht. Der Siliziumkristall
ist mit seiner anderen großflächigen Oberfläche auf einen Kupferblock, z. B. eine Kupferschraube,
aufgelötet. Diese gesamte Anordnung ist in einer Hülse untergebracht. Vorzugsweise werden hierzu
Hülsen mit Glaseinschmelzung und Drahtdurchführung verwendet, die einen hermetischen Abschluß
des Kristalls gewährleisten. Die Kontaktierung des Kupferblockes bietet naturgemäß keine Schwierigkeiten.
Anders ist es jedoch mit der Kontaktierung des Aluminiumdrahtes, der mit der Drahtdurchführung
der Hülse zu verbinden ist. Üblicherweise wurde bisher zur Kontaktierung der Aluminumdraht gemeinsam
mit einem Kupferdraht durch Flachdrücken der Drahtdurchführung festgeklemmt. Diese Klemmverbindung
erwies sich jedoch als störanfällig, da im Laufe der Zeit auch der hermetisch abgeschlossene
Aluminiumdraht oxydiert. Dieses führte zur Unterbrechung des Kontaktes.
Die Schwierigkeiten bezüglich des Kontaktes werden nach einem anderen bekannten Verfahren vermieden,
bei dem der auflegierte Aluminiumdraht mit dem durch die Drahtdurchführung in die Hülse hineinragenden
starren Zuleitungsdraht verschweißt wird. Bei einer derartigen Verbindung der beiden Drähte
tritt jedoch der Nachteil auf, daß eine starre Verbindung entsteht. Diese ist nicht in der Lage, Spannungen,
die durch thermische Kräfte im Betrieb bei erhöhter Temperatur entstehen, auszugleichen. Es besteht
daher die Gefahr, daß die Schweißstelle zerstört wird.
Das Auftreten von thermischen Spannungen beim Betrieb von Halbleiterbauelementen hat bereits früher
zu Maßnahmen geführt, mit deren Hilfe die Spannungen ausgeglichen werden können. So ist es z. B.
bekannt, bei mit Pillen legierten Halbleiterbauelementen eine federnde Zuleitung, beipielsweise in
Form eines U-förmig gebogenen Blechstreifens, zwischenzuschalten. Die Verwendung derartiger federnder
Teile hat aber den Nachteil, daß der Zusammenbau erschwert wird, insbesondere wenn die Zuleitungen
in eine Drahtdurchführung der Hülse eingefädelt werden sollen. Außerdem eignen sich solche U-förmig ge-Verfahren
zur Kontaktierung
und zum Zusammenbau
von mittels eines Aluminiumdrahtes
legierten Silizium-Gleichrichtern
Anmelder:
Intermetall Gesellschaft für Metallurgie
und Elektronik m.b.H.,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Heinz Pipping, Düsseldorf,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
bogenen federnden Zwischenstücke nicht für Drahttransistoren.
Es ist weiterhin bekannt, als Zuleitungen für den elektrischen Anschluß von Halbleiterbauelementen
flexible Kupferlitzen zu verwenden. Diese sind aber insbesondere bei kleinen Bauelementen, die häufig
durch ihre Zuleitungsdrähte auch mechanisch innerhalb einer Schaltung gehalten werden, wegen ihrer geringen
Steifigkeit ungeeignet.
Die Erfindung hat sich zum Ziele gesetzt, die Nachteile der bekannten Anordnungen zu vermeiden unter
Beibehaltung der Vorteile jeder einzelnen Anordnung, indem erfindungsgemäß die Verbindung zwischen dem
starren Legierungsdraht und einem starren Zuleitungsdraht durch eine allseitig bewegliche Kupferlitze
hergestellt wird, deren eines Ende vor Aufbringung des Hülsenabschlusses mit dem Legierungsdraht
verschweißt und deren anderes Ende durch die Drahtdurchführung der Hülse gezogen und nach deren Montage
am äußeren Ende mit dem von außen eingeschobenen Zuleitungsdraht verlötet wird.
Die Zeichnung zeigt im Querschnitt ein Ausführungsbeispiel eines nach dem Verfahren gemäß der Erfindung
hergestellten Gleichrichters. Auf dem SiIiziumkristall
1 ist ein Aluminiumdraht 2 auflegiert. Der Siliziumkristall 1 ist auf einen Kupferblock 3,
z. B. eine Kupferschraube, aufgelötet, die mit einer Drahtdurchführung 4 verbunden ist. Der Kristall befindet
sich in einer Hülse 5 mit Glaseinschmelzung 6
009 570/322
und Drahtdurchführung 7. Mit dem Aluminiumdraht 2 ist an der Stelle 8 z. B. unter Zuhilfenahme einer
Punktschweißmaschine eine Kupferlitze 9 verschweißt.
Die Kupferlitze 9 ist durch die Drahtdurchführung 7 gezogen, in die von außen ein Zuleitungsdraht 10,
z. B. aus Kupfer, geschoben wird. An der Stelle 11 ist die Kupferlitze 9 mit der Drahtdurchführung 7 gemeinsam
mit dem Zuleitungsdraht 10 verlötet.
