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DE1080531B - Verfahren zur Herstellung von reinem Silan - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von reinem Silan

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Publication number
DE1080531B
DE1080531B DEA32132A DEA0032132A DE1080531B DE 1080531 B DE1080531 B DE 1080531B DE A32132 A DEA32132 A DE A32132A DE A0032132 A DEA0032132 A DE A0032132A DE 1080531 B DE1080531 B DE 1080531B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminum hydride
silicon
silane
diborane
alkaline earth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEA32132A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert William Mason
Donald Hoyt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Allied Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Allied Chemical Corp filed Critical Allied Chemical Corp
Publication of DE1080531B publication Critical patent/DE1080531B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • C01B33/043Monosilane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von reinem Silan Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Silan, insbesondere auf ein neues und verbessertes Verfahren zur Herstellung von reinem Silan, das frei von schädlichem Diboran ist.
  • Silicium kann durch thermische Zersetzung von Silan (SiH,) hergestellt werden. Um Silicium in einem extrem reinen Zustand durch thermische Zersetzung zu erhalten, was wesentlich ist, wenn Silicium in gewissen elektrischen Vorrichtungen benutzt werden soll, in denen niedrige Widerstandswerte Voraussetzung sind, ist es bedeutsam daß ein reines Süan zersetzt wird.
  • Silan wurde ilher durch Reaktion von Sihciumtetrachlorid und Lithium-Aluniiniumhydrid in einem Lösungsmittel hergestellt. Das Produkt Sflan neigt jedoch dazu, Diboran als Verunreinigung zu enthalten. Dieses Diboran wird aus Borverbindungen gebildet, beispielsweise aus Bortrichlorid, die als Verunreinigungen in der Reaktionsmischung anwesend sind. Das Diboran, das ein flüchtiges Hydrid des Bors ist, wird thern-lisch zersetzt, um Bor und Wasserstoff während der thermischen Zersetzung des Silans zu bilden. Das Bor erscheint als eine Verunreinigung in dem Süicium. Bor ist eine der schädlichsten Verunreinigungen im Silicium vom elektrischen Standpunkt aus, und die Beseitigung des Bors aus festem Silicium durch bekannte Reinigungsprozesse ist umständlich, teuer und allgemein unzufriedenstellend.
  • Versuche, ein diboranfreies Silan durch Reaktion zwischen Bortrichlorid enthaltendem Siliciumtetrachlorid und Natrium-Aluminiumhydrid in Tetrahydrofuran als Lösungsmittel herzustellen, waren nicht erfolgreich.
  • Nach der vorliegenden Erfindung wird reines Silan erzeugt, indem ein Siliciumhalogenid mit einem Alkalimetall-Aluminiumhydrid in einem Lösungsmittel in der Anwesenheit einer geringen Menge von Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid, vorzugsweise Calcium-Aluminiumhydrid, zur Reaktion gebracht wird. Das Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid dient dazu, die Bildung von Diboran aus Borverbindungen, die als Verunreinigungen in dem Reaktionsgemisch anwesend sind, zu verhüten. Das reine Silan ist dadurch charakterisiert, daß es frei von nachweisbarem Diboran und anderen Verunreinigungen ist und seine thermische Zersetzung gestattet, so daß sich reines Silicium ergibt, das frei von schädlichem Bor und anderen Verunreinigungen ist. Die Herstellung ist weiterhin durch verminderte Betriebskosten und niedrige Investitionskosten charakterisiert.
  • Das Calcium-Aluminiumhydrid wird in bekannter Weise als Suspension oder als Lösung in einem Lösungsmittel wie etwa Tetrahydrofuran hergestellt.
  • Auch Magnesium-, Barium-, Strontium- oder Beryllium-Aluminiumhydride können als Suspension oder Lösung im Rahmen der Erfindung verwendet werden.
  • Beispiele von Alkalimetall-Ahiminiumhydriden, die als Lösungen verwendet werden, sind Natrium-Aluminiumhydrid; Lithi-um-Aluminiumhydrid kann ebenfalls verwendet werden. Der Natriumkomplex ist bevorzugt. Natrium- und Lithium-Aluminiumhydrid sind im Handel erhältlich.
