DE1061370B - Leseverfahren fuer magnetische Speicherkerne - Google Patents
Leseverfahren fuer magnetische SpeicherkerneInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Leseverfahren für magnetische Speicherkerne. Ihr liegt die Aufgabe
zugrunde, den Informationsinhalt eines magnetischen Speicherkerns quantitativ festzustellen, ohne daß dabei
der Informationsinhalt des Speicherkerns verlorengeht. Der Informationsinhalt wird dabei durch den
magnetischen Zustand des Speicherkerns dargestellt.
Es sind bereits vergleichbare Leseverfahren bekannt. Diese erfüllen jedoch nicht alle hier geforderten
Bedingungen.
Einige dieser Verfahren (z. B. USA.-Patent 2 681 181) erfüllen nur die Bedingung, daß nach der
Beendigung des Lesevorgangs der magnetische Speicherkern denselben magnetischen Zustand hat wie
vorher. Hierbei besteht der Lesevorgang aus zwei Teilen, wobei während des ersten Teiles eine Umspeicherung
der Information in einen besonderen magnetischen Hilfskern vorgenommen wird. Während
des zweiten Teiles erfolgt eine Rückspeicherung der inzwischen aufbewahrten Information in den Ursprungliehen,
dafür vorgesehenen Speicherkern, der daher am Ende des gesamten Lesevorgangs wieder denselben
Informationsinhalt wie vorher besitzt. Bei diesem Verfahren ist jedoch nur vorgesehen, beim Lesen zwischen
den beiden verschiedenen magnetischen Sättigungszuständen
des betreffenden Kerns zu unterscheiden, so daß ein Kern nur zwei verschiedene Informationen
aufnehmen kann. Es ist daher auch nicht ein zwischen den beiden Sättigungszuständen liegender magnetischer
Zwischenzustand genau festzustellen.
Es sind nun auch Leseverfahren bekannt (z. B. deutsche Patentanmeldung S 37853 VIIIa/21a3), bei
denen mehrere derartige Zwischenzustände festgestellt werden können. Bei diesen Verfahren wird das Einspeichern
von Informationen mit Hilfe von Impulsen mit vorher festgelegter Stärke und Dauer vorgenommen,
wobei eine schrittweise Ummagnetisierung des betreffenden Magnetkerns eintritt, der sich bei Beginn
des Vorgangs in einem magnetischen Sättigungszustand befand. Der zuletzt erreichte Magnetisierungszustand
ist dann abhängig von der Zahl der zugeführten Impulse. Zum Zweck des Lesens werden dann
ebenfalls gleichartige Impulse zugeführt, und zwar so viele, bis wieder ein magnetischer Sättigungszustand
erreicht ist. Die Zahl der dazu notwendigen Leseimpulse ist dann abhängig von dem magnetischen Zustand
des betreffenden Kerns bei Beginn des Lesevorgangs und ist daher ein Maß für diesen Zustand. Nach
diesem Verfahren können beim Lesen auch magnetische Zwischenzustände festgestellt werden, welche
daher hier auch für Speicherzwecke ausgenutzt werden können. Es handelt sich aber hier um solche Zwischenzustände,
welche bestimmten Magnetisierungs stufen entsprechen, die von der Beschaffenheit der
Leseverfahren
für magnetische Speicherkerne
für magnetische Speicherkerne
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dipl.:ing. Hans Bretschneider, Starnberg (Obb.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Speicher- und Leseimpulse bestimmt werden. Beliebige Zwischenzustände können dagegen nicht eingespeichert
oder abgelesen werden. Außerdem sind bei diesen Verfahren im allgemeinen für das Speichern
und Lesen mehrere Teilvorgänge erforderlich, so müssen nämlich jeweils mehrere Impulse zugeführt
werden, was eine entsprechend lange Zeit in Anspruch nimmt. Dies ist aber oft nachteilig, insbesondere dann,
wenn bei Anwendung dieser Verfahren zugleich gewünscht wird, daß nach dem Lesen sich der magnetische
Speicherkern wieder in dem ursprünglich vorhandenen Zustand befindet, was nur mit Hilfe des
eingangs erwähnten Umspeicherverfahrens erreicht werden kann.
