DE1075715B - Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes \on mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen insbesondere Kippanordnungen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes \on mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen insbesondere KippanordnungenInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/2893—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
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Description
DEUTSCHES
Die Verwendung von spannungsgesteuerten Transistor-Kippanordnungen für die Lösung zahlreicher
Aufgaben der Regel- und Steuerungstechnik, beispielsweise an Stelle von Röhren-Kippanordnungen
oder hochempfindlichen Relais, ist bekannt. Ihr besonderer Vorteil besteht in den durch die-Transistoren
bedingten kleinen Abmessungen, dem geringen Stromverbrauch und der sofortigen Betriebsbereitschaft.
Eine derartige bekannte Kippschaltung mit drei pnp-Transistoren ist in Fig. 1 dargestellt und im folgenden
kurz beschrieben: Der eine Pol einer Steuerspannungsquelle G ist mit der Basis des eingangsseitigen
Transistors Tr1, der andere, zweckmäßig an Erde liegende Pol über einen Widerstand R1 mit dessen
Emitter verbunden, der seinerseits mit dem Emitter
zweiten Transistors Tr2 direkt in Verbindung
B ist eine Gleichspannungsquelle, die über A5 den Kollektoren der Traneines
steht.
Widerstände R2 bzw.
steht.
Widerstände R2 bzw.
dritten Transistors Tr3 verbunden sind.
Der Emitter dieses als Gleichstromverstärker wirksamen Transistors Tr3 ist an den Abgriffspunkt eines
an die Quelle B geschalteten Spannungsteilers R8, R9
geführt. Im Kollektorkreis des Transistors Tr3 liegt
ein zu betätigendes Schütz oder Relais Rs.
Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist folgende:
Wenn die von G gelieferte Steuerspannung U, die
eine veränderliche Gleichspannung oder eine pulsierende Gleichspannung oder eine Wechselspannung
sein kann, den Wert Null hat, dann ist der Transistor Tr1 gesperrt und der Transistor Tr2 vollständig
geöffnet. Es fließt daher der maximal mögliche Strom über den Widerstand R1 aus dem Emitter des Transistors
Tr2 und über den Widerstand Rs aus dessen
Kollektor. Der hierbei am Widerstand R1 auftretende
Spannungsabfall wird dem Emitter des Transistors Tr1 zugeleitet und bewirkt eine zusätzliche Sperrung
dieses Transistors.
Wird nun. die Steuerspannung U negativ gegen Erde, so fließt, sobald sie den entgegengesetzt gerichteten
Spannungsabfall am Widerstand .R1 übersteigt,
im Transistor Tr1 ein Kollektorstrom. Der hierdurch am Widerstand R2 hervorgerufene zusätzliche
Spannungsabfall bewirkt, daß das Basispotential des Transistors Tr2 und damit der Strom durch diesen
Transistor absinkt. Dadurch wird auch der Spannungsabfall am Widerstand R1 kleiner und der Transistor
Tr1 weiter geöffnet. Dieser Vorgang steigert sich so lange, bis Tr1 voll geöffnet und Tr2 ganz gesperrt
ist. Überschreitet also die Spannung U den für Schaltungsanordnung zur Beeinflussung
des Eingangswiderstandes
von mit einer Steuerspannung
beaufschlagten Transistoranordnungen,
insbesondere Kippanordnungen
Anmelder:
Telefunken G, m. b. H.,
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
2
5
sistoren Tr1 bzw. Tr2 die erforderliche Betriebsspannung
erteilt. Zwischen diese Kollektoren und dem an Erde liegenden Pol der QuelleJ? sind Spannungsteiler
R3, i?4 bzw. Rg, R1 geschaltet, deren Abgriffspunkte mit der Basis des Transistors Tr2 bzw. eines
. Roland Heer, Backnang (Württ.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
die Zündung der Anordnung erforderlichen Wert (Zündspannungswert), so wird das Schütz Rs eingeschaltet.
