CN201126829Y - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种发光二极管，通过一反射层、一基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极以及一N型金属电极的组合设计，使该基板形成有周期性排列的多个凸出部，以增加该基板的表面积，再经由该反射层与该基板结合后，大大地提升光与该反射层碰触后反射向上出光的机率，进而有效达到提升发光二极管的发光效率，且该反射层的多个凹陷部与该基板的多个凸出部稳固结合，增加该反射层与该基板的稳固结合力，以使该反射层不致由该基板上脱落，而适用于发光二极管或类似结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管，通过一反射层、一基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极以及一N型金属电极的组合设计，以增加该基板与该反射层的接触表面积，进而有效达到提升发光二极管的发光效率，并增加该反射层与该基板的稳固结合力，以使该反射层不致由该基板上脱落，而适用于发光二极管或类似结构。
背景技术
科技的发达及日新月异，发光二极管应用于各种轻薄短小的消费性电子产品极为广泛，而以氮化镓化合物为制作发光二极管的材料更为技术的主流。
请参照图1，为现有氮化镓发光二极管的结构示意图。该氮化镓发光二极管以蓝宝石为一基板10，且该基板10包括：一第一表面101以及位于该第一表面101另一侧的一第二表面102，于该基板10的该第二表面102依序由下而上分别磊晶形成有一氮化镓缓冲层11、一N型氮化镓欧姆接触层12、一氮化铟镓发光层13、一P型氮化铝镓披覆层14、一P型氮化镓欧姆接触层15以及一透光导电层16。再于该透光导电层16及该N型氮化镓欧姆接触层12上分别形成一正电极衬垫17及一负电极衬垫18，最后再于该基板10的该第一表面101镀上一层银(Ag)或铝(Al)的一金属反射层19。
此该金属反射层19可将由该氮化铟镓发光层13朝向该第一表面101所发射的光源反射至该第二表面102，然而与该第一表面101接触的该金属反射层19的表面为平面，易造成该金属反射层19于该基板10上脱落，且该基板10与该金属反射层19所接触的第一表面101的表面积有限，因而无法有效提升氮化镓发光二极管的发光效率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种发光二极管，于反射层表面形成有周期性排列的凹凸结构，以增加该基板与该反射层的接触表面积，进而有效提升发光二极管的发光效率，以增进整体的实用性。
本实用新型的又一目的在于，提出一种发光二极管，通过一反射层形成有多个凹陷部与一基板形成有多个凸出部相结合，以增加该反射层与该基板的结合力，以避免该反射层于该基板上脱落，而达稳固结合的效果，以增进整体的实用性。
为达成上述目的，本实用新型提供一种发光二极管，包括：一反射层，形成有周期性排列的多个凹陷部；一基板，形成有周期性排列的多个凸出部，且对应结合于该反射层的多个凹陷部；一N型氮化镓欧姆接触层，形成于该基板的上方；一氮化铟镓发光层，形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方；一P型氮化镓欧姆接触层，形成于该氮化铟镓发光层的上方；一透光导电层，形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方；一P型金属电极，与该透光导电层电性耦合；以及一N型金属电极，与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。
本实用新型具有以下有益技术效果：
1、本实用新型于反射层表面形成有周期性排列的凹凸结构，可增加该基板与该反射层的接触表面积，从而有效提升发光二极管的发光效率，增进了整体的实用性。
2、本实用新型通过一反射层形成有多个凹陷部与一基板形成有多个凸出部相结合，增加了该反射层与该基板的结合力，避免该反射层于该基板上脱落，从而达稳固结合的效果，增进了整体的实用性。
本实用新型的其它特点及具体实施例可于以下配合附图的详细说明中，进一步了解。
附图说明
图1为现有发光二极管的结构示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为本实用新型的另一实施例图。
图中符号说明
10 基板
101 第一表面
102 第二表面
11 氮化镓缓冲层
12 N型氮化镓欧姆接触层
13 氮化铟镓发光层
14 P型氮化铝镓披覆层
15 P型氮化镓欧姆接触层
16 透光导电层
17 正电极衬垫
18 负电极衬垫
19 金属反射层
20 反射层
201 凹陷部
21 基板
211 凸出部
22 N型氮化镓欧姆接触层
23 氮化铟镓发光层
24 P型氮化镓欧姆接触层
25 透光导电层
26 P型金属电极
27 N型金属电极
具体实施方式
以下的实施例进一步详细说明本实用新型的观点，但非以任何观点限制本实用新型的范畴。
请参阅图2为本实用新型发光二极管的结构示意图。该发光二极管包括：一反射层20、一基板21、一N型氮化镓欧姆接触层22、一氮化铟镓发光层23、一P型氮化镓欧姆接触层24、一透光导电层25、一P型金属电极26以及一N型金属电极27。
该反射层20形成有周期性排列的多个凹陷部201，其中，该反射层20的多个凹陷部201用以增加该反射层20的面积，且该反射层20的厚度可介于
之间，而该反射层20可为选自由银、铝、镍、钛、金、铂及其合金所组成的群组。
该基板21形成有周期性排列的多个该凸出部211，且对应结合于该反射层20的多个凹陷部201，可用以增加与该反射层20的结合面积及结合力，使该反射层20不致于由该基板21上脱落，而该基板21的厚度可介于80～200μm之间，且该基板21可为蓝宝石(sapphire)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌、碳化硅(SiC)、玻璃、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硫化锌(ZnS)、硒硫化锌(ZnSSe)的其中任一者。
该N型氮化镓欧姆接触层22形成于该基板21的上方，另外，该N型氮化镓欧姆接触层22亦可为氮化铝铟镓层或氮化铟镓层。
该氮化铟镓发光层23形成于该N型氮化镓欧姆接触层22的上方，其中，该氮化铟镓发光层23亦可为一氮化铟镓化合物半导体层。
该P型氮化镓欧姆接触层24，形成于该氮化铟镓发光层23的上方，且该P型氮化镓欧姆接触层24亦可为一氮化铝铟镓层或一氮化铟镓层。
该透光导电层25，形成于该P型氮化镓欧姆接触层24的上方，且该透光导电层25可为一透光导电氧化物层，其中该透光导电层25的材质可为氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡的其中任一者。
该P型金属电极26，与该透光导电层25电性耦合。
该N型金属电极27，与该N型氮化镓欧姆接触层22电性耦合。
