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CN102094232A - 快速冷却的多晶炉热场及其使用方法 - Google Patents

快速冷却的多晶炉热场及其使用方法 Download PDF

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CN102094232A CN 201010292733 CN201010292733A CN102094232A CN 102094232 A CN102094232 A CN 102094232A CN 201010292733 CN201010292733 CN 201010292733 CN 201010292733 A CN201010292733 A CN 201010292733A CN 102094232 A CN102094232 A CN 102094232A
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黄振飞
黄强
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Abstract

本发明涉及多晶硅铸锭炉的热场结构技术领域,尤其涉及一种快速冷却的多晶炉热场及其使用方法,其包括炉体,同时设置有主隔热笼和副隔热笼,且在主隔热笼侧壁上半部分开设有散热窗口,在加热、熔化、长晶及热处理过程中,位于主隔热笼侧壁上的散热窗口被副隔热笼所掩盖,在冷却过程中,主隔热笼上的散热窗口与副隔热笼分离。本发明快速冷却的多晶炉热场及其使用方法能提高晶锭冷却速度,缩短生产周期。

Description

快速冷却的多晶炉热场及其使用方法
技术领域
本发明涉及多晶硅铸锭炉的热场结构技术领域,尤其涉及一种快速冷却的多晶炉热场及其使用方法。
背景技术
能源与环境是当今世界的两大焦点问题。传统能源的大幅利用,使得环境问题日趋严重,对人类社会的正常运行构成严重的威胁。有效利用清洁、环境友好的新能源是社会历史的必然选择。太阳能是人类取之不尽、用之不竭、环境友好的绿色可再生能源。在太阳能的有效利用当中,光电利用是近年来发展最快、最具活力的研究领域。其中,硅材料是光电利用的主要载体。硅晶体的制备是光伏电池的基础。
在太阳能光伏领域,利用定向凝固的方法生产多晶硅锭是普遍采用的方法。其基本原理是,将多晶硅原料放置在石英陶瓷坩埚中,石英陶瓷坩埚放置在由石墨底护板及侧护板构成的“石墨坩埚”中,放置在热场系统中,加热使得硅料完全融化。然后,热场底部开启,热量从坩埚底部释放,温度降低,坩埚的底部将逐渐冷却到硅材料的结晶点温度。然后硅溶液在坩埚底部开始结晶,逐渐向上生长(凝固),形状自下而上的柱状晶体结构。
这一系列工艺过程中,都要求装料的石英坩埚处于合理设计的热场系统中,包含保温材料和支撑部件。对于一个优良的热场系统,不仅要求能够提供满足需要的温度分布场,还要求热场具有能耗低,响应快等特点。
在传统的热场系统中,根据多晶长晶的特点,在长晶过程中,热场下部开口,向炉壁散热,形成自下而上的温度分布。热场系统的四周和上面是严格封闭的。这样在完成晶体长晶过程及热处理过程后,将晶锭降温至环境温度,同样是依靠在热场下部开启一定窗口,即隔热笼提升一定高度,从晶锭的底部开始散热。合理的冷却过程,既满足快速冷却的需要,又不在晶锭体内产生剧烈的温度梯度。而传统热场的冷却过程,热量只能通过热场底部的开口散发,开口程度过大将在晶锭体内产生过高的热应力,从而产生较多的晶体缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:为了克服传统热场冷却速度有限的缺陷,本发明提供一种能提高晶锭冷却速度,缩短生产周期的快速冷却的多晶炉热场及其使用方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种快速冷却的多晶炉热场,包括炉体,同时设置有主隔热笼和副隔热笼,且在主隔热笼侧壁上半部分开设有散热窗口,在加热、熔化、长晶及热处理过程中,位于主隔热笼侧壁上的散热窗口被副隔热笼所掩盖,在冷却过程中,主隔热笼上的散热窗口与副隔热笼分离。
作为本发明的一个技术方案,所述的副隔热笼固定在炉体上。
作为本发明的另一个技术方案,所述的副隔热笼由固定在炉体上的驱动杆驱动其上下移动。
主隔热笼上的散热窗口的高度为160~280mm,副隔热笼的高度为400~600mm。
一种快速冷却的多晶炉热场的使用方法,首先,主隔热笼与底保温板分离,将装有多晶原料的坩埚,放在热场系统中的工作台上,主隔热笼下降与底保温板闭合,加热器通电发热,使得主隔热笼内的空间温度达到硅的熔点以上,
