CN1667714A - 光记录方法、光记录装置及光记录介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光记录方法，即使加快记录速度也能得到良好的记录特性，再者，即使进行1次或多次重写也能够维持记录特性良好。在向光记录介质(A)的记录层(3)上的记录区的一次也未记录信息的未记录部上照射再现光时、未记录部的反射率设为R0，向未记录部上照射了1次具有擦除功率的光后照射再现光时、未记录部的反射率设为R1的情况下，采用使式1.000＜R1/R0＜1.030成立的最佳擦除功率作为擦除功率来进行光记录。
Description
技术领域
本发明涉及通过照射光(例如激光)来记录、擦除、再现信息的光记录方法、光记录装置及光记录介质。本发明特别提供一种光记录方法、光记录装置及光记录介质，在光盘、光卡等可改写的相变型记录介质上以高线速度(高倍速)来进行光记录时能得到良好的重写特性。
此外，提供一种光记录方法、光记录装置及光记录介质，在相变型记录介质上，以从低线速度(低倍速)到高线速度(高倍速)的多个线速度中选择出的线速度来进行光记录时，在多个线速度中的任一个线速度上都能得到良好的重写特性。
背景技术
所谓相变型光记录介质，例如是近年出现的CD-RW、DVD-RW或DVD-RAM，是能够改写信息的介质。尤其是DVD-RW或DVD-RAM主要用于记录、改写影像信息这样的信息量大的信息。对相变型光记录介质，除了要求优良的记录特性以外，还要求优良的重写特性。
现有的可改写的相变型光记录介质的结构及记录方法如下所述。
相变型光记录介质的结构是，在以具有记录/再现或擦除用的各功率的激光被照射到的面为底面的基板上，至少依次层叠了介质层、记录层、介质层、反射层。在这样构成的相变型光记录介质上，通过在记录时用记录功率的激光将记录脉冲施加(照射)到记录层上来熔融、急冷记录层，从而形成非结晶的记录标记。该记录标记的反射率低于结晶状态的记录层的反射率，所以能够以光学方式读取该记录标记作为记录信息。在擦除该记录标记的情况下，通过照射比记录功率小的功率(擦除功率)的激光，使记录层达到结晶温度以上、熔点以下的温度，从非结晶状态变为结晶状态，来擦除记录标记，使得能够重写。
在日本特开2002-237089号公报和特开2003-200665号公报中，以高速记录时的优良的抖动特性和重写特性为目的，提出了一种使未记录部的反射率低于记录部的反射率的光记录方法和光记录介质。然而，本发明人通过研究判明，只用所提出的光记录方法和光记录介质在高线速度(例如DVD4倍速以上)上不能得到足够的重写特性(特别是第1次重写的特性)。
近年来，出现了支持DVD1倍速的多倍(例如4倍速)的光记录介质，能够以从多个线速度中选择出的线速度来记录记录信息。为了支持这种多速化，在日本特开2000-155945号公报中，提出了一种记录方法，使低线速度记录时的记录功率Pwl和擦除功率Pel之间的功率比(Pel/Pwl)小于高线速度记录时的记录功率Pwh和擦除功率Peh之间的功率比(Peh/Pwh)。但是本发明人通过研究得知，在该方法中，在高线速度记录时，擦除功率Peh高，所以应成为结晶部的部分非晶化，记录特性比初次记录时恶化。此外，即使为了防止该非晶化而进行了加快记录膜组分的结晶速度等调整，擦除功率Peh也高，所以容易发生记录膜的偏析，在1千次以上的重复记录时反射率降低，记录特性恶化，对重写来说不理想。
在日本特开2002-92889号公报中，提出了一种记录方法，使擦除功率Pe与记录线速度或记录功率无关而保持恒定。但是，本发明人通过研究得知，在以低线速度、中线速度及高线速度进行记录时，各个线速度有最佳擦除功率值，所以不能在很宽(低～高)的线速度上得到良好的记录特性。
在日本特开2001-297481号公报中，提出了一种关系，在低线速度上的功率比(Pe/Pw)L、中线速度上的功率比(Pe/Pw)ref以及高线速度上的功率比(Pe/Pw)H中，(Pe/Pw)ref＞(Pe/Pw)H＞(Pe/Pw)L。但是，本发明人通过研究得知，在该方法中，特别是在低线速度上擦除功率小，所以少次数的重写特性不好。
专利文献1：日本特开2002-237089号公报
专利文献2：日本特开2003-200665号公报
专利文献3：日本特开2000-155945号公报
专利文献4：日本特开2002-92889号公报
专利文献5：日本特开2001-297481号公报
如上所述，使未记录部的反射率低于记录后/擦除后的反射率的现有的光记录方法、或预先降低初始化后的未记录部的反射率的现有的光记录介质在高速记录时重写后的抖动特性不够，难以充分确保重写特性。
此外，支持光记录介质的多速化的现有的记录方法是下述方法，记录线速度越高则越增大功率比，或者使功率比在中线速度上最大、在低线速度上最小，或者使擦除功率在任一个线速度上都保持恒定。但是在这些方法中，由于高记录线速度上的擦除功率Peh大，所以难以充分确保初次记录特性或重写特性；或者由于低记录线速度上的擦除功率PeL低，所以难以充分确保重写特性。
发明内容
因此，本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种光记录方法、光记录装置及光记录介质，即使加快记录速度(例如DVD4倍速(线速度：14m/s)以上的高线速度记录)也能得到良好的记录特性，还能够良好地维持1次或多次的重写记录特性。
此外，其目的在于提供一种光记录方法、光记录装置及光记录介质，通过在以多个速度下进行记录时规定各记录线速度上的记录条件，在从低记录线速度到高记录线速度(例如从DVD1倍速的低线速度到DVD4倍速(线速度：14.0m/s)以上的高线速度的记录)上都能得到良好的记录特性，还能够良好地维持1次或多次的重写特性。
为了解决上述课题，本发明提供下面的(a)～(s)的光记录方法、光记录装置及光记录介质。
(a)一种光记录方法，将记录信息记录在相变型光记录介质A的记录层3上，其包括：调制步骤，调制上述记录信息来生成调制数据；标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及记录步骤，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；在向上述记录层上的一次也未记录记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1的情况下，上述记录步骤采用使下述(1)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)
成立的最佳擦除功率作为上述擦除功率。
(b)如(a)所述的光记录方法，设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是
0.20≤ε≤0.40。
(c)一种光记录装置，将记录信息记录在相变型光记录介质A的记录层3上，其包括：编码器42，调制上述记录信息来生成调制数据；标记长度生成部41，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及记录部400，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；在向上述记录层上的一次也未记录记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1的情况下，上述记录步骤采用使下述(1)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)
成立的最佳擦除功率作为上述擦除功率。
(d)如(c)所述的光记录装置，其具有保存部451，保存表示上述最佳擦除功率的识别信息；上述记录部根据上述保存部中保存的上述识别信息来决定上述最佳擦除功率。
(e)如(c)所述的光记录装置，其具有读取部34，读取在上述光记录介质的规定区域写入的表示上述最佳擦除功率的识别信息；上述记录部根据上述读取部读取的上述识别信息来决定上述最佳擦除功率。
(f)如(c)所述的光记录装置，其具有反射率检测部46，求出上述R0和与多个上述擦除功率对应的多个上述R1，从上述R0和多个上述R1的组合中，选择使上述(1)式成立的组合；上述记录部根据上述反射率检测部选择出的组合来决定上述最佳擦除功率。
(g)如(c)至(f)中任一项所述的光记录装置，设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是
0.20≤ε≤0.40。
(h)一种光记录介质，是相变型光记录介质A，其包括：记录层3，通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；
在向上述记录层上的一次也未记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1、向上述未记录部上照射了10次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R10的情况下，上述记录层由初始化激光进行初始化，使得作为上述擦除功率，下述(1)、(2)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)
0.030＜R10/R0-R1/R0＜0.150 …(2)
成立。
(i)如(h)所述的光记录介质，在设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，设上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比为ε(ε＝Pe/Pw)时，向规定区域上写入了用于满足
0.20≤ε≤0.40
的信息。
(j)如(h)或(i)所述的光记录介质，将上述初始化激光的功率除以上述初始化激光的照射面积、再除以上述初始化激光的扫描速度所得的值设为初始化激光功率密度Di时，上述记录层以
1.20≤Di≤1.55
的条件被初始化。
(k)一种光记录方法，将记录信息记录在相变型光记录介质A的记录层3上，其包括：调制步骤，调制上述记录信息来生成调制数据；标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及记录步骤，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；上述记录步骤以从第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh中选择的对上述记录层的记录线速度来进行记录，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录中，上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第l记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
(l)如(k)所述的光记录方法，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录和以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
(m)如(k)或(1)所述的光记录方法，其特征在于，上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
(n)一种光记录装置，将记录信息记录在相变型光记录介质A的记录层3上，其包括：编码器42，调制上述记录信息来生成调制数据；标记长度生成部41，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及记录部400，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；上述记录部以从第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh中选择的对上述记录层的记录线速度来进行记录，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述记录部中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录中，上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
(o)如(n)所述的光记录装置，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述记录部中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录和以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
(p)如(n)或(o)所述的光记录装置，其特征在于，上述记录部中的以上述第1记录线速度V1进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
