DE1050930B - - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/50—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor
- H03K4/501—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor the starting point of the flyback period being determined by the amplitude of the voltage across the capacitor, e.g. by a comparator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Gegenstand der Erfindung ist eine Einrichtung zur Erzeugung sägezahnförmiger elektrischer Impulse
mit einem von* einer Gleiclistromquelle gespeisten Kondensator und einem Halbleiter als Schaltorgan
zur Entladung des Kondensators bei Erreichen einer bestimmten Kondensatorspannung. Der Halbleiter
tritt dabei an die Stelle einer Glimmlampe bei anderen bekannten Impulserzeugern, die bei Überschreiten
einer bestimmten Kondensatorspannung zündet, so daß sich der Kondensator über die Glimmlampe
entlädt.
Die Einrichtungen mit Halbleitern haben gegenüber solchen mit Glimmlampen den Vorteil größerer
Empfindlichkeit gegen Erschütterungen, größerer Lebensdauer und kleinerer Bauweise.
Bei den bekanntgewordenen Einrichtungen dieser Art mit Halbleitern als Schaltorgane sind Doppelbasisdioden
mit einer etwa einem Stromtor ähnlichen Wirkungsweise verwendet, die so lange von einem
vom Kondensator herrührenden Strom durchflossen werden, wie eine Potentialdifferenz zwischen Kondensatorspannung
und Gleichstromquelle vorliegt. Da die Diode dauernd von einem von der Gleichstromquelle
eingespeisten Strom durchflossen wird, kann infolge der Eigenerwärmung eine konstante Frequenzfolge
nicht gewährleistet werden. Eine gewollte Veränderung der Frequenzfolge ist bei der bekannten
Anordnung nicht möglich, da der ohmsche Widerstand im 7?C-Kreis von einem von außen nicht beeinflußbaren
Teil der Diode gebildet wird. Ferner sind die Amplitudenspannung und die Talspannung
(oberste und unterste Grenze des Spannungsimpulses) miteinander in Abhängigkeit von der Spannung der
Gleichstromquelle gekoppelt und somit nur gemeinsam verstellbar.
Es sind ferner Röhrenschaltungen mit Rückkopplung zur Impulserzeugung bekanntgeworden, die jedoch
entweder nur sinusförmige Schwingungen konstanter Amplitude oder sägezahnförmige Schwingungen
rasch veränderlicher Amplitude erzeugen können.
Es ist zwar auch möglich, mit entsprechend aufgebauten bekannten Röhrenschaltungen sägezahnförmige
•Impulse konstanter Größe zu erzeugen; jedoch besteht dabei der Nachteil, daß bei einer Veränderung der
Frequenz gleichzeitig zwangläufig eine Veränderung des einzelnen Sägezahnimpulses erfolgt.
Eine Vermeidung der geschilderten Nachteile bei den bekannten Einrichtungen ist· Aufgabe der Erfindung.
Die Lösung besteht darin, daß zur getrennten Einstellung von Frequenz, Amplitudenspannung und
Talspannung der Impulse der veränderbare Kondensator einerseits über einen Stellwiderstand an die
Gleichstromquelle angeschlossen ist und andererseits Einrichtung zur Erzeugung
sägezahnförmiger elektrischer Impulse
sägezahnförmiger elektrischer Impulse
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
ist als Erfinder genannt worden
mit einem Entladestromkreis verbunden ist, der einen kollektorgeerdeten Transistor in Reihenschaltung mit
einem in seinem Übersetzungsverhältnis veränderbaren Transformator enthält, dessen Sekundärspannung
zusammen mit einer veränderbaren Gleichspannung im Steuerkreis des Transformators während des
Entladevorganges wirksam ist.