  • Siliciumhalogenide, die zur Anwendung bei der Reaktion geeignet sind, sind 'Siliciumtetrachlorid, Siliciumtetrabromid, Trichlorsüan und Siliciumtetrafluorid. Die Chloride werden derzeit bevorzugt, da sie wirtschaftlich günstiger sind. Unter allen Chloriden wird das Tetrachlorid bevorzugt, weil es leicht zu handhaben ist. Die Reaktion wird vorzugsweise in Gang gebracht, indem eine Lösung von Siliciumhalogeniden, wie Siliciumtetrachlorid in einem Lösungsmittel, wie Tetrahydrofuran, einer Lösung oder Suspension von Alkalimetall-Aluminiumhydrid, wie Natrium-Aluminiumhydrid, in einem Lösungsmittel, wie Tetrahydrofuran, zugemischt oder hinzugefügt wird. Die letztgenannte Lösung enthält eine geringe Menge eines Erdalkalimetall-Aluminiumhydrids, wie Calcium-Aluminiumhydrid. Vorzugsweise wird ein Strom gereinigten Trägergases, wie Helium, Argon oder Stickstoff, durch das Reaktionsgefäß geleitet, bevor die Reaktionsteilnehmer eingeführt werden, um die Luft aus dem Reaktionsgefäß auszutreiben. Die Reaktion tritt während der Bemischung ein, und das Silan (SiH,) entwickelt sich als Gas aus der flüssigen Reaktionsmischung. Wenn gewünscht, hält man die Reaktionsmischung in Anwesenheit von gereinigtem und gegen Silan inertem Gas, beispielsweise Helium, Argon, Stickstoff oder Wasserstoff, unter Rückfluß. Das gebildete Silan ist dadurch ,charakterisiert, daß es rein und frei von schädlichem Diboran ist. Das Silangas wird abgezogen, beispielsweise indem das Gas aus einem oberen Teil des Reaktionskessels abgeleitet wird oder indem das Gas aus der Zone oder dem Gefäß mit einem Strom von in oben angegebener Weise von dem gereinigten, gegenüber Silan inertem Gas ausgetrieben wird. Obwohl es nicht wesentlich ist, kann das Silan einer weiteren Reinigungsbehandlung, wie einer Fraktionierung, unterworfen werden. Die Gleichung der Reaktion zwischen dem Natrium-Aluminiumhydrid und dem Siliciumtetrachlorid, die Silan ergibt, ist vermutlich NaAIH" + SiC1, --->- NaC1 + AICI, + SiI-r,1 Obwohl es nicht sicher bekannt ist, in welcher Weise die Erdalkalimetall-Aluminiumhydride die Bildung von nachweisbarem Diboran verhüten, ist es eine mögliche Erklärung, daß die Erdalkalimetallkomplexe sich chemisch mit den Borverbindungen kombinieren oder sie abbinden, und zwar zu hochsiedenden Verbindungen.
  • Reaktionstemperaturen zwischen etwa 10' C und der Rückflußtemperatur des flüssigen Lösungsmittels werden angewendet. Reaktionstemperaturen zwischen etwa 10 und 30'C sind bevorzugt. Die Apparate, die für die Herstellung verwendet werden, wie Reaktionsgefäße, Flaschen, Leitungen usw., werden vorzugsweise aus hochgereinigtem Siliciumdioxyd fabriziert, das frei von Bor oder anderen Verunreinigungen ist.
  • Die Lösung von AlkalimetaU-Aluminiumhydrid, die Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid enthält, kann wie folgt hergestellt werden: Der Alkallmetallkomplex, wie das Natrium-Aluminiumhydrid, wird in einer vorgegebenen Menge in einem Lösungsmittel, wie Tetrahydrofuran, gelöst. Die Lösung kann unter Rückfluß ,durchgeführt werden. Der sich ergebenden Lösung wird ,dann die Erdalkalimetall-Aluminiumhydridlösung oder -suspension, wie die Calcium-Aluminiumhydridlösung ,oder -suspension in Tetrahydrofaran, die eine bekannte Menge des Erdalkalimetallkomplexes enthält, zugemischt. Auch hierbei kann unter Rückfluß gearbeitet werden.
  • . Andere Lösungsmittel, z. B. der Äther, wie Dimethyläther und Diäthyläther, können statt des Tetrahydrofurans zur Bildung von Lösungen oder Suspensionen der Reaktionsteilnehmer verwendet werden. jedoch ist Tetrahydrofuran bevorzugt.
  • Die Borverbindungen, z. B. das Bortrichlorid und das Natriumborhydrid, sind in der Reaktionsmischung in kleinen oder sehr kleinen Mengen vorhanden, beispielsweise zwischen 0,0001 und 0,005 Gewichtsprozent (berechnet als Bor), wo sie in dem Siliciumhalogenid enthalten sind oder auch möglicherweise das AlkalimetaU-Aluminiumhydrid oder das Lösungsmittel verunreinigen. Die Mengen an Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid, wie Caleium-Aluminiumhydrid, die ausreichen, die Bildung von Diboran aus verunreinigenden, im oben angeführten Bereich vorliegenden Borverbindungen zu verhüten, liegen zwischen 0,00001 und 0,0005 Gewichtsprozent, berechnet vom Gewicht der Siliciumhalogenide, z. B. des Tetrachlorids.
  • Es ist jedoch hervorzuheben, daß auch größere Mengen solcher Borverbindungen, als indem vorbenannten Bereich angeführt, als Verunreinigungen anwesend sein können, und daher werden die Erdalkalimetall-Alunüniumhydride vorzugsweise in Mengen von 0,00001 bis 1,5 Gewichtsprozent verwendet. Obwohl mehr als 1,5 Gewichtsprozent verwendet werden können, ergibt sich hierdurch kein Vorteil, und solche überschüssigen Mengen sind nachteilig vom wirtschaftlichen Standpunkt. Die Verwendung von Mengen weniger als 0,00001 Gewichtsprozent soll vermieden werden, um die Erzeugung eines diboranfreien Produktes sicherzustellen. Obwohl nicht alles Erdalkalimetall-Aluminiuinhydrid in Lösung übergehen mag, ist die Anwesenheit von nicht gelösten Erdalkahmetallkoniplexen (zusätzlich zu den gelösten Komplexen) in der Reaktionsmischung vorteilhaft sowohl von dem Standpunkt aus, daß das Abbinden oder Anlagern aller Borverbindungen sichergestellt wird, als auch um Reserve-Calciumkomplexe vorzusehen, die sich lösen können und alle Erdalkalimetallkomplexe ersetzen können, die sich aus der Lösung als Reaktionsprodukte mit hohem Siedepunkt niedergeschlagen haben. Es war überraschend und unerwartet, zu bemerken, daß eine derartig geringe Menge von FrdAzalünetall-Aluminiumhydrid, wie diejenige, die einem Zehntel des Gewichts der Menge der anwesenden Borverunreinigungen äquivalent ist, vollständig wirksam ist, um eine Bildung des schädlichen Diborans zu verhüten.
  • Wohlgemerkt, es ist nicht wesentlich, eine Menge von AlkaHmetaU-Aluminiumhydrid anzuwenden, die in der augenblicklichen Reaktion im Überschuß gegenüber der stöchionietrischen Menge ist, die zur Reaktion mit Siliciumhalogeniden erforderlich ist. Der Grund hierfür ist, daß das Erdalkalimetall-Aluminiunihydrid ein Agens ist, das die Bildung von Diboran aus Borverbindungen, die als Verunreinigungen anwesend sind, verhütet. Daher kann die genaue oder selbst etwas geringere als die vorgenannte stöchiometrische Menge benutzt werden, falls dies gewünscht ist, obwohl solche etwas geringere Mengen weniger bevorzugt sind, weil ihre Verwendung eine geringere Ausbeute nach sich zieht. Selbstverständlich kann ein Überschuß über diese stöchiometrische Menge der Alkalimetallkomplexe verwendet werden, jedoch wird hierdurch kein bedeutsamerer Vorteil erzielt.
  • Das reine Silan, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten wird, kann in bekannter Weise zur Herstellung von reinem Silicium thermisch zersetzt werden. Das gasförmige Silan wird in eine Zone oder in einen Reaktor geleitet, der bis auf mindestens 500' C erwärmt ist. 500' C ist die Zersetzungstemperatur des Silans, liegt aber niedriger als der Schmelzpunkt des Siliciums. Vorzugsweise soll die Temperatur nicht höher als bei 1000'C liegen. Das Silan wird zersetzt, damit sich reines Silicium an den Wanden des Reaktors, der vorzugsweise aus geschmolzenem Quarz fabriziert ist, niederschlägt. Das Nebenprodukt Wasserstoff wird aus ihm abgezogen. Das niedergeschlagene Silicium wird dann von den Wänden des Reaktors abgetrennt. Siliciumdioxyd, das an dem Silicitun haften kann, wird durch Auslaugen mit starker Fluorwasserstoffsäure entfernt. Das Silicium wird dann in einemTiegel ausgeschmolzenem Quarz geschmolzen, und die Schmelze wird in ein Rohr aus geschmolzenem Quarz mit einem Innendurchmesser von ungefähr 1,27 cm übergeführt, um einen Siliciumstab zu erhalten. Der Stab wird dann dem Zonenschmelzverfahren in einem entsprechenden Appaxat unterworfen, und Überprüfungen seines elektrischen Widerstandes werden dann in üblicher Weise vorgenommen.