(q)一种光记录介质，是相变型光记录介质(A)，其包括：记录层3，通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案包括：从擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的记录功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲Ttop、Tmp，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲Tcl；在上述记录层的规定区域记录着表示第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh上的各记录功率和擦除功率的识别信息，其中Vl＜Vm＜Vh，上述识别信息、和上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
(r)如(q)所述的光记录介质，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述识别信息满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
(s)如权利要求(q)或(r)所述的光记录介质，上述识别信息满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
发明效果
即使加快记录速度，也能得到良好的记录特性，再者，即使进行1次或多次重写也能够良好地维持记录特性。
此外，即使在记录线速度的多速度化中也能得到良好的记录特性，再者，即使进行1次或多次重写也能够良好地维持其特性。
附图说明
图1是表示相变型光记录介质的制造设备300或用制造设备300进行的制造/初始化工序的图。
图2是本发明的光记录介质的一实施方式的放大剖面图。
图3是本发明的光记录介质的一实施方式的俯视图。
图4是表示记录脉冲图案的第一例的图。
图5是表示记录脉冲图案的第二例的图。
图6是表示本发明的光记录装置的一实施方式的方框图。
图7是表示初始化激光功率密度Di、和初始化后的光记录介质A的R0之间关系的图。
图8是表示图7所示的反射率区域B～D上的DOW次数和抖动之间的关系的DOW抖动特性图。
图9是表示DOW1上的抖动和功率比ε之间的关系的图。
图10是表示抖动与DOW次数的关系的DOW抖动特性图。
图11是表示实施例D-1及各比较例D的各记录线速度上的DOW9抖动的关系的图。
图12是表示实施例E-1及各比较例E的各记录线速度上的DOW9抖动的关系的图。
图13是表示各实施例F及各比较例F中的DOW1抖动和系数A之间的关系的图。
图14是表示各实施例G及各比较例G中的DOW1抖动和系数A之间的关系的图。
图15是表示信号强度的图。
图16是表示本发明的光记录介质的另一实施方式的放大剖面图。
具体实施方式
图1是表示用于制造相变型光记录介质的制造设备300或用制造设备300进行的制造/初始化工序的图。在制造装置100(制造工序)中制造相变型光记录介质，在初始化装置200(初始化工序)中对相变型光记录介质进行初始化。经过初始化工序的相变型光记录介质作为光记录介质A而出厂。
作为相变型光记录介质，有DVD-RW等相变型光盘、光卡等可反复重写信息的介质。其中，在以下的说明中，作为相变型光记录介质的一实施方式，使用相变型光盘(光记录介质A)，当然对此外的光卡等具有同样结构的相变型光记录介质也能够应用本发明。
<光记录介质的结构>
图2是本发明一实施方式的光记录介质A的放大剖面图。光记录介质A的基本结构是，在以记录/再现或擦除用激光入射的入射面1a为底面的基板1上，依次层叠了第1保护层2、记录层3、第2保护层4、反射层5、第3保护层6。
作为基板1的材料，可以使用各种透明的合成树脂、透明玻璃等。为了避免尘埃的附着或基板1的划伤等的影响，使用透明的基板1，用会聚的激光从基板1的入射面1a侧向记录层3上记录信息。作为这种基板1的材料，例如有玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。特别是聚碳酸酯由于光学双折射及吸湿性小、容易成形，所以较理想。
基板1的厚度没有特别的限制，但是考虑到与DVD兼容，0.01mm～0.6mm较理想，尤其是0.6mm最理想(DVD的总厚度为1.2mm)。这是因为，如果基板1的厚度低于0.01mm，则即使在从基板1的入射面1a侧用聚焦的激光来进行记录的情况下，也容易受污物的影响。此外，如果对光记录介质的总厚度没有限制，则在实用上处于0.01mm～5mm的范围内即可。这是因为，如果在5mm以上，则难以增大物镜的数值孔径，照射激光的光点尺寸大，所以难以提高记录密度。
基板1可以是柔性的，也可以是刚性的。柔性的基板1可用于带状、片状、卡状的光记录介质。刚性的基板1可用于卡状、或盘状的光记录介质。
第1保护层2及第2保护层4具有保护基板1、记录层3不受热的效果，例如防止在记录时基板1、记录层3等受热变形而使记录特性恶化等，或者起通过光学干涉效应来改善再现时的信号对比度的效果。
第1保护层2及第2保护层4对于记录/再现或擦除用的激光分别是透明的，折射率n处于1.9≤n≤2.3的范围内较理想。再者，从热特性方面来看，第1保护层2及第2保护层4的材料为SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的单质及混合物较理想。尤其是ZnS和SiO2的混合膜，由于即使重复记录、擦除，记录灵敏度、C/N、擦除率等也不容易恶化，所以特别理想。
此外，第1保护层2及第2保护层4可以不是同一材料、组成，由不同材料构成也无妨。
第1保护层2的厚度大致处于5nm～500nm的范围内。再者，为了难以从基板1或记录层3剥离，难以产生裂纹等缺陷，第1保护层2的厚度处于20nm～300nm的范围内较理想。如果比20nm薄，则难以确保盘的光学特性；如果比300nm厚，则生产率低。其中，更理想的是30nm～80nm的范围。
为了使C/N、擦除率等记录特性好，能够稳定地改写多次，第2保护层4的厚度处于5nm～40nm的范围内较理想。如果比5nm薄，则记录层3难以保温，所以最佳记录功率上升；如果比40nm厚，则导致重写特性恶化。更理想的是8nm～20nm的范围。
记录层3是在Ag-In-Sb-Te合金、Ge-In-Sb-Te合金、或Ge-In-Sb-Te合金中含有Ag或Si、Al、Ti、Bi、Ga中至少一种的合金层。此外，记录层3的层厚为10nm～25nm较理想。如果层厚比10nm薄，则结晶速度降低，高速记录特性差；如果比25nm厚，则在记录时需要大的激光功率。
可以设置与记录层3的单面、或双面相接的界面层。作为界面层的材料，不含硫很重要。如果将含硫的材料用作界面层，则由于反复重写，界面层中包含的硫有时会扩散到记录层3中，记录特性恶化，所以不理想。此外，从擦除特性欠佳这一点来看也不理想。
作为界面层的材料，包含氮化物、氧化物、碳化物中的至少1种的材料较理想，具体地说，包含氮化锗、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化铬、碳化硅、碳中的至少1种的材料较理想。此外，也可以使这些材料含有氧、氮、氢等。上述的氮化物、氧化物、碳化物也可以不是化学计量成分，也可以氮、氧、碳过剩或不足。由此，界面层的特性有时会提高，例如界面层难以剥离，耐保存性等提高等。
作为反射层5的材料，有具有光反射性的Al、Au、Ag等金属，以这些金属为主成分、包含由1种以上的金属或半导体组成的添加元素的合金，以及向这些金属中混合了Al、Si等金属氮化物、金属氧化物、金属硫族化物等金属化合物而成的材料等。
尤其是Al、Au、Ag等金属、及以这些金属为主成分的合金光反射性高，而且能够提高导热系数，所以较理想。作为合金的例子，一般有向Al中混合了Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等中的至少1种元素而成的合金，或者向Au或Ag中混合了Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In、Ca等中的至少1种元素而成的合金。但是在考虑到高线速度记录的情况下，从记录特性方面来看，以导热系数较高的Ag为主成分的金属或合金较理想。
其中，在反射层5采用了纯银或银合金的情况下，为了抑制AgS化合物的生成，与反射层5相接的层采用不含S的材料较理想。
反射层5的厚度根据形成反射层5的材料的导热系数的大小而变化，但是50nm～300nm较理想。如果反射层5的厚度在50nm以上，则反射层5在光学上不变化，不影响反射率的值；如果反射层5的厚度增加，则对冷却速度影响很大。此外，形成超过300nm的厚度在制造上需要时间。因此，通过采用导热系数高的材料，将反射层5的层厚尽量控制在最佳范围内。
这里，在第2保护层4采用ZnS和SiO2的化合物、反射层5采用Ag或Ag合金的情况下，在第2保护层4和反射层5之间插入扩散防止层(未图示)较理想。这是为了抑制由于第2保护层4中的S和反射层5中的Ag之间的化学反应而生成的AgS化合物造成的反射率降低。
作为扩散防止层的材料，与上述界面层同样，是不含硫的材料很重要，具体材料与界面层的材料相同。
<光记录介质的制造方法>
接着，描述制造装置100中制造光记录介质的方法。
作为将第1保护层2、记录层3、第2保护层4、反射层5等层叠在基板1上的方法，有公知的真空中的薄膜形成法。例如是真空蒸镀法(电阻加热型或电子束型)、离子镀法、溅射法(直流或交流溅射、反应溅射)，特别是溅射法容易控制组成、层厚，所以较理想。
此外，使用在真空箱内对多个基板1同时成膜的分批法、或逐片处理基板1的片叶式成膜装置较理想。形成的第1保护层2、记录层3、第2保护层4、反射层5等的层厚控制能通过控制溅射电源的接通功率和时间、或者用石英振荡型膜厚计监视沉积状态来容易地进行。
此外，第1保护层2、记录层3、第2保护层4、反射层5等的形成，可以在固定或移动、旋转基板1的任一种状态下进行。由于层厚在面内的均匀性优良，所以使基板1自转较理想，与公转组合更理想。如果在必要时冷却基板1，则能够减少基板1的翘度。
此外，在不显著损害本发明效果的范围内，也可以在形成了反射层5等之后，为了防止已经形成的各层变形等，在必要时设置采用ZnS、SiO2等的介质层或采用紫外线固化树脂等的树脂保护层作为第3保护层6。
此后，也可以再准备1片同样形成了各层的基板1，将2片基板1用粘接剂等粘合，做成双面光记录介质。
接着，描述初始化装置200对光记录介质进行初始化的方法。如上所述，在本实施方式中，光记录介质A经初始化装置200的初始化工序后出厂。初始化是向记录层3照射激光、氙闪光灯等的光来加热，使记录层3的构成材料结晶。由于再现噪声少，所以用激光来进行初始化较理想。
在本实施方式中，用于得到光记录介质A的初始化条件(初始化激光的扫描线速度及功率)有一个特征。后面将对此进行描述。
图3示出光记录介质A的俯视图。光记录介质A具有中心孔、和其外周的夹持区52。在夹持区52的外周的同心圆上设有信息区(导入区)53，其更外周的区域为用于记录影像信息或声音信息等实际数据的记录区54。这里，导入区53可以是ROM状态或RAM状态中的任一种。此外，也有通过在用于得到跟踪信号的激光引导槽中形成高频摆动或凹坑来保存再现专用的记录信息的方法。
在导入区53中，记录着用于使光记录介质A得到良好特性的记录条件作为识别信息。识别信息例如是后述的形成记录标记时所用的激光的激光强度、或后述表示(4)式、(5)式、(6)式那样的关系的记录条件。
<光记录介质的记录方法>
图4示出向光记录介质A上记录信息时使用的记录脉冲图案。根据记录脉冲图案用三值(记录功率Pw、擦除功率Pe、最低功率Pb)激光强度对激光进行调制，对应于记录信号的标记长度来增减脉冲数，将期望的标记长度的记录标记形成在记录层3上。在激光强度中，记录功率Pw最大，擦除功率Pe次之，最低功率Pb最小。
记录脉冲图案如图4所示，由下述脉冲组成：先头脉冲Ttop，从擦除功率Pe上升，最初以记录功率Pw向记录层3施加激光；多脉冲Tmp，接着先头脉冲Ttop，交替施加记录功率Pw和最低功率Pb；以及擦除脉冲Tcl，位于末端，使激光从最低功率Pb上升来施加擦除功率Pe。先头脉冲Ttop和多脉冲Tmp是用于在记录层3上形成记录标记的记录脉冲。其中，有时也没有多脉冲Tmp，只用先头脉冲Ttop来形成记录脉冲。
例如在DVD-RW中，标记长度有3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T这10种。在标记长度为nT的情况下，多脉冲Tmp的数目一般是(n-1)或(n-2)。在图4中示出了(n-2)的情况。这里，所谓T，是单位时钟，在DVD-RW中，在DVD1倍速时(记录线速度：3.5m/s)1T＝38.2ns，在DVD4倍速时(记录线速度：14.0m/s)1T＝9.6ns。
此外，随着近年的高速化记录，单位时钟T缩短至数ns量级，考虑到激光脉冲的上升/下降响应限度，也可以采用图5所示的以2T为基准的记录脉冲图案。在图5中示出用于形成记录脉冲A具有3T的标记长度、记录脉冲B具有11T的标记长度、记录脉冲C具有14T的标记长度的记录标记的记录脉冲图案。
<光记录装置>
图6示出用于将具有期望的记录脉冲图案的激光照射到光记录介质A上的本发明一实施方式的光记录装置。
首先，主轴电机31使光记录介质A旋转。旋转控制部32进行控制，使得主轴电机31的转速为与目的记录速度对应的记录线速度。此外，光记录介质A的记录/再现或擦除所用的半导体激光器(LD)33、包括会聚照射LD 33的激光的物镜(未图示)及例如四分割感光元件(未图示)的光头34，被设置成在光记录介质A的半径方向上可移动自如。
其中，作为本实施方式的光记录装置所用的记录用的光源，激光、闪光灯光那样高强度的光源较理想。尤其是半导体激光的光源能够小型化，功耗小，容易调制，所以较理想。
光头34的四分割感光元件接收从LD 33照射到光记录介质A上的激光的反射光。四分割感光元件根据接收到的光来生成推挽信号，输出到摆动检测部36。此外，四分割感光元件根据接收到的光，将聚焦误差信号及跟踪误差信号输出到驱动控制器44。再者，四分割感光元件的合成信号即再现信号被输出到反射率检测部46。
驱动控制器44根据被供给的聚焦误差信号及跟踪误差信号来控制致动器控制部35。致动器控制部35控制光头34对光记录介质A的聚焦及跟踪。
反射率检测部46根据被供给的再现信号来检测反射率，将检测结果输出到系统控制器45。在存储器451中未存储有表示最佳擦除功率Pe的识别信息的情况下，系统控制器45如后所述地根据反射率来控制Pe驱动电流源431e。
摆动检测部36包括可编程带通滤波器(BPF)361，将检测出的摆动信号输出到地址解调电路37。地址解调电路37根据检测出的摆动信号对地址进行解调并输出。输入了解调出的地址的记录时钟生成部38具有PLL合成器电路381，生成记录通道时钟并输出到记录脉冲生成部39及脉冲数控制部40。
记录时钟生成部38由驱动控制器44来控制。驱动控制器44也控制旋转控制部32、致动器控制部35、摆动检测部36、地址解调电路37及系统控制器45。
驱动控制器44将从摆动检测部36供给的摆动信号输出到记录时钟生成部38。此外，将从地址解调电路37供给的地址信息输出到系统控制器45。
系统控制器45具有存储器451，控制EFM+编码器42、标记长度计数器41、脉冲数控制部40及LD驱动部43。EFM+编码器42对输入的记录信息进行8-16调制作为调制数据，输出到记录脉冲生成部39和标记长度计数器41。标记长度计数器41作为根据调制数据对规定的标记长度进行计数的标记长度生成部来工作，将其计数值输出到记录脉冲生成部39和脉冲数控制部40。脉冲数控制部40根据被供给的计数值和记录通道时钟来控制记录脉冲生成部39，使得记录脉冲成为规定的脉冲。
记录脉冲生成部39包括先头脉冲控制信号生成部39t、多脉冲控制信号生成部39m以及擦除脉冲控制信号生成部39c。先头脉冲控制信号生成部39t生成先头脉冲控制信号，多脉冲控制信号生成部39m生成多脉冲控制信号，擦除脉冲控制信号生成部39c生成擦除脉冲控制信号。各个控制信号被供给到LD驱动部43，开关部431通过根据被供给的控制信号来开关记录功率Pw的驱动电流源431w、擦除功率Pe的驱动电流源431e、最低功率Pb的驱动电流源431b，从而生成记录脉冲图案。
Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e及Pb驱动电流源431b根据在系统控制器45的存储器451中存储的记录功率Pw、擦除功率Pe及最低功率Pb，向光头34供给电流。这三值是用于使光记录介质A的记录特性保持良好的最佳值，表示该最佳值的识别信息被预先保存在存储器451中，或者通过更新来保存，或者也可以利用反射率检测部46求出并保存。其中，存储器451例如是ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)或可记录的RAM(Ramdom Access Memory，随机存取存储器)。
本实施方式的光记录装置能够对应光记录介质的高线速度(高倍速)化来设定从多个记录线速度中选择出的记录线速度。系统控制器45被输入了用于选择记录线速度(倍速模式)的指示信号后，根据存储器451中存储的所指示的记录线速度的识别信息，与上述同样来控制Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e及Pb驱动电流源431b。在存储器451中如上所述地保存着多个记录线速度的识别信息。
其中，如后述的(4)式、(5)式、(6)式所示的识别信息也被保存在存储器451中。
生成的记录脉冲图案被输入到光头34中。光头34通过进行控制，使得LD 33输出期望的记录脉冲图案及功率比ε(Pw/Pw)的LD发光波形，将记录信息记录到光记录介质A上。
记录脉冲生成部39、LD驱动部43以及光头34根据标记长度计数器41生成的标记长度，来生成由从擦除功率Pe上升的、且在比擦除功率Pe大的记录功率Pw和比擦除功率Pe小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲、和从最低功率Pb向擦除功率Pe上升的擦除脉冲组成的记录脉冲图案，作为按照记录脉冲图案从LD 33向记录层3照射记录光来记录表示记录信息的记录标记的记录部400来工作。
<最佳擦除功率的讨论>
本发明人估计擦除功率Pe可能会影响光记录介质的记录及重写特性，根据下述实施例A-1～A-3及比较例A-4～A-6发现，该估计是正确的，有使记录及重写特性达到最好的最佳擦除功率。
在以下的各实施例及各比较例中，用搭载了波长为658nm的激光二极管、NA＝0.60的光学透镜的PulseTech公司(普斯特电器有限责任公司)制造的光盘驱动器测试仪(DDU1000)进行了记录(单光束重写)和再现。
记录信号用8-16(EFM+)调制随机图案进行了记录再现评价。比特长度是0.267μm/比特，进行与DVD-ROM同密度的记录，容量相当于4.7G字节。记录是在包含相邻光道在内进行了10次重写后，以其再现信号的振幅的中心进行限幅，测定时钟对数据抖动(クロツク·トウ一·デ一タ·ジツタ)。其中，再现光的激光功率Pr是0.7mW，保持恒定。
此外，记录策略采用图4所示的符合DVD-RW Version1.1的规定的分割脉冲序列。
(实施例A-1)
在直径为120mm、板厚为0.6mm的聚碳酸酯树脂制造的基板1上，形成了后述各层。在基板1上以信道间距0.74μm形成了空槽。该槽深度是25mm，槽宽和岸(land)宽之比大约是40∶60。其中，槽从记录/再现或擦除用激光的入射方向来看为凸状。
首先，将真空容器内排气到3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的氩气气氛中用添加了20mol％的SiO2的ZnS靶通过高频磁控管溅射法，在基板1上形成了层厚为70nm的第1保护层2。
接着，依次用Ge-In-Sb-Te的四元素单一合金靶层叠了层厚为16nm的记录层3，接着用与第1保护层2相同的材料层叠了层厚为16nm的第2保护层4，用Ag-Pd-Cu靶层叠了层厚为120nm的反射层5。
将基板1从真空容器内取出后，在该反射层5上旋涂丙烯类紫外线固化树脂(SonyChemical(索尼化学)公司制造的SK5110)，通过紫外线照射使其固化来形成3μm的第3保护层6，得到图2所示的光记录介质A。
记录层3的初始化用初始化装置200(日立计算机设备公司制造的POP120)、用径向激光宽度为250μm、扫描方向激光宽度为1.0μm的激光在扫描线速度为4.5m/s、激光功率为1600mW、进给间距为220μm的初始化条件下进行。
接着，设从LD 33向光记录介质A的记录区54上的、一次也未记录信息的未记录部上照射具有激光功率Pr的再现光(0.7mW)时未记录部的反射率为R0，向该未记录部上照射了1次具有擦除功率Pe的激光后、从LD 33照射再现用的激光时未记录部的反射率为R1，求出R0及R1。
接着，从基板1的入射面1a侧向光记录介质A的记录层3的槽中进行记录。
记录的条件即记录脉冲图案为，在线速度14m/s(DVD4倍速)时，Ttop＝0.6[T]，Tmp＝0.5[T]，Tcl＝0.0[T]。此外，激光的激光强度采用记录功率Pw＝17.0[mW]、擦除功率Pe＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]这三值。
本实施例A-1中所用的光记录介质A的R0是17.4，照射1次擦除功率Pe＝4.6[mW]的激光后的R1是17.7(R1/R0＝1.017)。将本实施例A-1中测定出的值归纳示于表1(实施例A-1)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，初次记录(DOW0)抖动是6.5％，重写1次(DOW1)抖动是8.0％，重写9次(DOW9)抖动是7.5％。再者，虽然未记载，约1万次重写(DOW10000)时的抖动为8.5％，即使重写，特性也始终稳定，记录特性良好。
这里所述的重写是单光束重写，是指用1次激光扫描来擦除以前形成的记录标记，重新形成记录标记。而DOW0(Direct Over Write：重写)是在初始化过的光记录介质A的未记录部上形成记录标记的初次记录，DOW1是再在那里形成记录标记的第1次重写。此外，抖动将对差错率的不良影响少的10％以下的值作为良好，将从DOW0到DOW10000(从初次记录到重写1万次)都能稳定地得到10％以下的抖动定义为良好的DOW抖动特性。
【表1】
(实施例A-2)
用与实施例A-1相同的光记录介质A，在除了将擦除功率Pe变更为3.8[mW]以外、其它与实施例A-1相同的条件下进行了记录、评价。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝3.8[mW]的激光后的R1是17.5(R1/R0＝1.006)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，DOW0的抖动是6.8％，DOW1的抖动是8.6％，DOW9的抖动是7.9％。再者，虽然未记载，DOW10000抖动为9.2％，即使重写，特性也始终稳定，记录特性与实施例A-1同样良好。
(实施例A-3)
用与实施例A-1相同的光记录介质A，在除了将擦除功率Pe变更为5.6[mW]以外、其它与实施例A-1相同的条件下进行了记录、评价。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝5.6[mW]的激光后的R1是17.9(R1/R0＝1.029)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，DOW0抖动是7.0％，DOW1抖动是8.7％，DOW9抖动是8.4％。再者，虽然未记载，DOW10000抖动为9.5％，即使重写，特性也始终稳定，记录特性与实施例A-1同样良好。
(比较例A-4)
用与实施例A-1相同的光记录介质A，在除了将擦除功率Pe变更为6.0[mW]以外、其它与实施例A-1相同的条件下进行了记录、评价。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝6.0[mW]的激光后的R1是18.0(R1/R0＝1.034)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，DOW0抖动是8.8％，DOW1抖动是10.8％，DOW9的抖动是9.0％。再者，虽然未记载，DOW10000抖动是12.2％，在DOW1和DOW10000中抖动超过了影响差错率的10％，记录特性恶化。
(比较例A-5)
用与实施例A-1相同的光记录介质A，在除了将擦除功率Pe变更为3.2[mW]以外、其它与实施例A-1相同的条件下进行了记录、评价。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝3.2[mW]的激光后的R1是17.4(R1/R0＝1.000)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，DOW0抖动为9.8％，DOW1抖动为11.1％，DOW9的抖动为10.8％，在DOW1和DOW9中抖动超过了10％，记录特性恶化。
(比较例A-6)
用与实施例A-1相同的光记录介质A，在除了将擦除功率Pe变更为6.8[mW]以外、其它与实施例A-1同样地进行了记录、评价。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝6.8[mW]的激光后的R1是18.2(R1/R0＝1.046)。
初始特性及重写记录特性如表1所示，DOW0抖动是8.8％，DOW1抖动是12.3％，DOW9的抖动是9.8％，再者，虽然未记载，DOW10000抖动为14.4％，在DOW1和DOW10000中抖动超过了影响差错率的10％，记录特性恶化。
根据以上判明，在设从LD 33向记录区54上的一次也未记录信息的未记录部上照射再现用的激光时、未记录部的反射率为R0，向未记录部照射了1次具有擦除功率Pe的激光后从LD 33照射再现用的激光时、未记录部的反射率为R1，如果采用使下述(1)式的关系成立的最佳擦除功率Pel作为擦除功率Pe来进行光记录，则抖动在10％以下，较理想。
1.000＜(R1/R0)＜1.030 …(1)
再者也判明，如果擦除功率Pe大于满足(1)式的最佳擦除功率Pel则DOW10000抖动恶化，如果小于则DOW1抖动恶化。这是因为，在擦除功率Pe大的情况下，层构造进行可逆变化的相变型光记录介质中的记录层上的负荷过大，容易发生记录层的组成的偏析；而在擦除功率Pe小的情况下，不能完全擦除以前形成的标记。
如上所述，与重写特性的关系决定了擦除功率Pe的上下限。一般有下述倾向：越增大擦除功率Pe，则反射率R1越大。即，处于下述比例关系：越增大擦除功率Pe，则R1/R0越大。本发明人根据该关系和表1所示的实验结果发现，需要使R1/R0满足上述(1)式。
这里，说明在图6所示的光记录装置的存储器451中未保存上述最佳的3值的情况下、利用反射率检测部46来求三值的方法。
最初，从光头34向光记录介质A照射激光功率为Pr的再现光，用反射率检测部46根据从光头34的未图示的四分割感光元件供给的再现信号来检测R0。接着，照射规定的擦除功率Pe的激光，同样检测R1。R0、R1的细节如上所述。这里，存储器451预先具有规定的三值，但是它们不是光记录介质固有的最佳的三值。反射率检测部46根据检测出的R0、R1来求R1/R0。
作为检测反射率的方法的一例，用反射率检测部46通过电压值等来检测反射率R0及R1，设R0的电压值换算为V0，R1的电压值换算为V1，用反射率检测部46来计算V1/V0、即R1/R0。
在反射率检测部46算出的R1/R0值大于(1)式的情况下，系统控制器45控制Pe驱动电流源431e，以便减小擦除功率Pe。在小于(1)式的情况下，系统控制器45控制Pe驱动电流源431e，以便增大擦除功率Pe。
这样，反射率检测部46求与多个擦除功率Pe对应的多个R1及各个R1的R1/R0，选择满足(1)式的R1和R0的组合。然后将实现选择出的R1和R0的组合的擦除功率Pe作为最佳擦除功率Pel存储到存储器451中。其中，将这样求最佳擦除功率Pel称为自优化。
<最佳初始化条件的讨论>
接着，本发明人估计初始化装置200中的初始化条件可能会影响光记录介质的记录及重写特性，根据下述实施例B-1～B-5及比较例B-6～B-8发现，该估计是正确的，有使记录及重写特性达到最好的初始化条件。
初始化激光功率密度Di、和初始化后的光记录介质A的R0之间的关系如图7所示。所谓初始化激光功率密度Di，是初始化中使用的激光的激光功率除以初始化激光的照射面积、再除以初始化激光的扫描速度所得的值。反射率R0为记录信道1周的平均反射率。
区域A的初始化激光功率密度Di低，溅射后残留非晶部(As-depo)，所以DOW0的抖动特性非常差，不理想。
如果比区域A提高初始化激光功率密度Di，则非晶部消失，成为反射率变化比较少的区域B。如果进一步提高初始化激光功率密度Di，则变化为反射率变化大的区域C、反射率变化少的区域D、乃至光盘坏区。在光盘坏区上，初始化时接通的激光功率过大，所以在以记录层为中心的层上发生热造成的物理破坏。
(实施例B-1)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A。与实施例A-1同样，在扫描线速度为4.5m/s、激光功率为1600mW、进给间距为220μm的初始化条件下进行了记录层3的初始化功率密度Di＝1.42[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BH)。
除了如上所述定义的R0、R1以外，在向未记录部照射了10次具有擦除功率Pe的激光后从LD 33照射再现用的激光时、未记录部的反射率设为R10的情况下，反射率比之差(R10/R0)-(R1/R0)是0.092。各个反射率的值如表2所示。其中，检测反射率R10的方法也可以是与上述同样的方法。
与实施例A-1同样进行了测定，初始特性及重写记录特性如表2所示，DOW0抖动是6.5％，DOW1抖动是8.0％，DOW9抖动是7.5％。再者，虽然未记载，DOW10000抖动为8.5％，即使重写，特性也始终稳定，记录特性良好。
【表2】
(实施例B-2)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为激光功率为1700mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.51[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BH)。反射率比之差是0.043。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，记录特性良好。
(实施例B-3)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为激光功率为1730mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.54[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BH)。反射率比之差是0.038。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，记录特性良好。
(实施例B-4)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为激光功率为1400mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.24[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BH)。反射率比之差是0.124。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，记录特性良好。
(实施例B-5)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为激光功率为1360mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.21[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BH)。反射率比之差是0.144。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，记录特性良好。
(比较例B-6)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为激光功率为1300mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.16[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝BL)。反射率比之差是0.160。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，DOW1抖动是11.1％，较少次数的重写特性不好。
(比较例B-7)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为扫描线速度为4.0m/s、激光功率为1600mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.60[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝C)。反射率比之差是0.037。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，DOW0抖动为12.8％，DOW1抖动为10.8％，较少次数的重写特性不好。
(比较例B-8)
使用与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将初始化条件变更为扫描线速度为4.0m/s、激光功率为1800mW以外，其它与实施例B-1同样地进行了记录层3的初始化(初始化功率密度Di＝1.80[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率区域＝C)。反射率比之差是0.010。
进行了与实施例B-1同样的测定，如表2所示，DOW1抖动为16.3％，较少次数的重写特性不好。
根据以上判明，检测如上所述地定义的R0、R1及R10，用根据它算出的反射率比之差(R10/R0)-(R1/R0)满足(2)式的关系的初始化激光功率密度Di(初始化条件)对光记录介质进行初始化较理想。这样，即使进行从较少次数到多次数的重写，也能够保持良好的特性。
0.030＜(R10/R0)-(R1/R0)＜0.150 …(2)
更理想的是，
0.038≤(R10/R0)-(R1/R0)≤0.144 …(3)。
满足上述(2)式的初始化激光功率密度Di根据表2处于1.20≤Di≤1.55的范围内较理想，如果在该初始化条件下进行初始化，则反射率R0收敛在图7所示的区域BH内。
再者，在比较例B-6～B-8那样反射率比之差低于0.030、或者高于0.150的初始化条件下，初始化后的反射率区域为BL或C、D。在此情况下，初始化激光功率密度Di不在1.20≤Di≤1.55的范围，较少次数的重写特性也恶化了。此外，在比较例B-7那样反射率区域为C的情况下，初始化后同时存在BH和D的区域，所以DOW0的特性也恶化。
图8是表示反射率区域B～D上的重写次数(Overwrite：DOW)和抖动值之间的关系的DOW抖动特性图。
在基于区域D(◆)的初始化激光功率密度、即初始化激光的激光功率和扫描速度的初始化条件下，DOW0的抖动好，DOW1抖动非常差，所以不理想。在区域D上，反射率比之差低于0.030，不满足(2)式。
在区域C(●)的初始化条件下，区域D和区域BH这两者混杂，所以初始特性不稳定，如图8所示，DOW0的抖动不好。如果以较少次数反复重写，则抖动好，但是在DOW9(重写第9次)时不能得到良好的抖动，所以不理想。在区域C中，也与区域D同样，反射率比之差低于0.030，不满足(2)式。
如图7所示，在区域B上，随着初始化激光功率密度Di的增加，反射率R0平稳增加。这里，进一步划分为低反射率侧的区域BL、高反射率侧的区域BH来进行说明。在图8中，区域BL(□)上的DOW抖动特性是DOW0的抖动好，但是DOW1抖动非常差，所以不理想。在区域BL上，反射率比之差超过0.150，不满足(2)式。
另一方面，在区域BH(△)上能够得到图8所示的良好的DOW抖动特性，所以是最理想的初始化条件。再者，在区域BH上，满足(2)式的关系。
该特性良好的原因被认为是，在记录时通过施加最佳擦除功率Pel而形成的结晶状态，与初始化装置200形成的区域BH的初始化状态大致相同。
如果Di小于满足区域BH的初始化条件的初始化激光功率密度Di，则不能照射记录层的结晶所需的足够的激光功率，残留有非晶部，反射率成为图7中的区域A或BL，DOW特性恶化。再者，在区域A上反射率比之差超过0.300，不满足(2)式。另一方面，即使Di大，非晶部也过少，所以成为区域C、D，或者在高初始化激光功率密度Di时成为光盘坏区，DOW特性如上所述恶化，不理想。
根据以上，为了满足区域BH的初始化条件，初始化激光功率密度Di是1.20≤Di≤1.55较理想。
从表2可知，通过将初始化条件设为区域BH，也满足前述(1)式。这是因为，如上所述，在记录时通过施加最佳擦除功率Pel而形成的结晶状态，与初始化装置200形成的区域BH的初始化状态大致相同。
其中，对于以满足上述(1)、(2)式的条件的优选的一例、即初始化激光功率密度Di(1.20≤Di≤1.55)进行了初始化的光记录介质，采用使上述(1)式成立的最佳擦除功率更理想。
<最佳功率比ε的讨论>
根据实施例C-1～C-3及比较例C-4、C-5来进一步讨论记录光记录介质A时的最佳记录条件。
光记录介质的DOW抖动特性根据记录功率Pw和擦除功率Pe的功率比ε＝(Pe/Pw)来变化。图9示出DOW1时的抖动和功率比ε之间的关系。抖动最低、良好的是ε＝0.30附近，以0.30附近为底，不管功率比ε小还是大，抖动都上升。其中，根据图9，呈现被认为对差错率的不良影响少的10％以下的抖动的是ε＝0.20～0.40，所以理想的功率比ε的范围是0.20≤ε≤0.40。
在ε＜0.20的情况下，记录功率Pw小于擦除功率Pe，所以难以形成足够大的记录标记，其结果是不能得到足够的信号强度。在ε＞0.40的情况下，记录功率Pw过度大于擦除功率Pe，所以有交叉擦除，从而信号特性恶化，不理想。
(实施例C-1～实施例C-3)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A。初始化条件与实施例A-1相同(扫描线速度为4.5m/s，激光功率为1600mW，进给间距为220μm)，使记录时的擦除功率Pe与各实施例A同样在3.8～5.6[mW]的范围内变化。此外，使记录功率Pw也在各实施例C中变化，将功率比ε(＝Pe/Pw)设定为0.21～0.39。各个值如表3所示。
