[go: up one dir, main page]

CN1311739A - 信息记录介质和信息记录方法 - Google Patents

信息记录介质和信息记录方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1311739A
CN1311739A CN99809145A CN99809145A CN1311739A CN 1311739 A CN1311739 A CN 1311739A CN 99809145 A CN99809145 A CN 99809145A CN 99809145 A CN99809145 A CN 99809145A CN 1311739 A CN1311739 A CN 1311739A
Authority
CN
China
Prior art keywords
recording layer
layer
recording
described information
information recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN99809145A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1180942C (zh
Inventor
一条稔
碇喜博
田村礼仁
渡边均
松室秀隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Maxell Ltd
Publication of CN1311739A publication Critical patent/CN1311739A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1180942C publication Critical patent/CN1180942C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

信息记录介质具有基体和位于基体上的记录层,借助局部加热和冷却,记录层可在晶态和非晶态之间局部转变,从而借助局部转变把信号记录在记录层中,并且记录层含有氧。

Description

信息记录介质和信息记录方法
本发明涉及一种信息记录介质和在信息记录介质中记录信息的方法，通过加热和冷却，该信息记录介质的记录层可在晶态和非态之间部分转变，从而利用记录层的部分变形，把信号记录在记录层中。
JP-A-61-2594公开了利用电子束蒸镀或溅射，把作为含氧记录层的碲和氧化碲混合物沉积到记录介质基体上。
JP-A-2-252577公开了在氩气和氧气的气体混合物中，通过溅射，把含碲化合物沉积到记录介质基体上，从而形成含氧的记录层。
JP-A-63-58636公开了利用电子束蒸镀，把作为含氧记录层的包括氧化碲和碲的化合物沉积到记录介质基体上，以及在氩气和氧气的气体混合物中，通过溅射，把含碲化合物沉积到记录介质基体上，从而形成含氧记录层。
本发明的目的是提供一种信息记录介质和一种信息记录方法，借助该介质和该方法，可抑制记录的信息随着时间的流逝而发生的改变，和/或可清楚可靠地读出记录的信息。具体地说，本发明的目的是提供一种信息记录介质和一种信息记录方法，就该介质和该方法而言，可防止环绕记录层非晶态部分的记录层晶态部分外延生长到记录层的非晶态部分中，和/或记录层的非晶态部分和环绕其的记录层晶态部分之间的分界线清晰而平滑。
在最近几年，在所谓的光盘的广泛扩展中，在更恶劣的条件下使用并保存光盘。于是，必须提高光盘的可靠性。通过考虑到这一点而进行的涉及上述材料的各种持久性实验，发现在高温高温恶劣环境下长期保存具有记录的信息的光盘之后，诸如信号不稳定性之类的信号质量被恶化。通过对此进行仔细研究，发现接触非晶标志(mark)的晶态部分外延生长，从而改变了晶态部分的形状。另外还发现在非晶态标志的中心区域，即不接触晶态部分的非晶态部分，没有发生任何改变。为了克服这种问题，改变了记录层的材料和组成物，以便增大记录层的活化能量，从而提高非晶态的稳定性，但是仍然发生了类似的现象。这些情况表明不能通过提高非晶态的活化能量，从而提高非晶态的热稳定性来解决这种现象，必须提出基于一种新观点的改进。发明人从为了解决上述问题的各种研究中发现，记录层中非晶态标志和晶态部分之间分界面的改进非常重要，可通过调整记录层中氧的含量，解决上述问题。
在包括基体和基体上的记录层的信息记录介质中，通过局部加热和冷却，记录层可在晶态和非晶态之间局部转变，从而借助该局部转变，把信号记录在记录层中，记录层中所含的氧限制了转变部分的改变，尤其是从晶态转变为非晶态的记录层部分的再结晶，从而限制了记录信息随着时间的流逝而发生的变化。可把GE-Sb-Te类，In-Sb-Te类，Ag-In-Sb-Te类，MA-Ge-Sb-Te类(MA包括Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se和Pt中的至少之一)，Sn-Sb-Te类，In-Se-Tl类，In-Se-Tl-MB类(MB包括Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ii,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Te和Pt中的至少之一)，Sn-Sb-Se类等材料用作记录层。
如果记录层中氧的含量低于记录层中原子总量的2％(原子百分比)，则难以获得通过记录层的局部转变形成的记录标志的稳定性。如果记录层中氧的含量高于20％(原子百分比)，则不容易实现晶态和非晶态之间的转变。为了提高记录标志的稳定性，氧含量优选为3～15％(原子百分比)，最好为8～14％(原子百分比)。
氧以氧化物的形式包含在记录层中，使记录层能够稳定地保持记录层中的氧，并在记录层中限制组成部分从非晶态部分扩散到晶态部分中，或者从晶态部分扩散到非晶态部分中，和/或从晶态部分进入非晶态部分的晶体生长。