  • Die folgenden Ausführungsbeispiele erläutern die Erfindung. Teile und.Prozentsätze in allen Ausführungsbeispielen beziehen sich auf das Gewicht, soweit nichts anderes angeführt ist.
  • Beispiel 1 100 Teile von Siliciumtetrachlorid, das etwa 0,0001 Bortrichlorid als Verunreinigung enthielt, wurden in einer Lösung oder Suspension von 31,8 Teilen Natrium-Aluminiumhydrid und 1,5 Teilen Calcium-Aluminiumhydrid (berechnet auf Siliciumtetrachlorid) in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran in einem Dreihalskolben hinzugefügt. Der Kolben war mit einem abgedichteten Rührwerk, einer den Druck ausgleichenden Vorrichtung und einem Stickstoffeirilaß versehen. Vor der Zumischung der Reaktionsteilnehmer wurde ein Strom von gereinigtem Stickstoff durch den Kolben geleitet, um die Luft herauszudrücken. Die Reaktionsteilnehmer konnten während 2 Stunden bei Raumtemperatur miteinander reagieren. Das entwickelte Gas wurde dann aus dem Kolben durch eine Falle mit aktivierter Holzkohle abgezogen, um Kolflenwasserstoffe zu entfernen. Das Silan wurde durch Chromatographie in der Dampfphase und durch sein Infrarotabsorptionsspektrum identifiziert.
  • Das gasförmige Silan wurde bei 800' C thermisch zersetzt, und zwar nach der oben beschriebenen Methode, um Silicium zu erhalten. Das sich ergebende Silicium hatte einen elel-,trischenWiderstandvonetwa2000bm/cm, was beweist, daß das Silicium im wesentlichen rein und frei von schädlichem Bor ist und daß das Silan frei und rein von schädlichem Diboran war.
  • Beispiel 2.
  • Das Vorgehen nach Beispiel 1 wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß 100 Teile von Siliciumtetrachlorid, das ungefähr 0,00501, Bortrichlorid als Verunreinigung enthielt, einer Lösung oder Suspension hinzugefügt wurden, die aus 31,8 Teilen Natrium-Aluminiumhydrid und 0,00005 Teilen Calcium--,#,lun-liniumhydrid (berechnet auf Siliciumtetrachlorid) in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran bestand. Der Kolben wurde vor der Zumischung mit einem Rückflußkühler versehen, dann ließ man die Mischung während 2 Stunden unter Rückfluß reagieren. Das entwickelte Gas wurde dann aus dem Kolben abgezogen. Das Süan wurde durch Chromatographie in der Dampfphase und durch sein Infrarotabsorptionsspektrum identifiziert.
  • Das Silicium, das sich als Produkt der thermischen Zersetzung dieses Silangases, wie oben beschrieben, ergab, hatte einen elektrischen Widerstand von etwa 195 Ohm/cm. Dies ist ein Beweis, daß das Silicium im wesentlichen rein und frei von schädlichem Bor ist und daß das Silan rein und frei von schädlichem Diboran war. Beispiel 3 Das Vorgehen nach Beispiel 1 wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß 100Teile Siliciumtetrachlorid, die etwa 0,0001"/, Bortrichlorid als Verunreinigung enthielten, einer Lösung oder Suspension hinzugefügt wurden, .die sich aus 31,8 Teilen Natrium-Aluminiumhydrid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran zusammensetzte. In -der Reaktionsmischung war kein Calcium-Aluminiumhydrid anwesend. Den Reaktionsteilnehmern wurde gestattet, 2 Stunden bei Zimmerternperatur miteinander :zu reagieren. Das entwickelte Gas wurde durch Chromato-,graphie in der Dampfphase und durch sein Infrarotabsorptionsspektrum identifiziert als in erster Linie aus Silan bestehend, und dann wurde ermittelt, daß es sich um Silan handelte, das Verunreinigungen wie Diboran -enthielt.
  • Das Silicium, das als Produkt durch therrnische Zersetzung aus diesem Silangas erhalten wurde, hatte einen elektrischen Widerstand von weniger als 1 Ohm/cm. Dies beweist, daß das Silicium wesentlich unreiner ist als das der vorhergehenden Beispiele und Verunreinigungen einschließlich Bor enthält und daß das Silan unreiner war und Verunreinigungen wie Diboran enthielt.
