CN1964064A

CN1964064A - 显示装置及其制造方法

Info

Publication number: CN1964064A
Application number: CNA2006101528602A
Authority: CN
Inventors: 郑载勋; 金南德
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-11-07
Filing date: 2006-11-06
Publication date: 2007-05-16
Also published as: US20070103062A1; US7288886B2; US7791268B2; KR100754875B1; JP2007134327A; US20070278942A1; KR20070048957A

Abstract

一种显示装置，包括：薄膜晶体管，形成于绝缘基板上；像素电极，电连接至薄膜晶体管；有机层，形成于像素电极上；壁，围绕有机层；反射膜，形成于壁上；以及共用电极，形成于有机层上。

Description

显示装置及其制造方法

相关申请交叉参考

本申请要求于2005年11月7日提交的韩国专利申请第2005-0106075号的优先权及由所述专利申请产生的所有权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，具体地说，涉及一种其中反射膜形成于显示器的壁上从而提高了光学效率的显示装置。

背景技术

近来，在平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示器因其可以以低电压驱动、重量轻、结构薄、具有宽视角、具有高速响应等而越来越普及。OLED显示器根据所使用的驱动方法可分成无源矩阵型和有源矩阵型。

有源矩阵型OLED显示器根据每个像素区控制有机发光层的发光，其中薄膜晶体管(TFT)连接至每个像素区。像素电极位于各个像素区内，每个像素电极与相邻的其它像素电极电分离以便允许独立控制每个像素，。另外，在基板上构造成高于像素电极的壁形成于像素区之间，并用来防止像素电极之间短路，且使像素区之间绝缘。空穴注入层和有机发光层可以依次形成于壁之间的像素电极上。在有机发光层上形成共用电极。

区分OLED显示器的另一种方法是它们发光的方向。有两种基本的方向：顶层发光型和底层发光型。顶层发光型显示器发出的光线从有机发光层穿过共用电极发射到外部。底层发光型显示器发出的光线从有机发光层穿过基板发射到外部。

但是，无论哪种发光类型，OLED显示器都具有低的外部量子效率，有时小于20％。另外，由于由发光层发出的部分光线发射到显示器的侧面，且从那里消散而不是射向外部，所以OLED具有低的光学效率。

发明内容

本发明的一个方面是为了提供一种具有增加的光学效率的显示装置。

本发明的另一个方面是为了提供一种具有更高的光学效率的显示装置的制造方法。

本发明上述和/或其它的方面可通过提供显示装置的例示性实施例获得，其中显示装置包括：薄膜晶体管，形成于绝缘基板上；像素电极，电连接至薄膜晶体管；有机层，形成于像素电极上；壁，围绕有机层；反射膜，形成于壁上；以及共用电极，形成于有机层上。

根据本发明的例示性实施例，反射膜包括从由Mo，Cr，Ag，和Al组成的组中所选择的任意一种。

根据本发明的例示性实施例，反射膜的厚度为大约50nm到大约500nm。

根据本发明的例示性实施例，反射膜的反射率大于大约70％。

根据本发明的例示性实施例，壁的侧面和绝缘基板之间的夹角为大约40度到大约50度。

根据本发明的例示性实施例，至少部分壁由感光有机材料制成。

根据本发明的例示性实施例，反射膜与像素电极彼此隔开。

根据本发明的例示性实施例，反射膜与有机层彼此隔开。

根据本发明的例示性实施例，壁与像素电极彼此隔开。

根据本发明的例示性实施例，壁与有机层彼此隔开，并且有机层包括低分子量材料且由蒸发法形成。

根据本发明的例示性实施例，壁与有机层彼此接触，有机层包括聚合物材料且由喷墨法形成。

根据本发明的例示性实施例，壁覆盖部分像素电极，且反射膜与像素电极隔开。

根据本发明的一个方面，共用电极的光透射比大于50％。

本发明上述/其它的方面可通过提供显示装置的制造方法的例示性实施例获得，方法包括：在绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成电连接至薄膜晶体管的像素电极；形成围绕像素电极的壁；在壁上形成反射膜；在像素电极上形成有机层；以及在有机层上形成共用电极。