Durch die getrennte Einstellmöglichkeit der Frequenz, der Aniplitudenspannung und der Talspannung
kann mit ein und derselben Impulserzeugereinrichtung eine leichte Anpassung an alle an solche Einrichtungen
gestellten Anforderungen erreicht werden, wie sie mit keiner der bekannten Einrichtungen dieser
Art möglich ist. Ferner ist die neue Einrichtung hin-
4.0 sichtlich der Frequenz der Impulse von der Eigentemperatur unabhängig, da der Halbleiter nur während
der Dauer der Kondensatorentladung stromdurchflossen ist und vom 7?C-Kreis getrennt ist.
An Hand der Fig. 1 bis 3 sei die Erfindung näher erläutert. Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in der der Kondensator 1 von der Spannungsquelle 2 über einen Widerstand 3 aufgeladen wird. Im Entladestromkreis des Kondensators 1 liegt ein Transistor 4 in kollektorgeerdeter Schaltung sowie die Primärwicklung 5a eines Transformators 5, dessen Sekundärwicklung 5b in Reihe mit einer Spannungsquelle 6 im steuernden Basiskreis des Transistors angeordnet ist. In dieser Schaltung entspricht die Spannung Uq am Kondensatorl unter
An Hand der Fig. 1 bis 3 sei die Erfindung näher erläutert. Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in der der Kondensator 1 von der Spannungsquelle 2 über einen Widerstand 3 aufgeladen wird. Im Entladestromkreis des Kondensators 1 liegt ein Transistor 4 in kollektorgeerdeter Schaltung sowie die Primärwicklung 5a eines Transformators 5, dessen Sekundärwicklung 5b in Reihe mit einer Spannungsquelle 6 im steuernden Basiskreis des Transistors angeordnet ist. In dieser Schaltung entspricht die Spannung Uq am Kondensatorl unter
809 750/413
Claims (1)
- Vernachlässigung des Spannungsabfalls an der Wicklung Sa der Emitter-Kollektor-Spannung Ue des Transistors 4. Solange die Spannung Ue kleiner ist als die Spannung Uv der Spannungsquelle 6, ist der Transistor 4 geschlossen. Wird mit wachsender Kondensatorspannung Uc die Spannung Ue geringfügig größer als die Spannung Uv, so wird die Basis des Transistors 4 negativ gegenüber dem Emitter, d. h., der Transistor beginnt zu öffnen. Der nunmehr durch den Transistor 4 und die Primärwicklung 5a des Transformators 5 fließende Strom induziert in der Sekundärwicklung 5 b eine Spannung, die der Basisvorspannung Uv entgegengesetzt gerichtet ist. Damit sinkt die Basisspannung noch mehr, der Transistor öffnet mehr, durch die Wicklung 5 a fließt ein größerer Strom usw., bis der Transistor 4 voll geöffnet ist, so daß sich der Kondensator 1 über den Transistor 4 entladen kann.In Fig. 2 ist das Emitterstrom-Emitterspannungs-Kennlinienfeld für verschiedene Basisspannungen UB als Parameter aufgetragen. Man erkennt, daß der Transistor zu öffnen beginnt, sobald die Emitter-Kollektor-Spannuiig Ue wenige Zehntel Volt über der an der Spannungsquelle 6 eingestellten Basisvorspannung Uv liegt. Solange der Transistor geschlossen ist, ist UB-Uv. Beginnt jedoch der Emitterstrom zu fließen, so entsteht im Basisstromkreis des Transistors, wie oben beschrieben, noch die Sekundärspannung Uw2, die der Basisvorspannung Uv entgegengeschaltet ist, so daß für die Basisspannung des Transistors 4 giltUb= Uv-Uw2.Ist der Transistor geöffnet, so liegt nahezu die gesamte Kondensatorspannung Uc an der Wicklung 5 a des Transformators 5^ so daß in diesem Moment die Sekundärspannung Uw2 = m · Uc beträgt, wenn m das Übersetzungsverhältnis des Transformators 5 ist. Da jedoch die Spannung Uc des Kondensators 1 während der Entladung mehr und mehr sinkt, sinkt auch die Sekundärspannung Uw2, so daß die Basisspannung Ub ansteigt. Sobald die Emitterspannung UE gleich der Basisspannung Ub ist, beginnt der Transistor zu schließen, der an der Wicklung 5 a entstehende Spannungsabfall nimmt ab, die Basisspannung wird weiter erhöht usw., bis der Transistor 4 ganz geschlossen ist. Für die Schließspannung U Cj, die sogenannte »Talspannung«, ergibt sich somit die FormelU0T =Ur — m · Uct = ·Für das Übersetzungsverhältnis des Transformators 5 erhält man demnach bei vorgeschriebener Talspannung UCr und vorgegebener Spitzenspannung Uv die FormelUrUci1 .Zusammenfassend ergibt sich, daß für die Impulslänge die Größe des Widerstandes 3 und die Kapazität des Kondensators 1 maßgebend ist, für die Höhe der Impulsspitze die Basisvorspannung Uv und fürίο das Impulstal das Übersetzungsverhältnis m des Transformators 5.Die Einrichtung nach der Erfindung läßt sich schaltungsmäßig auf die verschiedensten Weisen aufbauen. So kann beispielsweise statt des dargestellten p-n-p-Flächentransistors ein anderer Transistortyp verwendet werden. Es ist weiterhin möglich, die Spannungsquelle 6 für die Basisvorspannung Uv und die Spannungsquelle 2 für die Aufladung des Kondensators 1 in einer einzigen Spannungsquelle mit entsprechender Anzapfung zusammenzuschalten, wie beispielsweise in Fig. 3 dargestellt ist. Dabei sind die gleichen Bezeichnungen wie in Fig. 1 beibehalten; die Spannungsquelle 2 dient in ihrer Gesamtheit zum Aufladen des Kondensators 1, während eine abgegriffene Teilspannung 26 die Basisvorspannung Uv des Transistors 4 liefert.Patentanspruch:
Einrichtung zur Erzeugung sägezahnförmiger elektrischer Impulse mit einem von einer Gleichstromquelle gespeisten Kondensator und einem Halbleiter als Schaltorgan zur Entladung des Kondensators bei Erreichen einer bestimmten Kondensatorspannung, dadurch gekennzeichnet, daß zur getrennten Einstellung von Frequenz, Amplitudenspannung und Talspannung der Impulse der veränderbare Kondensator (1) einerseits über einen Stellwiderstand (3) an die Gleichstromquelle (2 bzw. 2 und 26) angeschlossen ist und andererseits mit einem Entladestromkreis verbunden ist, der einen kollektorgeerdeten Transistor (4) in Reihenschaltung mit einem in seinem Übersetzungsverhältnis veränderbaren Transformator (5) enthält, dessen Sekundärspannung zusammen mit einer veränderbaren Gleichspannung (6, 26) im Steuerkreis des Transformators während des Entladevorganges wirksam ist.In Betracht gezogene Druckschriften:
»Electronics«, August 1953, S. 170 bis 173; März 1955, S. 198 bis 202;Kerkhof und Werner, »Fernsehen«, 1954, Philips' Technische Bibliothek, S. 147.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1050930B true DE1050930B (de) | 1959-02-19 |
Family
ID=591227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1050930D Pending DE1050930B (de) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1050930B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1293208B (de) * | 1965-04-01 | 1969-04-24 | Stromag Maschf | Synchronisierbarer frequenzmodulierter Impulsgenerator |
| DE1293209B (de) * | 1965-03-02 | 1969-04-24 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer veraenderlichen Spannung in eine in der Frequenz und gegebenenfalls in der Impulsdauer modulierte Spannung |
-
0
- DE DENDAT1050930D patent/DE1050930B/de active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1293209B (de) * | 1965-03-02 | 1969-04-24 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer veraenderlichen Spannung in eine in der Frequenz und gegebenenfalls in der Impulsdauer modulierte Spannung |
| DE1293208B (de) * | 1965-04-01 | 1969-04-24 | Stromag Maschf | Synchronisierbarer frequenzmodulierter Impulsgenerator |
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