Verfahren zur Herstellung dünner Halbleiterschichten, insbesondere
für Hallspannungs-Generatoren Es ist bereits vorgeschlagen worden, für die Herstellung
von Hallspannungs-Generatoren Stoffe vom Charakter des Indiumantimonid oder Indiumarsenid,
also chemische Verbindungen aus Komponenten der Gruppen III und V des Periodischen
Systems, als Halbleiter zu benutzen und die aus diesen hergestellten Körper dann
für die Erzeugung der Hallspannung entsprechend magnetisch zu steuern. Die Hallspannung,
die an solchen Einrichtungen erreicht werden kann, ist umgekehrt proportional der
Dicke der Halbleiterschicht. Körper mit geringen Schichtdicken aus den genannten
Stoffen lassen sich jedoch auf mechanischem Wege nur sehr schwierig herstellen,
denn diese Stoffe sind sehr spröde, und die auf diese Weise hergestellten Körper
zerbrechen daher leicht, unter Umständen bereits bei ihrer Abtrennung von einem
größeren Körper. Es ist zwar an sich bekannt, fotoelektrisch wirksame Kristalle
aus halbleitenden, chemischen Verbindungen durch Glühen einer Mischung der Komponenten
herzustellen und einen dabei verbleibenden überschuß der einen Komponente durch
eine nachträgliche Temperung des Halbleiterkörpers in einer Atmosphäre der anderen
Komponente ebenfalls in die Verbindung zu überführen. Zur Herstellung dünner Halbleiterschichten
ist aber dieses Verfahren nicht geeignet. Es ist ferner bereits bekannt, dünne Schichten
einer halbleitenden, chemischen Verbindung durch Aufdampfen auf einen Träger herzustellen.
Beim Aufdampfen von Verbindungen aus Elementen der Gruppen III und V des Periodischen
Systems ergeben sich jedoch durch den unterschiedlichen Dampfdruck der Komponenten
erhebliche Schwierigkeiten. Es sind bereits an anderer Stelle Vorschläge gemacht
worden, die geeignet sind, die beim Aufdampfen der Verbindungen auftretenden Schwierigkeiten
zu beheben.Process for the production of thin semiconductor layers, in particular
for Hall voltage generators It has already been proposed for manufacture
from Hall voltage generators substances with the character of indium antimonide or indium arsenide,
that is, chemical compounds from components of groups III and V of the periodic
Systems to be used as semiconductors and the bodies made from them
to control accordingly magnetically for the generation of the Hall voltage. The reverb voltage,
that can be achieved at such facilities is inversely proportional to the
Thickness of the semiconductor layer. Body with low layer thicknesses from the above
However, it is very difficult to manufacture materials by mechanical means,
because these substances are very brittle, and so are the bodies produced in this way
therefore break easily, possibly as soon as they are separated from one
bigger body. It is known per se, photoelectrically effective crystals
from semiconducting chemical compounds by annealing a mixture of the components
produce and a remaining excess of one component by
a subsequent tempering of the semiconductor body in one atmosphere of the other
Component also to be transferred into the connection. For the production of thin semiconductor layers
but this method is not suitable. It is also already known to use thin layers
to produce a semiconducting chemical compound by vapor deposition on a carrier.
When evaporating compounds from elements of groups III and V of the periodic
Systems, however, result from the different vapor pressures of the components
considerable difficulties. Suggestions have already been made elsewhere
which are suitable for the difficulties encountered in the vapor deposition of the compounds
to fix.
Die Erfindung zeigt einen weiteren Weg zur Erzeugung dünner Halbleiterschichten
aus einer chemischen Verbindung aus mindestens zwei Elementen der Gruppen III und
V des Periodischen Systems, insbesondere für Hallspannungsgeneratoren. Das Verfahren
besteht nach der Erfindung darin, daß auf einem Träger zunächst mindestens die eine
Komponente der gewünschten chemischen Halbleiterverbindung als entsprechend dünne
Folie aufgebracht und dann die zweite Komponente der Verbindung entweder ebenfalls
als Folie oder in an sich bekannter Weise durch Aufstreichen, Aufdampfen oder Aufstäuben
aufgebracht wird bzw. in an sich bekannter Weise eine Behandlung in einer Dampfatmosphäre
der zweiten Komponente stattfindet und daß darauf durch eine entsprechende Erhitzung
auf die Reaktionstemperatur der chemischen Verbindung aus der bzw, den Folienschichten
die Halbleiterschicht stöchiometrischer Zusammensetzung erzeugt wird. Es ist für
die Erfindung wesentlich, daß durch die als Grundlage verwendete(n) Folie(n) Form
und Dicke der späteren Schicht vorbestimmbar sind und gleichzeitig die Gewähr gegeben
ist, daß sich während des weiteren Verfahrens keine Risse in der Schicht bilden.
Die im Rahmen des Verfahrens verwendeten Folien lassen sich beispielsweise durch
Auswalzen leicht in vorgegebener Dicke herstellen.The invention shows a further way of producing thin semiconductor layers
from a chemical compound of at least two elements of groups III and
V of the periodic system, especially for Hall voltage generators. The procedure
consists according to the invention that on a carrier initially at least one
Component of the desired chemical semiconductor compound as correspondingly thin
Foil applied and then the second component of the compound either as well
as a film or in a manner known per se by brushing on, vapor deposition or dusting
is applied or a treatment in a steam atmosphere in a manner known per se
the second component takes place and that thereupon by a corresponding heating
on the reaction temperature of the chemical compound from the or the film layers
the semiconductor layer of stoichiometric composition is produced. It is for
the invention is essential because of the film (s) used as the base
and the thickness of the later layer can be predetermined and at the same time the guarantee is given
is that no cracks form in the layer during the further process.
The foils used in the process can be passed through, for example
Easily produce rolling in a given thickness.
Soll z. B. eine dünne Halbleiterschicht aus Indiumantimonid hergestellt
werden, so wird der vorzugsweise aufgerauhte Träger, z. B. eine Platte aus Glimmer
oder Quarz oder Quarzglas, mit einer Folie aus Indium beschichtet und dieses Produkt
dann in einem Raum mit Antimondämpfen bei gleichzeitiger Beheizung der Trägerplatte
auf die Reaktionstemperatur der chemischen Verbindung behandelt, so daß sich aus
der Folienschicht eine Schicht stöchiometrischer Zusammensetzung in Form von Indiumantimonid
an dem Träger bildet.Should z. B. a thin semiconductor layer made of indium antimonide
are, the preferably roughened carrier, z. B. a plate of mica
or quartz or quartz glass, coated with a foil of indium and this product
then in a room with antimony vapors with simultaneous heating of the carrier plate
treated on the reaction temperature of the chemical compound, so that out
the film layer is a layer of stoichiometric composition in the form of indium antimonide
forms on the carrier.