[go: up one dir, main page]

CN1755899A - 电极形成方法 - Google Patents

电极形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1755899A
CN1755899A CNA2005101080521A CN200510108052A CN1755899A CN 1755899 A CN1755899 A CN 1755899A CN A2005101080521 A CNA2005101080521 A CN A2005101080521A CN 200510108052 A CN200510108052 A CN 200510108052A CN 1755899 A CN1755899 A CN 1755899A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
ito
light
tin oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005101080521A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100472723C (zh
Inventor
吉田和广
长谷川恭孝
加贺广持
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Publication of CN1755899A publication Critical patent/CN1755899A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100472723C publication Critical patent/CN100472723C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10W72/019—
    • H10W72/90—
    • H10W72/923—
    • H10W72/952—
    • H10W72/983—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供一种透光性高、电阻低的透光性电极的制造方法。半导体发光元件(100)是在蓝宝石衬底上依次层叠了缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、高载流子浓度n+层(104)、n型层(105)、发光层(106)、p型层(107)、p型接触层(108)而形成的，具有在至少存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成、且之后进行烧制而形成的由ITO构成的透光性电极(110)。

Description

电极形成方法
技术领域
本发明涉及一种层叠III族氮化物类化合物半导体而形成的半导体元件的电极形成方法，特别涉及形成由氧化铟锡(ITO)构成的透光性电极的方法。
背景技术
目前，III族氮化物类化合物半导体元件一般使用非导电性的蓝宝石衬底，n电极、p电极都形成在半导体元件层一侧。在此，在所谓的正装式III族氮化物类化合物半导体元件中，在p型层表面使用例如由合金化了的金(Au)和钴(Co)构成的薄膜透光性电极，从形成有电极的一侧取出光。但是，Au/Co薄膜透光性电极的光透射率为60％左右，光取出效率不充分。
另一方面，作为III族氮化物类化合物半导体元件的透光性电极，人们提出了使用氧化铟锡(ITO)。
【专利文献1】日本特许第3394488号公报
【专利文献2】日本特开2003-17748号公报
关于氧化铟锡(ITO)，用于III族氮化物类化合物半导体元件时的特性还不十分清楚，而且，需要开发用于形成电极的最佳条件。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种作为III族氮化物类化合物半导体发光元件的透光性电极而由氧化铟锡(ITO)构成的电极的形成方法。
为了解决上述课题，根据方案1所记载的方法，其特征在于：在层叠了III族氮化物类化合物半导体而形成的半导体元件的电极的形成方法中，电极由氧化铟锡(ITO)构成，在至少存在氧的气氛下，利用电子束蒸镀法或者离子电镀法来蒸镀该氧化铟锡(ITO)。
另外，根据方案2所记载的方法，其特征在于：在上述氧化铟锡(ITO)膜形成之后，以大于或等于300℃的温度进行烧制。此外，根据方案3所记载的方法，其特征在于：上述氧化铟锡(ITO)膜的形成在大于或等于0.01Pa的氧气气氛下进行。
另外，根据方案4所记载的方法，其特征在于：在由氧化铟锡(ITO)构成的电极之上形成用于引线接合的焊盘电极，作为该焊盘电极的最下层，形成包含镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)和铝(Al)中的至少一种的膜。
如下所示，本发明人发现：通过在存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法蒸镀ITO，能形成最佳的透光性电极。之后，利用加热进行ITO的烧制，由此，能形成透光性高、电阻率低的电极。另外还发现，如果在形成ITO时使氧气大于或等于0.06Pa，则不进行烧制，就能形成透光性高、电阻率低的电极。
虽然需要与由ITO构成的透光性电极接近来形成用于引线接合的所谓的焊盘电极，但是，本发明人还发现：例如如果在金的厚膜电极和ITO之间设置镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)和铝(Al)，则能提高接合度。
附图说明
图1是表示本发明实施例2的半导体发光元件100的结构的剖视图。
符号说明如下：
100半导体发光元件     101蓝宝石衬底           102缓冲层
103非掺杂GaN层      104高载流子浓度n+层     105n型层
106发光层             107p型层                108p型接触层
110透光性p电极(ITO)   130保护膜               140n电极
具体实施方式
作为本发明的主要特征的ITO，Sn的比例以2～20％为好。ITO的厚度以10nm～10μm为好。如果小于10nm，则电流的扩散不充分，而且容易产生剥离。另外，如果超过10μm，则光透射性劣化。ITO的厚度，更理想的是100nm～5μm，最好是200nm～2μm。
ITO膜形成时的氧气压力，理想的是0.01Pa～10Pa，更理想的是0.03Pa～2Pa，最好是0.05Pa～1Pa。如果大于或等于0.01Pa，则能形成电阻值低的电极。另外，利用后工序的烧制，能得到大于或等于80％的光透射度。如果使氧气压力大于或等于0.06Pa，则不经过后工序的烧制也能得到大于或等于90％的光透射度。烧制可以在300℃～1000℃下进行。如果低于300℃，则烧制的效果不充分，如果超过1000℃，则将导致半导体元件的特性劣化。更理想的是500℃～900℃，最好是600℃～800℃。另外，烧制最好是在惰性气体气氛下，特别是在氮气气氛下进行。
对于用于引线接合的焊盘电极，可以用厚膜的金(Au)形成。厚度在0.5～3μm的范围内任意地设定。在主要由金(Au)形成焊盘电极时，如果在与由ITO构成的透光性电极之间形成镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或铝(Al)，则焊盘电极与由ITO构成的透光性电极的接合度提高。特别是在使用了镍(Ni)时，接合度变得更高。
本发明涉及的III族氮化物类化合物半导体发光元件，除了与上述发明的主要结构有关的限定之外，可以采用任意的结构。另外，发光元件可以是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)，光电耦合器、其它任意的发光元件。特别是，作为本发明涉及的III族氮化物类化合物半导体发光元件的制造方法，可以使用任意的制造方法。
具体地讲，作为晶体生长的衬底，可以使用蓝宝石、尖晶石、Si、SiC、ZnO、MgO或者III族氮化物类化合物单晶体等。作为使III族氮化物类化合物半导体层晶体生长的方法，分子束气相生长法(MBE)、有机金属气相生长法(MOVPE)、氢化物气相生长法(HVPE)、液相生长法等是有效的。
在发光层为多重量子阱构造时，可以包含由至少包含铟(In)的III族氮化物类化合物半导体AlxGayIn1-x-yN(0≤x＜1，0＜y≤1)构成的阱层。发光层的结构，例如包括由掺杂或非掺杂的GayIn1-yN(0＜y≤1)构成的阱层、由带隙比该阱层大的任意组成的III族氮化物类化合物半导体AlGaInN构成的阻挡层。作为优选例，为非掺杂的GayIn1-yN(0＜y≤1)的阱层和由非掺杂的GaN构成的阻挡层。
电极形成层等III族氮化物半导体层可以由III族氮化物类化合物半导体形成，该III族氮化物类化合物半导体是至少用AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)来表示的2元类、3元类或4元类半导体构成。另外，这些III族元素的一部分也可以用硼(B)、铊(Tl)置换，还可以用磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)置换一部分氮(N)。
另外，在使用这些半导体来形成n型的III族氮化物类化合物半导体层时，作为n型杂质可以添加Si、Ge、Se、Te、C等，作为p型杂质可以添加Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等。
根据以上的本发明的方法，能有效地、或者合理地解决上述课题。
【实施例1】
首先，为了示出由本发明的电极形成方法带来的提高ITO的光透射性和抑制薄膜电阻的效果，进行以下的实验。以氧化锡和氧化铟的混合物(氧化锡5％)为靶，利用电子束蒸镀法在蓝宝石衬底上形成膜厚300nm的ITO。此时，在使蒸镀装置内部形成小于或等于1×10-2Pa的高真空后，以4种压力导入氧气，分别形成ITO。氧气压力采用0.0Pa(即不导入氧气)、0.005Pa、0.015Pa、0.06Pa、0.1Pa的5种。之后，对波长470nm的蓝色光的光透射性和薄膜电阻进行测量。接着，分别在氮气气氛下以400℃烧制10分钟，之后再次测量光透射性和薄膜电阻。其结果示于表1中。另外，光透射性是以蓝宝石衬底的光透射性为100％时的相对值。
(续下一页)
表1
  ITO形成时有无氧气 有无烧制 透明度％ 电阻值Ω/□
无   无   65  100
  有   100+  102
  有(0.005Pa)   无   60  24
  有   90  27
  有(0.015Pa)   无   57  15
  有   88  16
  有(0.06Pa)   无   93  16
  有   92  18
  有(0.1Pa)   无   96  14
  有   96  8
在形成ITO时不导入氧气的情况下，光透射性在烧制的前后存在显著的差别。即，在烧制前，光透射性停留在65％，但是烧制后，达到100％。另一方面，薄膜电阻为100Ω/□左右，在烧制前后几乎没有差别。
在存在0.005Pa的氧气的情况下形成ITO时，光透射性在烧制的前后存在显著的差别。即，在烧制前，光透射性停留在60％，但是烧制后，达到90％。另外，薄膜电阻在烧制前后几乎没有差别，为27Ω/□左右，虽然还有改善的余地，但还是比较好的。
在存在0.015Pa的氧气的情况下形成ITO时，光透射性在烧制的前后存在显著的差别。即，在烧制前光透射性停留在57％，但是烧制后达到88％。另外，薄膜电阻在烧制前后几乎没有差别，为16Ω/□左右，是极为良好的。
在存在0.06Pa的氧气的情况下形成ITO时，光透射性、薄膜电阻在烧制的前后都几乎没有差别，是极为良好的。即，光透射性为93％左右，薄膜电阻也为16Ω/□左右。
在存在0.1Pa的氧气的情况下形成ITO时，光透射性、薄膜电阻都是极为良好的。即，光透射性在烧制的前后都为96％左右，薄膜电阻从烧制前的14Ω/□减小到8Ω/□，改善了薄膜电阻。
以上的结果是，ITO因烧制而再结晶，从而光透射性变好，通过在存在微量的氧气的情况下形成ITO，在化学量论上(stoichiometric)成为理想的ITO组成，由此，可以说明电阻值得到了抑制。如上所述，根据本发明，作为透光性电极能可形成极为良好的ITO膜。
【实施例2】
图1表示本发明实施例涉及的半导体发光元件100的示意剖视图。对于半导体发光元件100，如图1所示，在厚度约300μm的蓝宝石衬底101之上，形成有由氮化铝(AlN)构成的膜厚约15nm的缓冲膜层102，在缓冲膜层102之上形成有由非掺杂的GaN构成的膜厚约500nm的层103，在层103上形成有由掺杂了1×1018/cm3的硅(Si)构成的膜厚约5μm的n型接触层104(高载流子浓度n+层)。
另外，在该n型接触层104之上形成有掺杂了1×1017/cm3的硅(Si)的膜厚25nm的由n型Al0.15Ga0.85N构成的n型层105。进而，在n型层105之上层叠有3对膜厚3nm的由非掺杂In0.2Ga0.8N所构成的阱层1061、和膜厚20nm的由非掺杂GaN构成的阻挡层1062，而形成多重量子阱构造的发光层106。
进而，在该发光层106之上形成有由掺杂了2×1019/cm3的Mg的膜厚25nm的p型Al0.15Ga0.85N构成的p型层107。在p型层107之上形成有由掺杂了8×1019/cm3的Mg的膜厚100nm的p型GaN构成的p型接触层108。
另外，在p型接触层108之上形成有由ITO构成的透光性p电极110，在n型接触层104上形成有n电极140。透光性p电极110由与p型接触层108直接接合的膜厚约300nm的ITO构成。
厚膜p电极120，是通过从透光性p电极110之上依次层叠膜厚约30nm的由镍(Ni)构成的第一层121、膜厚约1.5μm的由金(Au)构成的第二层122、膜厚约10nm的由铝(Al)构成的第三层123而构成的。
多层构造的n电极140，是通过从n型接触层104部分露出的部分之上层叠膜厚约18nm的由钒(V)构成的第一层141、和膜厚约100nm的由Al构成的第二层142而构成的。
半导体发光元件，在蓝宝石衬底上依次外延生长了缓冲层102、非掺杂GaN层103、高载流子浓度n+层104、n型层105、发光层106、p型层107、p型接触层108，在进行了用于形成n电极140的刻蚀之后，如下面这样进行电极形成。
首先，用光致抗蚀剂形成掩膜，该掩膜在要形成透光性p电极(ITO)110的区域形成了窗口，之后，以氧化锡和氧化铟的混合物(氧化锡5％)为靶，利用电子束蒸镀法在氧气压力为0.06Pa下形成了膜厚300nm的由ITO构成的透光性p电极110。接着，在氮气气氛下进行600℃、5分钟的烧制。之后，除去光致抗蚀剂。
接着，用光致抗蚀剂形成掩膜，该掩膜在要形成厚膜p电极120的区域形成了窗口，之后，在透光性p电极110之上依次形成膜厚约30nm的由镍(Ni)构成的第一层121、膜厚约1.5μm的由金(Au)构成的第二层122、膜厚约10nm的由铝(Al)构成的第三层123。然后，除去光致抗蚀剂。
完全一样地用光致抗蚀剂形成掩膜，该掩膜在要形成厚膜n电极140的区域形成了窗口，之后，在露出高载流子浓度n+层103的区域形成膜厚约18nm的由钒(V)构成的第一层141、和膜厚约100nm的由铝(Al)构成的第二层142。然后，除去光致抗蚀剂。
接着，对透光性p电极(ITO)电极110、厚膜p电极120、n电极140进行加热处理。最后，形成由SiO2构成的保护膜130。并且，保护膜130也可以使用SiNx来替代SiO2。
【比较例】
准备如下这样形成的比较用的半导体发光元件：即，在上述实施例中，代替透光性p电极(ITO)110，而通过从最下层依次层叠9的Co、29的Au、9的Co、30的Au这样的4层而形成薄膜透明电极，并代替厚膜p电极120，而从最下层依次形成膜厚40nm的Au、膜厚30nm的Cr、膜厚650nm的Au、膜厚10nm的Al。然后，与上述半导体发光元件100比较物性。此时，安装在Ag基座上，并用透明银浆料覆盖。
具有层叠了4层Au/Co/Au/Co并合金化了透明电极的比较用的半导体发光元件，驱动电压为3.15V，光度为77mcd，全放射束为3.4mW，与此相对，本发明涉及的图1的半导体发光元件100，驱动电压为3.27V，光度为146mcd，全放射束为7.6mW。即，相对于具有Au/Co薄膜透明电极的半导体元件，本发明的具有由ITO构成的透光性电极的半导体发光元件，驱动电压几乎没有变化，而且光度和全放射束显著提高。

Claims (4)

1.一种电极形成方法，是层叠III族氮化物类化合物半导体而形成的半导体元件的电极的形成方法，该方法的特征在于：
上述电极由氧化铟锡构成，
在至少存在氧的气氛下，利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成该氧化铟锡。
2.根据权利要求1所述的电极形成方法，其特征在于：在上述氧化铟锡膜形成之后，在高于或等于300℃的温度下进行烧制。
3.根据权利要求1所述的电极形成方法，其特征在于：在大于或等于0.01Pa的氧气气氛下进行上述氧化铟锡膜的形成。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的电极形成方法，其特征在于：
在由上述氧化铟锡构成的电极之上，形成用于引线接合的焊盘电极，
作为该焊盘电极的最下层，形成包含镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)和铝(Al)中的至少一种的膜。
CNB2005101080521A 2004-09-30 2005-09-29 电极形成方法 Expired - Lifetime CN100472723C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004288974 2004-09-30
JP2004288974A JP4254681B2 (ja) 2004-09-30 2004-09-30 電極形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1755899A true CN1755899A (zh) 2006-04-05
CN100472723C CN100472723C (zh) 2009-03-25

Family

ID=36126119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101080521A Expired - Lifetime CN100472723C (zh) 2004-09-30 2005-09-29 电极形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7344967B2 (zh)
JP (1) JP4254681B2 (zh)
KR (1) KR100754099B1 (zh)
CN (1) CN100472723C (zh)
TW (1) TWI287305B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194956A (zh) * 2010-03-09 2011-09-21 上海蓝光科技有限公司 蒸镀ito的方法
CN102683538A (zh) * 2011-03-06 2012-09-19 维亚甘有限公司 发光二极管封装和制造方法
CN102124574B (zh) * 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5232970B2 (ja) * 2006-04-13 2013-07-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ
JP5326225B2 (ja) * 2006-05-29 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
DE102006054069A1 (de) * 2006-09-26 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
EP1906461B1 (de) * 2006-09-26 2020-03-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
JP2009164233A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Rohm Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2009231549A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
TWI407596B (zh) * 2009-03-06 2013-09-01 榮創能源科技股份有限公司 側邊散熱型發光二極體及其製程
JP5434343B2 (ja) * 2009-07-31 2014-03-05 豊田合成株式会社 Ｉｔｏ電極の形成方法、半導体素子のｉｔｏ電極及びｉｔｏ電極を備えた半導体素子
JP2011035314A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法
US9502612B2 (en) 2009-09-20 2016-11-22 Viagan Ltd. Light emitting diode package with enhanced heat conduction
JP5992174B2 (ja) * 2011-03-31 2016-09-14 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR20140001332A (ko) * 2012-06-26 2014-01-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2014165337A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法
TWI581452B (zh) 2014-10-24 2017-05-01 Nat Chunghsing Univ High light extraction rate of light-emitting diodes, conductive films, and conductive films The production method
JP2018046301A (ja) * 2017-12-14 2018-03-22 ローム株式会社 発光素子および発光素子パッケージ
DE102018111889A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112020001856T5 (de) * 2019-04-09 2021-12-23 Ams Ag On-chip-integration von indiumzinoxid (ito)-schichten für ohmschen kontakt zu bond-pads

