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CN201145800Y - 一种易测量的液晶显示用tft阵列基板 - Google Patents

一种易测量的液晶显示用tft阵列基板 Download PDF

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CN201145800Y
CN201145800Y CNU2008200545770U CN200820054577U CN201145800Y CN 201145800 Y CN201145800 Y CN 201145800Y CN U2008200545770 U CNU2008200545770 U CN U2008200545770U CN 200820054577 U CN200820054577 U CN 200820054577U CN 201145800 Y CN201145800 Y CN 201145800Y
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CN
China
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test block
common electrode
array substrate
liquid crystal
tft array
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CNU2008200545770U
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English (en)
Inventor
杨海鹏
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SVA Group Co Ltd
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SVA Group Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种易测量的液晶显示用TFT阵列基板,包括共通电极、绝缘层和钝化层、像素电极层和封框胶,在所述的像素电极层还设置有ITO测试块,测试块和共通电极电连接,测试块的外侧测量端暴露于封框胶之外。本实用新型的易测量的液晶显示用TFT阵列基板由于在制造阵列基板时预先设置了与共通电极电连接的ITO测试块,该ITO测试块最外侧暴露于封框胶之外,可以不需要拆解面板就能用探针触碰到;这样就大大简化了测量所需的工序,也最大程度保证了基板的完整性、避免元件因此受损,大大提高了工作效率,也提高了成品率。

Description

一种易测量的液晶显示用TFT阵列基板
技术领域
本实用新型涉及一种液晶显示装置,尤其涉及一种液晶显示用TFT阵列基板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是利用施加在液晶分子上电场强度的变化,改变液晶分子的取向控制透过光的强弱来显示图像。一般来讲,一块完整的液晶显示面板必须有背光模块、偏光片、TFT(薄膜晶体管)下基板和CF(彩色滤光板)上基板以及由两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极,像素电极上的电压大小及通断由与横向扫描信号线相连接的栅极、与纵向驱动信号线连接的源极信号控制。CF上基板上的ITO公共电极与下基板上的ITO像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的取向。TFT基板上与扫描信号线平行并处于同一层的存储电容公共线和ITO像素电极之间形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。
在TFT基板的制造过程中,工艺上的任何稍微偏差都可能对显示面板造成缺陷,或者是导线的断路、短路、或者是像素电极上的污染,影响液晶显示的画面质量,当出现问题的时候往往需要对各项信号进行测量,特别是对于共通电极来说,因为在面板上分布较广,各部分电压可能有所差别,需要对其进行各位置的测量来协助判断问题发生的位置。同时,对面板作分析判断时,还要保证面板完好无损,故对共通电极的测量不能建立在破坏面板的基础上,并且要可以借由测量信号判断各种不同型号或同一型号不同面板的共通电极导电性,并以此判断面板设计的部分特性。
现有的面板通常对共通电极测量需要对面板进行解析处理,即拆开面板的一部分来进行,工序较为繁杂,测量结果误差较大,并且容易造成液晶污染,测量完毕后的面板也不能再进行组装使用,只能废弃,从而增加了工厂方面的耗损率,增加了成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有特别的周边ITO设计的液晶显示用TFT阵列基板,可以不需要拆解面板就能完成对共通电极的测量,不影响阵列基板的内部完整性,也不会因此而引起额外的电容产生。
为了解决上述技术问题本实用新型的易测量的液晶显示用TFT阵列基板,包括共通电极、绝缘层和钝化层、像素电极层和封框胶,在所述的像素电极层还设置有ITO测试块,测试块和共通电极电连接,测试块的外侧测量端暴露于封框胶之外。
所述的ITO测试块可以设置于绝缘层和钝化层的上方,测试块通过接触孔和共通电极电连接。
作为另外一种方式所述的共通电极设置有外围大于封框胶外围的外延端块,在共通电极的外延端块上方的绝缘层和钝化层刻蚀设置有开口,开口内设置有与共通电极电连接的ITO测试块。
本实用新型的易测量的液晶显示用TFT阵列基板由于在制造阵列基板时预先上设置了与共通电极电连接的ITO测试块,该ITO测试块的尺寸为毫米量级,可以适用于各种测量机台以及各种仪器仪表探针;该ITO测试块最外侧暴露于封框胶之外,可以不需要拆解面板就能用探针触碰到;这样就大大简化了测量所需的工序,也最大程度保证了基板的完整性、避免元件因此受损,大大提高了工作效率,也提高了成品率。另外,该测试块的ITO图样不覆盖任何的面板内对位标记或者其他面内走线,所以不会引起额外的电容产生、不会对显示产生不良影响。
附图说明
图1.是本实用新型阵列基板周边ITO测试块结构的示意图;
图2.是本实用新型实施例1的阵列基板中ITO测试块通过接触孔与共通电极连接的示意图(一);
图3.是本实用新型实施例1的阵列基板中ITO测试块通过接触孔与共通电极连接的示意图(二);
图4.是本实用新型实施例2的阵列基板中ITO测试块通过接触孔与共通电极连接的示意图(一);
图5.是本实用新型实施例2的阵列基板中ITO测试块通过接触孔与共通电极连接的示意图(二),即图4中A-A剖面图。
图中:1.阵列基板外框    2.彩膜基板外框    3.ITO测试块
      4.封框胶          5.共通电极        6.接触孔
      7.玻璃电极        8.第一金属层上方绝缘层和钝化层
      301.ITO测试块的外侧测量端   501.共通电极的外延端块
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例1
图1、2、3示出了一种易测量的液晶显示用TFT阵列基板,包括有设置有栅极、源极和共通电极的第一金属层、第一金属层上的绝缘层和钝化层8、像素电极层以及封框胶4,像素电极上的电压大小及通断由与横向扫描信号线相连接的栅极、与纵向驱动信号线连接的源极信号控制。在绝缘层和钝化层8的上方的像素电极层还设置有ITO测试块3,测试块3通过接触孔6和共通电极5电连接,测试块3的外侧有暴露于封框胶4之外大小为1mm×1mm的测量端301。
这样在测量时,只要用测量用探针直接压在ITO测试块3的外侧测量端301上就可以简便地测取各项数据。
实施例2
图4、5是本实用新型的另一种实施方式,其与实施例1的不同之处在于:设置于第一金属层的共通电极5的边缘设置有外围大于封框胶外围的外延端块501,在共通电极5的外延端块501上方的绝缘层和钝化层8刻蚀设置有开口;在沉积ITO像素电极时,在开口内同时设置有与共通电极直接电连接的ITO测试块3。
测量时,同样只要用测量用探针直接压在ITO测试块3上就可以简便地测取各项数据。

Claims (3)

1.一种易测量的液晶显示用TFT阵列基板,包括共通电极、绝缘层和钝化层、像素电极层和封框胶,其特征在于:在所述的像素电极层还设置有ITO测试块,测试块和共通电极电连接,测试块的外侧测量端暴露于封框胶之外。
2.根据权利要求1所述的易测量的液晶显示用TFT阵列基板,其特征在于:所述的ITO测试块设置于绝缘层和钝化层的上方,测试块通过接触孔和共通电极电连接。
3.根据权利要求1所述的易测量的液晶显示用TFT阵列基板,其特征在于:所述的共通电极设置有外围大于封框胶外围的外延端块,在共通电极的外延端块上方的绝缘层和钝化层刻蚀设置有开口,开口内设置有与共通电极电连接的ITO测试块。
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