进行了与实施例A-1同样的测定，各实施例C的初始特性及重写记录特性如表3所示，DOW0抖动是6.5％～7.0％的值，DOW1抖动是8.0％～9.1％的值，DOW9抖动是7.5％～8.4％的值，DOW10000抖动为8.0％～9.8％，即使重写，特性也稳定，记录特性良好。
【表3】
(比较例C-4)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A。此外，在与实施例A-1相同的初始化条件下进行了记录层3的初始化。在记录条件中除了将记录功率Pw变更为13.0mW、将擦除功率Pe变更为5.8mW、将功率比ε设为0.45以外，进行了与实施例A-1同样的测定。如表3所示，DOW1以后的重写时抖动在13.2％以上，重写特性非常差。
(比较例C-5)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A。此外，在与实施例A-1相同的初始化条件下进行了记录层3的初始化。在记录条件中除了将记录功率Pw变更为21.0mW、将擦除功率Pe变更为3.8mW、将功率比ε设为0.18以外，进行了与实施例A-1同样的测定。如表3所示，DOW1的抖动为12.2％，DOW10000的抖动为12.4％，重写特性非常差。
根据以上各实施例C、各比较例C及图9判明，作为记录条件的功率比ε理想范围为0.20≤ε≤0.40。
图10是表示抖动与DOW次数的关系的DOW抖动特性图。在图10中，示出了功率比ε为0.3、比0.2小的0.15、以及比0.4大的0.45。在功率比ε小于0.20的情况下，擦除功率Pe过度小于记录功率Pw，所以不能充分擦除以前描绘的标记。因此，如图10的◇所示，DOW1的抖动特性不好，所以不理想。另一方面，功率比ε比0.40大的情况下，擦除功率Pe过度大于记录功率Pw，因此结晶状态不稳定，如图10的○所示，DOW1的抖动差，所以不理想。
可知，在图10所示的功率比ε是0.30的情况(△)下，抖动在任何DOW次数时都取10％以下的值。根据以上，为了得到10％以下的抖动，处于0.20≤ε≤0.40的范围内的功率比ε较理想。
如图10(◇)所示，DOW1以后的抖动特性不好，所以不理想。另一方面，在功率比ε大于0.40的情况下，擦除功率Pe过度大于记录功率Pw，所以结晶状态不稳定，如图10(○)所示，DOW1的抖动特性不好，所以不理想。功率比ε处于0.20≤ε≤0.40的范围内较理想。
将上述处于0.20以上、0.40以下的范围内的功率比ε作为最佳功率比εl，将εl预先记录到图3所示的光记录介质A的导入区53。光记录装置从导入区53读取上述最佳擦除功率Pel和最佳功率比εl等最佳记录信息，根据信息来进行记录。此外，也可以用光记录装置的系统控制器45中的存储器451中预先、或者通过更新而保存的最佳记录信息来进行记录。
这里，可以根据最佳擦除功率Pel及最佳功率比εl来求最佳记录功率Pwl。最佳记录功率Pwl也可以被包含在最佳记录信息中。
<功率比ε的讨论>
在本实施方式中，如下设定了各记录线速度上的记录功率Pw、擦除功率Pe及功率比ε(擦除/记录：Pe/Pw)。设低线速度上的记录功率为Pwl、擦除功率为Pel，中线速度上的记录功率为Pwm、擦除功率为Pem，高线速度上的记录功率为Pwh、擦除功率为Peh，设低线速度、中线速度、高线速度的功率比分别为εl(＝Pel/Pwl)、εm(＝Pem/Pwm)、εh(＝Peh/Pwh)。
这里，所谓高线速度、中线速度、低线速度，表示记录/再现或擦除用激光对光记录介质的相对扫描速度V分别是高速、中速、低速，在设各个扫描速度为Vh(高速)、Vm(中速)、Vl(低速)的情况下，Vl＜Vm＜Vh。
例如在CLV(恒定线速度)记录的情况下，可以采用Vh＝4倍速、Vm＝2倍速、Vl＝1倍速的组合，或者采用Vh＝6倍速、Vm＝4倍速、Vl＝2倍速的组合。此外，在CAV(恒定角速度)记录的情况下，是最内周和最外周之间的径向的位置差异造成的扫描速度V的差异，例如在最内周上是Vl，在最外周上是Vh，在其间的半径上是任意位置的Vm。
本发明人估计，为了使光记录介质A的记录及重写特性良好，将各记录线速度上的功率比ε(εl、εm、εh)的大小关系设为与专利文献5不同的关系可能较理想，根据下述实施例D-1～D-3及比较例D-4～D-8发现，该估计是正确的，有使记录及重写特性达到最好的功率比ε的关系。
(实施例D-1)
用上述光记录介质A，从基板1的入射面1a侧向记录层3的槽中进行了记录。
设记录线速度在低线速度记录时为3.5m/s(相当于DVD标准1倍速)，在中线速度记录时为7.0m/s(相当于DVD标准2倍速)，在高线速度记录时为14.0m/s(相当于DVD标准4倍速)，用8-16调制随机图案进行了评价。单位时钟时间T在低线速度(1x)时是38.2ns，在中线速度(2x)时是19.1ns，在高线速度(4x)时是9.6ns。
作为记录条件的记录脉冲图案，在低线速度上、即记录线速度3.5m/s上为Ttop＝0.3[T]、Tmp＝0.4[T]、Tcl＝1.3[T]。此外，激光的激光强度采用了记录功率Pw(Pwl)＝14.1[mW]、擦除功率Pe(Pel)＝7.2[mW]、最低功率Pb＝0.5[mw]这三值(εl＝0.51)。
在中线速度上、即记录线速度7.0m/s上，采用了Ttop＝0.4[T]、Tmp＝0.4[T]、Tcl＝0.9[T]，采用了记录功率Pw(Pwm)＝16.2[mW]、擦除功率Pe(Pem)＝7.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εm＝0.47)。
在高线速度上、即记录线速度14.0m/s上，采用了Ttop＝0.6[T]、Tmp＝0.5[T]、Tcl＝0.0[T]，采用了记录功率Pw(Pwh)＝17.2[mW]、擦除功率Pe(Peh)＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εh＝0.27)。
其中，本实施例D-1的功率比的关系是εh＜εm＜εl。
本实施例D-1的记录特性如表4所示。其中，以下的各实施例D及各比较例D也如表4所示。此外，在以下各实施例D及各比较例D中，低线速度都是DVD标准1倍速(1x)，中线速度都是DVD标准2倍速(2x)，高线速度都是DVD标准4倍速(4x)。
【表4】
重写第9次(Direct Over Write：DOW9)的抖动，在低线速度(1x)上为7.3％，在中线速度(2x)上为7.1％，在高线速度上(4x)为7.8％，在所有记录线速度上都低于10％，良好。作为重写特性的1000次重写后(DOW1000)的抖动在1x上为7.5％，在2x上为7.4％，在4x上为8.2％，良好，反射率也分别为21.5％、21.3％、20.2％，反射率特性也良好(表4只示出了4x(高线速度)的DOW1000的反射率)。
其中，将抖动特性不对差错率造成不良影响的抖动、即10％作为基准，在低于它的情况下认为良好，在高于它的情况下认为不好。考虑到DVD播放器等的ROM兼容性，反射率将16％以上的值为良好。
光记录介质的最佳功率比ε(εh、εm、εl)有时根据记录层3的组成而略微变动。因此，进行不同组成下的验证来显示本发明的妥当性。
(实施例D-2)
本实施例除了将记录层3的组成变更为Ga-Sb-In-Sn四元素单一合金靶以外，采用了与实施例D-1完全相同结构的光记录介质。此外，各记录线速度上的记录条件，在1x上采用了记录功率Pwl＝15.5[mW]、擦除功率Pel＝5.0[mW](εl＝0.32)，在2x上采用了记录功率Pwm＝17.0[mW]、擦除功率Pem＝4.3[mW](εm＝0.25)，在4x上采用了记录功率Pwh＝18.5[mW]、擦除功率Peh＝3.7[mW](εh＝0.20)(εh＜εm＜εl)。其他记录条件采用与实施例D-1相同的条件，测定了记录特性。
如表4所示，DOW9的抖动在1x上为7.9％，在2x上为7.6％，在4x上为8.0％，在所有线速度上都低于10％，良好。重写特性也同样良好。
(实施例D-3)
本实施例除了将记录层3的组成变更为Ag-In-Sb-Te四元素单一合金靶以外，采用了与实施例D-1完全相同结构的光记录介质。此外，各记录线速度上的记录条件，在1x上采用了记录功率Pwl＝14.0[mW]、擦除功率Pel＝9.8[mW](εl＝0.70)，在2x上采用了记录功率Pwm＝16.0[mW]、擦除功率Pem＝9.6[mW](εm＝0.60)，在4x上采用了记录功率Pwh＝17.8[mW]、擦除功率Peh＝7.1[mW](εh＝0.40)(εh＜εm＜εl)。其他记录条件采用与实施例D-1相同的条件，测定了记录特性。
如表4所示，DOW9的抖动在1x上为8.2％，在2x上为8.0％，在4x上为8.0％，在所有线速度上都低于10％，良好。重写特性也同样良好。
(比较例D-4)
除了变更为εm＝0.25(Pem＝4.1mW，εm＜εh＜εl)以外，采用了与实施例D-1完全相同的条件。进行了与实施例D-1同样的测定，如表4所示，1x、4x上的DOW9抖动与实施例D-1相同，但是在2x上抖动为25.5％，严重恶化，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使2x(中线速度)时的功率比εm＝0.25小于4x(高线速度)时的εh＝0.27，从而中线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例D-5)
除了变更为εl＝0.25(Pel＝3.5mW，εl＜εh＜εm)以外，采用了与实施例D-1完全相同的条件。进行了与实施例D-1同样的测定，如表4所示，2x、4x上的DOW9抖动与实施例D-1相同，但是在1x上抖动为25.5％，严重恶化，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使1x(低线速度)时的功率比εl＝0.25小于4x(高线速度)时的εh＝0.27，从而低线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例D-6)
除了变更为εl＝0.35(Pel＝4.9mW，εh＜εl＜εm)以外，采用了与实施例D-1完全相同的条件。进行了与实施例D-1同样的测定，如表4所示，2x、4x上的DOW9抖动与实施例D-1相同，但是1x上的抖动为11.1％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使1x(低线速度)时的功率比εl＝0.35小于2x(中线速度)时的εm＝0.47，从而低线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例D-7)
除了变更为εh＝0.60(Peh＝10.3mW，εm＜εl＜εh)以外，采用了与实施例D-1完全相同的条件。进行了与实施例D-1同样的测定，如表4所示，1x、2x上的DOW9抖动与实施例D-1相同，但是4x上的抖动为13.8％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。此外，4x上的DOW1000的反射率为14.3％，降低很多，重写也不能得到良好的特性。其原因是，由于在4x(高线速度)记录时增大了εh而过度地施加了擦除功率，所以记录层3的过冷却造成了结晶状态的恶化。
(比较例D-8)
除了变更为εl＝0.35、εh＝0.50(Pel＝4.9mW、Peh＝8.6mW，εl＜εm＜εh)以外，采用了与实施例D-1完全相同的条件。进行了与实施例D-1同样的测定，如表4所示，2x上的DOW9抖动与实施例D-1相同，但是在1x上为11.1％，在4x上抖动为13.0％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。此外，4x上的DOW1000的反射率降低为16.8％，不能得到良好的重写特性。其原因是，由于在4x(高线速度)记录时增大了εh而过度地施加了擦除功率，所以记录层3的过冷却造成了结晶状态的恶化。
根据以上结果，图11示出实施例D-1及比较例D-4～D-8的各记录线速度上的DOW9抖动的关系。其中，未图示的其余的实施例D-2以后也像可从表4中读取的那样，在所有记录线速度上，DOW9抖动在10％以下。
根据表4及图11判明，在各记录线速度上的功率比ε满足下述(4)式的关系的情况下，能得到良好的记录及重写特性。
εh＜εm＜εl …(4)
再者，本发明人根据实施例E-1～E-3及比较例E-4～E-8发现，在记录线速度与上述实施例D-1～D-3及比较例D-4～D-8中讨论过的组合(1x、2x、4x)不同的情况下，也能在上述(4)式所示的各记录线速度上的功率比ε的关系中，得到光记录介质的最好的记录及重写特性。其中，使记录层3的组成也与上述各实施例D及各比较例不同而进行了讨论。
在以下所有各实施例E及各比较例E中，低线速度都是DVD标准2倍速(2x)，中线速度都是DVD标准4倍速(4x)，高线速度都是DVD标准6倍速(6x)。
(实施例E-1)
制作了除了增加记录层3的Sb量而使结晶速度有所提高这样的变更以外、其它与实施例D-1相同的光记录介质。此外，记录线速度是，在低线速度记录时为7.0m/s(相当于DVD标准2倍速)，在中线速度记录时为14.0m/s(相当于DVD标准4倍速)，在高线速度记录时为21.0ms(相当于DVD标准6倍速)，用8-16(EFM+)调制随机图案进行了记录再现评价。单位时钟时间T在2倍速时是19.1ns，在4倍速时是9.6ns，在6倍速时是6.4ns。比特长度、再现功率Pr、及记录测定方法如上所述。