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482216A (en) * 1980-11-11 1984-11-13 Citizen Watch Co., Ltd. Solid state complementary electrochromic display devices
US5157540A (en) * 1990-07-11 1992-10-20 Toray Industries, Inc. Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it
US6351068B2 (en) * 1995-12-20 2002-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same
JP3693468B2 (ja) * 1997-07-23 2005-09-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3394488B2 (ja) 2000-01-24 2003-04-07 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP2003017748A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US6995401B2 (en) * 2002-10-23 2006-02-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
KR20040065503A (ko) * 2003-01-14 2004-07-22 삼성코닝 주식회사 인듐주석 산화물 막의 형성방법
JP4512940B2 (ja) * 2003-12-24 2010-07-28 三菱マテリアル株式会社 錫ドープ酸化インジウム微粒子分散液とその製造方法、および該分散液を用いた熱線遮蔽性を有する合わせガラス用中間膜、ならびにその合わせガラス

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102124574B (zh) * 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
US8569735B2 (en) 2008-06-16 2013-10-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element, electrode and manufacturing method for the element, and lamp
CN102194956A (zh) * 2010-03-09 2011-09-21 上海蓝光科技有限公司 蒸镀ito的方法
CN102194956B (zh) * 2010-03-09 2012-08-22 上海蓝光科技有限公司 蒸镀ito的方法
CN102683538A (zh) * 2011-03-06 2012-09-19 维亚甘有限公司 发光二极管封装和制造方法
CN102683538B (zh) * 2011-03-06 2016-06-08 维亚甘有限公司 发光二极管封装和制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4254681B2 (ja) 2009-04-15
TW200616260A (en) 2006-05-16
CN100472723C (zh) 2009-03-25
KR20060051745A (ko) 2006-05-19
TWI287305B (en) 2007-09-21
KR100754099B1 (ko) 2007-08-31
US7344967B2 (en) 2008-03-18
JP2006108164A (ja) 2006-04-20
US20060073692A1 (en) 2006-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100472723C (zh) 电极形成方法
KR100872281B1 (ko) 나노와이어 구조체를 이용한 반도체 발광소자 및 그제조방법
KR100750933B1 (ko) 희토류 금속이 도핑된 투명 전도성 아연산화물의나노구조를 사용한 탑에미트형 질화물계 백색광 발광소자및 그 제조방법
JP5220984B2 (ja) トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法
CN101312228B (zh) 半导体发光元件及其制造方法
KR101221281B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN100401539C (zh) 氮化物基发光装置及其制造方法
CN1606177A (zh) 氮化物基发光器件及其制造方法
KR20050086390A (ko) 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법
TW201110413A (en) Light emitting device, production method, lamp, electronic equipment and mechanical equipment
WO2011108484A1 (ja) 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置
CN1645633A (zh) 氮化物发光器件及其制造方法
EP1821347B1 (en) Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same
CN100505342C (zh) 发光二极管芯片
CN1753197A (zh) 氮化镓发光二极管结构
CN1753199A (zh) 氮化镓系发光二极管
WO2011132394A1 (ja) 発光ダイオード
KR101480552B1 (ko) 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
CN1969394A (zh) pn结型化合物半导体发光二极管
JP5433507B2 (ja) 半導体発光素子
CN101000940A (zh) 半导体发光元件及其制造方法
TWI455355B (zh) Light emitting diode structure
JP5636693B2 (ja) 半導体素子の製造方法
CN1787239A (zh) 一种发光二极管结构
CN100342559C (zh) 氮化镓系发光二极管的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090325