  • Die folgenden Beispiele zeigen weiterhin die außer-.ordentlich große oder vollständige Vermeidung oder Unterdrückung einer Diboranbildung durch ein Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid nach der Erfindung im Gegensatz zu der unbefriedigenden oder nur etwa 50 ()/, betragenden Verminderung oder kleineren Verringerung der Diboranbildung aus den verunreinigenden Borverbindungen in den Reaktionsteilnehmern bei Anwendung vonLithiurn-Aluminiumhydridbzw.Natrium-Aluminiurnhydrid allein.
  • Beispiel 4 Eine Lösung von 2,5 Teilen Bortrichlorid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran wurde einerLösung von0,53 Teilen Lithium-Aluminiumhydrid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran hinzugefügt. Die letztgenannte Lösung war in einem dreihalsigen Kolben enthalten, der mit einem abgedichteten Rührwerk, einer druckausgleichenden Vorrichtung und einem Quecksilbermanometer versehen war. Das leere, geschlossene System hatte ein Volumen von 1704 ccm. Der Druck, der mittels des Manometers gemessen und auf Standardtemperatur korrigiert war, betrug 50 nun. Der theoretische Dampfdruck des Diborans, das nach der folgenden Gleichung erzeugt wird: 3 LiAl H, + 4 B Cl, -+- 2 B,H,; + 3 LiC1 -# 3 AICI, wurde berechnet und zu 104,9 mm/Hg ermittelt (unter der Annahme, daß kein Bor als hochsiedende Verbindung abgebunden war). Also war nur etwa 50 0/, des Bors abgebunden, vermutlich als Litblum-Borhydrid, und der wesentliche Rest war als Diboran anwesend.
  • Beispiel 5 Eine Lösung von 2,5 Teilen Bortrichlorid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran wurde einer Lösung hinzugefügt, die aus 0,75 Teilen Natriurn-Aluminiumhydrid und 0,03 Teilen Calcium-Aluminiumhydrid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran bestand. Die letztgenannte Lösung war in einer Einrichtung, wie im Beispiel 4 beschrieben, enthalten. Nachdem der Reaktion gestattet war, 2 Stunden lang abzulaufen, wurde kein meßbarer Druck gefunden. Dies zeigt an, daß die Erzeugung des Diborans vollständig vermieden oder unterdrückt wurde, und zwar durch die Hinzufügung des Calcium-Alunüniumhydrids. Beispiel 6 Eine Lösung von 2,5 Teilen Bortrichlorid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran wurde einer Lösung hinzugefügt, die aus 0,75 Teilen Natrium-Aluminiumhydrid in 100 Volumteilen Tetrahydrofuran bestand. Die letztgenannte Lösung befand sich in einer Einrichtung wie im Beispiel 4. Der erhaltene korrigierte Druck betrug 104 mm/Hg. Dies zeigt an, daß die Diboranbildung wesentlich unterdrückt wurde.
  • Aus Silan, das nach der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, kann ein als Flalbleitermaterial in Gleichrichtem, Transistoren usw. verwendbares Silicium gewonnen werden.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von reinem Silan, das frei von schädlichem Diboran ist, bei dem ein Siliciumhalogenid, vorzugsweise ein Chlorid, mit einem AlkalünetaU-Aluminiumhydrid in einem Lösungsmittel zur Reaktion gebracht wird, dadurch gekenmeichnet, daß dem Reaktionsgemisch ein Erdalkalimetall-Aluminiurnhydrid zugesetzt wird.
  2. 2. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Siliciumhalogenid Siliciumtetrachlorid und als ErdalkalimetaU-Aluminiumhydrid Calcium-Aluminiumhyd.rid verwendet wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als AlkalimetaU-Aluminiumhydrid Natrium -Aluminiumhydrid oder Kalium-Alurniniumhydrid, verwendet wird. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Erdalkalimetall-Aluminiumhydrid in einer Menge von etwa 0,00001 bis 1,5 Gewichtsprozent, auf das Siliciumhalogenid berechnet, zugesetzt wird. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Lösungsmittel Tetrahydrofuran verwendet, die Reaktion bei einer Temperatur zwischen 10' C und der Rückflußtemperatur des Tetrahydrofurans unter Rückfluß durchführt und das gasförmige Silan, das sich aus der flüssigen Reaktionsmischung entwickelt, ableitet.
DEA32132A 1958-06-09 1959-05-29 Verfahren zur Herstellung von reinem Silan Pending DE1080531B (de)

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