CN201126816Y - 多孔陶瓷承片台 - Google Patents
多孔陶瓷承片台 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201126816Y CN201126816Y CNU2007202017680U CN200720201768U CN201126816Y CN 201126816 Y CN201126816 Y CN 201126816Y CN U2007202017680 U CNU2007202017680 U CN U2007202017680U CN 200720201768 U CN200720201768 U CN 200720201768U CN 201126816 Y CN201126816 Y CN 201126816Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- porous ceramic
- outer ring
- chassis
- wafer
- vacuum inner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
一种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,其上台面由陶瓷外环和多孔陶瓷真空内盘配合而成,外环的侧环面与多孔陶瓷真空内盘的外侧面粘接在一起,由长螺栓自上而下将外环下表面与底盘上表面紧密连接,由短螺栓自下而上将多孔陶瓷真空内盘下表面与底盘上表面紧密连接。可避免晶片受力不均、凹凸扭曲、信息失真,保证晶片加工的精度,并大大提高成品率,满足半导体专用设备中在线测试装置的要求,可广泛应用于半导体专用设备行业晶片减薄、抛光等工艺。
Description
(一)技术领域
本实用新型涉及一种半导体专用设备的工作台面,特别是一种用于晶片加工的承片台。
(二)背景技术
在半导体专用设备行业,进行晶片减薄、抛光、刻蚀等一系列围绕晶片加工的工序中,承片台在这些设备上无一例外是其中的关键点。传统承片台包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通。在十九世纪八十年代,业界采用环形槽来抽吸真空,从而对晶片形成背面吸附力。这类承片台为提高抗腐蚀能力,上台面大多都采用不锈钢制造,但不锈钢易变形,对温度变化比较敏感,耐磨性欠佳,对盘片吸附性能较弱,上台面表面不能形成均布的真空,并且对硅片吸附有盲点,晶片受力不均,易出现晶片凹凸扭曲、信息失真等不良现象,晶片加工过程中易产生内部应力,晶片加工所产生的破损率较高,影响了晶片加工的精度。
(三)实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种多孔陶瓷承片台,要解决传统承片台晶片加工的精度欠佳、晶片受力不均,易出现晶片凹凸扭曲、信息失真等不良现象的问题,还要解决传统承片台易变形,对温度变化比较敏感、对盘片吸附性能较弱、不能形成均布的真空的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
这种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,其特征在于:上述上台面由外环1和多孔陶瓷真空内盘2配合而成,外环1的侧环面与多孔陶瓷真空内盘2的外侧面粘接在一起,由长螺栓7自上而下将外环1下表面与底盘3上表面紧密连接,由短螺栓6自下而上将多孔陶瓷真空内盘2下表面与底盘3上表面紧密连接。
优选的技术方案:
上述外环1下表面与底盘3上表面之间有密封圈,密封圈置于底盘上表面的密封槽内。
上述外环1的侧环面和多孔陶瓷真空内盘2的外侧面有凸凹相反的台阶8,两者为折面粘接。
与现有技术相比本实用新型具有以下特点和有益效果:
1、本实用新型是一种用来吸附承载晶片的工作台面,能可靠吸附晶片和检测片厚,由于采用多孔陶瓷等作为承片台的基体材料,多孔陶瓷质地均匀,具有良好的通透性和透气性,对上台面表面真空的形成可起到均布作用,故吸附性能较强,并且承片台对硅片吸附时没有盲点,晶片受力均匀,消除了晶片凹凸扭曲等不良现象,缩小了晶片加工过程中产生的内部应力,减小了晶片加工所产生的破损率,并可以使硅片减薄机的减薄尺寸逐渐向临界值逼近。
2、上台面由外环和多孔陶瓷真空内盘配合而成,外环采用含99%Al2O3的99陶瓷,其硬度、耐磨性极好,能达到重复使用而不失真的效果,从而保证了晶片加工的精度,可以满足半导体专用设备中在线测试装置的要求。
3、外环和真空盘选用陶瓷,使承片台检测面外环具有高硬度和高耐磨性,可以进行在线修磨,从而更进一步保证承片台精度。
4、底盘采用硬质铝合金和外环及真空盘的陶瓷材料的完美结合,既保证了承片台的刚度又不影响轴系的扭矩和惯量。外环、真空盘、底盘三种材料的密度小,可以对电机的选择起到有益的作用。
5、底盘用螺钉紧固在底座基础面上,真空盘与外环紧密配合、粘结在一起,配合处无泻漏,将粘结件放置于底盘上用螺钉紧固。密封圈放置于底盘密封槽,可以防止真空、水、气的泄漏。
本实用新型经水、气、真空的通透性试验,取得了很好的效果。可以保证晶片加工的精度,并大大提高成品率。可广泛应用于半导体专用设备行业晶片减薄、抛光等工艺。
(四)附图说明
下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的工作状态示意图。
附图标记:1-外环、2-多孔陶瓷真空内盘、3-底盘、4-密封圈、5-气道、6-短螺钉、7-长螺钉、8-台阶、9-检测仪、10-磨头、11-底座。
(五)具体实施方式
实施例参见图1所示,这种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,采用多孔陶瓷作为真空容腔,外环采用99%Al2O3陶瓷,底盘采用硬质铝合金材料。
上台面由外环1和多孔陶瓷真空内盘2配合而成,外环1的侧环面与多孔陶瓷真空内盘2的外侧面粘接在一起。
由短螺栓6自下而上将多孔陶瓷真空内盘2下表面与底盘3上表面紧密连接。
由长螺栓7自上而下将外环1下表面与底盘3上表面紧密连接,所述外环1下表面与底盘3上表面之间有密封圈,密封圈置于底盘上表面的密封槽内。
为更好地避免泄露,外环1的侧环面和多孔陶瓷真空内盘2的外侧面有凸凹相反的台阶8,两者为折面粘接。
本实用新型的工作状态参见图2,检测仪9位于多孔陶瓷承片台的顶面,磨头10位于多孔陶瓷承片台上的晶片上面。底盘3用螺钉紧固在底座11的基础面上。
Claims (3)
1. 一种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,其特征在于:上述上台面由外环(1)和多孔陶瓷真空内盘(2)配合而成,外环(1)的侧环面与多孔陶瓷真空内盘(2)的外侧面粘接在一起,由长螺栓(7)自上而下将外环(1)下表面与底盘(3)上表面紧密连接,由短螺栓(6)自下而上将多孔陶瓷真空内盘(2)下表面与底盘(3)上表面紧密连接。
2. 根据权利要求1所述的多孔陶瓷承片台,其特征在于:所述外环(1)下表面与底盘(3)上表面之间有密封圈,密封圈置于底盘上表面的密封槽内。
3. 根据权利要求1或2所述的多孔陶瓷承片台,其特征在于:所述外环(1)的侧环面和多孔陶瓷真空内盘(2)的外侧面有凸凹相反的台阶(8),两者为折面粘接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007202017680U CN201126816Y (zh) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | 多孔陶瓷承片台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007202017680U CN201126816Y (zh) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | 多孔陶瓷承片台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201126816Y true CN201126816Y (zh) | 2008-10-01 |
Family
ID=40000282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2007202017680U Expired - Fee Related CN201126816Y (zh) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | 多孔陶瓷承片台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201126816Y (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376059A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 技佳唯斯股份有限公司 | 光学检测装置 |
| CN103811382A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-05-21 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置 |
| CN104647199A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-27 | 燕山大学 | 一种凹嵌式单面精密研磨盘 |
| CN111403328A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-10 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种晶片承片台 |
| CN111872586A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-03 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 晶圆激光切割用的产品吸附装置 |
-
2007
- 2007-12-25 CN CNU2007202017680U patent/CN201126816Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376059A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 技佳唯斯股份有限公司 | 光学检测装置 |
| CN103811382A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-05-21 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置 |
| CN103811382B (zh) * | 2014-01-23 | 2016-08-17 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置 |
| CN104647199A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-27 | 燕山大学 | 一种凹嵌式单面精密研磨盘 |
| CN111403328A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-10 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种晶片承片台 |
| CN111872586A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-03 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 晶圆激光切割用的产品吸附装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201126816Y (zh) | 多孔陶瓷承片台 | |
| CN105842611B (zh) | 倒装芯片检测样品的制备方法 | |
| JP2588060B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック | |
| CN206925702U (zh) | 一种用于半导体晶片抛光的无蜡抛光模板 | |
| CN205852447U (zh) | 用于光学元件研磨抛光的工装 | |
| CN108356684A (zh) | 一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置 | |
| CN207593516U (zh) | 一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置 | |
| CN109841559A (zh) | 超薄晶圆的制备方法 | |
| CN109676437A (zh) | 碳化硅晶片及其制造方法 | |
| WO2022142158A1 (zh) | 金刚石磨抛一体化的加工设备及其加工方法 | |
| WO2021135849A1 (zh) | 一种晶圆抛光装置 | |
| CN2746181Y (zh) | 一种真空吸盘 | |
| CN101350296A (zh) | 一种晶圆背电极的制作方法及其晶圆 | |
| CN108555773B (zh) | 一种超薄零件研磨抛光夹具 | |
| CN105189045B (zh) | 工件的研磨装置 | |
| JP2004114184A (ja) | チャック | |
| CN203657947U (zh) | 一种静电卡盘基本性能检测装置 | |
| CN219945703U (zh) | 多头式抛光机设备 | |
| TWI224832B (en) | Process for machining a wafer-like workpiece | |
| CN115831850A (zh) | 一种晶圆贴揭膜方法 | |
| CN204565884U (zh) | 一种单面抛光机粘片装置 | |
| CN106181734A (zh) | 一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法 | |
| CN211916528U (zh) | 一种涂层试样用打磨工装 | |
| CN206998592U (zh) | 一种蓝宝石晶片抛光用快拆式树脂铜盘 | |
| CN222903634U (zh) | 一种板状试样真空吸附固定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081001 Termination date: 20131225 |