待坩埚中的多晶硅原料全部熔化完以后,主隔热笼缓慢提升,与固定位置的底保温板分离,使得主隔热笼下部开启一定的散热口,工作台向炉体内壁散热,温度下降,与之接触的坩埚底部温度也随之下降,硅熔体开始在坩埚底部凝固结晶,并逐渐向上生长,在此过程中,虽然主隔热笼有一定程度的提升,但始终保持位于主隔热笼侧壁上的散热窗口被副隔热笼所掩盖,起到很好的保温作用,
在长晶完成后,主隔热笼下降再次与底保温板闭合形成封闭的热场空间,将多晶铸锭恒温保持一段时间后,即开始多晶铸锭的冷却过程,在冷却开始阶段,因多晶铸锭的温度较高,先缓慢提升主隔热笼,但副隔热笼仍保持掩盖状态,使多晶铸锭底部缓慢散热,约2个小时后,可再提升主隔热笼,使主隔热笼的散热窗口的上边缘高过副隔热笼上沿,即散热窗口开通,晶锭上、下两面将同时散热。
本发明的有益效果是:本发明克服了传统热产的缺陷,通过在主隔热笼侧壁开设一定高度的散热窗口,同时在散热窗口上设置副隔热笼,使得在多晶铸锭加热、熔化、长晶及热处理过程中,副隔热笼覆盖住设置在主隔热笼侧壁的散热窗口,减少热量损失。而在冷却过程中,主隔热笼在开启一定高度后,其侧壁窗口高度超过副隔热笼,从而打开散热窗口;或由驱动杆驱动副隔热笼,从而打开散热窗口。打开底保温板,这样使得晶锭能够同时从上、下两面散热,达到快速冷却的目的。同时,由于上、下两面同时散热,通过控制主隔热笼的提升高度可控制散热强度,降低在冷却过程中多晶硅锭体内的温度梯度,从而减少晶体缺陷。有利于提高光伏电池的转换效率。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是快速冷却的多晶炉热场的熔化状态时的结构示意图;
图2是快速冷却的多晶炉热场的长晶状态时的结构示意图;
图3是快速冷却的多晶炉热场的冷却状态时的结构示意图;
图4是本发明主隔热笼的侧面示意图。
其中:1.炉体,2.主隔热笼,3.副隔热笼,4.加热器,5.硅溶液,6.坩埚,7.工作台,8.底保温板,9.硅晶体,10.散热窗口。
具体实施方式
如图1所示,一种快速冷却的多晶炉热场,包括炉体1,炉体1内设有侧壁上开有散热窗口10的主隔热笼2,散热窗口10上掩盖有副隔热笼3,所述的主隔热笼2的底部安装有底保温板8,主隔热笼2内的下部安装有工作台7,工作台7上设置有坩埚6,坩埚6的两侧设置有加热器4。
副隔热笼3可以固定在炉体1上,通过提升主隔热笼2,使散热窗口10打开;也可以通过固定在炉体1上的驱动杆驱动副隔热笼3上下移动,使散热窗口10打开,从而可以加快冷却速度。
如图2所示,本发明快速冷却的多晶炉热场的长晶状态时的结构示意图,首先,主隔热笼2与底保温板3分离,将装有多晶原料的坩埚6,放在热场系统中的工作台7上,主隔热笼2下降与底保温板3闭合。加热器4通电发热,使得主隔热笼2内的空间温度达到硅的熔点以上。待坩埚6中的多晶硅原料全部熔化完以后(此时如图1所示),主隔热笼2缓慢提升,与固定位置的底保温板8分离,使得主隔热笼2下部开启一定的散热口。工作台7向炉体1内壁散热,温度下降,与之接触的坩埚6底部温度也随之下降,硅熔体开始在坩埚6底部凝固(结晶)并逐渐向上生长。在此过程中,虽然主隔热笼2有一定程度的提升,但位于主隔热笼2侧壁上的散热窗口10始终被副隔热笼3所掩盖,起到很好的保温作用。在长晶完成后,主隔热笼2下降再次与底保温板8闭合形成封闭的热场空间。将多晶铸锭恒温保持约2个小时后,即开始多晶铸锭的冷却过程。如图3所示在冷却开始阶段,因多晶铸锭的温度较高,先缓慢提升主隔热笼2,但副隔热笼3仍保持掩盖状态,使多晶铸锭底部缓慢散热,约2个小时后,可再提升主隔热笼2,使主隔热笼2上的散热窗口10的上边缘高过副隔热笼3上沿,即散热窗口10开通。有时炉体1的高度有限,所以主隔热笼2提升的高度也有限,此时就需要驱动杆驱动副隔热笼3向下移动,打开散热窗口10,多晶铸锭上、下两面同时散热,晶锭中温度迅速从晶锭上下两面开始降温,避免只从底面降温时再晶体中温度梯度较大,且降温速度较慢的弱点。
实施例:
将副热笼3固定安置在炉体1上,主隔热笼2上的散热窗口10的高度为200mm,副隔热笼3的高度为500mm。在化料阶段,散热窗口10下边距离副隔热笼3的下边100mm,在长晶过程,主隔热笼2最大上升高度为160mm,这时,散热窗口10上边与副隔热笼3上边沿的距离为40mm。即整个长晶过程中,散热窗口10为闭合状态。冷却过程时,当主隔热笼3高度提升超过200mm时,散热窗口10开启,并随着主隔热笼2位置的提升而增大。晶锭上、下两面将同时散热。冷却速度大大加快。常规热场,将晶体由热处理温度(约1300℃)降低至晶锭出炉温度(约300℃),所需的冷却时间一般在11个小时左右,而应用本发明快速冷却的热场,完成该冷却过程只需要6个小时左右。与传统冷却过程相比,时间减少了近一半。通过仿真软件对该冷却过程的温度仿真得知,常规热场下,冷却时,晶锭中的温度梯度最大可达400℃/m,而本发明的冷却过程中,晶锭体内的最大温度梯度低于200℃/m。充分说明本发明在铸锭多晶冷却过程中,即节约了时间,又降低了晶体内的温度梯度,降低了晶体缺陷,提高了晶体质量。