此外，在低线速度(2x)和中线速度(4x)的情况下记录策略采用了图4的分割脉冲序列，而在高线速度(6x)的情况下采用了图5的分割脉冲序列。其中，光记录装置也采用了与上述实施例D相同的装置。
作为记录条件的记录脉冲图案，在低线速度即记录线速度7.0m/s上，采用了记录功率Pwl＝16.1[mW]、擦除功率Pel＝8.0[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εl＝0.50)。
在中线速度即记录线速度14.0m/s上，采用了记录功率Pwm＝17.2[mW]、擦除功率Pem＝7.2[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εm＝0.42)。
在高线速度即记录线速度21.0m/s上，采用了记录功率Pwh＝20.0[mW]、擦除功率Peh＝5.8[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εh＝0.29)(εh＜εm＜εl：(4)式)。
本实施例E-1的记录特性如表5所示。其中，以下实施例E-2、E-3及各比较例E-4～E-8也同样如表5所示。
【表5】
DOW9的抖动分别在低线速度(2x)上为7.5％，在中线速度(4x)上为7.4％，在高线速度(6x)上为8.1％，在所有线速度上都低于10％，良好。重写特性是，DOW10000时的抖动分别在2x上为7.9％，在4x上为7.9％，在6x上为9.2％，良好，反射率也分别为20.5％、20.2％、19.6％，反射率特性也良好(在表5中只示出了6x(高线速度)时的DOW1000的反射率)。
(实施例E-2)
制作了除了增加记录层3的Sb量而使结晶速度有所提高这样的变更以外、其它与实施例D-2同样的光记录介质。此外，各记录线速度上的记录条件是，在2x上采用了记录功率Pwl＝18.0[mW]、擦除功率Pel＝5.4[mW](εl＝0.30)，在4x上采用了记录功率Pwm＝20.0[mW]、擦除功率Pem＝5.0[mW](εm＝0.25)，在6x上采用了记录功率Pwh＝22.0[mW]、擦除功率Peh＝4.4[mW](εh＝0.20)(εh＜εm＜εl：(4)式)。其他记录条件采用与实施例E-1相同的条件，测定了记录特性。
如表5所示，DOW9抖动在2x上为8.3％，在4x上为8.0％，在6x上为8.6％，在所有线速度上都低于10％，良好。重写特性也同样良好。
(实施例E-3)
制作了除了增加记录层3的Sb量而使结晶速度有所提高这样的变更以外、其它与实施例D-3同样的光记录介质。此外，各记录线速度上的记录条件是，在2x上采用了记录功率Pwl＝18.0[mW]、擦除功率Pel＝10.8[mW](εl＝0.60)，在4x上采用了记录功率Pwm＝21.0[mW]、擦除功率Pem＝10.5[mW](εm＝0.50)，在6x上采用了记录功率Pwh＝23.0[mW]、擦除功率Peh＝9.2[mW](εh＝0.40)(εh＜εm＜εl：(4)式)。其它记录条件采用与实施例E-1相同的条件，测定了记录特性。
如表5所示，DOW9抖动在2x上为8.0％，在4x上为7.6％，在6x上为8.6％，在所有线速度上都低于10％，良好。重写特性也同样良好。
(比较例E-4)
采用了除了变更为εm＝0.25(Pem＝4.3mW，εm＜εh)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。进行了与实施例E-1同样的测定，如表5所示，2x、6x上的DOW9抖动与实施例E-1相同，但是在4x上抖动为25.1％，严重恶化，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使4x(中线速度)的功率比εm＝0.25小于6x(高线速度)的εh＝0.29，从而，中线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例E-5)
采用了除了变更为εl＝0.25(Pel＝4.0mW，εl＜εh)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。进行了与实施例E-1同样的测定，如表5所示，4x、6x上的DOW9抖动与实施例E-1相同，但是在2x上抖动为24.3％，严重恶化，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使2x(低线速度)的功率比εl＝0.25小于6x(高线速度)的εh＝0.29，从而低线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例E-6)
采用了除了变更为εl＝0.35(Pel＝5.6mW，εm＞εl＞εh)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。进行了与实施例E-1同样的测定，如表5所示，4x、6x上的DOW9抖动与实施例E-1相同，但是在2x上抖动为14.6％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。这是因为，由于使2x(低线速度)的功率比εl＝0.35小于4x(中线速度)的εm＝0.42，从而低线速度上的擦除功率不够，擦不干净。
(比较例E-7)
采用了除了变更为εh＝0.60(Peh＝12.0mW，εm＜εl＜εh)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。进行了与实施例E-1同样的测定，如表5所示，2x、4x上的DOW9抖动与实施例E-1相同，但是在6x上抖动为16.2％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。此外，DOW1000的反射率为14.2％，非常降低，重写也不能得到良好的特性。其原因是，由于在6x(高线速度)记录时增大了εh而过度地施加了擦除功率，所以记录层3的过冷却造成了结晶状态的恶化。
(比较例E-8)
采用了除了变更为εl＝0.35、εh＝0.50(Pel＝5.6mW，Peh＝10.0mW，εl＜εm＜εh)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。进行了与实施例E-1同样的测定，如表5所示，4x上的DOW9抖动与实施例E-1相同，但是在2x上为14.6％，在6x上为14.1％，恶化了，不能得到良好的抖动特性。此外，6x上的DOW1000的反射率降低为15.3％，不能得到良好的重写特性。其原因是，由于在6x(高线速度)记录时增大了εh而过度地施加了擦除功率，所以记录层3的过冷却造成了结晶状态的恶化。
实施例E-1和比较例E-4～E-8的各记录线速度上的DOW9抖动的关系如图12所示。根据表5及图12也判明，如果各记录线速度上的功率比的关系满足(4)式，则记录及重写特性最好。其中，未图示的其余的实施例E-2以后也从表5可知，在所有记录线速度上，DOW9抖动都在10％以下。
根据以上判明，在设低线速度为1倍速、高线速度为4倍速的实施例D-1～D-3及比较例D-4～D-8、和设低线速度为2倍速、高线速度为6倍速的实施例E-1～E-3及比较例E-4～E-8中的任一个中，如果功率比ε满足(4)式的关系，则光记录介质都能得到最好的记录及重写特性。再者，也判明，(4)式的关系并不受光记录介质的记录层3的组成或最高记录线速度的影响。
可知，在功率比ε按高线速度εh、中线速度εm、低线速度εl的顺序增大且满足(4)式的关系的情况下，在任何记录线速度上DOW9抖动都良好。
在使中线速度的功率比小于高线速度的功率比(εm＜εh)的情况下，在高线速度记录中擦除功率Peh过高，应结晶的部分发生非晶化，特性比初次记录特性恶化，所以不理想。此外，即使调整记录层3的组成以便不产生非晶化，擦除功率Peh也高，所以发生DOW1000时的反射率降低，记录特性恶化，所以不理想。
在使低线速度的功率比小于中线速度的功率比(εl＜εm)的情况下，在低线速度上擦除功率Pel不足，所以擦不干净，重写特性恶化，不理想。
根据以上，各记录线速度的功率比ε不依赖于记录层3的组成或最高记录速度，(4)式的关系较理想。
<功率比εl和εh的关系的讨论>
接着，本发明人估计，通过使低线速度的功率比εl和高线速度的功率比εh处于规定的关系，光记录介质能得到良好的记录及重写特性，根据实施例F-1～F-5及比较例F-6～F-11发现该估计是正确的，具有功率比εl和εh之间的关系。这里，将εh/εl＝α的系数α作为指标，求出了关系。其中，在所有实施例F及比较例F中，功率比满足(4)式的关系。
(实施例F-1)
本实施例采用了与实施例D-1完全相同的条件(εh＝0.27(Peh＝4.6mW，系数α＝0.529))。与实施例D-1同样地测定了高线速度即4倍速(4x)上的记录特性，如表6所示，抖动在DOW0时为6.2％，在DOW1时为7.8％，在DOW9时为7.8％，分别良好，再者DOW1000也是抖动为8.2％，反射率为20.2％，没有降低，良好(在表6中只示出4x上的DOW1000的反射率)。
其中，在表6中也同样示出以下实施例F-2～F-5及比较例F-6～F-11。
【表6】
(实施例F-2)
采用了除了变更为εh＝0.23(Peh＝4.0mW，α＝0.451)以外、其它与实施例F-1相同的条件。与实施例F-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，从DOW0到DOW9，抖动良好，再者DOW1000的反射率也为19.5％，没有降低，良好。
(实施例F-3)
采用了除了变更为εh＝0.40(Peh＝6.9mW，α＝0.784)以外、其它与实施例F-1相同的条件。与实施例F-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，从DOW0到DOW9，抖动良好，再者DOW1000的反射率也为20.7％，没有降低，良好。
(实施例F-4)
采用了除了将构成光记录介质A的第1保护层2的层厚变更为50nm且变更为εl＝0.40、εh＝0.21(Peh＝3.6mW，α＝0.525)以外、其它与实施例D-1完全相同的条件。与实施例D-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，抖动在DOW0时为7.0％，在DOW1时为9.2％，在DOW9时为8.6％，抖动特性良好，再者在DOW1000时抖动也为8.9％，反射率也为18.3％，没有降低，良好。
(实施例F-5)
在实施例F-5中，采用了除了将构成光记录介质A的第1保护层2的层厚变更为90nm且变更为εl＝0.75、εh＝0.40(Peh＝6.9mW，α＝0.533)以外、其它与实施例D-1完全相同的条件。与实施例D-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，抖动在DOW0时为7.2％，在DOW1时为8.8％，在DOW9时为8.4％，良好，再者在DOW1000时抖动也为9.3％，反射率也为22.6％，没有降低，良好。
(实施例F-6)
采用了除了变更为εh＝0.20(Peh＝3.4mW，α＝0.392)以外、其它与实施例F-1相同的条件。与实施例F-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW1抖动为12.3％，DOW9抖动为12.1％，抖动特性不好。这是因为，高线速度(4x)的擦除功率Peh为3.4mW，过低，所以出现了擦不干净造成的特性恶化。
(实施例F-7)
采用了除了变更为εh＝0.45(Peh＝7.7mW，α＝0.882)以外、其它与实施例F-1相同的条件。与实施例F-1同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW1抖动为11.3％，抖动特性不好。这是因为，高线速度(4x)的擦除功率Peh高达7.7mW，所以高线速度的DOW1000的反射率为17.6％，恶化了。
(实施例F-8)
采用了除了变更为εh＝0.15(Peh＝2.6mW，α＝0.375)以外、其它与实施例F-4相同的条件。与实施例F-4同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW0抖动为9.1％，良好，但是DOW1抖动为15.6％，抖动特性不好。
(实施例F-9)
采用了除了变更为εh＝0.34(Peh＝5.8mW，α＝0.850)以外、其它与实施例F-4相同的条件。与实施例F-4同样地测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW0抖动为8.4％，良好，但是DOW1抖动为13.2％，抖动特性不好。
(实施例F-10)
采用了除了变更为εh＝0.27(Peh＝4.6mW，α＝0.360)以外、其它与实施例F-5相同的条件。与实施例F-5同样测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW0抖动为9.2％，良好，但是DOW1抖动为14.8％，抖动特性不好。
