CN203491268U - 一种新型双面受光太阳电池 - Google Patents
一种新型双面受光太阳电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203491268U CN203491268U CN201320643131.2U CN201320643131U CN203491268U CN 203491268 U CN203491268 U CN 203491268U CN 201320643131 U CN201320643131 U CN 201320643131U CN 203491268 U CN203491268 U CN 203491268U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- passivation layer
- double
- layer
- silicon substrate
- sided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种新型双面受光太阳电池，包括正面电极、正面减反射层、正面钝化层、PN结和P型硅衬底，在所述P型硅衬底背面还设有背面钝化层、背面减反射层和背面电极。本实用新型减少现有双面电池制备工序，更有利于产业化的发展。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种新型双面受光太阳电池。
背景技术
目前，随着光伏行业竞争的日益激烈和市场对高品质光伏产品的迫切要求，提高太阳能电池转化效率，成为太阳能电池技术发展的首要任务。现有商业化电池大部分为单面受光电池，其背面使用铝背场进行钝化，形成高低电场提高电池开路电压，形成背面光反射面提高电流。但由于铝背场的重掺杂效率导致效率提升有限，且背面铝背场阻挡光的射入从而无法充分发电。现有英利集团量产的“Panda”电池也采用双面受光技术，但其采用正面扩磷，背面扩硼的方法，双面印刷银电极来制备双面受光电池，此种双面电池涉及到双面不同类型的扩散以及多种繁琐的工序，给产业化的进展带来一定阻碍。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种新型双面受光太阳电池，减少现有双面电池制备工序，更有利于产业化的发展。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：一种新型双面受光太阳电池，包括正面电极、正面减反射层、正面钝化层、PN结和P型硅衬底，在所述P型硅衬底背面还设有背面钝化层、背面减反射层和背面电极。
作为一种优选，所述正面钝化层和背面钝化层为SiO2或Al2O3，其厚度为5nm-30nm之间。
本实用新型背面钝化层和背面减反射层不需要使用激光进行开槽或者开孔处理，直接使用能够穿透钝化层和减反射层叠的电极浆料，烧结后形成接触。其主要工艺如下：将硅衬底经过常规工艺去损伤制绒后，在850℃左右进行扩散制备PN结，方块电阻在80ohm/sqr左右的发射极。对扩散后的硅片进行背面抛光后去表面PSG和边缘隔离。使用热氧化（或者原子层沉积）的方法，在电池正反面生长一层约15nm的SiO2（或者Al2O3），接下来在电池背面沉积一层80nm左右的氮化硅膜层，在电池正面沉积一层80nm的氮化硅减反射膜层。将双面镀膜的硅片进行背面电极印刷和正面银电极印刷，烧结后完成双面受光电池。
本实用新型的有益效果是: 对电池进行双面钝化，提高了电池的转化效率，在电池正面受光的同时，电池背面可以接受来自地面的漫反射光，且减少现有双面电池制备工序，更有利于产业化的发展。
附图说明
图1为本实用新型实施例的组织结构示意图。
下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
具体实施方式
如附图1所示，一种新型双面受光太阳电池，包括正面电极1、正面减反射层2、正面钝化层3、PN结4和P型硅衬底5，在P型硅衬底5背面还设有背面钝化层6、背面减反射层7和背面电极8。正面钝化层3和背面钝化层6均为SiO2，其厚度为15nm。
Claims (2)
1.一种新型双面受光太阳电池，包括正面电极（1）、正面减反射层（2）、正面钝化层（3）、PN结（4）和P型硅衬底（5），其特征在于：在所述P型硅衬底（5）背面还设有背面钝化层（6）、背面减反射层（7）和背面电极（8）。
2.如权利要求1所述的一种新型双面受光太阳电池，其特征在于：所述正面钝化层（3）和背面钝化层（6）为SiO2或Al2O3，其厚度为5nm-30nm之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320643131.2U CN203491268U (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种新型双面受光太阳电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320643131.2U CN203491268U (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种新型双面受光太阳电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203491268U true CN203491268U (zh) | 2014-03-19 |
Family
ID=50262076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320643131.2U Expired - Lifetime CN203491268U (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种新型双面受光太阳电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203491268U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103618007A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型双面受光太阳电池 |
| CN106876492A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-06-20 | 乐叶光伏科技有限公司 | P型晶体硅双面电池结构及其制作方法 |
| CN109360869A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-02-19 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种低成本黑硅太阳能电池制作方法 |
-
2013
- 2013-10-18 CN CN201320643131.2U patent/CN203491268U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103618007A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型双面受光太阳电池 |
| CN106876492A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-06-20 | 乐叶光伏科技有限公司 | P型晶体硅双面电池结构及其制作方法 |
| CN106876492B (zh) * | 2017-03-24 | 2018-07-24 | 隆基乐叶光伏科技有限公司 | P型晶体硅双面电池结构及其制作方法 |
| CN109360869A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-02-19 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种低成本黑硅太阳能电池制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102738304B (zh) | 一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法 | |
| CN104269457B (zh) | 一种基于离子注入工艺的n型ibc硅太阳能电池制作方法 | |
| CN103383975A (zh) | 一种双面钝化高效异质结电池及其制作方法 | |
| CN102364692A (zh) | 双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN108054223A (zh) | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 | |
| CN102623563B (zh) | 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN109585600A (zh) | 一种双面perc高效晶硅太阳能电池的制作方法 | |
| CN103594534B (zh) | 铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池及其制造方法 | |
| CN102738288A (zh) | 非晶硅钝化n型背接触电池及其制备方法 | |
| CN205452299U (zh) | 一种背钝化晶体硅太阳能电池 | |
| CN203491268U (zh) | 一种新型双面受光太阳电池 | |
| CN203325916U (zh) | 一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构 | |
| CN203312314U (zh) | 一种全覆盖铝背发射结的n型晶硅太阳电池 | |
| CN202076300U (zh) | 一种直接法硅片镀膜用石墨载板 | |
| CN104681665A (zh) | 一种新型背钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN204927300U (zh) | 一种perc太阳能电池 | |
| CN104134706A (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 | |
| CN204102912U (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池 | |
| CN103943693B (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法 | |
| CN206774558U (zh) | 一种晶硅太阳能电池 | |
| CN102403379B (zh) | 具有背面浮动结的太阳能电池结构及其制作方法 | |
| CN204332980U (zh) | 一种hit太阳能电池 | |
| CN103618007A (zh) | 一种新型双面受光太阳电池 | |
| CN203260605U (zh) | 叠层薄膜背面钝化的太阳能电池 | |
| CN209571422U (zh) | 一种双面晶硅太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140319 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |