CN201270257Y - 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 - Google Patents
利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201270257Y CN201270257Y CNU2008201600421U CN200820160042U CN201270257Y CN 201270257 Y CN201270257 Y CN 201270257Y CN U2008201600421 U CNU2008201600421 U CN U2008201600421U CN 200820160042 U CN200820160042 U CN 200820160042U CN 201270257 Y CN201270257 Y CN 201270257Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- textured
- type substrate
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池，包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25－0.6％，本实用新型适合于规模化生产。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种晶硅太阳电池。
背景技术：
人类的发展将面临着常规能源的短缺和温室效应严重挑战，二次能源，太阳能发电将有可能成为重要的替代能源。目前晶硅太阳电池推广应用的主要障碍是效率偏低，成本高。提高效率降低成本，是广大科技工作者的神圣职责。
目前国内外晶硅太阳电池在丝网印刷烧结工艺中都采用一次共烧工艺，在一次烧结中要圆满完成多种任务：正面电极、背面电极形成良好的欧姆接触；氮化硅薄膜对晶体缺陷和衬底重金属粒子形成良好的钝化；铝背场在电池的背面形成P+层的最佳厚度，对衬底具有良好的吸杂作用。(随着硅片越来越薄，吸杂效果也越来越明显，效率提高的幅度也越大)为完成多种任务，选择烧结工艺为最佳折衷方案。实践中发现，一次烧结产品还存在着一些不足。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种结构合理，工作效率高的利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池。
本实用新型的技术解决方案是：
一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，其特征是：包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。
本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25-0.6％，本实用新型适合于规模化生产。
附图说明：
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型一个实施例的结构示图。
具体实施方式：
一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，包括P型衬底层5，P型衬底层5一侧设置绒面N型层3，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结4，P型衬底层另一侧设置P+层6，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层2，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线1，在P+层外侧设置铝浆层7，在铝浆层表面设置背电极8，P+层的厚度为5～10μm。
Claims (1)
1、一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，其特征是：包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201600421U CN201270257Y (zh) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201600421U CN201270257Y (zh) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201270257Y true CN201270257Y (zh) | 2009-07-08 |
Family
ID=40842865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2008201600421U Expired - Fee Related CN201270257Y (zh) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201270257Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280525A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-14 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺 |
-
2008
- 2008-09-25 CN CNU2008201600421U patent/CN201270257Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280525A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-14 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺 |
| CN102280525B (zh) * | 2011-07-25 | 2013-08-21 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201838602U (zh) | 一种分段栅线晶体硅太阳能电池 | |
| CN204303826U (zh) | 一种高效n型双面太阳电池 | |
| CN104269457A (zh) | 基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法 | |
| WO2020211207A1 (zh) | 一种双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101431113A (zh) | 背部钝化的高效太阳电池结构及其生产工艺 | |
| CN202940242U (zh) | 晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构 | |
| CN203312314U (zh) | 一种全覆盖铝背发射结的n型晶硅太阳电池 | |
| CN201270257Y (zh) | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 | |
| CN204102912U (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池 | |
| CN203491268U (zh) | 一种新型双面受光太阳电池 | |
| CN104282772A (zh) | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池 | |
| CN202058761U (zh) | 丝网印刷晶体硅太阳能电池正银网版 | |
| CN201349006Y (zh) | 一种选择性发射极太阳能电池 | |
| CN201717269U (zh) | 选择性发射极太阳能电池 | |
| CN202736929U (zh) | 工作性能好的单晶硅太阳能电池 | |
| CN203434166U (zh) | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池结构 | |
| CN202145453U (zh) | 一种n型硅太阳能电池 | |
| CN207690803U (zh) | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 | |
| CN206976373U (zh) | 一种新型太阳能电池片 | |
| CN203674222U (zh) | 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池 | |
| CN203910813U (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池 | |
| CN103117314B (zh) | 太阳能电池片 | |
| CN203910814U (zh) | 一种n型硅衬底背面接触式太阳电池 | |
| CN203312315U (zh) | 一种全覆盖铝背电场的p型晶硅太阳电池 | |
| CN203218271U (zh) | 一种太阳能电池片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090708 Termination date: 20100925 |