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CN1838419B - 固态成像器件 - Google Patents

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CN1838419B CN200510120035XA CN200510120035A CN1838419B CN 1838419 B CN1838419 B CN 1838419B CN 200510120035X A CN200510120035X A CN 200510120035XA CN 200510120035 A CN200510120035 A CN 200510120035A CN 1838419 B CN1838419 B CN 1838419B
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Abstract

本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。

Description

固态成像器件
相关申请的交叉参考
本申请基于并要求2005年3月25日申请的在先日本专利申请No.2005-89268的优先权，在此通过参考援引其全部内容。
技术领域
本发明涉及一种固态成像器件，尤其涉及一种基于CMOS技术的固态成像器件。
背景技术
基于CMOS的固态成像器件通常指有源像素传感器或者CMOS图像传感器，其在像素阵列的每个像素中具有光电转换器和复位及放大该光电转换器的晶体管，并在外围电路中具有驱动单个像素及输出电路的驱动电路和放大从单个像素输出的电信号并执行图像处理的图像处理电路。预期这种CMOS图像传感器提供的固态成像器件在制造中使用的CMOS工艺成本较低并由于像素结构的改进能够获得较高的图像质量。
由于CMOS图像传感器用于安装在如便携式电话和信息终端等移动装置上的摄像模块中，因此在此产业中对于更大规模的集成和更小的芯片尺寸具有强烈的需求。为了满足这种需求，需要在芯片中采用多层金属化结构。然而，使用多层金属化结构意味着在像素上方形成由多层金属化层(level)和位于所述金属化层之间的介电层的多层金属化结构，这使得难以将入射光引导至像素中的光电转换器。由于多层金属化层使入射光散射以及多层介电膜使入射光衰减，从而引起灵敏度下降和图像模糊。
图1为现有技术的CMOS图像传感器的横截面示意图。由半导体衬底构成的芯片1在其中心处具有由多个像素构成的像素阵列10，而外围电路12形成在像素阵列10的周围。上多层金属化层22和下多层金属化层20形成在像素阵列10和外围电路12上方的衬底上。
目前通用的CMOS图像传感器采用例如三层的多层金属化结构。除了外围电路之外，这种多层金属化结构也用于像素内晶体管的连接。然而，如上文中指出的，由于需要避免入射光的散射，因此日本专利申请特开No.2004-221527和日本专利申请特开No.2003-249632描述了采用如下结构：其中，在像素中金属化层不形成于光电转换器上方，并且能够将入射光引导至光电转换器。根据该现有技术，沟槽状的孔形成在每个像素上方的多层金属化结构中，并且介电材料被埋入孔中以提供光导结构。
此外，CMOS图像传感器在每个像素上方具有用以聚集入射光的微透镜和滤色镜。这种结构需要复杂的制造工艺。为了解决这个问题，例如日本专利申请特开No.2002-134726给出如下工艺的启示：其中，去除像素上方的部分介电膜以形成一个沟槽，而凸形的滤色镜图案形成于沟槽中，兼用作微透镜和滤色镜。
发明内容
由此，以上专利文献中公开的现有技术提供用以引导光至单个像素的结构或者涉及形成沟槽结构。然而，这些结构非常难于制造。
此外，如果用于摄像模块的图像传感器芯片设计为大规模集成电路，则可以避免使入射光通过比较厚的外围电路的多层金属化结构(例如五层结构)。因此，存在对简单且能够使入射光至像素的散射和衰减最小化的多层金属化结构的需求。
因此，本发明的目的是提供一种固态成像器件，其具有较大规模集成和较小芯片尺寸所需的多层金属化结构，并具有能够有效抑制入射光至像素的散射和衰减的结构固态成像器件。
根据本发明的第一个方案，为了实现上述目的，本发明提供一种固态成像器件，其包括衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列周围的外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，该第一多层金属化结构具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方，该第二多层金属化结构具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，其中该第二多层金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少。
根据本发明的所述第一个方案，在外围电路部分上方，第一多层金属化结构使得能够在小面积区域中设置高度集成的电路。同时，在具有多个像素的像素阵列部分上方，形成第二多层金属化结构，该第二金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少，这使得能够抑制入射光到像素的散射和衰减。此外，通过为像素阵列部分上方的多层金属化结构提供均匀且较薄的结构，能够简化制造工艺。
在上述本发明第一个方案的优选实施例中，在像素阵列上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在外围电路部分上方形成的第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的第二多层金属化结构形成，该沟槽结构在其四个拐角处具有突起。根据本实施例的固态成像器件还具有通过旋涂在该沟槽结构底部形成的滤色镜薄膜和位于每个像素上方的微透镜。在为形成滤色镜薄膜或微透镜而进行的旋涂期间所应用的树脂材料被推至突起处，这使得能够在沟槽结构的底部上形成均匀的膜。
在上述本发明第一个方案的另一优选实施例中，在像素阵列上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在外围电路部分上方形成的第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的第二多层金属化结构形成，该沟槽结构延伸覆盖包括该像素阵列部分的至少一部分的区域。该像素阵列部分具有光接收像素中心区和位于该光接收像素中心区之外的外围暗像素，该沟槽结构区域的面积与该像素阵列部分除外围暗像素之外的光接收像素中心区的面积等同。可替换地，该像素阵列部分具有光接收像素中心区和位于该光接收像素中心区之外的外围暗像素，该沟槽结构区域可以是比该像素阵列部分的光接收像素中心区的面积更宽广的区域，并且该区域的宽度为使通过聚光镜以一个角度进入封装中的入射光能够到达光接收像素区的程度。
在上述本发明第一个方案的另一优选实施例中，在像素阵列上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在外围电路部分上方形成的第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的第二多层金属化结构形成，光学滤色镜薄膜形成在该沟槽结构中，每个像素的微透镜形成在光学滤色镜薄膜上方，并且该光学滤色镜薄膜的厚度实质上等于该沟槽结构的深度。可替换地，该光学滤色镜薄膜的厚度小于该沟槽结构的深度。
根据第二个方案，本发明提供一种固态成像器件，包括：衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及第二多层金属化结构，其形成在该像素阵列部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，其中该第二多层金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少。
根据第三个方案，本发明提供一种固态成像器件，包括：衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及第二多层金属化结构，其形成在该像素阵列部分上方，具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，其中该第二多层金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少，在对应于该第一多层金属化结构的最顶层的一层上形成滤色镜薄膜。
根据第四个方案，本发明提供一种固态成像器件的制造方法，该固态成像器件具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分，该方法包括如下步骤：在该衬底的表面上形成多层金属化结构，该多层金属化结构在该外围电路部分上方具有下多层金属化层、上多层金属化层，该下多层金属化层具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个层间介电层，该上多层金属化层具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个层间介电层，并且在该像素阵列部分上方具有下多层金属化层、以及该上多层金属化层的层间介电层；去除在该像素阵列部分上方形成的上多层金属化层的层间介电层；以及在该像素阵列部分上方的下多层金属化层上形成像素的光学滤色镜。
在本发明的固态成像器件中，在外围电路部分上方设置较厚的多层金属化结构，这使得能够获得更高集成的电路和更小的芯片尺寸。同时，在像素阵列上方设置较薄的多层金属化结构，这使得能够抑制入射光的散射和衰减。
附图说明
图1为现有技术的CMOS图像传感器的横截面示意图；
图2示出本发明的原理；
图3为CMOS图像传感器的电路图，其为固态成像器件的一个实例；
图4A-图4B为根据本发明第一实施例的图像传感器的示图；
图5A-图5B为根据本发明第二实施例的图像传感器的示图；
图6A-图6B为根据本发明第三实施例的图像传感器的示图；
图7示出在本发明的第三实施例中用以在沟槽结构上形成液态材料层的旋涂方法；
图8A-图8B示出根据本发明第四实施例的图像传感器的结构及其制造方法；
图9A-图9B也示出根据本发明第四实施例的图像传感器的结构及其制造方法；
图10A-图10B也示出根据本发明第四实施例的图像传感器的结构及其制造方法；
图11A-图11B也示出根据本发明第四实施例的图像传感器的结构及其制造方法；
图12A-图12B示出根据本发明第五实施例的图像传感器的结构及其制造方法；及
图13A-图13B也示出根据本发明第五实施例的图像传感器的结构及其制造方法；
具体实施方式
下面，结合附图描述本发明的实施例。但是，应该理解这些实施例不是用来限制本发明的技术范围，而本发明的技术范围仅受所附的权利要求书及其等同方案的限制。
图2为示出本发明原理的示图。固态成像器件在由半导体衬底制成的芯片1中包括具有多个像素的像素阵列部分10，以及位于该像素阵列部分10周围的外围电路部分12，例如模拟电路和数字电路。外围电路部分12上形成有由下多层金属化层22和上多层金属化层20构成的多层金属化结构。所述多层金属化结构包括电源分布金属层和连接电路元件(例如晶体管)的金属化层。在像素阵列部分10上方，仅形成下多层金属化层22；此处没有形成上多层金属化层20。因此，单沟槽结构100形成于像素阵列部分10上方，从而使像素阵列部分10上方的多层金属化层成为薄膜区。
在这种配置中，从像素阵列部分10上方的衬底表面到多层金属化层部分22之间的距离(参见图中垂直箭头)小于图1所示的现有技术实例中从像素阵列上方的衬底表面到多层金属化层之间的距离。因此，像素阵列部分10的衬底表面上方(在此形成光电转换器)出现的金属化层数减少，金属层和介电层的组合厚度比较小，并且能够抑制入射光的散射和衰减。此外，由于大量的金属化层形成在外围电路部分12上方，因此能够在小面积区域上获得高度集成的电路。
图3为CMOS图像传感器的电路图，其为固态成像器件的一个实例。在像素阵列部分10中，多个像素PX1和PX2排列成矩阵。这些像素为四晶体管型。每个像素具有：作为光电转换器的光电二极管PD1或PD2，将光电二极管的电荷传递到结点FD1或FD2的转移栅晶体管TG，使结点FD1或FD2复位到复位电压VR的复位晶体管RST，输出结点FD1或FD2电压的源极跟随晶体管SF，以及受选择线SLCT1或者SLCT2控制并将源极跟随晶体管SF的源极端连接到输出信号线SGL的选择晶体管SLCT。行驱动电路12-1驱动控制复位晶体管的复位线RST1或RST2、控制转移栅晶体管TG的转移栅线TG1或TG2、以及选择线SLCT1或SLCT2。输出电路12-2放大输出到输出信号线SGL的每个像素的电压，并逐个线输出每个像素的图像信号。图像处理电路12-3进行图像信号的模拟-数字转换，并对这些数字信号执行所需的图像处理。
行驱动电路12-1、输出电路12-2及图像处理电路12-3对应于上述外围电路部分12。同时，请注意图3中仅由两个像素表示的像素阵列部分10实际上排列成具有多行和多列的矩阵形式。
图4A至图4B为根据本发明第一实施例的图像传感器的示图。图4A为放置在封装2中的图像传感器芯片1的横截面视图，而图4B为芯片1的俯视图。芯片1为图像传感器，其被容置在封装2中，而聚光透镜4设置在封装2的顶部。芯片1具有位于中心处的像素阵列部分10和外围电路部分12。这里，为了方便起见，像素阵列部分10和外围电路部分12各包括芯片中的电路元件和下多层金属化结构(图2中由附图标记22表示)。此外，上多层金属化结构20设置在外围电路部分12上方。
像素阵列部分10在外围具有暗像素(black pixel)区13，在中心具有光接收像素区11。暗像素区13由阻挡膜之类构成，以不接收入射光。在该暗像素区中检测的图像信号用作暗像素的参考电平(reference level)。光在通过下多层金属层结构之后，进入光接收像素区11，并且该像素区11输出对应于入射光的强度的图像信号。
在本发明的第一实施例中，由于形成单个沟槽结构100，从而在像素阵列部分10的光接收像素区11没有设置上多层金属化层20。由于在暗像素区13上方不需要接收光，因此在暗像素区13上方形成上多层金属化层20。此外，由于入射光实质上垂直，因此使得单个沟槽结构100的尺寸实质上与像素阵列部分10的光接收像素区11的尺寸等同。上多层金属化层20设置在外围电路部分12和暗像素区13上方，这使得在上多层金属化层20中形成的电源平面的总表面积增加。
图5A至图5B为根据本发明第二实施例的图像传感器的示图。如同图4，图5A为放置在封装2中的图像传感器芯片1的横截面视图，而图5B为芯片1的俯视图。芯片1上的像素阵列部分10和外围电路部分12与图4中所示相同。
在本实施例中，聚光透镜4较大，并且外部光通过该聚光透镜4聚集到光接收像素区11。此外，使沟槽结构100的尺寸比光接收像素区11更宽，从而使入射光免受上多层金属化层20的阻挡。这里，上多层金属化层20也形成在外围电路区12和部分暗像素区13上方，因此使得在上多层金属化层20上形成的电源分布平面增加。
图6A和图6B为根据本发明第三实施例的图像传感器的示图。如同图5A和图5B，图6A为放置在封装2中的图像传感器芯片1的横截面视图，而图6B为芯片1的俯视图。图6A类似于图5A。
在本实施例中，突起100A形成在像素阵列10上的沟槽结构100的四个拐角处。其他方面，本实施例与上述第二实施例相同。设置这些突起100A，以使得在通过将一层液态材料旋涂在沟槽结构100上来制成光学滤色镜、微透镜或感光电阻时，在沟槽结构100的底部形成具有均匀膜厚的液态材料层。
图7示出在本发明的第三实施例中用以在沟槽结构上形成液态材料层的旋涂方法。在这种旋涂方法中，半导体晶片被安装在旋转器上，并使液态材料滴落在晶片上，同时晶片围绕旋转轴AX旋转，由此在晶片表面形成均匀的液态材料层。在本实施例中，薄多层金属化层形成在每个芯片的像素阵列部分10上方，由此形成单个沟槽结构100。当通过旋涂在沟槽结构100的底部形成液态材料层30时，由于离心力，大量的液态材料聚集在沟槽结构100的四个拐角之一。因此，沟槽结构100底部上的液态材料层30趋向于具有不均匀的膜厚。
通过在沟槽结构100的四个拐角设置突起100A，由于离心力而聚集的液态材料层在这些突起100A处被吸收，这使得底部的液态材料层30的膜厚变得均匀。因为液态材料在离心力作用下而聚集的拐角位置根据芯片在晶片上的位置而不同，所以在沟槽结构100的四个(所有)拐角处设置突起100A是有利的。
图8A至图11B示出根据本发明第四实施例的图像传感器的结构及制造方法。其中，图8A、图9A、图10A、和图11A分别为图像传感器芯片的俯视图，而图8B、图9B、图10B、和图11B分别为沿俯视图中的A-B截取的横截面图。俯视图中的C-D处的横截面相同。
在图8A和图8B中，像素阵列部分10和外围电路部分12形成在芯片1表面的主体(bulk)层1A中。在俯视图中，由虚线示出像素阵列部分10中的像素区。为了说明多层金属化结构，第二列中的像素PX显示为比其他像素宽，但是实际上其与其他像素具有相同的尺寸。
多层金属化层22和20形成在主体层1A上。多层金属化层包括：由导电材料如金属制成的金属连接层L1至L5，夹在金属化层之间的由氧化硅(例如PSG或BPSG)制成的介电层，与主体层1A的接触通路V1，以及提供金属连接层之间连接的导电通路V2至V5。在外围电路部分12上方形成的多层金属化结构包括：由三层金属连接层L1至L3构成的下多层金属化结构22，以及由两层金属连接层L4和L5构成的上多层金属化结构20。在像素阵列部分10上方形成的多层金属化结构包括：由三层金属连接层L1至L3构成的下多层金属化结构22和上多层金属化结构20。
参考图9A和图9B，像素阵列部分10上方的上多层金属化结构20的介电层被通过公知的蚀刻工艺去除。在此蚀刻工艺中，例如，可以通过活性离子蚀刻工艺去除介电层，其中形成一层光致抗蚀剂层，并使其曝光和显影，之后显影的光致抗蚀剂层被用作掩模。蚀刻的终点控制一般通过时间控制或者通过特定的蚀刻停止层来实现。如图9B所示，通过蚀刻部分去除第三金属连接层L3上的介电层。此蚀刻使得像素阵列部分10上方的多层金属化结构比外围电路部分12上方的五层的多层金属化结构薄，形成单沟槽结构100。然后，通过化学气相沉积(CVD)或者一些其他适合的工艺，在表面上形成例如氮化硅膜的保护膜32。
接下来，参考图10A和图10B，光学滤色镜OCF形成在沟槽结构100中，并且表面被平坦化。如俯视图中所示，光学滤色镜OCF由拜尔(Bayer)阵列中的绿G、蓝B及红R滤色镜构成。为了形成三种光学滤色镜OCF，由旋涂步骤和图案化步骤构成的工艺被重复执行三次，每种滤色镜一次。最后，通过抛光或者热处理使滤色镜的表面平坦化是有利的。
接下来，参考图11A和图11B，微透镜ML形成在每个像素位置的光学滤色镜OCF上方。例如，通过将透明的有机材料应用于表面并将其图案化以在每个像素位置处留下有机材料层，然后进行热处理以赋予凸透镜的横截面形状，来形成微透镜ML。因为已经以图10A和图10B所示的方式将光学滤色镜OCF埋入沟槽结构100中并将其平坦化，所以微透镜ML的形成相对容易。
图11A和图11B为示出本实施例中的图像传感器的结构的俯视图和横截面视图。如图所示，由于在像素阵列部分10上方仅形成较薄的多层金属化结构，因此这里能够使入射光的衰减和散射最小化。此外，五层的多层金属化结构形成在外围电路部分12上方，这可以提供节省空间的效果。
图12A至图13B示出根据本发明第五实施例的图像传感器的结构及制造方法。同样，在本实施例中，五层的多层金属化结构20和22形成在外围电路部分12上方，而三层的多层金属化结构22形成在像素阵列部分10上方。然后，去除像素阵列部分10上方的第四和第五层间介电层，形成沟槽结构100，之后形成保护层32。因此，同样在第五实施例中执行与图8A-至图9B相同的工艺。
接下来，参考图12A和12B，光学滤色镜OCF形成在沟槽结构100上方。这些光学滤色镜的厚度小于沟槽结构100的深度，从而光学滤色镜OCF的上表面低于多层金属化结构20的上表面。通过与第四实施例相同的方法制造光学滤色镜。
接下来，参考图13A和13B，微透镜ML形成在每个像素区的光学滤色镜OCF上方。微透镜ML的制造方法与第四实施例相同。图13A的俯视图和图13B的横截面视图示出图像传感器的结构。在本实施例中，在沟槽结构100中形成的光学滤色镜OCF具有较小的厚度。因此，能够缩短从微透镜ML到像素阵列部分10的主体层1A的距离，从而使得入射光的衰减最小化。
此外，热处理有机材料，以为微透镜ML赋予凸透镜的形状。然而，因为不易于增加这种热处理的凸透镜的焦距，所以微透镜ML趋向于具有短焦距。在本实施例中，光学滤色镜OCF的厚度减小，这使得像素阵列部分10被置于对应于这种短焦距微透镜ML的位置，从而提高了聚光效率。
如上所述，这些实施例可以提供具有较高集成度和较小尺寸的图像传感器中的芯片，同时使入射光到像素阵列的散射和衰减最小化。

Claims (10)

1.一种固态成像器件，包括：
衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；
第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方，该第一多层金属化结构具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及
第二多层金属化结构，其形成在该像素阵列部分上方，该第二多层金属化结构具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，
其中该第二多层金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少。
2.如权利要求1所述的固态成像器件，其中在该像素阵列部分上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在该外围电路部分上方形成的该第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的该第二多层金属化结构形成，以及该沟槽结构在其四个拐角处具有突起，以及
该器件还包括通过旋涂在该沟槽结构底部形成的滤色镜薄膜和位于每个像素上方的微透镜。
3.如权利要求1所述的固态成像器件，其中在该像素阵列部分上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在该外围电路部分上方形成的该第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的该第二多层金属化结构形成，该沟槽结构延伸覆盖包括该像素阵列部分的至少一部分的区域。
4.如权利要求3所述的固态成像器件，其中该像素阵列部分具有光接收像素中心区和位于该光接收像素中心区之外的外围暗像素，该沟槽结构区域的面积与该像素阵列部分除外围暗像素之外的该光接收像素中心区的面积等同。
5.如权利要求3所述的固态成像器件，其中该像素阵列部分具有光接收像素中心区和位于该光接收像素中心区之外的外围暗像素，该沟槽结构区域比该像素阵列部分除外围暗像素之外的光接收像素中心区的面积更宽广。
6.如权利要求1所述的固态成像器件，其中在该像素阵列部分上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在该外围电路部分上方形成的该第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的该第二多层金属化结构形成，光学滤色镜薄膜形成在该沟槽结构中，每个像素的微透镜形成在该光学滤色镜薄膜上方，并且该光学滤色镜薄膜的厚度等于该沟槽结构的深度。
7.如权利要求1所述的固态成像器件，其中在该像素阵列部分上方形成单沟槽结构，该单沟槽结构由在该外围电路部分上方形成的该第一多层金属化结构和在该像素阵列部分上方形成的该第二多层金属化结构形成，光学滤色镜薄膜形成在该沟槽结构中，每个像素的微透镜形成在该光学滤色镜薄膜上方，并且该光学滤色镜薄膜的厚度小于该沟槽结构的深度。
8.一种固态成像器件，包括：
衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；
第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及
第二多层金属化结构，其形成在该像素阵列部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，其中该第二多层金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少。
9.一种固态成像器件，包括：
衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；
第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层；以及
第二多层金属化结构，其形成在该像素阵列部分上方，并具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个介电层，其中该第二金属化结构的连接层的数目比该第一多层金属化结构的连接层的数目少，在对应于该第一多层金属化结构的最顶层的一层上形成滤色镜薄膜。
10.一种固态成像器件的制造方法，该固态成像器件具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分，该方法包括如下步骤：
在该衬底的表面上形成多层金属化结构，该多层金属化结构在该外围电路部分上方具有下多层金属化层、上多层金属化层，该下多层金属化层具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个层间介电层，该上多层金属化层具有多个连接层和位于所述多个连接层之间的多个层间介电层，并且在该像素阵列部分上方具有该下多层金属化层以及该上多层金属化层的所述多个层间介电层；
去除在该像素阵列部分上方形成的该上多层金属化层的所述多个层间介电层；以及
在该像素阵列部分上方的该下多层金属化层上形成像素的光学滤色镜。
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