CN201183846Y - 多晶硅铸锭炉的热场结构 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
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- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉内的设备，特别是一种多晶硅铸锭炉的热场结构，包括保温隔热笼体和放置坩埚的石墨冷却块，在保温隔热笼体内仅安装加热硅材料的加热器，加热器分别安装在保温隔热笼体内腔的侧面和顶面上。通过试验，和原来保温隔热笼体内设置上下层叠的三层保温条相比，它的晶体的成长的固液界面呈现为凹型，周围的晶体的成长速度快于中间的结晶，在有效区域中的微晶含量降低，使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉内的设备，特别是一种多晶硅铸锭炉的热场结构。
背景技术
多晶硅在生长的过程中，由于热场的不稳定，会在晶体内部产生微晶，在DSS450多晶铸造炉热场没改变的情况下，每个出来的晶锭里微晶含量达到49.9％，这样最终产品的良品率就会大大降低。晶体的生长方向是由下向上的，保温条的作用是使晶块四周的温度不会冷却的太快，使晶体垂直生长，防止晶体没有长完就结晶，从而产生微晶。原有DSS450多晶铸造炉的保温条是3根，热场结构的示意图如图2所示，这样晶体在生长到一半的时候就结晶，结晶的固液界面呈水平状，而这种方式是最不理想的。
实用新型内容
为了克服现有的多晶硅铸锭炉生产出来的晶锭的微晶比例过高，影响产品质量的不足，本实用新型提供一种结晶质量优异的多晶硅铸锭炉的热场结构。
本实用新型所采用的技术方案是：一种多晶硅铸锭炉的热场结构，包括保温隔热笼体，放置坩埚的石墨冷却块，在保温隔热笼体内仅安装加热硅材料的加热器，加热器分别安装在保温隔热笼体内腔的侧面和顶面上。
原有的保温隔热笼体内有三层上下层叠的保温条，现在全部去掉后，它的晶体的成长的固液界面呈现为凹型，使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。
本实用新型的有益效果是：通过试验，和原来保温隔热笼体内设置上下层叠的三层保温条相比，它的晶体的成长的固液界面呈现为凹型，周围的晶体的成长速度快于中间的结晶，在有效区域中的微晶含量降低，使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是原有的多晶硅铸锭炉的热场结构的示意图
图中：1.保温隔热笼体，2.加热器，3.石墨冷却块，4.保温条。
具体实施方式
如图1所示的一种多晶硅铸锭炉的热场结构，包括保温隔热笼体1和放置坩埚的石墨冷却块3，在保温隔热笼体1内仅安装加热硅材料的加热器2，加热器2分别安装在保温隔热笼体1内腔的侧面和顶面上。
在DSS450多晶硅铸锭炉中，保温隔热笼体1内的保温条4原来有三层，现在全部去掉。将硅原料加入到坩埚中，坩埚搁放在石墨冷却块3上，坩埚底部和四周衬有护板，顶部具有盖板，在溶化硅材料时，保温隔热笼体1和石墨冷却块3合拢形成加热坩埚中硅原料的热场腔室。溶化后的硅液冷却结晶时，由于没有了先前的保温条4，使得硅液四周的晶体生长慢于中间的结晶，晶体呈凹形生长，在有效区域中微晶的含量降低，使得出来的晶锭中的微晶的含量为从现在的49.9％下降到19.5％。
Claims (1)
1、一种多晶硅铸锭炉的热场结构，包括保温隔热笼体(1)和放置坩埚的石墨冷却块(3)其特征是：在所述的保温隔热笼体(1)内仅安装加热硅材料的加热器(2)，加热器(2)分别安装在保温隔热笼体(1)内腔的侧面和顶面上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008200310991U CN201183846Y (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 多晶硅铸锭炉的热场结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008200310991U CN201183846Y (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 多晶硅铸锭炉的热场结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201183846Y true CN201183846Y (zh) | 2009-01-21 |
Family
ID=40271582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2008200310991U Expired - Fee Related CN201183846Y (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 多晶硅铸锭炉的热场结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201183846Y (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102094239A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-06-15 | 常州天合光能有限公司 | 铸锭多晶炉底坩埚护板 |
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-
2008
- 2008-01-28 CN CNU2008200310991U patent/CN201183846Y/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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