Wird die Steuerspannung U wieder verkleinert, so spielt sich der umgekehrte Vorgang ab: Unterschreitet
die Steuerspannung den für die Löschung der Anordnung erforderlichen Wert, so wird das
Schütz Rs wieder abgeschaltet.
Die Anordnung nach Fig. 1 hat den Nachteil, daß die Steuerspannungsquelle G nach erfolgter Zündung
stark belastet wird, weil dann der Transistor Tr1 im
Sättigungsgebiet arbeitet und der Eingangswiderstand nur durch die Reihenschaltung des Widerstandes
R1 mit dem Widerstand der Basis-Emitter-Strecke des Transistors Tr1 dargestellt wird. Dabei
ist R1 ein verhältnismäßig niederohmiger Widerstand
in der Größenordnung von einigen hundert Ohm. Ebenso ist die Basis-Emitter-Strecke, die das Verhalten
eines in seiner Durchlaßrichtung beanspruchten Gleichrichters zeigt, ebenfalls sehr niederohmig.
Es ist nun im allgemeinen nicht möglich, den Eingangswiderstand in an sich naheliegender Weise dadurch
heraufzusetzen, daß zwischen die Steuerspannungsquelle G und die Basiselektrode des Transistors
Tr1 ein hochohmiger Widerstand zusätzlich eingeschaltet
wird, weil dadurch einmal eine starke Temperaturabhängigkeit der Anordnung hervorgerufen
und zum anderen die Differenz zwischen Zünd- und Löschspannung vermindert oder sogar zu Null gemacht
wird, so daß die Anordnung gar nicht mehr als Kippanordnung, sondern als Verstärker arbeitet.
909 730/363
1 076
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes von mit
einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen, insbesondere Kippanordnungen, bei
denen der eine Pol der Steuerspannungsquelle mit der Basis des Eingangstransistors verbunden ist. Erfmdungsgemäß,ist
.der andere Pol der Steuerspannungsquelle mit dem Emitter eines zusätzlichen Transistors
verbunden, dessen Kollektor mit dem Emitter des Eingangstransistors in Verbindung steht.
In den Fig. 2 und 3 sind Ausführungsbeispiele der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung dargestellt;
·
In der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 ist der zusätzliche Transistor Tr^ mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke
zwischen den Widerstand R1 und die gemeinsame Emitterleitung der beiden Transistoren Tr1 und
Tr2 geschaltet, während seine Basis über einen Spannungsteiler
R10, R11 an den Kollektor des Transistors
Tr1 angekoppelt ist, wobei letzterer Spannungsteiler
dem Spannungsteiler R3, R1 parallel liegt. Die Anordnung
wirkt, wie im folgenden beschrieben:
Solange die Steuerspannung U unterhalb des Zündspannungswertes
liegt, ist der zusätzliche Transistor Tr1 geöffnet, und die Anordnung verhält sich genauso
wie ohne diesen Transistor. Nach erfolgter Zündung sinkt jedoch, wie oben beschrieben, die Kollektorspannung
des Transistors Tr1 ab, weil durch den Kollektorstrom von Tr1 der Spannungsabfall am
Widerstand R2 vergrößert wird. Damit sinkt auch die
Spannung an der Basis von Tr4 über den Spannungsteiler R10, R11. Dadurch wird der Transistor Tr\ mehr
und mehr gesperrt und wirkt dem weiteren Absinken der Kollektorspannung des Transistors Tr1 entgegen,
indem der Emitterstrom dieses Transistors einen wachsenden Spannungsabfall am Transistor Tr4 hervorruft,
welcher die Tendenz hat, den Transistor Tr1 wieder zu sperren. Es stellt sich schließlich ein Gleichgewichtszustand
ein, bei welchem der Transistor Tr1 noch nicht bis ins. Sättigungsgebiet gelangt ist, während
andererseits der Transistor Tr4 noch nicht vollständig
gesperrt ist. Dagegen ist der Transistor Tr2 ganz gesperrt,- obwohl das Potential am Kollektor des
Transistors Tr1 und damit auch das Potential an der
Basis, des Transistors Tr2 nicht so weit absinkt wie in
der Anordnung nach Fig. 1. Dafür ist aber das Emitterpotential der Transistoren Tr1 und Tr2 wegen
des durch den Emittersfrom des Transistors Tr1 am
nahezu gesperrten Transistor Tr^ hervorgerufenen zusätzlichen
Spannungsabfalls stärker angestiegen. Das bewirkt die vollständige Sperrung des Transistors Tr2.
