DE1058575B

DE1058575B - Schaltungsanordnung zur Unterdrueckung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen in einem Parallelschwingkreis

Info

Publication number: DE1058575B
Application number: DEN14531A
Authority: DE
Inventors: Johannes Meijer Cluwen
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1958-01-07
Filing date: 1958-01-07
Publication date: 1959-06-04
Also published as: US3047740A; CH365415A; FR1221682A

Description

Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen in einem Parallelschwingkreis Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen in einem Parallelschwingkreis und kann z. B. in Frequenzmodulations- (UKW-) Empfängern angewendet werden. Sie beruht auf dem Prinzip des dynamischen Begrenzers, bei dem einem Parallelresonanzkreis die Reihenschaltung eines Gleichrichters und einer für die Modulationsfrequenzen durchlässigen Widerstands-Kondensator-ParalLelschaltung parallel liegt. Besonders wenn diese Schaltung für große Ströme und niedrige Spannungen bemessen werden soll, muß der Wert des Kondensators sehr groß gewählt werden.
Die Erfindung bezweckt, den Wert des Kondensators niedrig zu halten und ist dadurch gekennzeichnet, daß dem Parallelschwingkreis die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, parallel geschaltet ist und daß die Basis des Transistors über eine aus einem Widerstand und einem Kondensator gebildete Parallelschaltung mit einer Mittelanzapfung der Spule des Parallelschwingkreises verbunden ist.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Die Hochfrequenzschwingungen, deren Spannungszunahme unterdrückt werden soll, werden einem Parallelschwingkreis 1 zugeführt. Diesem Kreis 1 ist die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors 2, insbesondere eines symmetrischen Transistors, parallel geschaltet. Mit »symmetrnschemTransistor« wird dabei gemeint, daß die Kennlinien des Transistors nach Vertauschung der Emitter- und Kollektorelektroden unverändert bleiben. Der Kreis 1 ist mit einer Mittelanzapfung 3 versehen, die über die Parallelschaltung eines Widerstandes 4 und eines Kondensators 5 mit der Basis des Transistors 2 verbunden ist. Die Zeitkonstante der Widerstands-Kondensator-Parallelschaltung ist so groß bemessen, daß die Modulationsfrequenzen von dieser Parallelschaltung durchgelassen werden. Die Wirkung der Schaltung ist folgendermaßen: Über dem Filter 4, 5 wird eine etwa der mittleren Signalamplitude entsprechende Spannung erzeugt. Wenn die Amplitude der über den Kreis 1 erzeugten Spannung schnell anzuwachsen versucht, kann die Spannung über dem Filter 4, 5 dieser schnellen Spannungsvergrößerung nicht folgen. Somit wird während der positiven Scheitel der Signalspannung die obere Elektrode und während der negativen Scheitel der Signalspannung die untere Elektrode des Transistors 2 positiv gegenüber der Basiselektrode. Die untere bzw. obere Elektrode ist dann infolge der über das Filter 4, 5 erzeugte Spannung stark negativ vorgespannt, so daß ein starker Strom durch den Transistor 2 fließt, der die Spannungsschwankungen zu bedämpfen versucht. Die Kreisgüte des Resonanzkreises 1, falls nicht mit dem Transistor 2 verbunden, soll dabei möglichst groß gewählt werden, damit die begrenzende Wirkung möglichst wirkungsvoll ist. Der Dämpfungsstrom ist um den Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor größer als der dem Kondensator 5 zugeführte Niederfrequenzstrom. Der Kondensator 5 kann somit viel kleiner bemessen werden, als es bei dem üblichen dynamischen Begrenzer zulässig ist.
Im Bedarfsfalle kann der Transistor 2 einem Teil des Kreises 1 parallel geschaltet sein, wie veranschaulicht, in welchem Falle auch die Mittelanzapfung selbstverständlich in der Mitte zwischen den Verbindungen mit dem Emitter und Kollektor des Transistors 2 vorgesehen werden muß.

Claims

PATENTANSPRUCH: Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen in einem Parallalschwingkreis, dadurch gekennzeichnet, daß dem Parallelschwingkreis die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, parallel geschaltet ist und daß die Basis des Transistors über eine aus einem Widerstand und einem Kondensator gebildete Parallelschaltung mit einer Mittelanzapfung der Spule des Parallelschwingkreises verbunden ist.