根据本发明的例示性实施例，壁形成有其侧面以及绝缘基板，绝缘基板与壁形成大约40度到大约50度的夹角。

根据本发明的例示性实施例，壁形成为与像素电极隔开。

根据本发明的例示性实施例，壁的形成包括：在有机层上涂布正感光材料；以及将正感光材料曝光并显影。

根据本发明的例示性实施例，壁的形成包括：在有机层上涂布负感光材料；以及将负感光材料曝光并显影。

根据本发明的例示性实施例，壁的形成包括：在有机层上涂布感光材料；通过使用掩模曝光感光材料，其中掩模具有对应于壁的侧面形成的狭缝图案；以及将曝光的感光材料显影。

根据本发明的例示性实施例，壁的形成包括：在有机层上涂布感光材料；以及按压形成有对应于壁的凹版图案的压印掩模，其中壁与感光材料相对。

根据本发明的例示性实施例，有机层的形成包括：设置具有开口的阴影掩模，其中开口的宽度比壁围绕的区域大，其中开口对应于像素电极；以及通过开口提供有机材料蒸气。

附图说明

结合附图，本发明上述的和/或其它方面、特征及优势将从下面的例示性实施例描述中变得明显且易于理解。附图中：

图1是根据本发明的显示装置的第一例示性实施例的等效电路图；

图2是根据本发明的显示装置的第一例示性实施例的横截面图；

图3a至图3f是示出了根据本发明的显示装置的第一例示性实施例的制造方法的例示性实施例的横截面图；

图4是根据本发明的显示装置的第二例示性实施例的横截面图；

图5a至图5c示出了根据本发明的显示装置的第二例示性实施例的制造方法的例示性实施例的横截面图；以及

图6是根据本发明的显示装置的第三例示性实施例的横截面图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明进行更全面地描述，其中示出了本发明的例示性实施例。但是，本发明可包括多种不同的方式，而不应认为其局限于这里所阐述的实施例。当然，提供这些实施例，是为了使本公布更全面、更充分，并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。相同标号始终表示相同元件。

可以理解，当指出一个元件在另一元件“之上”时，其可以直接在另一元件之上或者两者之间可存在中间元件。相反，当指出一个元件“直接”在另一元件之上时，两者之间就不存在中间元件。在文中使用时，术语“和/或”包括相关列示项目的一个或多个的任意及所有组合。

可以理解，虽然术语“第一、第二、第三”等在此处可用于描述不同的元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些词所限制。这些词仅是用于区别一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分。因此，在不脱离本发明的启示下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。

此处所使用的术语仅用于描述特定的实施例的目的，并非旨在限制本发明。在文中使用时，除非本文以其它方式清楚地指出，否则单数形式的“一个”和“这个”也旨在包括复数形式。还可以理解，当用在本说明书中时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”说明所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除另外一个或多个其它的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。

另外，文中可使用相对的术语，如“下部的”或“底部的”和“上部的”或“顶部的”，以便描述图中所示出的一个元件与另一个元件的关系。可以理解，除图中所描述的方向以外，相对的术语还旨在包括装置的不同方向。例如，如果翻转任一图中的装置的话，那么描述为位于其它元件“下部的”一侧上的元件则应位于其它元件“上部的”一侧上。因此，根据图中的特定方向，示例性的术语“下部的”可包括“上部的”方向以及“下部的”方向两者。类似地，如果翻转任一图中的装置的话，那么描述为位于其它元件“下面的”或“下方的”的元件则应是位于其它元件“上面的”。因此，示例性的术语“下面的”或“下方的”可包括“上面的”方向以及“下面的”方向两者。

除非以其它方式限定，否则此处所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员的一般理解相同的含义。还可以理解，术语(例如由一般使用的词典所限定的术语)应被解释为具有与它们在相关领域及现有技术下的含义相一致的含义，除非此处特别地这样限定，否则不应解释成理想的或太正式的意义。

下面，参照作为本发明的理想实施例的示意性示图的横截面示图描述本发明的例示性实施例。对此，可以预料，由于制造技术和/或公差等原因会导致与所示形状的不同。因此，本发明的例示性实施例不应被解释为局限于此处所示的特定形状，而应认为包括例如由于制造而导致的形状上的偏差。例如，示为或描述为平面的区域通常具有粗糙和/或非线性的特征。另外，示出的锐角可以是圆的。因此，图中示出的区域是实际上是示意性的，不应认为它们的形状示出了区域的精确形状，也不应认为限制本发明的范围。

下面，将参照附图对本发明进行详细描述。

图1是根据本发明的显示装置的第一例示性实施例的等效电路图。

参照图1，根据本例示性实施例的显示装置1包括多条信号线。

信号线包括：栅极线，用于传输扫描信号；数据线，用于传输数据信号；以及电源线，用于传输驱动电压。数据线和电源线相邻并基本上彼此平行设置，而栅极线基本上垂直于数据线和电源线延伸。

每个像素包括：有机发光元件(LD)、开关晶体管Tsw、驱动晶体管Tdr以及电容器C。

驱动晶体管Tdr具有：控制端子，连接至开关晶体管Tsw和电容器C的一侧；输入端子，连接至电源线；以及输出端子，连接至有机发光元件LD。

有机发光元件LD具有：阳极，连接至驱动晶体管Tdr的输出端子；以及阴极，连接至共用电压Vcom。有机发光元件LD发出的光的亮度根据从驱动晶体管Tdr中输出的电流强度而变化。从驱动晶体管Tdr中输出的电流强度根据施加于控制端子与输入端子之间的电压而变化。多个LD可以一起工作以显示图像。

开关晶体管Tsw具有：控制端子，连接至栅极线；输入端子，连接至数据线；以及输出端子，连接至驱动晶体管Tdr的控制端子和电容器C的一侧。开关晶体管Tsw根据施加到栅极线的扫描信号，将施加于数据线的数据信号传输至驱动晶体管Tdr。

电容器C沿电源线连接在驱动晶体管Tdr的控制端子与输入端子之间。电容器C由输入至驱动晶体管Tdr的控制端子的数据信号充电，并保持该数据信号。

参照图2，将在下面对根据第一例示性实施例的显示装置1进行更详细地描述。图2示出了驱动晶体管Tdr。

栅电极121形成于由电绝缘材料(例如玻璃、石英、塑料或其它相似物质)制成的绝缘基板110上。

栅极绝缘膜131形成于绝缘基板110和栅电极121上。在一例示性实施例中，栅极绝缘膜由氮化硅(SiNx)或其它相似物质制成。

由非晶硅制成的半导体层132和由高度掺杂n型杂质的n+非晶氢化硅(hydrogenated amorphous silicon)制成的欧姆接触层133依次形成于栅极绝缘膜131上，位于栅电极121上方。欧姆接触层133相对于栅电极121分成两部分：一部分在上方和左侧，另一部分在上方和右侧。

源电极141和漏电极142形成于欧姆接触层133上、栅极绝缘层131上及半导体层132的侧面上。源电极141和漏电极142相对于栅电极121彼此隔离。

钝化膜(passivation)151形成于源电极141、漏电极142和未被源电极和漏电极141、142覆盖的半导体层132的部分上。在一例示性实施例中，钝化膜151可包括氮化硅(SiNx)。

有机膜152形成于钝化膜151上。在一例示性实施例中，有机膜152可包括以下之一：苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)系、烯烃(olefin)系、丙烯酸树脂(acrylic resin)系、聚酰亚胺(polyimide)系、以及氟聚合物，例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、多氟环丁烷(perfluorocyclobutane，PFCB)、氟化乙丙烯聚合物(fluorinatedethylene propylene，FEP)、聚氟烷氧化合物(poly fluoro alkoxy，PFA)、亚乙烯基四氟乙烯(ethylene tetra fluoro ethylene，ETFE)、和聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)。氟聚合物可以具有日本Asahi Glass生产的cytop(商标)的结构式1。

结构式1：

钝化膜151和有机膜152从漏电极142的顶面被部分地移除，从而形成接触孔153。

像素电极161形成于有机膜152上。像素电极161，也被称为阳极，向有机层180提供空穴。当OLED显示器是底层发光型显示器时，像素电极161包括有透明导电材料、其实施例包括有氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)，像素电极161通过接触孔153连接到漏电极142。另一方面，当显示器是顶层发光型显示器时，像素电极161可包括高反射金属。

围绕像素电极161的壁(wall)171形成于像素电极161和有机膜152上。具有相对平整的上表面171a和斜侧面171b的壁171与像素电极161隔开，且不与其相接触。

壁171可包括感光材料，其例示性实施例包括具有耐热性和耐溶剂性的丙烯酸树脂、和聚酰亚胺树脂，或者诸如Sio₂、Tio₂或其它类似物质的无机材料。可替换的例示性实施例包括这样的结构，其中壁171可具有有机层和无机层构成的双层结构。壁171的侧面和绝缘基板110之间的夹角θ1可为大约40度到大约50度。在一例示性实施例中，θ1为大约45度。根据一例示性实施例，壁171的厚度d1为大约3μm到大约5μm。

在壁171上形成反射膜172。反射膜172仅形成于壁171上，并且与像素电极161隔开。反射膜172的例示性实施例可包括Mo，Cr，Ag，或者Al，并且膜的反射率大于大约70％。在一例示性实施例中，膜的反射率为从大约70％到大约95％。

反射膜172的厚度为从大约50nm到大约500nm。如果厚度小于大约50nm的话，反射效率降低。另一方面，厚度在大约500nm时反射效率最大，如果将厚度增大超过这个点，则仅导致形成时间的增加，而不会再增加效率。

有机层180形成于像素电极161上。包括低分子量材料的有机层180包括空穴注入层181和发光层182。发光层182可包括多个子层182a、182b、182c中的任一层，每个层发出不同颜色的光。形成有机层180，从而防止像素电极161和共用电极190相互接触。

可替换的例示性实施例包括这样的结构，在这种结构中每个发光层包括三个子层，每个子层发出红、绿或蓝三原色的光。然后，在形成共用电极后，如下面所述，可应用多个附加的滤色片中的一个，从而每个像素发出红光、绿光、蓝光中的一种。

有机层180还可包括空穴转移层(未示出)、电子转移层(未示出)以及电子注入层(未示出)。有机层180的厚度d2为0.1μm至0.3μm。

从像素电极161转移的空穴与从共用电极190转移的电子在发光层182内彼此结合，从而形成电子空穴对。当电子空穴对退激(de-excite)时，例如，当电子从高能状态降到低能状态时，发射出光子。

共用电极190设置于壁171的顶面和发光层182上。共用电极190，也被称为阴极，向发光层182提供电子。其例示性实施例可由Mg和Ag的合金或Ca和Ag的合金制成的共用电极190厚度可为大约50nm到大约200nm。如果共用电极190的厚度小于50nm，它的电阻急剧增加，以致于也许不能稳定地提供共用电压。另一方面，如果厚度大于200nm，共用电极190可变得不透明。在一例示性实施例中，共用电极190的光透射比大于50％。

在本例示性实施例中，从发光层182发出的光通过共用电极190射(radiate)到外部。从发光层182发出的部分光线沿壁171的方向发散，并由反射膜172反射到外部。因此，原本由壁171吸收或随机散射(scatter)的光可射到外部。由此，提高了发光效率。

根据本例示性实施例，壁171的侧面171b和绝缘基板110之间的夹角θ1可为大约40度到大约50度，且由反射膜172反射的光沿垂直于绝缘基板110的方向前进，因此，进一步提高了发光效率。

可在显示装置1中的共用电极190的顶侧形成其它的钝化膜(未示出)、吸潮膜(moisture absorption film)、或其它类似层。另外，显示装置1还可包括封装件(未示出)，其例示性实施例由玻璃或其它相似物质制成。

下面，参照图3A到3F，对根据第一例示性实施例的显示装置的制造方法的例示性实施例进行描述。

首先，如图3A所示，薄膜晶体管Tdr形成于绝缘基板110上。其通道部(channel part)由非晶硅制成的薄膜晶体管Tdr可由几种所知的方法中的任一种制造，例如，化学气相沉积(CVD)、光刻工艺、或其它类似方法。

接着，如图3B所示，钝化膜151、有机膜152、像素电极161形成于薄膜晶体管Tdr上。在钝化膜151由氮化硅制成的例示性实施例中，可采用化学气相沉积法。有机膜152可通过狭缝涂布法或旋转涂布法形成，接触孔153可通过曝光和显影形成。在通过溅射法形成透明导电层后，可通过光刻形成像素电极161。另一方面，在顶部发光型显示器中，像素电极161不需为透明的，因此像素电极161可由反射金属制成。

然后，如图3C所示，感光材料层175形成并使用掩模200曝光。根据本例示性实施例，感光材料层175是作为由狭缝涂布法或旋转涂布法形成的正型光致抗蚀剂的，其中的曝光部被溶解。虽未示出，可替换的例示性实施例包括这样的结构，在这种结构中感光材料层175可为负型光致抗蚀剂，其中在进行曝光和显影处理后曝光部保留。

掩模200包括由石英等制成的基本基板210和形成于基本基板210上的不透光层220。不透光层220防止紫外线穿过其中。在一例示性实例例中，不透光层220可由氧化铬制成。

不透光层220包括：中央图案221，设置在将要放置壁171的上表面的位置A中；狭缝图案222，位于中央图案的任一侧。狭缝图案222离中央图案221越远，则狭缝图案之间的间距越宽。狭缝图案222对应于将要形成壁171的侧面171b的位置B。

在本例示性实施例中，中央图案221下方的感光材料层175在曝光过程中未被溶解，原因是未暴露于紫外线。另一方面，狭缝图案222下方的感光材料175离中央图案221越远，被溶解的程度就越大，这是由于是暴露于紫外线的程度随着与中央图案221的距离而增加。

在曝光过程后、在显影过程中，与狭缝图案222相对应的区域B中的部分感光材料层175离层175的中心越远，被溶解的程度就越大。最后，如图2所示，形成侧面171b。在显影过程后，在200℃至300℃的温度下进行硬化处理来完成壁171。

可替换地，通过使用正型感光层175及无狭缝图案的掩模(未示出)，可在侧面和绝缘基板110之间形成锐角。在这种例示性实施例中，通过在中央图案221周围的光的衍射形成侧面。

图3D示出反射膜172形成于完成的壁171上。为形成反射膜172，将金属层设置于壁171的顶面上，然后通过光刻过程去除多余的材料。可替换地，可使用包括溅射法、电子束蒸发(e-beam evaporation)、热蒸发、或其它类似技术。根据本例示性实施例，反射膜172仅位于壁171上。

然后，如图3E所示，通过使用阴影掩模(shadow mask)300将有机材料蒸气(vapor)提供于像素电极161上。

阴影掩模300包括不传输有机材料蒸气的阻挡部(blockingpart)310和对应于像素电极161的开口320。开口320的宽度d3设置成比壁171之间的距离d4大。这使得有机层180覆盖像素电极161。在这种布置中，如果有机材料蒸气通过开口320提供，则使得有机材料蒸气接触对应于开口320的像素电极161，并且有机材料的相变成固定状态，因此形成了有机层180。

图3F示出完全形成的有机层180。如图3E所示，通过使用阴影掩模300形成有机层180的各种子层，例如空穴注入层181。包括多个子层182a、182b、182c中的一个的发光层182通过使用独立的阴影掩模300形成，其中阴影掩模300具有用于每个子层的不同形状的图案，从而在一个像素的有机层180中仅存在一个子层。

可替换的例示性实施例(未示出)可包括这样的结构，在这种结构中所有三个子层182a、182b、182c存在于每一个像素的有机层180中。在这种实施例中，滤色片(未示出)被随后放置于有机层180与外部之间。

根据本例示性实施例，当共用电极190开成于有机层180和反射膜172上时，完成了如图2所示的显示装置1。

图4是根据本发明的显示装置1的第二例示性实施例的横截面图。下面的描述将着重于与第一实施例的不同之处。

在第二例示性实施例中，有机层180由聚合物材料制成，并由喷墨法(ink jet method)形成，但是本发明并不限于此。由于喷墨形成法的流体特性，所以有机层180部分地与反射膜172接触。

空穴注入层181，其例示性实施例由空穴注入材料，例如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩，3，4-ethylenedioxyt-hiophene)(PEDOT)和聚苯乙烯基磺酸(PSS，polystyrene sulfonic acid)，可由喷墨法形成。在喷墨法中，空穴注入材料被保持在由水与空穴材料混合形成的水相悬浮状态。

发光层182包括聚芴衍生物、聚对苯基亚乙烯基衍生物、聚亚苯基衍生物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、聚噻吩衍生物、或掺杂以下物质的其化合物：紫苏烯基颜料、若丹明、红荧烯、紫苏烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素-6、喹吖啶酮、或其它类似物质。发光层182包括多个子层182a，182b，182c中的一个，每个子层发出不同颜色的光，或者可替换地，发光层182包括上述的各个子层182a，182b，182c和滤色片。

下面，参照图5A到图5C，对根据本发明第二例示性实施例的显示装置的制造方法的例示性实施例进行描述。

图5A示出通过使用用来使感光材料层175变形的压印掩模(imprint mask)400形成壁171的方法的例示性实施例，其中感光材料层175已被设置于有机膜152和像素电极161上。形成感光材料层175的操作和其在先的操作与图3A和3B中的操作相同，因此省略对它们的详细描述。

形状对应于壁171的凹版图案(intaglio pattern)410形成于压印掩模400上。将压印掩模400压在感光材料175上、去除掩模、并烘烤(baking)模制的感光材料层175来形成壁171。由于省去了曝光过程、显影过程等，所以本方法具有可简单地形成壁171的优势。

接着，如图5B所示，通过喷墨法在像素电极161上的壁171之间滴入并干燥空穴注入溶液185形成有机层，其中空穴注入溶液185为包括空穴注入材料的聚合物材料。空穴注入溶液185可包括诸如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)的聚噻吩衍生物、聚苯乙烯基磺酸(PSS)、和其它类似物质的化合物以及用来溶解这些化合物的极性溶剂。极性溶剂的例示性实施例可包括：异丙醇(IPA)、正丁醇、γ-丁内脂、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)和其衍生物，以及二甘醇一乙醚乙酸酯(carbitolacetate)、二甘醇一丁醚乙酸酯(butylcarbitolacetate)等的乙二醇醚(glycolether)。

然后，如图5C所示，通过喷墨法在空穴注入层181上滴入并干燥发光溶液186形成有机层，其中发光溶液186为包括空穴注入材料的聚合物材料。

干燥发光溶液186以形成发光层182。在此之后，在发光层182上形成共用电极190，然后完成图3所示的显示装置1。

在本例示性实施例中，如上面所述的，有机层181和182由喷墨法形成。因此，如果有机层181和182均匀地形成于壁171之间，则他们部分地与反射膜172相接触。

图6是根据本发明第三例示性实施例的显示装置1的横截面图。在第三例示性实施例中，与上述的第二例示性实施例相似，有机层180由聚合物材料制成，且由喷墨法形成。为避免重复，下面的描述将着重于与第二例示性实施例的不同。

在本例示性实施例中，反射膜172不形成于与有机层180相接触的壁171上，也不与像素电极161相接触。因此，可防止电流从共用电极190经反射膜172流入像素电极161。

形成壁171以覆盖接触孔153。暴露于壁171之间的像素电极161具有均匀的厚度，因此也具有一致的电特性，所以提高了显示器的品质，防止了薄膜晶体管Tdr与共用电极190发生短路。

如上面所述的，本发明可提供一种具有高光学效率的显示装置。

另外，本发明可提供一种具有高光学效率的显示装置的制造方法。

虽然已示出了并描述了本发明的几个实施例，但是本领域的技术人员可以意识到，在不背离本发明(其保护范围在所附权利要求及其等同物内限定)原则和精神的前提下这些实施例可以变化。

Claims

1.一种显示装置，包括：

薄膜晶体管，形成于绝缘基板上；

像素电极，电连接至所述薄膜晶体管；

有机层，形成于所述像素电极上；

壁，围绕所述有机层；

反射膜，形成于所述壁上；以及

共用电极，形成于所述有机层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射膜包括从由Mo，Cr，Ag，和Al组成的组中所选择的任意一种。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射膜的厚度为大约50nm到大约500nm。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射膜的反射率大于大约70％。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述壁的侧面与所述绝缘基板之间的夹角相对于彼此为大约40度到大约50度。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，至少部分所述壁由感光有机材料制成。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射膜与所述像素电极彼此隔开。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射膜与所述有机层彼此隔开。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述壁与所述像素电极彼此隔开。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述壁与所述有机层彼此隔开，并且所述有机层包含低分子量材料且通过蒸发法形成。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述壁与所述有机层彼此接触，所述有机层包含聚合物材料且通过喷墨法形成。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述壁覆盖部分所述像素电极，且所述反射膜与所述像素电极隔开。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共用电极的光透射比大于50％。

14.一种制造显示装置的方法，包括：

在绝缘基板上形成薄膜晶体管；

形成电连接至所述薄膜晶体管的像素电极；

形成围绕所述像素电极的壁；

在所述壁上形成反射膜；

在所述像素电极上形成有机层；以及

在所述有机层上形成共用电极。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁形成为使其侧面与所述绝缘基板形成相对于彼此大约40度到大约50度的夹角。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁形成为与所述像素电极隔开。

17.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁的形成包括：

在所述有机层上涂布正感光材料；以及将所述正感光材料曝光并显影。

18.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁的形成包括：

在所述有机层上涂布负感光材料；以及将所述负感光材料曝光并显影。

19.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁的形成包括：

在所述有机层上涂布感光材料；

使用掩模曝光所述感光材料，其中所述掩模具有对应于

所述壁的侧面而形成的狭缝图案；以及

将曝光的感光材料显影。

20.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述壁的形成包括：

在所述有机层上涂布感光材料；以及

将形成有对应于所述壁的凹版图案的压印掩模向所述感光材料按压。

21.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述有机层的形成包括：

设置具有开口的阴影掩模，其中所述开口的宽度比所述壁围绕的区域大，其中所述开口对应于所述像素电极；以及

通过所述开口提供有机材料蒸气。