Nach diesen Verfahren kann daher bei magnetischen Speicherkernen ein zerstörungsfreies, quantitatives
Lesen von Informationsinhalten, die beliebigen magnetischen Zwischenwerten zwischen den magnetischen
Sättigungszuständen derselben entsprechen, nicht vorgenommen werden. Die Erfindung zeigt nun einen
Weg, wie diese Aufgabe vorteilhaft gelöst werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich
damit auch besonders zur Überwachung der Arbeitsweise von Speicher- und Magnetkernen, da der
Speicherzustand der verwendeten Kerne genau ermittelt werden kann, und zwar ohne daß dabei ihr
ursprünglicher magnetischer Zustand verlorengeht.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum zerstörungsfreien, quantitativen Lesen des Informationsinhaltes
eines magnetischen Speicherkerns ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Feststellung des magnetischen Zustandes
des Speicherkerns, der beliebig zwischen seinen Sättigungszuständen liegen kann, an diesen
eine konstante Spannung angelegt wird, die so groß ist, daß sie den Speicherkern sicher in einen magne-
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tischen Sättigungszustand bringt, wobei als Maß für den abzulesenden magnetischen Anfangszustand des
Speicherkerns die benötigte Zeitspanne bis zur Erreichung dieses magnetischen Sättigungszustandes
verwendet wird, und daß zugleich während dieser Zeitspanne mit derselben Spannung in einen gleichartigen
Hilfskern eine von einem Sättigungszustand ausgehende Ummagnetisierung vorgenommen wird
und daß danach in einem gleichen Meßvorgang unter Vertauschung von Speicherkern und Hilfskern im
Speicherkern der magnetische Anfangszustand wieder hergestellt wird.
Es wird ferner angegeben, wie man besonders vorteilhaft bestimmte, besonders wichtige Teile einer
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren arbeitenden Schaltungsanordnung aufbauen kann.
Fig. 1 zeigt das Prinzipschaltbild einer derartigen Schaltungsanordnung;
Fig. 2 zeigt ein Realisierungsbeispiel für einen Teil dieser Schaltungsanordnung.
Die Schaltungsanordnung, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, enthält außer dem magnetischen Speicherkern
P1 dessen eingespeicherte Information abzulesen ist, noch einen magnetischen Hilfskern H1 der zur
vorübergehenden Aufnahme der Information dient. Beide Kerne tragen für den hier vorgesehenen Zweck
je eine Wicklung. Zweckmäßigerweise werden gleiche Kerne verwendet. Es ist ferner eine Schalteinrichtung
6* vorgesehen, welche jeweils in den Stromkreis eines der beiden Kerne eingeschleift werden kann.
Diese Schalteinrichtung spricht jeweils an, wenn beim Ummagnetisieren der magnetische Sättigungszustand
des anschlossenen Kerns erreicht ist. Das Funktionsprinzip dieser Schalteinrichtung und das in Fig. 2
dargestellte Realisierungsbeispiel für eine derartige Schalteinrichtung werden später erläutert. Die
Schalteinrichtung6" soll jedoch jedenfalls so beschaffen
sein, daß ihr Einfluß auf den Magnetisierungsstrom für den betreffenden Kern vernachlässigbar ist. Die
Schalteinrichtung ,S" betätigt beim Ansprechen ihre Ruhekontaktes I1 s2 und s3. Die Ruhekontakteil
und s2 unterbrechen die Ströme, welche über die Magnetkerne P und H fließen. Der Ruhekontakt j 3
unterbricht den Strom, der gegebenenfalls durch eine besondere Zeitmeßeinrichtung T fließt. Es ist ferner
ein Schalter A vorgesehen, der zur Inbetriebsetzung der Schaltungsanordnung dient. Mit Hilfe des Kontaktes
α 2 dieses Schalters A wird bei der Inbetriebsetzung der Stromkreis für die Zeitmeßeinrichtung T
geschlossen. Der Schalter^ hat noch den Kontakt al., über welchen dabei die Stromkreise für die Magnetkerne
P und H geschlossen werden. Über seinen Kontakt α 3 wird die Schalteinrichtung 6* in Betrieb genommen.