Die gemäß dem Verfahren nach der Erfindung •hergestellte Halbleiteranordnung weist den Vorteil
auf, daß sie einerseits zum Anschluß des Bauelementes innerhalb einer Schaltung starre Zuleitungsdrähte aufweist,
daß die Anschlußelemente insgesamt aber so flexibel ausgebildet sind, daß durch Temperaturerhöhungen
während des Betriebes verursachte thermische Spannungen ausgeglichen werden können. Weiterhin
wird durch Zwischenschalten einer Kupferlitze der Zusammenbau der Gleichrichteranordnung wesentlich
erleichtert, da die Kupferlitze mühelos in die Drahtdurchführung der Hülse eingeführt werden kann. Die
so hergestellten Gleichrichter besitzen gute Kontakte, die auch während des Betriebes erhalten bleiben, und
sind demnach den nach bekannten Verfahren kontaktierten Gleichrichtern hinsichtlich ihrer Lebensdauer
überlegen.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern, insbesondere von Siliziumleistungsgleichrichtern, bei dem die einzelnen Anschlußelemente miteinander verlötet oder verschweißt und die einzelnen Gleichrichterelemente durch eine mit einer Drahtdurchführung versehenen Hülse abgeschlossen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen dem starren Legierungsdraht (2) und einem starren Zuleitungsdraht (10) durch eine allseitig bewegliche Kupferlitze (9) hergestellt wird, deren eines Ende (8) vor Aufbringung des Hülsenabschlusses mit dem Legierungsdraht (2) verschweißt und deren anderes Ende durch die Drahtzuführung (7) der Hülse (5) gezogen und nach deren Montage am äußeren Ende (11) mit dem von außen eingeschobenen Zuleitungsdraht (10) verlötet wird.In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 763 822;
»SEG-Nachrichten«, Bd. 5, 1957, H. 1, S. 36 bis 38; »Journal of the Institution of Electrical Engineers«, Bd. 2, 1956, H,.15, S. 144 bis 150.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen©009 570/322 8.60
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEI14740A DE1086811B (de) | 1958-04-24 | 1958-04-24 | Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern |
| US807808A US3150297A (en) | 1958-04-24 | 1959-04-21 | Lead wire connection for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEI14740A DE1086811B (de) | 1958-04-24 | 1958-04-24 | Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1086811B true DE1086811B (de) | 1960-08-11 |
Family
ID=7185689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEI14740A Pending DE1086811B (de) | 1958-04-24 | 1958-04-24 | Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3150297A (de) |
| DE (1) | DE1086811B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1279852B (de) * | 1963-08-05 | 1968-10-10 | Semikron Gleichrichterbau | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE627474A (de) * | 1962-01-24 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2763822A (en) * | 1955-05-10 | 1956-09-18 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2861230A (en) * | 1953-11-24 | 1958-11-18 | Gen Electric | Calorized point contact electrode for semiconductor devices |
| NL99576C (de) * | 1954-06-22 | |||
| NL199836A (de) * | 1954-08-23 | 1900-01-01 | ||
| US2744218A (en) * | 1954-12-21 | 1956-05-01 | Gen Electric | Sealed rectifier unit and method of making the same |
| US2853661A (en) * | 1955-08-12 | 1958-09-23 | Clevite Corp | Semiconductor junction power diode and method of making same |
| US2866929A (en) * | 1955-12-01 | 1958-12-30 | Hughes Aircraft Co | Junction-type-semiconductor devices and method of making the same |
-
1958
- 1958-04-24 DE DEI14740A patent/DE1086811B/de active Pending
-
1959
- 1959-04-21 US US807808A patent/US3150297A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2763822A (en) * | 1955-05-10 | 1956-09-18 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor devices |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1279852B (de) * | 1963-08-05 | 1968-10-10 | Semikron Gleichrichterbau | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3150297A (en) | 1964-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0102613B1 (de) | Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen | |
| DE112016004799T5 (de) | Leiterelementmodul und Batterieverbund | |
| DE1141029B (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1589854C3 (de) | Halbleitergleichrichter | |
| DE2152081A1 (de) | Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf Zwischenverbindungstraegern | |
| DE1060992B (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium | |
| DE2937051C2 (de) | ||
| DE1514643A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE10158529A1 (de) | Temperatur sensor | |
| DE1086811B (de) | Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammenbau von mittels eines Aluminiumdrahtes legierten Silizium-Gleichrichtern | |
| DE3040867C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE1137806B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtungen | |
| DE748296C (de) | Stromklemme fuer zwei elektrische Leiterseile mit um diese laufendem, stromleitendem Metallband | |
| DE1031892B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE69203635T2 (de) | Deckel für elektrische Bauelementenpackung. | |
| DE2452496B1 (de) | Hochbelastbares, fremdbelueftetes bandwiderstandsgeraet | |
| DE3781232T2 (de) | Verbindungsvorrichtung fuer einen statischen leistungsschalter, der mit biegsamen leitenden anschluessen versehen ist. | |
| DE1800192B2 (de) | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper Aren: Telefunken Patentverwertungsgesellschaft mbH, 7900 Ulm | |
| DE3911027C2 (de) | ||
| DE2219963C3 (de) | Verfahren zum Verschweißen von mit Isolation versehenen Teilen | |
| DE3744617C2 (de) | ||
| EP0304593A1 (de) | SMD-Baustein | |
| DE1064154B (de) | Elektrisches Entladungsgefaess mit einem Gittersystem aus einem Isolierkoerper als Traeger und Verfahren zur Herstellung eines Gittersystems | |
| DE1071841B (de) | ||
| DE1514839C3 (de) | Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen |