CN1783487B - 电路装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种混合集成电路装置，兼具散热性和耐压性。在电路衬底(11)的表面形成第一绝缘层(12A)，且在其背面形成有第二绝缘层(12B)。在第一绝缘层(12A)的表面形成导电图案(13)，并在该导电图案(13)上固定电路元件(15)。密封树脂(14)包覆电路衬底(11)的表面及侧面。另外，密封树脂(14)还包覆电路衬底(11)背面的周边部。由此，在使电路衬底(11)的背面露出到外部的状态下，可确保电路衬底(11)的耐压性。

Description

电路装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及电路装置，特别是涉及兼具散热性和耐压性的电路装置。

背景技术

参照图9说明现有的混合集成电路装置100的结构(参照下述专利文献1)。在矩形衬底101表面经由绝缘层102形成有导电图案103。而且，通过在导电图案103的所希望的位置固定电路元件105，形成规定的电气电路。在此，作为电路元件，将半导体元件及片状元件与导电图案103连接。引线104与形成于衬底101周边部的导电图案103连接，作为外部端子起作用。密封树脂103具有密封形成于衬底101表面的电气电路的功能。

密封树脂101的结构有两种。第一种结构是使衬底101的背面露出，形成密封树脂103的方法。根据该结构，可经由露出到外部的衬底101进行良好的散热。第二种结构是形成密封设置103，覆盖包括衬底101背面的整体的方法。根据该结构，可确保衬底101的耐压性及耐湿性。在该图中，密封包括衬底101背面的整体。包覆衬底101背面的部分的密封树脂103的厚度例如为0.5mm程度。特别是，在衬底101与接地电位连接时，适用上述的第二种结构，将衬底101与外部绝缘。

专利文献1：(日本)特开平5-102645号公报

但是，在形成密封树脂103，使其包覆衬底101背面的情况下，由于包覆衬底101背面的密封树脂103的热传导率不良，故存在装置整体的散热性降低的问题。

当薄地形成包覆衬底103背面的密封树脂103的厚度(T5)时，需要散热性得到提高。但是，当将密封树脂103的厚度T5设为0.5mm以下时，存在通过注入成型形成密封树脂103的模制工序中，树脂不能到达衬底101背面的问题。

另外，为提高散热性，将衬底101的背面露出到外部时，存在不能确保衬底101的绝缘性的问题。另外，也存在难于增强衬底101和密封树脂的连接强度的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而构成的，本发明的主要目的在于，提供兼具散热性和耐热性的电路装置。

本发明提供电路装置，其具有，电路衬底，其由金属材料构成且上表面及下表面由绝缘层包覆，并且在侧面露出所述金属材料；电路，其由形成于包覆所述电路衬底的所述绝缘层的上表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电路，并且，在使所述电路衬底的下表面部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的上表面、侧面及下表面的周边部；金属衬底，其以将从所述密封树脂露出的所述电路衬底的下表面全面包覆的方式固定该下表面，并且下表面和所述密封树脂的下表面位于同一平面上。

在本发明的电路装置中，所述电路衬底和所述电路通过使部分地除去所述绝缘层而露出的所述电路衬底和所述导电图案经由金属细线连接来电连接。

在本发明的电路装置中，所述电路衬底与接地电位连接。

在本发明的电路装置中，在所述金属衬底下表面形成氧化膜。

在本发明的电路装置中，形成由所述金属衬底的露出面及所述密封树脂构成的平坦面。

在本发明的电路装置中，所述电路衬底的下表面至少距外周端部2mm以内的周边部由所述密封树脂包覆。

在本发明的电路装置中，在所述金属衬底的下表面固定有散热装置。

根据本发明，利用密封树脂包覆电路衬底下表面的周边部。因此，通过包覆下表面的密封树脂产生拉桩效果，可提高密封树脂和电路衬底的粘结强度。

另外，根据本发明，以将电路衬底的下表面从密封树脂露出的状态，可充分确保电路衬底和外部的耐压性。因此，可提供兼具散热性和耐压性的电路装置。

附图说明

图1(A)是表示本发明的混合集成电路装置的立体图，(B)是剖面图，(C)是剖面图；

图2是表示本发明的混合集成电路装置的剖面图；

图3(A)-(C)是表示本发明的混合集成电路装置的剖面图；

图4(A)-(D)是表示本发明的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；

图5(A)-(D)是表示本发明的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；

图6(A)-(E)是表示本发明的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；

图7(A)-(D)是表示本发明的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；

图8(A)是表示本发明的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，(B)是剖面图；

图9是表示现有的混合集成电路装置的剖面图。

符号说明

10混合集成电路装置

11电路衬底

12绝缘层

12A第一绝缘层

12B第二绝缘层

13导电图案

14密封树脂

15电路元件

15A半导体元件

15B片状元件

16金属衬底

17金属细线

18连接部

19粘结剂

21散热片

22模型

22A上模型

22B下模型

23空腔

24凸部

25引线

26A第一导电箔

26B第二导电箔

27抗蚀剂

具体实施方式

参照图1说明本发明的混合集成电路装置10的结构。首先，在矩形的电路衬底11表面形成有第一绝缘层12A。然后，在第一绝缘层12A的表面形成有规定形状的导电图案13。进一步，在导电图案13的规定位置，经由焊锡或导电膏电连接半导体元件15A及片状元件15B。形成于电路衬底11表面的导电图案13、半导体元件15A及片状元件15B由密封树脂14包覆。

电路衬底11是由铝或铜等金属构成的衬底。作为一例，在采用由铝构成的衬底作为电路衬底11时，电路衬底11的表面被钝化处理。由此，提高第一绝缘层12A和电路衬底11的粘结性。另外，利用形成导电图案13时的蚀刻工序，可保护电路衬底11的表面。电路衬底11的具体的大小例如为长×宽×厚＝61mm×4.25mm×1.5mm程度。

第一绝缘层12A覆盖电路衬底11的表面整个区域。绝缘层12由高充填了Al₂O₃等填充物的环氧树脂构成。由此，可经由电路衬底11将内装的电路元件产生的热有效地放出到外部。第一绝缘层12A的具体的厚度例如为50μm程度。利用该厚度的绝缘层12，可确保4KV的耐压(绝缘破坏耐压)。

第二绝缘层12B覆盖电路衬底11的背面而形成。第二绝缘层12B的组成可以与第一绝缘层12A相同。通过由第二绝缘层12B包覆电路衬底11的背面，可确保电路衬底11背面的耐压性。因此，即使在散热片等散热装置与电路衬底11背面接触的情况下，也可通过第二绝缘层12B将散热片和电路衬底11绝缘。

导电图案13由铜等金属构成，形成于第一绝缘层12A的表面，以实现规定的电气电路。另外，在导出引线25的边上形成由导电图案13构成的焊盘。

连接部18是导电图案13和电路衬底11电连接的部位。具体的连接部18的结构是，经由金属细线17将贯通第一绝缘层12A设置的孔的底部与导电图案13连接。通过经由连接部18将导电图案13和电路衬底11导通，可使两者的电位一致。由此，使寄生电容降低，形成于电路衬底11表面的电气电路的动作稳定。例如，电路衬底11经由连接部18与接地电位连接。

半导体元件15A及片状元件15B的电路元件被固定于导电图案13的规定位置。半导体元件15A采用晶体管、LSI芯片、二极管等。在此，半导体元件15A和导电图案13经由金属细线17连接。片状元件15B采用片状电阻或片状电容等。另外，片状元件15B采用电感、热敏电阻、天线、振荡器等在两端具有电极部的元件。另外，树脂密封型的封装等也可以作为电路元件固定在导电图案13上。

引线25固定在设于电路衬底11周边部的焊盘上，具有与外部进行输入·输出的作用。在此，在一个侧面固定有多个引线25。另外，引线25既可以从电路衬底11的四个边导出，也可以从相对的两个边导出。

密封树脂14通过使用热硬性树脂的传递模制形成。在图1(B)中，利用密封树脂14将导电图案13、半导体元件15A、片状元件15B、金属细线17密封。而且，利用密封树脂14包覆电路衬底11的表面及侧面。另外，在电路衬底11的背面，利用密封树脂13仅包覆周边部。而且，电路衬底11的中央部附近没有被密封树脂14覆盖，而露出到外部。

参照图1(B)，电路衬底11的背面通过密封树脂14覆盖周边部附近。图面中，L1表示由密封树脂14覆盖的区域的宽度。该L1的长度根据要求的耐压而变化，但优选设为2mm～3mm程度以上。由此，可确保电路衬底11端部P的耐压。具体地说，L1的长度为2mm时，可将端部P的耐压确保2KV。另外，L1的长度为3mm时，可将端部P的耐压确保3KV。另外，包覆电路衬底11背面的部分的密封树脂14的厚度T1例如为0.3mm程度。

在本实施例中，通过由密封树脂14包覆电路衬底11背面的周边部，可确保电路衬底11端部P的耐压性。具体地说，在电路衬底11的表面及背面全面地形成第一绝缘层12A及第二绝缘层12B。因此，电路衬底11的表面及背面的耐压性被确保。与此相对，电路衬底11的侧面没有被树脂层包覆，而露出金属面。由此，为确保电路衬底11的绝缘，需要防止电路衬底11的侧面(特别是端部P)经由电路衬底11和密封树脂14的分界面与外部短路。因此，在本实施例中，在电路衬底11背面的周边部形成有密封树脂14，以使端部P与外部分开。即，形成密封树脂14，使其包覆端部P。因此，电路衬底11整体的耐压性被确保。

另外，在本实施例中，密封树脂14仅包覆电路衬底11背面的周边部，电路衬底11背面的其它区域露出到外部。因此，由驱动半导体元件15A等而产生的热经由电路衬底11良好排出到外部。另外，通过由密封树脂14包覆电路衬底11背面的周边部，产生拉桩效果，得到提高电路衬底11和密封树脂14的粘结强度的效果。

参照图1(C)，在此，电路衬底11的背面没有被绝缘层包覆。因此，电路衬底11的背面从密封树脂14露出到外部。根据该结构，虽不能确保电路衬底11的耐压性，但可提高装置整体的散热性。另外，由密封树脂14包覆电路衬底11背面的周边部，从而提高电路衬底11和密封树脂14的粘结强度。

参照图2，在混合集成电路装置10的下部固定有散热片21。散热片21由铜或铝等金属构成。在此，在露出的电路衬底11背面固定有金属衬底16。而且，经由金属衬底16，散热片21的上表面与混合集成电路装置10的下部连接。根据该结构，半导体元件15A等电路元件产生的热经由电路衬底11、金属衬底16及散热片21排出到外部。如上所述，由于电路衬底11背面的周边部被密封树脂14包覆，故可充分确保电路衬底11的端部P的耐压。因此，将散热片21和电路衬底11绝缘。

参照图3进一步说明混合集成电路装置10的结构。

参照图3(A)，在从密封树脂14露出的电路衬底11的背面固定有金属衬底16。在此，在包覆电路衬底11背面的第二绝缘层12B上粘贴有金属衬底16。由此，在混合集成电路装置10的背面形成有由密封树脂14及金属衬底16构成的平坦面。因此，可使混合集成电路装置10的背面容易地接触散热片等散热装置。金属衬底16的材料采用铜、铝等热传导性优良的金属。另外，在装置的背面形成有由包覆金属衬底11周边部的密封树脂14和金属衬底16的背面构成的平坦面。

参照图3(B)，在此，在第二绝缘层12B的背面粘贴有金属膜20。而且，经由粘结剂19在金属膜20上固定有金属衬底16。金属膜20采用铜等金属。在此，粘结剂可采用焊锡。

参照图3(C)，在此，露出的电路衬底11的背面与金属衬底16接触。另外，金属衬底16由在表面及背面形成有氧化膜29的铝衬底构成。氧化膜29由通过阳极氧化形成的钝化膜构成。在此，电路衬底11的厚度为1.5mm程度，与此相对，金属衬底16的厚度例如为0.5mm程度。另外，氧化膜29的厚度例如为10μm程度。

通过在金属衬底16的表面形成氧化膜29，可提高粘结金属衬底16和第二树脂层12B的强度。另外，通过在金属衬底16的背面形成氧化膜29，可抑制露出的金属衬底16的背面损伤。

采用了图3的各图所示的两片金属衬底的电路装置由于其散热性优良，故适用于例如车载等模块中。即，在高密度地安装高输出的功率元件和控制该功率元件的电路、微处理器时，导电图案总会形成为多层。此时，将导电图案绝缘的树脂的热电阻大。因此，作为对策，如果向将导电图案绝缘的树脂中混入填充物，使两片金属衬底露出，则可实现散热性高，且密封性优良的封装。

参照图4～图8说明上述结构的混合集成电路装置10的制造方法。

参照图4(A)，首先，在电路衬底11的表面形成导电图案13。在电路衬底11的表面形成有第一绝缘层12A，且在背面形成有第二绝缘层12B。而且，通过蚀刻粘贴于第一绝缘层12A上的导电膜，形成规定形状的导电图案13。

在此，只形成有一层导电图案，但是经由绝缘膜也可以在此上形成二层以上的导电图案。

参照图4(B)，其次，将电路元件与导电图案13电连接。在此，半导体元件15A及片状元件15B与导电图案13连接。另外，还形成有将导电图案13和电路衬底11连接的连接部18。另外，在电路衬底11的背面经由粘结剂19固定金属衬底16。金属衬底16的端部和电路衬底11的端部通过上述的距离L1分开。由此，可确保电路衬底11端部和金属衬底16的耐压。

参照图4(C)，其次，形成密封树脂，使其密封形成于电路衬底11表面的电气电路。在此，通过使用了上模型22A及下模型22B的传递膜模制形成密封树脂。本工序的树脂密封在使金属衬底16的背面接触下模型22B的表面的状态下进行。因此，在电路衬底11的下方，仅在对应周边部的区域A1充填密封树脂。由于该区域A1的宽度为2mm～3mm程度，故密封树脂容易填充。因此，可抑制部分地不进行树脂密封而产生空腔。

参照图4(D)说明进行树脂密封的其它方法。在此，在电路衬底11的背面不设置金属衬底16。而且，使电路衬底11的背面接触设于下模型22B上的凸部24，进行树脂密封。凸部24与除周边部之外的区域的电路衬底11背面接触。因此，电路衬底11背面的周边部由密封树脂覆盖。而且，与凸部24接触的部分的电路衬底11背面从密封树脂14露出到外部。

其次，参照图5说明其它混合集成电路装置的制造方法。在此，利用金属膜20保护电路衬底11的背面。

参照图5(A)，首先，在电路衬底11的表面形成导电图案13。进而在电路衬底11的背面形成金属膜20。导电图案13及金属膜20可通过蚀刻粘贴于电路衬底11两面的导电箔而形成。在导电图案13和金属膜20的厚度相同的情况(例如100μm程度)下，可通过蚀刻同时形成两者。在金属膜20比导电图案13厚的情况下，分别蚀刻两者。

通过在电路衬底11的背面形成金属膜20，可保护第二绝缘膜12B。如果在制造工序的途中第二绝缘层12B部分地损伤时，则该部分的耐压性降低，有可能产生短路。在本实施例中，通过由金属膜20包覆背面的第二绝缘膜12B，抑制第二绝缘层12B损伤。电路衬底11的周边部没有被金属膜20覆盖。但是，通过利用金属膜20形成的台阶，电路衬底11的周边部以浮起的状态在制造工序中进行搬运。因此，未利用金属膜20覆盖的区域的第二绝缘膜12B也抑制损伤的产生。

参照图5(B)，其次，将电路元件与导电图案13电连接。关于该工序的详细说明与图4(B)的相同。

参照图5(C)，其次，进行树脂密封。在此，经由粘接剂19将金属衬底16固定在金属膜20上。而且，以将金属衬底16的下表面与下模型22B接触的状态，进行树脂密封。通过固定金属衬底16，可将电路衬底11周边部下方的区域A1的厚度确保为0.3mm程度以上。因此，可使密封树脂充分地到达在区域A1上。

参照图5(D)，在此，使金属膜20的背面接触设于下模型22B上的凸部24。而且，电路衬底11背面的周边部没有与凸部24接触。通过以该状态进行树脂密封，从而电路衬底11背面的周边部由密封树脂14包覆。而且，金属膜20从包覆树脂露出到外部。

参照图6说明其它混合集成电路装置的制造方法。在此，形成于背面的金属膜20比表面的导电图案13厚。

参照图6(A)，首先，准备表面及背面粘贴有导电箔的电路衬底11。在电路衬底11的表面，经由第一绝缘层12A在整个面上形成第一导电箔26A。第一导电箔26A的厚度与予定形成的导电图案13相同，例如为100μm程度。在电路衬底11的背面，经由第二绝缘层12B在整个面上粘贴第二导电箔26B。第二导电箔26B的厚度例如为300μm程度。

参照图6(B)，其次，蚀刻第一导电箔26A，形成导电图案13。具体地说，在由抗蚀剂27选择性地包覆第一导电箔26的表面后，通过蚀刻形成导电图案13。在该工序中，背面的第二导电箔26B的整个面由抗蚀剂27覆盖，没有进行蚀刻。在此，由于第一导电箔26A和第二导电箔26B的厚度不同，因此，分别进行蚀刻。如果同时进行两者的蚀刻，则产生薄的第一导电箔26A被过渡蚀刻的问题。

参照图6(C)，其次，蚀刻形成于电路衬底11背面的第二导电箔26B，形成金属膜20。在此，除去位于电路衬底11周边部的第二导电箔26B。而且，形成从电路衬底11终端部以距离L1(2mm～3mm程度)离开的金属膜20。由前工序形成的导电图案13以由抗蚀剂27覆盖其整个面的状态，进行本工序的蚀刻。

通过上述的工序形成导电图案13及金属膜20后，如图6(D)所示，进行半导体元件15A及片状元件15B的固定。另外，如图6(E)所示，在使金属膜20的背面与下模型22B接触的状态下进行树脂密封。关于这些工序的详细说明与上述的工序相同。

经过上述模制工序的混合集成电路装置10通过使用炉加热的后硫化工序使密封树脂硬化。而且，完成例如图1所示的混合集成电路装置。另外，在本实施例中，由于密封树脂14包覆了包括背面的衬底，故可抑制密封树脂14的硬化收缩造成的电路衬底11的挠曲。

下面，参照图7及图8说明图3(C)所示的混合集成电路装置的制造方法。

参照图7(A)，首先，在电路衬底11的表面及背面粘贴导电箔26及金属衬底16。在此，导电箔26经由第一绝缘层12A粘贴于电路衬底11的表面。金属衬底16经由第二绝缘层12B粘贴于电路衬底11的背面。作为一例，导电箔26的厚度为70μm程度，电路衬底11的厚度为1.5mm程度，金属衬底16的厚度为0.5mm程度。另外，第一绝缘层12A及第二绝缘层12B的厚度为50μm～60μm程度。

电路衬底11的大小为能够将例如数十个程度单元32配置成矩阵状的大小。在此，单元是指构成一个混合集成电路装置的部位。

电路衬底11及金属衬底16可采用铝、铜、铁等。在此，作为一个实施例，采用将表面及背面进行了钝化处理的铝衬底作为电路衬底11及金属衬底16。

电路衬底11的表面及背面由氧化膜28覆盖。该氧化膜28是含有Al₂O₃的钝化膜，厚度为1μm～5μm程度。这样，通过薄地形成氧化膜29，可减小氧化膜产生的热电阻。

金属衬底16的表面及背面由10μm程度厚度的氧化膜29包覆。通过将氧化膜29的厚度设定地较厚，在之后的蚀刻工序中，可保护金属衬底16的背面，使其不被蚀刻剂损伤。另外，可抑制搬运电路衬底11的工序中，损伤金属衬底16的背面。

参照图7(B)，其次，在对应各单元分界的位置形成分离槽30。在此，通过使用截割锯的切割，研削除去金属衬底16及形成于其背面的氧化膜29。在此，分离槽30的深度比金属衬底16的厚度浅。在此，在具有0.5mm程度厚度的金属衬底16上形成深度0.4mm程度的分离槽30。因此，在设有分离槽30的区域，剩余厚度0.1mm程度的金属衬底16。

如上所述，通过剩余金属衬底16的厚度部分而形成分离槽30，可防止位于金属衬底上表面的第二绝缘层12B损伤。具体地说，由于分离槽30通过使用截割锯的切割形成，故在金属衬底16的厚度方向多少会伴随误差，形成分离槽30。因此，在形成与金属衬底16的厚度相同程度的深度的分离槽30时，截割锯有可能损伤第二绝缘膜12B。如果第二绝缘膜12B被损伤，电路衬底11背面的耐压性劣化。因此，在本实施例中，通过将分离槽30的深度浅地设定为不分断金属衬底16的程度，从而保护第二绝缘膜12B不被截割锯损伤。

分离槽30的宽度L2设定为图1(B)等所示的距离L1的两倍程度以上，具体地说，设为4mm～6mm程度以上。由此，在各单元32中，可确保电路衬底11和金属衬底16的绝缘。

参照图7(C)，其次，通过进行蚀刻，对导电箔26进行构图，形成导电图案13。进一步，除去形成有分离槽30的区域的金属衬底16的剩余部分的厚度部分。

导电图案13通过经由形成于导电箔26上部的抗蚀剂进行蚀刻而形成。另外，本工序的蚀刻是将电路衬底11整体浸渍于蚀刻剂中进行的。

在本工序中，分别进行导电箔26和金属衬底16的蚀刻。其理由是，用于由铜构成的导电箔26的蚀刻的酸性蚀刻剂与作为金属衬底16的材料的铝接触时，产生氢气，造成危险。具体地说，在蚀刻导电箔26，形成导电图案13时，露出铝的分离槽30由抗蚀剂包覆。另外，在除去形成有分离槽30的区域的金属衬底16的剩余部分的厚度部分时，导电图案13通过抗蚀剂保护。在此，也可以同时进行两者的蚀刻，在该情况下，可减少工序数。

参照图7(D)，其次，将各单元32的电路衬底11分离。电路衬底的分离通过冲压截割、切割、折曲等进行。在此，通过切割或折曲分离电路衬底11时，也可以在各单元32分界的电路衬底11上从表面及背面形成分离槽。由此，可容易地分离各电路衬底。

参照图8(A)，其次，在导电图案13上电连接电路元件。在此，将半导体元件15A及片状元件15B固定在导电图案上。另外，半导体元件15A经由金属细线17与导电图案13电连接。另外，该工序也可以在分离各单元32之前进行。

参照图8(B)，其次，形成密封树脂，使其包覆电路衬底11。首先，使位于电路衬底11下表面的金属衬底16的背面与下模型22B接触。而且，通过使上模型22A与下模型22B接触，将电路衬底11收纳于空腔23的内部。金属衬底16被粘贴于除周边部之外的区域的电路衬底11背面。因此，电路衬底11的周边部根据金属衬底16的厚度从下模型22B分开。由此，注入空腔23内的密封树脂到达电路衬底下方的区域A1上。

通过上述的工序制造图3(A)所示的混合集成电路装置。

Claims (7)

1.一种电路装置，其特征在于，具有：电路衬底，其由金属材料构成且上表面由绝缘层包覆，整个下表面由绝缘层包覆，并且在侧面露出所述金属材料；电路，其由形成于包覆所述电路衬底的所述绝缘层的上表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电路，并且，在使所述电路衬底的下表面部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的上表面、侧面及下表面的周边部；金属衬底，其以将从所述密封树脂露出的所述电路衬底的下表面全面包覆的方式固定在该下表面，并且下表面和所述密封树脂的下表面位于同一平面上；

所述金属衬底通过所述绝缘层固定在所述电路衬底上，并且所述金属衬底的端部从露出所述金属材料的所述电路衬底的端部后退，在与该后退部分对应的电路衬底的下表面覆盖有所述绝缘层。

2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底和所述电路，通过使部分地除去所述绝缘层而露出的所述电路衬底和所述导电图案经由金属细线连接来电连接。

3.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底与接地电位连接。

4.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，在所述金属衬底下表面形成氧化膜。

5.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，形成由所述金属衬底的露出面及所述密封树脂构成的平坦面。

6.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底的下表面中，至少距外周端部2mm以内的周边部由所述密封树脂包覆。

7.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，在所述金属衬底的下表面固定有散热装置。

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