In die Stromkreise für die Magnetkerne^ und H sind noch die Umschaltkontakte b 1 und b 2 des
Umschalters B eingeschleift, mit deren Hilfe die Schalteinrichtung S wahlweise in den Stromkreis des
Speicherkerns P oder Hilfskerns H gelegt werden kann. Die Stromimpulse, welche den magnetischen
Zustand der Magnetkerne P und H verändern, werden mit Hilfe einer konstanten Spannung U erzeugt.
Es wird nun beschrieben, wie der magnetische Zustand des Speicherkerns P festgestellt wird und wie
sein magnetischer Anfangszustand, den er bei Beginn des Lesevorgangs hatte, wieder hergestellt wird. Der
magnetische Anfangszustand des Speicherkerns kann dabei beliebig zwischen seinen Sättigungszuständen
liegen. Zunächst wird der Umschalter B in diejenige Stellung gebracht, bei der die Schalteinrichtung 5" in
den Stromkreis des Speicherkerns P1 bei dem eine Ablesung
vorgenommen werden soll, eingeschleift ist. Es ist dies die in Fig. 1 dargestellte Lage des Umschalters
B. Danach wird der Schalter A betätigt, wodurch seine Kontakte al, α2 und α3 geschlossen werden.
Durch das Schließen des Kontaktes α2 wird die Zeitmeßeinrichtung T unter Strom gesetzt und beginnt
mit der Zeitmessung. Durch das Schließen des Kontaktes a 1 werden der Speicherkern P und der
Hilfskern H unter Strom gesetzt. Durch das Schließen des Kontaktes α3 wird die Schalteinrichtung 51
in Betrieb genommen.
Die Spannung U ist so groß, daß unter ihrem Einfluß die angeschlossenen Kerne sicher in einen magnetischen
Sättigungszustand gebracht werden. Dieser Vorgang findet nun nicht spontan statt, sondern es
wird, wie sich aus dem Induktionsgesetz U= — w"7f7~
ergibt, dazu die Zeitspanne At= —w——benötigt,
wobei w die Windungszahl, Δ Φ die Änderung des
magnetischen Flusses bis zur Erreichung des magnetischen Sättigungszustandes und U die angelegte
Spannung ist. Diese Zeitspanne ist unter sonst gleichen Umständen der vorzunehmenden Fluß änderung Δ Φ
proportional, und daher ist diese Zeitspanne auch ein Maß für den ursprünglich vorhandenen magnetischen
Zustand des Speicherkerns. Wenn der magnetische Sättigungszustand erreicht ist, spricht die Schalteinrichtung
6" an und unterbricht mit Hilfe ihrer Kontakte si, s2 und s3 die Stromkreise für die Magnetkerne
P und H und für die Zeitmeßeinrichtung T. An der Zeitmeßeinrichtung T kann nun die benötigte
Zeit A t abgelesen werden, welche zugleich das gewünschte Maß für den magnetischen Anfangszustand
des Speicherkerns ist.