(实施例F-11)
采用了除了变更为εh＝0.65(Peh＝11.2mW，α＝0.867)以外、其它与实施例F-5相同的条件。与实施例F-5同样测定了4x上的记录特性，如表6所示，DOW0抖动为8.8％，良好，但是DOW1抖动为12.2％，抖动特性不好。
以上实施例F-1～F-5及比较例F-6～F-11的4x上的DOW1抖动和系数α之间的关系如图13所示。判明DOW1抖动在10％以下的α的范围成为下述(5)式的关系。不管α的值比(5)式过大还是过小，即不管高线速度的功率比εh的值过大还是过小，都不能得到良好的DOW1抖动。
0.45＜α＜0.80 …(5)
再者，本发明人根据实施例G-1～G-5及比较例G-6～G-11发现，在记录线速度与上述实施例F-1～F-5及比较例F-6～F-11中讨论过的组合(1x、2x、4x)不同的情况下，低线速度的功率比εl和高线速度的功率比εh也有使光记录介质的记录及重写特性达到最好的规定关系。与上述同样求出了系数α作为指标。
在以下所有实施例G-1～G-5及比较例G-6及G-11中，低线速度都是DVD标准2倍速(2x)，中线速度都是DVD标准4倍速(4x)，高线速度都是DVD标准6倍速(6x)。其中，在所有实施例G及比较例G中，功率比都满足(4)式的关系。
(实施例G-1)
采用了与实施例E-1完全相同的条件(εh＝0.29(Peh＝5.8mW，系数α＝0.580))。与实施例E-1同样测定了高线速度即6倍速(6x)上的记录特性，如表7所示，抖动在DOW0时为7.1％，在DOW1时为9.2％，在DOW9时为8.1％，分别良好，再者在DOW1000时抖动也为9.2％，反射率为19.6％，也没有降低，良好。
其中，在表7中同样也示出以下实施例G-2～G-5及比较例G-6～G-11。
【表7】
(实施例G-2)
采用了除了变更为εh＝0.23(Peh＝4.6mW，α＝0.460)以外、其它与实施例G-1相同的条件。与实施例G-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0～DOW9抖动良好，再者DOW1000的反射率是17.8％，也没有大的降低，良好。
(实施例G-3)
采用了除了变更为εh＝0.39(Peh＝8.0mW，α＝0.780)以外、其它与实施例G-1相同的条件。与实施例G-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0～DOW9抖动良好，再者DOW1000的反射率是18.1％，也没有大的降低，良好。
(实施例G-4)
采用了除了将构成光记录介质A的第1保护层2的层厚变更为50nm且变更为εl＝0.38、εh＝0.22(Peh＝4.4mW，α＝0.579)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。与实施例E-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，抖动在DOW0时为7.3％，在DOW1时为9.1％，在DOW9时为8.0％，分别良好，再者在DOW1000时抖动也为9.1％，反射率也为18.2％，没有降低，良好。
(实施例G-5)
采用了除了将构成光记录介质A的第1保护层2的层厚变更为90nm且变更为εl＝0.75、εh＝0.38(Peh＝7.6mW，α＝0.507)以外、其它与实施例E-1完全相同的条件。与实施例E-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，抖动在DOW0时为7.4％，在DOW1时为9.1％，在DOW9时为7.9％，分别良好，再者在DOW1000时抖动也为9.9％，反射率也为22.2％，没有降低，良好。
(比较例G-6)
采用了除了变更为εh＝0.20(Peh＝4.0mW，α＝0.400)以外、其它与实施例E-1相同的条件。与实施例G-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW1抖动为12.3％，DOW9抖动为12.2％，不好。这是因为，高线速度(6x)上的擦除功率Peh为4.0mW，过低，所以出现了擦不干净造成的特性恶化。
(比较例G-7)
采用了除了变更为εh＝0.45(Peh＝9.0mW，α＝0.900)以外、其它与实施例E-1相同的条件。与实施例G-1同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW1抖动为13.3％，DOW9抖动为12.1％，不好。此外，高线速度(6x)上的擦除功率Peh为9.0mW，较高，所以DOW1000的反射率为13.3％，恶化了。
(比较例G-8)
采用了除了变更为εh＝0.15(Peh＝3.0mW，α＝0.395)以外、其它与实施例G-4相同的条件。与实施例G-4同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0抖动为9.8％，良好，但是DOW1抖动为15.3％，抖动特性不好。
(比较例G-9)
除了变更为εh＝0.34(Peh＝6.8mW，α＝0.895)以外，其它与实施例G-4相同。与实施例G-4同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0抖动为9.5％，良好，但是DOW1抖动为11.1％，不好。
(比较例G-10)
采用了除了变更为εh＝0.28(Peh＝5.6mW，α＝0.373)以外、其它与实施例G-5相同的条件。与实施例G-5同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0抖动为9.7％，比较良好，但是DOW1抖动为14.2％，不好。
(比较例G-11)
采用了除了变更为εh＝0.61(Peh＝12.2mW，α＝0.813)以外、其它与实施例G-5相同的条件。与实施例G-5同样测定了6x上的记录特性，如表7所示，DOW0抖动为9.8％，良好，但是DOW1抖动为12.3％，不好。
以上实施例G-1～G-5及比较例G-6～G-11的6x上的DOW1抖动和α的关系如图14所示。判明，使DOW1抖动在10％以下的α的范围，在实施例G-1～G-5及比较例G-6～G-11中也成为上述(5)式。不管α的值比(5)式过大还是过小，即不管高线速度的功率比εh的值过大还是过小，都不能得到良好的DOW1抖动。
根据以上判明，在设低线速度为1倍速、高线速度为4倍速的实施例F-1～F-5及比较例F-6～F-11、和设低线速度为2倍速、高线速度为6倍速的各实施例G-1～G-5及比较例G-6～G-11中的任一个中，光记录介质具有可获得最好的记录及重写特性、特别是良好的DOW抖动的、低线速度的功率比εl和高线速度的功率比εh之间的规定关系。此外判明，在用α来表示εl和εh之比εl/εh时，系数α处于上述(5)式的范围内较理想。
即，为了使DOW1抖动更好，需要满足(4)式。再者，除了满足(4)式，还满足(5)式较理想。
在α＜0.45的情况下，高线速度上的擦除功率Peh过小，难以擦除，由于擦不干净，所以DOW1以后的抖动恶化，所以不理想。另外，在0.80＜α的情况下，高线速度上的擦除功率Peh比较高，在应结晶的部分发生非晶化，DOW1的抖动特性恶化，所以不理想。因此，为了使光记录介质的记录及重写特性良好，理想的α的范围是(5)式。
再者，考虑到介质的环境稳定性和通用记录装置的裕量，抖动值低于9％、0.55＜α＜0.65更理想。
<记录功率的关系的讨论>
接着，估计低线速度的记录功率Pwl、中线速度的记录功率Pwm以及高线速度之间的大小关系可能影响光记录介质的良好的记录及重写特性，根据下述实施例H-1、H-2及比较例H-3～H-5发现，该估计是正确的，记录功率具有最佳关系。
(实施例H-1)
采用了与实施例D-1完全相同的条件(Pwl＝14.1mW，Pwm＝16.2mW，Pwh＝17.2mW，Pwl＜Pwm＜Pwh)。进行了与实施例D-1同样的测定，如表8所示，DOW9抖动在低线速度(1x)上为7.3％，在中线速度(2x)上为7.1％，在高线速度(4x)上为7.8％，分别良好，再者此时的调制度(DOW9)分别为60.8％、64.9％、65.9％。
其中，在表8中也同样示出以下实施例H-2及比较例H-3～H-5。
这里，所谓调制度，是信号强度的大小，如图15所示，由(调制度)＝(I14/I14H)来表示，将DVD的标准值即60％以上作为良好的基准。
【表8】
(实施例H-2)
采用了除了变更为Pwl＝15.2mW、Pwm＝15.8mW、Pwh＝16.2mW(Pwl＜Pwm＜Pwh)以外、其它与实施例H-1相同的条件。进行了与实施例H-1同样的测定，如表8所示，DOW9抖动在1x上为7.7％，在2x上为7.2％，在4x上为8.0％，分别良好，再者此时的调制度也分别为61.1％、63.9％、63.2％，良好。
(比较例H-3)
采用了除了变更为Pwh＝15.0mW(Pwl＜Pwh＜Pwm)以外、其它与实施例H-1相同的条件。进行了与实施例H-1同样的测定，如表8所示，4x的DOW9抖动为11.5％，比实施例H-1差，再者此时的调制度也为56.2％，恶化了。
(比较例H-4)
采用了除了变更为Pwm＝13.0mW(Pwm＜Pwl＜Pwh)以外、其它与实施例H-1相同的条件。进行了与实施例H-1同样的测定，如表8所示，2x的DOW9抖动为12.1％，比实施例H-1差，再者此时的调制度也为52.3％，恶化了。
(比较例H-5)
采用了除了变更为Pwl＝17.8mW(Pwm＜Pwh＜Pwl)以外、其它与实施例H-1相同的条件。进行了与实施例H-1同样的测定，如表8所示，1x的DOW9抖动为10.9％，比实施例H-1差。
根据以上判明，如果不随着记录线速度的上升而提高记录功率，则功率不足，不能得到足够的信号强度(＝调制度)，抖动恶化。另一方面，如果以低线速度用高记录功率来进行记录，则过度的激光功率密度使串扰增大，所以抖动恶化。
因此，为了得到光记录介质的良好的记录及重写特性，满足线速度越高则越增大记录功率的下述(6)式的关系较理想。
Pwl＜Pwm＜Pwh …(6)
再者，本发明人根据实施例I-1、I-2及比较例I-3～I-5发现，在记录线速度与上述实施例H-1、H-2及比较例H-3～H-5中讨论过的组合(1x、2x、4x)不同情况下，也能在上述(6)式所示的各记录线速度上的记录功率的大小关系中得到光记录介质的最好的记录及重写特性。
在以下所有实施例I及比较例I中，低线速度是DVD标准2倍速(2x)，中线速度是DVD标准4倍速(4x)、高线速度是DVD标准6倍速(6x)。
(实施例I-1)
采用了与实施例E-1完全相同的条件(Pwl＝16.1mW，Pwm＝17.2mW，Pwh＝20.0mW，Pwl＜Pwm＜Pwh)。进行了与实施例E-1同样的测定，如表9所示，DOW9抖动在低线速度(2x)上为7.5％，在中线速度(4x)上为7.4％，在高线速度(6x)上为8.1％，良好，再者此时(DOW9)的调制度分别为61.2％、63.5％、62.2％，良好。
其中，在表9中也同样示出以下实施例I-2及实施例I-3～I-5。
【表9】
(实施例I-2)
采用了除了变更为Pwl＝15.5mW、Pwm＝16.4mW、Pwh＝18.6mW(Pwl＜Pwm＜Pwh)以外、其它与实施例I-1同样的条件。进行了与实施例I-1同样的测定，如表9所示，DOW9抖动在2x上为8.3％，在4x上为8.2％，在6x上为9.2％，分别良好，再者此时的调制度也分别为60.3％、61.9％、60.1％，良好。
(比较例I-3)
采用了除了变更为Pwh＝16.6mW(Pwl＜Pwh＜Pwm)以外、其它与实施例I-1相同的条件。进行了与实施例I-1同样的测定，如表9所示，6x的DOW9抖动为13.6％，比实施例I-1差，再者此时的调制度也为52.8％，恶化了。
(比较例1-4)
采用了除了变更为Pwm＝14.0mW(Pwm＜Pwl＜Pwh)以外、其它与实施例I-1相同的条件。进行了与实施例I-1同样的测定，如表9所示，4x的DOW9抖动为12.7％，比实施例I-1差，再者此时的调制度也为52.3％，恶化了。
(比较例I-5)
采用了除了变更为Pwl＝21.0mW(Pwm＜Pwh＜Pwl)以外、其它与实施例I-1相同的条件。进行了与实施例I-1同样的测定，如表9所示，2x的DOW9抖动为11.2％，比实施例I-1差。
根据以上判明，如果各记录线速度上的记录功率满足上述(6)式的关系，则光记录介质能得到良好的记录及重写特性。
如上所述，判明在设低线速度为1倍速、高线速度为4倍速的实施例H-1、H-2及比较例H-3～H-5、或者设低线速度为2倍速、高线速度为6倍速的实施例I-1、I-2及比较例I-3～I-5中的任一个中，如果不随着记录速度的上升而提高记录功率，则功率不足，不能得到足够的信号强度(＝调制度)，抖动恶化。另一方面，如果以低线速度用高记录功率来进行记录，则过度的激光功率密度使串扰增大，所以抖动值恶化。由此，线速度越高则越增大记录功率的(6)式的关系较理想。