承上结构，本实用新型的发光二极管，其特点在于通过该反射层20、该基板21、该N型氮化镓欧姆接触层22、该氮化铟镓发光层23、该P型氮化镓欧姆接触层24、该透光导电层25、该P型金属电极26以及该N型金属电极27的组合设计，其中，通过该反射层20的表面具有周期性排列的多个凹陷部201的设计，以增加该反射层20的表面积，而将由该氮化铟镓发光层23朝向该反射层20的多个凹陷部201所发射的光源反射至该N型氮化镓欧姆接触层22的方向，进而有效达到提升发光二极管的发光效率，同时，该反射层20的多个凹陷部201与该基板21的多个凸出部211稳固地结合，以使该反射层20不致由该基板21上脱落，以增加其实用性及便利性。
请参阅图3，为本实用新型的另一实施例图。该发光二极管包括：一基板21、一N型氮化镓欧姆接触层22、一氮化铟镓发光层23、一P型氮化镓欧姆接触层24、一透光导电层25、一P型金属电极26以及一N型金属电极27。
该基板21形成有周期性排列的多个凸出部211于该基板21的底面。
该N型氮化镓欧姆接触层22形成于该基板21的上方。
该氮化铟镓发光层23形成于该N型氮化镓欧姆接触层22的上方。
该P型氮化镓欧姆接触层24形成于该氮化铟镓发光层23的上方。
该透光导电层25形成于该P型氮化镓欧姆接触层24的上方。
该P型金属电极26与该透光导电层25电性耦合。
该N型金属电极27与该N型氮化镓欧姆接触层22电性耦合。
实际使用上，于图3的该实施例中可移除该反射层20，以外露出该基板21的周期性排列的多个凸出部211，并增加该基板21的表面积，同样亦可达到有效提升发光二极管的发光效率，以增加其实用性及便利性。
以上所述的具体实施例，仅用以例释本实用新型的特点及功效，而非用以限定本实用新型的可实施范畴，因此在未脱离本实用新型上述的精神与技术范畴下，任何运用本实用新型所揭示内容而完成的等效改变及修饰，均仍应为权利要求书的范围所涵盖。
Claims (10)
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一反射层，形成有周期性排列的多个凹陷部；
一基板，形成有周期性排列的多个凸出部，且对应结合于该反射层的多个凹陷部；
一N型氮化镓欧姆接触层，形成于该基板的上方；
一氮化铟镓发光层，形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方；
一P型氮化镓欧姆接触层，形成于该氮化铟镓发光层的上方；
一透光导电层，形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方；
一P型金属电极，与该透光导电层电性耦合；以及
一N型金属电极，与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该反射层为金属反射层。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该金属反射层选自由银、铝、镍、钛、金、铂及其合金所组成的群组。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该基板为蓝宝石、氧化锌、碳化硅、玻璃、磷化镓、磷砷化镓、硒化锌、硫化锌、硒硫化锌的其中任一者。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该透光导电层为一透光导电氧化物层。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该透光导电层为氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡的其中任一者。
7.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板，形成有周期性排列的多个凸出部于该基板的底面；
一N型氮化镓欧姆接触层，形成于该基板的上方；
一氮化铟镓发光层，形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方；
一P型氮化镓欧姆接触层，形成于该氮化铟镓发光层的上方；
一透光导电层，形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方；
一P型金属电极，与该透光导电层电性耦合；以及
一N型金属电极，与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该基板为蓝宝石、氧化锌、碳化硅、玻璃、磷化镓、磷砷化镓、硒化锌、硫化锌、硒硫化锌的其中任一者。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该透光导电层为一透光导电氧化物层。
10.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该透光导电层为氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡的其中任一者。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102130255A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管、发光装置以及发光二极管的制造方法 |
| CN102484176A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-05-30 | 京瓷株式会社 | 发光元件及发光元件的制造方法 |
| CN102705743A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 明基电通有限公司 | 发光装置 |
| CN106784220A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发光二极管及其制作方法 |
-
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102484176A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-05-30 | 京瓷株式会社 | 发光元件及发光元件的制造方法 |
| CN102484176B (zh) * | 2009-09-30 | 2014-12-31 | 京瓷株式会社 | 发光元件及发光元件的制造方法 |
| CN102130255A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管、发光装置以及发光二极管的制造方法 |
| CN102705743A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 明基电通有限公司 | 发光装置 |
| CN102705743B (zh) * | 2012-06-01 | 2014-08-06 | 明基电通有限公司 | 发光装置 |
| CN106784220A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发光二极管及其制作方法 |
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