Zugleich mit dem Speicherkern P lag nun auch der Hilfskern H unter Strom. Bedingung für die richtige
Durchführung des erfindungsgemäß en Verfahrens ist nun, daß zu Beginn der Messung sich der Hilfskern H
bereits in einem magnetischen Sättigungszustand befindet, und zwar in einem solchen, daß der ihn danach
durchfließende Strom eine Ummagnetisierung vornimmt. Dies läßt sich in jedem Falle durch geeignete
Polung des ihn durchfließenden Stromes erreichen. Die Ummagnetisierung des Hilfskerns dauert nun
genauso lange wie der Magnetisierungsvorgang beim Speicherkern P, da seine Ummagnetisierung durch die
Kontakte al und si gesteuert wird. Bis jetzt wurde der erste Teil des Lesevorgangs beschrieben. Nach
seinem Ablauf weicht der Magnetisierungszustand des Hilfskerns H von dem einen magnetischen Sättigungszustand
um denselben Betrag Δ Φ ab, wie der magnetische Anfangszustand des Speicherkerns P von dem
in diesem Kern jetzt vorhandenen magnetischen Sättigungszustand bei Beginn des Lesevorgangs abwich.
Aus dem Induktionsgesetz ergibt sich nämlich
ΔΦ = At. Die Fluß änderung A Φ ist also proportional
der Ummagnetisierungszeitspanne Δ t. Der Informationsinhalt des Speieherkerns, der durch die
Abweichung seines vorhandenen magnetischen Zustandes von einem der beiden magnetischen Sättigungszustände
dargestellt wird, ist damit aus dem Speicherkern in den Hilfskern umgespeichert worden, da
dessen jetziger magnetischer Zustand um denselben Betrag A Φ von dem einen seiner magnetischen Sättigungszustände
abweicht.
Nunmehr hat der zweite Teil des Lesevorgangs abzulaufen. Nach der eben beschriebenen Ablesung der
im Speicherkern P vorhandenen Information und ihrer
5 6
gleichzeitigen Umspeicherung in den Hilfskern H lung induziert, welche den Stromanstieg begrenzt. Bei
wird der Schalter A wieder in Ruhestellung gebracht. Erreichung des magnetischen Sättigungszustandes
Seine Kontakte werden dabei wieder geöffnet. Durch hört die Änderung des Magnetflusses auf, und die indie
Öffnung des Kontaktes a3 kommt die Schaltein- duzierte Gegenspannung verschwindet. Der Strom
richtung 6" wieder in ihre Ruhelage, und ihre Kon- 5 steigt sehr schnell auf den durch den ohmschen Widertakteil,
s2 und s3 schließen sich wieder. Da vorher stand der Wicklung bedingten Endwert an. Dieser
bereits die Kontakte al und a2 geöffnet wurden, steile Anstieg wird hier ausgenutzt. Dazu ist der
bleiben die Magnetkerne P und H und die Zeitmeß- Übertrager Z mit seiner Primärwicklung zp in den
einrichtung T zunächst weiterhin stromlos. Nunmehr jeweiligen Magnetisierungsstromkreis eingeschleift,
wird der Umschalter B in seine andere Lage gebracht. io An seiner Sekundärwicklung zs tritt wegen der Diffe-Dadurch
wird die Schalteinrichtung JT jetzt in den renziereigensehaft des Übertragers eine besonders
Stromkreis für den Hilfskern H eingeschleift. Danach große Sekundärspannung auf, wenn der obenerwähnte
wird wieder der Schalter A betätigt, wodurch sich der steile Stromanstieg erfolgt. Die Sekundärwicklung zs
Meßvorgang und Umspeichervorgang wiederholt. Es ist derart in Reihe mit der Gittervorspannungsquelle
wird jedoch diesmal eine Umspeicherung vom Hilfs- 15 an die Zündelektrode der Gastriode V angeschaltet,
kern H in den Speicherkern P vorgenommen. Die bei- daß die auftretende große Sekundärspannung die Gasden
Kerne haben also diesmal ihre Rolle vertauscht. triode V zum Zünden bringt. Die Gittervorspan-Zur
Beendigung des Vorgangs wird dann wieder der nungsquelle Q ist regelbar, so daß eine geeignete
Schalter A in seine Ruhelage gebracht. Der Speicher- Gittervorspannung und damit der geeignete Zeitpunkt
kern P hat wieder seinen magnetischen Anfangs- 20 für das Zünden der Gasröhre V eingestellt werden
zustand erhalten. Man kann einen erneuten Lesevor- kann. Mit Hilfe der regelbaren Gittervorspannungsgang
vornehmen, um zu kontrollieren, daß sich sein quelle Q ist damit auch in gewissen Grenzen der An-Informationsinhalt
nicht verändert hat. Wenn keine Sprechzeitpunkt der Schalteinrichtung 6" beeinflußbar,
Veränderung eingetreten ist, muß jetzt das Zeitmeß- was zum Abgleichen ausgenutzt werden kann. Da bei
gerät T dieselbe Anzeige haben wie beim ersten Lese- 25 Betätigung des Schalters A vorher mit dem Konvorgang,
takt α 3 der Hauptstromkreis der Gastriode V vorbe-
Es ist im Stromkreis für den Speicherkern P ein reitet worden war, kann nunmehr ein Strom über die
abgleichbarer Kompensationswiderstand R vorgesehen. Gastriode und das Relais S' fließen. Das Relais S'
Bei der Umspeicherung wird die eingespeicherte In- spricht an und betätigt seine Kontakte, welche die
formation durch Kupfer- und Hystereseverluste der 30 bereits beschriebenen Kontakteil, s2 und s3 sind.
Magnetkerne verfälscht. Um diese Verfälschung aus- Wenn der Schalter A wieder in seine Ruhelage gegleichen
zu können, wird die Betriebsspannung U beim bracht wird, so wird mit Hilfe des Kontaktes α 3 der
Umspeichern vom Speicherkern P auf den Hilfskern ff Hauptstromkreis unterbrochen, die Gastriode wird
dem Hilfskern H in voller Höhe und dem Speicher- gelöscht, das Relais S' wird stromlos, und seine Konkern
P nur in verminderter Höhe zugeführt, wobei diese 35 takte kommen wieder in ihre Ruhelage.
Verminderung mit Hilfe des Kompensationswiderstan- Als Zeitmeßgerät T zur Messung der benötigten des R eingeregelt werden kann. Bei mehrfacher Wieder- Zeitspanne für die betreffenden Ummagnetisierungen holung des Lesevorgangs läßt sich durch Einstellung kann mit Vorteil ein ballistisches Galvanometer verdes Kompensationswiderstandes R erreichen, daß nach wendet werden, dessen Zeigerausschlag ein Maß für dem Lesevorgang im Speicherkern genau der gleiche 40 die Zeitspanne ist. Die Arbeitsweise eines derartigen magnetische Zustand vorhanden ist als vorher. Galvanometers ist bekannt. Wenn man dieses GaI-
Verminderung mit Hilfe des Kompensationswiderstan- Als Zeitmeßgerät T zur Messung der benötigten des R eingeregelt werden kann. Bei mehrfacher Wieder- Zeitspanne für die betreffenden Ummagnetisierungen holung des Lesevorgangs läßt sich durch Einstellung kann mit Vorteil ein ballistisches Galvanometer verdes Kompensationswiderstandes R erreichen, daß nach wendet werden, dessen Zeigerausschlag ein Maß für dem Lesevorgang im Speicherkern genau der gleiche 40 die Zeitspanne ist. Die Arbeitsweise eines derartigen magnetische Zustand vorhanden ist als vorher. Galvanometers ist bekannt. Wenn man dieses GaI-
Mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Schaltungs- vanometer an diejenige Spannungsquelle anschließt,
anordnung kann auch ein bestimmter, gewünschter welche den Magnetisierungsstrom liefert, so werden
Informationsinhalt in einen Speicherkern eingespei- Schwankungen der von ihr gelieferten Spannung
chert werden. Zu diesem Zweck ist der SchalterE vor- 45 selbsttätig bei der Messung kompensiert. Wenn nämgesehen.