Steigt nun die Steuerspannung über den Zündspannungswert hinaus weiter an, so verschiebt sich
lediglich das Gleichgewicht zwischen den Transistoren Tr1 und Tr^ in der Weise, daß der erstere weiter geöffnet,
der letztere stärker gesperrt wird. Der Basisstrom des, Transistors Tr1 wird durch den Widerstand
4er Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Tr^ begrenzt.
Der Eingangswiderstand der Schaltung steigt also mit nach erfolgter Zündung noch weiter wachsender
Steuerspannung an, und der Basisstrom des Eingangstransistors Tr1 bleibt nahezu konstant.
Sinkt die Steuerspannung unter den Löschspannungswert ab, so spielen sich die Vorgänge in der umgekehrten
Reihenfolge ab, wie bereits oben zu Fig. 1 beschrieben. Unterhalb des Löschpunktes besteht kein
Unterschied im Verhalten der Anordnungen nach Fig. 1 und 2.
Die Anordnung nach Fig. 3 unterscheidet sich von der nach Fig. 2 dadurch, daß der Spannungsteiler R10,
R11 in Fortfall kommt und die Basis des zusätzlichen
Transistors Tr1 — nicht der Emitter des Eingangstransistors Tr1 — mit dem Emitter des zweiten Transistors
Tr2 verbunden ist. Die Wirkungsweise der Anordnung
nach Fig. 3 ist ähnlich der nach Fig. 2.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes von mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen,
"' insbesondere Kippanordnungen, bei denen der eine Pol der Steuerspannungsquelle mit der Basis des
Eingangstransistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Pol der Steuerspannungsquelle
(G) mit dem Emitter eines zusätzlichen-Transistors (TrJ verbunden ist, dessen Kollektor
mit dem Emitter des Eingangstransistors (TrJ in
, Verbindung steht.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen
dem Pol der Steuerspannungsquelle, der nicht mit der Basis des Eingangstransistors (Tr1) verbunden
ist, und dem -Emitter des zusätzlichen Transistors (Tr4) über einen Widerstand (RJ erfolgt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zusätzlichen Transistors (TrJ über ein Koppelglied, vorzugsweise
einen Spannungsteiler (R10, Rn), mit
dem Kollektor des-Eingangstransistors (TrJ verbunden ist, so daß bei infolge Zündung der Anordnung sinkender Kollektorspannung des letzteren
Transistors (TrJ der zusätzliche Transistor (TrJ gesperrt und damit der Eingangswiderstand nach
Zündung mit wachsender Steuerspannung ver-:
großert wird (Fig. 2).
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zusätzlichen
Transistors (TrJ über einen Transistor (Tr2)
mit dem Kollektor des Eingangstransistors (TrJ
verbunden ist (Fig; 3).
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1 021 926.
Deutsches Patent Nr. 1 021 926.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 730/36Ϊ 2.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1075715B true DE1075715B (de) | 1960-02-18 |
Family
ID=599482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1075715D Pending DE1075715B (de) | Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes \on mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen insbesondere Kippanordnungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1075715B (de) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1021926B (de) * | 1956-04-26 | 1958-01-02 | Siemens Ag | Einrichtung zur Steuerung hoeherer Gleichspannungen |
-
0
- DE DENDAT1075715D patent/DE1075715B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1021926B (de) * | 1956-04-26 | 1958-01-02 | Siemens Ag | Einrichtung zur Steuerung hoeherer Gleichspannungen |
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