如果不断提高记录线速度，则单位面积的记录功率密度降低，所以为了增大能得到足够的记录信号的标记宽度，在Pwh＝Pwl×1.2～Pwl×1.4左右的范围内随着记录速度而依次增大记录功率较理想。
不仅上述DVD-RW等相变型光记录介质，可以说图16所示的超高密度的相变型记录介质的结构也有同样的效果。图16所示的光记录介质B的结构为，在以记录/再现或擦除用的激光的入射面17a为底面的保护层17上依次层叠了第1保护层12、记录层13、第2保护层14、反射层15、及基板11。
表1(1.000＜R1/R0＜1.030)
表2(1.000＜R1/R0＜1.030，0.030＜(R10/R0)-(R1/R0)＜0.150)
表3(0.20≤ε≤0.40)
表4(εl＞εm＞εh)
表5(εl＞εm＞εh)
| 功率比ε(＝Pe/Pw) | DOW9抖动[％] | DOW1000反射率 | |||||
| 低线速度(2x)ε1 | 中线速度(4x)εm | 高线速度(6x)εh | 低线速度(2x) | 中线速度(4x) | 高线速度(6x) | 高线速度(6x) | |
| 实施例E-1 | 0.50 | 0.42 | 0.29 | 7.5 | 7.4 | 8.1 | 19.6 |
| 实施例E-2 | 0.30 | 0.25 | 0.20 | 8.3 | 8.0 | 8.6 | 22.0 |
| 实施例E-3 | 0.60 | 0.50 | 0.40 | 8.0 | 7.6 | 8.6 | 19.3 |
| 比较例E-4 | 0.50 | 0.25 | 0.29 | 7.5 | 25.1 | 8.1 | 19.6 |
| 比较例E-5 | 0.25 | 0.42 | 0.29 | 24.3 | 7.4 | 8.1 | 19.6 |
| 比较例E-6 | 0.35 | 0.42 | 0.29 | 14.6 | 7.4 | 8.1 | 19.6 |
| 比较例E-7 | 0.50 | 0.42 | 0.60 | 7.5 | 7.4 | 16.2 | 14.2 |
| 比较例E-8 | 0.35 | 0.42 | 0.50 | 14.6 | 7.4 | 14.1 | 15.3 |
表6(0.45＜α＜0.80)
表7(0.45＜α＜0.80)
表8(Pwl＜Pwm＜Pwh)
| 记录功率[mW] | DOW9抖动[％] | DOW9调制度[％] | |||||||
| 低线速度(1x)Pwl | 中线速度(2x)Pwm | 高线速度(4x)Pwh | 低线速度(1x) | 中线速度(2x) | 高线速度(4x) | 低线速度(1x) | 中线速度(2x) | 高线速度(4x) | |
| 实施例H-1 | 14.1 | 16.2 | 17.2 | 7.3 | 7.1 | 7.8 | 60.8 | 64.9 | 65.9 |
| 实施例H-2 | 15.2 | 15.8 | 16.2 | 7.7 | 7.2 | 8.0 | 61.1 | 63.9 | 63.2 |
| 比较例H-3 | 14.1 | 16.2 | 15.0 | 7.3 | 7.1 | 11.5 | 60.8 | 64.9 | 56.2 |
| 比较例H-4 | 14.1 | 13.3 | 17.2 | 7.3 | 12.1 | 7.8 | 60.8 | 52.3 | 65.9 |
| 比较例H-5 | 17.8 | 16.2 | 17.2 | 10.9 | 7.1 | 7.8 | 60.2 | 64.9 | 65.9 |
表9(Pwl＜Pwm＜Pwh)
Claims (19)
1.一种光记录方法，将记录信息记录在相变型光记录介质的记录层上，其特征在于，
包括：调制步骤，调制上述记录信息来生成调制数据；
标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及
记录步骤，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
在向上述记录层上的一次也未记录记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1的情况下，上述记录步骤采用使下述(1)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)成立的最佳擦除功率作为上述擦除功率。
2.如权利要求1所述的光记录方法，其特征在于，设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是
0.20≤ε≤0.40。
3.一种光记录装置，将记录信息记录在相变型光记录介质的记录层上，其特征在于，
包括：编码器，调制上述记录信息来生成调制数据；
标记长度生成部，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及
记录部，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
在向上述记录层上的一次也未记录记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1的情况下，上述记录步骤采用使下述(1)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)成立的最佳擦除功率作为上述擦除功率。
4.如权利要求3所述的光记录装置，其特征在于，
具有保存部，保存表示上述最佳擦除功率的识别信息；
上述记录部根据在上述保存部中保存的上述识别信息来决定上述最佳擦除功率。
5.如权利要求3所述的光记录装置，其特征在于，
具有读取部，读取写入到上述光记录介质的规定区域中的、表示上述最佳擦除功率的识别信息；
上述记录部根据上述读取部读取的上述识别信息来决定上述最佳擦除功率。
6.如权利要求3所述的光记录装置，其特征在于，
具有反射率检测部，求出上述R0和与多个上述擦除功率对应的多个上述R1，从上述R0和多个上述R1的组合中，选择使上述(1)式成立的组合；
上述记录部根据上述反射率检测部选择出的组合来决定上述最佳擦除功率。
7.如权利要求3至6中任一项所述的光记录装置，其特征在于，设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是
0.20≤ε≤0.40。
8.一种光记录介质，是相变型光记录介质，其特征在于，
具有记录层，该记录层通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
在向上述记录层上的一次也未记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率设为R0、向上述未记录部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R1、向上述未记录部上照射了10次具有上述擦除功率的光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率设为R10的情况下，上述记录层由初始化激光进行初始化，使得作为上述擦除功率，下述(1)、(2)式
1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)
0.030＜R10/R0-R1/R0＜0.150…(2)成立。
9.如权利要求8所述的光记录介质，其特征在于，在设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，设上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比为ε(ε＝Pe/Pw)时，向规定区域写入了用于满足
0.20≤ε≤0.40的信息。
10.如权利要求8或9所述的光记录介质，其特征在于，将上述初始化激光的功率除以上述初始化激光的照射面积、再除以上述初始化激光的扫描速度所得的值设为初始化激光功率密度Di时，上述记录层以
1.20≤Di≤1.55的条件被初始化。
11.一种光记录方法，将记录信息记录在相变型光记录介质的记录层上，其特征在于，
包括：调制步骤，调制上述记录信息来生成调制数据；
标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及
记录步骤，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
上述记录步骤以从第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh中选择的对上述记录层的记录线速度来进行记录，其中，Vl＜Vm＜Vh；
上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录中，上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
12.如权利要求11所述的光记录方法，其特征在于，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录和以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
13.如权利要求11或12所述的光记录方法，其特征在于，上述记录步骤中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
14.一种光记录装置，将记录信息记录在相变型光记录介质的记录层上，其特征在于，
包括：编码器，调制上述记录信息来生成调制数据；
标记长度生成部，根据上述调制数据来生成期望的标记长度；以及
记录部，根据上述标记长度生成记录脉冲图案，并按照上述记录脉冲图案向上述记录层照射记录光来记录表示上述记录信息的记录标记，其中，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
上述记录部以从第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh中选择的对上述记录层的记录线速度来进行记录，其中，Vl＜Vm＜Vh；
上述记录部中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录中，上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
15.如权利要求14所述的光记录装置，其特征在于，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述记录部中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录和以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
16.如权利要求14或15所述的光记录装置，其特征在于，上述记录部中的以上述第1记录线速度Vl进行的记录、以上述第2记录线速度Vm进行的记录以及以上述第3记录线速度Vh进行的记录满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
17.一种光记录介质，是相变型光记录介质，其特征在于，
具有记录层，该记录层通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案包括：从擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲，以及从上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脉冲；
在上述记录层的规定区域记录着表示第1记录线速度Vl、第2记录线速度Vm以及第3记录线速度Vh上的各记录功率和擦除功率的识别信息，其中Vl＜Vm＜Vh，上述识别信息、和上述第1记录线速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1记录功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2记录线速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2记录功率Pwm所得的第2功率比εm、上述第3记录线速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3记录功率Pwh所得的第3功率比εh满足下述(1)式的关系：
εh＜εm＜εl …(1)。
18.如权利要求17所述的光记录介质，其特征在于，在设上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl为α时，上述识别信息满足下述(2)式的关系：
0.45＜α＜0.80 …(2)。
19.如权利要求17或18所述的光记录介质，其特征在于，上述识别信息满足下述(3)式的关系：
Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
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