Über den zugehörigen Kontakt e kann man Hch die von der Spannungsquelle gelieferte Spaneinen
dosierten Impuls auf den Hilfskern H geben. nung U etwas gesunken ist, so ist, wie sich aus der
Durch einen Umspeichervorgang kann die damit ver- π · ι λ w , -c μ ι· ττ
knüpfte Änderung seines Magnetisierungszustandes Beziehung Δ t = _— · Δ Φ ergibt, die- Ummagnetiauf den Speicherkern übertragen werden, und mit 50 sierungszeit unter sonst gleichen Umständen größer. Hilfe des gleichzeitig stattfindenden Lesevorgangs Es ist nun wünschenswert, daß dabei der Zeigerkann zugleich der entsprechende Informationsinhalt ausschlag am ballistischen Galvanometer unverändert festgestellt werden. bleibt. Dies ist auch der Fall, da bei dem ballistischen
knüpfte Änderung seines Magnetisierungszustandes Beziehung Δ t = _— · Δ Φ ergibt, die- Ummagnetiauf den Speicherkern übertragen werden, und mit 50 sierungszeit unter sonst gleichen Umständen größer. Hilfe des gleichzeitig stattfindenden Lesevorgangs Es ist nun wünschenswert, daß dabei der Zeigerkann zugleich der entsprechende Informationsinhalt ausschlag am ballistischen Galvanometer unverändert festgestellt werden. bleibt. Dies ist auch der Fall, da bei dem ballistischen
In Fig. 2 ist eine Schaltung dargestellt, welche ein Galvanometer die Verlängerung der Ummagnetisie-Beispiel
für den Aufbau der Schalteinrichtung 6" zeigt. 55 rungszeit im Sinne einer Vergrößerung des Zeiger-Die
Schalteinrichtung 61 besteht hier aus der Gas- ausschlages und die gleichzeitig vorhandene Vertriode
V, dem Übertrager Z und dem Relais >S". Zu kleinerung der Spannung U im Sinne einer Verihrem
Betrieb sind die Spannungsquellen F und Q kleinerung des Zeigerausschlages wirkt, beide Effekte
vorgesehen. Das Relais 5" liegt im Hauptstromkreis sich also kompensieren. Entsprechend sind die Verder
Gastriode V. Der Übertrager Z liegt im Gitter- 60 hältnisse, wenn die Spannung U ansteigt. Bei Verkreis,
und zwar ist er zwischen das Gitter und die Wendung eines ballistischen Galvanometers tritt also
Gittervorspannungsquelle Q eingeschleift. Die Schalt- automatisch eine Kompensierung von Schwankungen
einrichtung ^S1 wird durch den bei Erreichung des der Spannung U bei der Messung auf.
magnetischen Sättigungszustandes auftretenden, be- Eine Schaltungsanordnung, wie sie prinzipiell in sonders steilen Anstieg des Magnetisierungsstromes 65 der Fig. 1 dargestellt ist, kann mit Hilfe von Steuerfeines Magnetkerns zum Ansprechen gebracht. Wenn relais derart ausgestaltet werden, daß eine selbsttätige nämlich ein Magnetkern, wie es vorher beschrieben Steuerung für den Ablauf der verschiedenen Vorwurde, zur Ummagnetisierung an eine Spannung an- gänge durch diese Steuerrelais vorgenommen wird, geschaltet wird, so wird, solange sich der Magnetfluß Man kann dabei z. B. auch vorsehen, daß eine Über-.ändert, eine Gegenspannung in der verwendeten Wick- 70 lastung des ballistischen Galvanometers mit Sicher-
magnetischen Sättigungszustandes auftretenden, be- Eine Schaltungsanordnung, wie sie prinzipiell in sonders steilen Anstieg des Magnetisierungsstromes 65 der Fig. 1 dargestellt ist, kann mit Hilfe von Steuerfeines Magnetkerns zum Ansprechen gebracht. Wenn relais derart ausgestaltet werden, daß eine selbsttätige nämlich ein Magnetkern, wie es vorher beschrieben Steuerung für den Ablauf der verschiedenen Vorwurde, zur Ummagnetisierung an eine Spannung an- gänge durch diese Steuerrelais vorgenommen wird, geschaltet wird, so wird, solange sich der Magnetfluß Man kann dabei z. B. auch vorsehen, daß eine Über-.ändert, eine Gegenspannung in der verwendeten Wick- 70 lastung des ballistischen Galvanometers mit Sicher-
heit vermieden wird. Ebenso kann man Einrichtungen vorsehen, die eine bequeme Dosierung des Impulses
für die Einspeicherung einer Information in den Hilfskern und in den Speicherkern ermöglichen.