Claims (5)

1.一种快速冷却的多晶炉热场,包括炉体(1),其特征在于:同时设置有主隔热笼(2)和副隔热笼(3),且在主隔热笼(2)侧壁上半部分开设有散热窗口(10),在加热、熔化、长晶及热处理过程中,位于主隔热笼(2)侧壁上的散热窗口(10)被副隔热笼(3)所掩盖,在冷却过程中,主隔热笼(2)上的散热窗口(10)与副隔热笼(3)分离。
2.如权利要求1所述的快速冷却的多晶炉热场,其特征在于:所述的副隔热笼(3)固定在炉体(1)上。
3.如权利要求1所述的快速冷却的多晶炉热场,其特征在于:所述的副隔热笼(3)由固定在炉体(1)上的驱动杆驱动其上下移动。
4.如权利要求1或2或3所述的快速冷却的多晶炉热场,其特征在于:主隔热笼(2)上的散热窗口(10)的高度为160~280mm,副隔热笼(3)的高度为400~600mm。
5.一种快速冷却的多晶炉热场的使用方法,其特征在于:首先,主隔热笼(2)与底保温板(3)分离,将装有多晶原料的坩埚(6),放在热场系统中的工作台(7)上,主隔热笼(2)下降与底保温板(3)闭合,加热器(4)通电发热,使得主隔热笼(2)内的空间温度达到硅的熔点以上,
待坩埚(6)中的多晶硅原料全部熔化完以后,主隔热笼(2)缓慢提升,与固定位置的底保温板(8)分离,使得主隔热笼(2)下部开启一定的散热口,工作台(7)向炉体(1)内壁散热,温度下降,与之接触的坩埚(6)底部温度也随之下降,硅熔体开始在坩埚(6)底部凝固结晶,并逐渐向上生长,在此过程中,虽然主隔热笼(2)有一定程度的提升,但始终保持位于主隔热笼(2)侧壁上的散热窗口(10)被副隔热笼(3)所掩盖,起到很好的保温作用,
在长晶完成后,主隔热笼(2)下降再次与底保温板(8)闭合形成封闭的热场空间,一段时间后,即开始多晶铸锭的冷却过程,在冷却开始阶段,因多晶铸锭的温度较高,先缓慢提升主隔热笼(2),但副隔热笼(3)仍保持掩盖状态,使多晶铸锭底部缓慢散热,一段时间后,可再提升主隔热笼(2),使主隔热笼(2)上的散热窗口(10)的上边缘高过副隔热笼(3)上沿,即散热窗口(10)开通,晶锭上、下两面将同时散热。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103014851A (zh) * 2012-12-25 2013-04-03 南昌大学 一种生产定向凝固多晶硅锭的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201081541Y (zh) * 2007-08-23 2008-07-02 浙江精工科技股份有限公司 多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
CN201183846Y (zh) * 2008-01-28 2009-01-21 常州天合光能有限公司 多晶硅铸锭炉的热场结构
CN101481825A (zh) * 2008-01-08 2009-07-15 绿能科技股份有限公司 具有对流式散热构造的长晶炉
WO2010005705A1 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 Gt Solar Incorporated Systems and methods for growing monocrystalline silicon ingots by directional solidification

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201081541Y (zh) * 2007-08-23 2008-07-02 浙江精工科技股份有限公司 多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
CN101481825A (zh) * 2008-01-08 2009-07-15 绿能科技股份有限公司 具有对流式散热构造的长晶炉
CN201183846Y (zh) * 2008-01-28 2009-01-21 常州天合光能有限公司 多晶硅铸锭炉的热场结构
WO2010005705A1 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 Gt Solar Incorporated Systems and methods for growing monocrystalline silicon ingots by directional solidification

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103014851A (zh) * 2012-12-25 2013-04-03 南昌大学 一种生产定向凝固多晶硅锭的方法
CN103014851B (zh) * 2012-12-25 2016-01-27 南昌大学 一种生产定向凝固多晶硅锭的方法

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