CN201417766Y - 一种在封装三极管产品时承放三极管芯片的引线框架 - Google Patents
一种在封装三极管产品时承放三极管芯片的引线框架 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种在封装三极管产品时承放三极管芯片的引线框架，包括金属衬底(1)和设置在金属衬底上层(1)、用于粘贴三极管芯片的金属底板(3)，该金属底板(3)上设置有外接引脚(4)，其特征在于：所述金属衬底与所述金属底板之间还设置有绝缘导热材料制成的中间层(2)。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在金属衬底与金属底板之间设置绝缘导热材料制成的中间层，当三极管芯片的背面粘贴在金属底板上后，由于有了中间层的阻隔，三极管芯片的背面与金属衬底之间就不会导电，而三极管芯片在工作时产生的热量也能够通过中间层散发出去。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种在封装三极管产品时承载三极管芯片的引线框架，特别是涉及一种在封装TO-220外形三极管产品时所用的承载三极管芯片的引线框架。
背景技术
封装TO220外形三极管产品时，其引线框架作为半导体芯片的载体，借助于键合铝丝线实现半导体芯片内部电气连接，形成电气回路的关键结构件，同时起连接芯片与外部线路板电信号的作用，以及安装固定的机械作用。
现用于封装标准TO220外形三极管的引线框架，一般只包括金属底板，该金属底板上连接有外接引线端子，并且该金属底板具有用于粘接三极管芯片的粘片区，三极管芯片的背面则直接粘接在金属底板的粘片区上。在封装加工时，将三极管芯片的各引线端通过铝丝线键合以后，通过采用特种塑料的封装工艺将三极管塑料封装成型。在这种结构的引线框架中，三极管芯片的背面直接粘接在金属底板上，三极管芯片背面与金属底板之间是导电的，这时可以将作为电极之一的三极管芯片背面的电极通过金属底板，连接的外接引线端子引出。但是，并不是所有的三极管产品都适用于上述结构的引线框架，例如有些特殊的三极管产品，由于功率的要求，希望三极管产品本身具有较好的散热性能，但要求三极管产品背面的金属散热面与芯片背面是电性能绝缘，而现有的标准引线框架，则不能满足此特别要求。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种三极管产品本身具有较好散热特性的在封装TO220外形的三极管产品时承载三极管芯片的引线框架。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：该封装三极管产品时承放三极管芯片的引线框架，包括金属底板，其特征在于：所述金属底板的表面焊接有由绝缘导热材料制成的中间层，该中间层的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的用于粘贴三极管芯片的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片，第一芯片粘接片上连接有第一外接电极端，第二芯片粘接片上设置有第二外接电极端，所述引线框架还包括有一悬空的第三外接电极端。
作为改进，所述中间层为一绝缘陶瓷片层。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在金属底板的表面焊接绝缘导热材料制成的中间层，然后在中间层的表面焊接相互分隔的由金属材质制成的用于粘贴三极管芯片的芯片粘接片，这样当三极管芯片的背面粘接在芯片粘接片上后，由于有了中间层的阻隔，三极管芯片的背面与金属衬底之间就不会导电，而三极管芯片在工作时产生的热量也能够通过中间层散发出去。
附图说明
图1为本实用新型实施例的立体结构示意图；
图2为本实用新型实施例的剖视图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1和2所示的引线框架，包括金属底板1、陶瓷片制成的中间层2和金属制成的第一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32，陶瓷片制成的中间层2直接焊接在金属底板1上，第一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32之间焊接在中间层2表面上并且相互分隔，第一芯片粘接片31上连接有第一外接电极端41，第二芯片粘接片32上设置有第二外接电极端42，另外本实用新型的引线框架还包括有一悬空的第三外接电极端43，第三外接电极端43与金属底板1、第一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32之间均不相连接。在对三极管进行封装时，将两颗三极管芯片的背面则直接粘接在第一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32表面上，然后通过后续的封装工艺将三极管封装成型。
Claims (2)
1、一种在封装三极管产品时承放三极管芯片的引线框架，包括金属底板(1)，其特征在于：所述金属底板(1)的表面焊接有由绝缘导热材料制成的中间层(2)，该中间层(2)的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的用于粘贴三极管芯片第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)，第一芯片粘接片(31)上连接有第一外接电极端(41)，第二芯片粘接片(32)上设置有第二外接电极端(42)，所述引线框架还包括有一悬空的与金属底板(1)和芯片粘接片(31、32)均不连接的第三外接电极端(43)。
2、根据权利要求1所述的在封装三极管产品时承放三极管产品芯片的引线框架，其特征在于：所述中间层(2)为一陶瓷片层。
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