Es sei noch darauf hingewiesen, daß auch andere Methoden als die bereits angegebene zur Messung der
für die betreffende Ummagnetisierung benötigten Zeitspanne in vorteilhafter Weise angewendet werden
können. So kann z. B. eine Registriereinrichtung mit einer ihrer Betriebsspannung proportionalen Vor-Schubgeschwindigkeit
verwendet werden, wobei die Betriebsspannung von der den Magnetisierungsstrom hervorrufenden Spannungsquelle zu liefern ist. Diese
Registriereinrichtung hat dann während der Ummagnetisierungszeit ein zeitabhängiges Zeichen zu
schreiben, dessen Länge die Dauer der Magnetisierungszeit angibt.
Es kann ferner als Maß für die Ummagnetisierungszeit
die in ihren Zeitraum fallende Anzahl von Perioden eines Oszillators verwendet werden, wobei
ein Oszillator zu verwenden ist, dessen Frequenz seiner Betriebsspannung proportional ist, und wobei
diese Betriebsspannung ebenfalls von der den Magnetisierungsstrom hervorrufenden Spannungsquelle zu
liefern ist. a5
Schließlich kann man mit Hilfe dieser Spannungsquelle einen Kondensator während der Ummagnetisierungszeit
aufladen und dessen Spannung als Maß für die Ummagnetisierungszeit verwenden.
Bei Anwendung dieser Meßmethoden tritt in ahnlicher Weise wie bei der Verwendung eines ballistischen
Galvanometers selbständig eine Kompensierung von Schwankungen der Spannung U bei der
Zeitmessung ein.
35
Claims (9)
1. Verfahren zum zerstörungsfreien, quantitativen Lesen des Informationsinhaltes eines
magnetischen Speicherkerns, dadurch gekennzeichnet, daß zur Feststellung des magnetischen
Zustandes des Speicherkerns (P), der beliebig zwischen seinen Sättigungszuständen liegen kann,
an diesen eine konstante Spannung (U) angelegt wird, die so groß ist, daß sie den Speicherkern (P)
sicher in einen magnetischen Sättigungszustand bringt, wobei als Maß für den abzulesenden
magnetischen Anfangszustand des Speicherkerns (P) die benötigte Zeitspanne bis zur Erreichung
dieses magnetischen Sättigungszustandes verwendet wird, und daß zugleich während dieser Zeitspanne
mit derselben Spannung (17) in einem gleichartigen Hilfskern (H) eine von einem Sättigungszustand
ausgehende Ummagnetisierung vorgenommen wird und daß danach in einem gleichen Meßvorgang unter Vertauschung von Speicherkern
(P) und Hilfskern (H) im Speicherkern (P) der magnetische Anfangszustand wieder hergestellt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kennzeichen für die Erreichung
des magnetischen Sättigungszustandes der in diesem Augenblick auftretende, besonders steile Anstieg
des Magnetisierungsstromes verwendet wird.
3. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils
der Magnetisierungsstrom des betreffenden Magnetkerns (P; H) über die Primärwicklung (zp) eines
Übertragers (Z) geleitet wird und daß die an der Sekundärwicklung (zs) beim Erreichen des magnetischen
Sättigungszustandes auftretende besonders hohe Spannung zum Ansprechen eines Schaltmittels,
insbesondere zum Zünden einer Gasröhre (V) dient, welche unmittelbar oder mittelbar
durch ein Relais (S') den Ummagnetisierungsvorgang des jeweils anderen Magnetkerns (H; P)
beendet.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Zündzeitpunkt der
Gasröhre (V) mittels einer regelbaren Gittervorspannungsquelle
(Q) beeinflußbar ist.
5. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 oder nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Messung der benötigten Zeitspanne für die betreffende Ummagnetisierung
ein ballistisches Galvanometer (T) vorgesehen ist, das während dieser Zeitspanne an die
den Magnetisierungsstrom hervorrufende Spannungsquelle (U) angeschlossen ist und dessen
Zeigerausschlag ein Maß für diese Zeitspanne ist.
6. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 oder nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Messung der benötigten Zeitspanne für die betreffende Ummagnetisierung
eine Registriereinrichtung mit einer ihrer Betriebsspannung proportionalen Vorschubgeschwindigkeit
vorgesehen ist, welche während dieser Zeitspanne an die den Magnetisierungsstrom hervorrufende Spannungsquelle (U) angeschlossen
ist und welche während der Ummagnetisierungszeit ein dieser entsprechendes zeitabhängiges
Zeichen schreibt.
7. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 oder nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als Maß der benötigten Zeitspanne für die betreffende Ummagnetisierung
die in ihren Zeitraum fallende Anzahl von Perioden eines Oszillators verwendet wird, dessen
Frequenz seiner Betriebsspannung proportional ist und welcher während der Ummagnetisierungszeit
an die den Magnetisierungsstrom hervorrufende Spannungsquelle (U) angeschlossen ist.
8. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 oder nach Anspruch 3
oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Maß der benötigten Zeitspanne für die betreffende Ummagnetisierung
die Spannung eines während der Ummagnetisierungszeit an die den Magnetisierungsstrom
hervorrufende Spannungsquelle (U) angeschlossenen Kondensators verwendet wird.
9. Schaltungsanordnung für das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 oder nach einem der Ansprüche 3
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein einstellbarer Kompensationswiderstand (R) vorgesehen
ist, der mit dem Speicherkern (P) in Reihe geschaltet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 577/292 7.59
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DES56438A DE1061370B (de) | 1957-12-30 | 1957-12-30 | Leseverfahren fuer magnetische Speicherkerne |
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| DES56438A DE1061370B (de) | 1957-12-30 | 1957-12-30 | Leseverfahren fuer magnetische Speicherkerne |
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| DES56438A Pending DE1061370B (de) | 1957-12-30 | 1957-12-30 | Leseverfahren fuer magnetische Speicherkerne |
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| DE (1) | DE1061370B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1154961B (de) * | 1959-07-27 | 1963-09-26 | Ibm Deutschland | Mechanischer Speicher |
| DE1256258B (de) | 1964-06-06 | 1967-12-14 | Licentia Gmbh | Aus einer steuerbaren Halbleiterzelle aufgebautes bistabiles Speicherelement mit Haftspeicherverhalten |
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1957
- 1957-12-30 DE DES56438A patent/DE1061370B/de active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1154961B (de) * | 1959-07-27 | 1963-09-26 | Ibm Deutschland | Mechanischer Speicher |
| DE1256258B (de) | 1964-06-06 | 1967-12-14 | Licentia Gmbh | Aus einer steuerbaren Halbleiterzelle aufgebautes bistabiles Speicherelement mit Haftspeicherverhalten |
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