如果记录层包括Ge,Sb和Te，则最好至少一部分Ge以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分Ge的含量a和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Ge之外的另一部分Ge的含量b之间的关系，最好在由(0.02≤a/(a+b)≤0.5)确定的范围内。
如果记录层包括Ge,Sb和Te，最好至少一部分Sb以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量c和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量d之间的关系，最好在由(0.01≤c/(c+d)≤0.2)确定的范围内。
当记录层包括Ge,Sb和Te，并且相应原子的含量为Ge:10～30％(原子百分比)，Sb:10～30％(原子百分比)，Te:40～80％(原子百分比)，或者Ge:35～65％(原子百分比)，Sb:10～30％(原子百分比)，Te:35～65％(原子百分比)时，可容易地实现非晶相和晶相之间的相变，从而信息的重写较容易。通过加入1～10％(原子百分比)的另一原子，例如，1～10％(原子百分比)的选自Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se,Pt和N中的至少一种原子，可提高非晶态的结晶温度，或者说可提高活化能量。
当记录层包括Ag,In,Sb和Te时，最好至少一部分In以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分In的含量e和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分In之外的另一部分In的含量f之间的关系，最好在由(0.01≤e/(e+f)≤0.5)确定的范围内。
当记录层包括Ag,In,Sb和Te时，最好至少一部分Sb以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量g和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量h之间的关系，最好在由(0.01≤g/(g+h)≤0.2)确定的范围内。
当记录层包括Ag,In,Sb和Te,并且相应原子的含量为Ag:1～15％(原子百分比)，In:1～15％(原子百分比)，Sb:45～80％(原子百分比)，Te:20～40％(原子百分比)时，可容易地实现非晶相和晶相之间的相变，从而可进行信息的重写。通过加入1～10％(原子百分比)的另一原子，例如，1～10％(原子百分比)的选自Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se,Pt和N中的至少一种原子，可提高非晶态的结晶温度，或者说可提高活化能量。
利用光束或电子束局部加热记录层。
通过使记录层含氧，氧或氧化物至少局部防止非晶相和晶相之间的直接接触，从而防止外延晶体生长，因而提高了非晶态标志的稳定性。
如果氧以记录层中氧化物的形式存在于记录层中，并且当加热以熔化一部分记录层时，由于该部分记录层中包含的氧化物，该部分记录层保持较高的粘性，从而该部分记录层保持较高的表面张力，以致熔化并且随后被冷却固化的该部分记录层和环绕该部分记录层的另一部分记录层之间的至少一部分分界线是光滑的弧形，当在记录层上记录信号时，信号的“0”和“1”状态之一清晰可靠地由呈光滑弧形(round)的至少一部分分界线确定，当从记录层读出信号时，可在呈光滑弧形.的至少一部分分界线处清晰可靠地识别出信号的“0”和“1”状态之一。冷却固化后的该部分记录层可以为非晶态，另一部分记录层可以为晶态，或者，冷却固化后的该部分记录层为晶态，另一部分记录层为非晶态。
上面的方法非常有效，尤其是当提高记录密度时更为有效。
当通过在基体上形成一个螺旋凹槽或者多个同心凹槽时，基体包括沿径向并列的多个环形凹槽，以及在凹槽之间基本上环形延伸，并沿径向并列的多个凸区，径向并列的多个凹槽和径向并列的多个凸区中的至少一个构成记录轨道，信号被记录在该轨道上，记录轨道之间的径向距离越小，记录密度就越大。如果记录轨道之间的径向距离不大于1微米，可增大上述方法的效果，如果记录轨道之间的径向距离不大于0.7微米，则可显著增大上述方法的效果。
此外，熔化并且随后冷却固化的记录层部分的最小长度越小，即记录标志越小，记录密度就越大。由于当圆周方向上记录标志的最小长度不大于0.7微米时，与记录标志的大小相比，由记录标志分界线处的外延晶体生长引起的记录标志形状的变形幅度增大，并且记录标志形状的变形对信号质量的影响也增大，因此上述方法的效果被增大。当径向方向上记录标志的最小长度不大于0.5微米时，上述方法的效果被进一步增大。
如果记录介质还包括与记录层接触的保护层，并且保护层至少包括氧和氮之一时，可限制从记录层中排出氧，从而稳定地把氧保持在记录层中。当保护层含有氧时，由于记录层含有氧，可限制氧从保护层扩散进入记录层。当保护层含有氮时，可限制记录层从非晶态转变为晶态，即，可限制一部分晶态记录层外延生长到一部分非晶态记录层中。
保护层中的氮含量最好为保护层所有组分的总含量的1～50％(原子百分比)。保护层最好包括ZnS和SiO2。如果保护层包括氧化铬，氧化钽，氧化铝和氮化锗中的至少一种，则保护层和记录层之间组分的扩散被限制，记录层的各组分是稳定的。当保护层包括氮时，其含量最好为1～50％(原子百分比)。此外，在记录层和保护层彼此相邻的区域中，层厚方向上，氮含量的梯度最好为1～50(原子)％/nm。在这种条件下，当借助诸如激光束之类的能量束把记录层加热到不高于其熔点的高温时，易于在记录层和保护层彼此相邻的区域生成晶核，从而易于发生非晶相到晶相的相变，即，记录标志的删除。这样，由于通过控制记录层的氧含量及保护层的氮含量，可获得室温下非晶态标志的保持稳定性，及高温下非晶态标志的极佳的删除性能，因此可获得优良的可重写介质。保护层材料优选ZnS和SiO2的混合物，因为其具有低的热导率和良好的记录灵敏性。但是，在不少于100000次的多次重写后，该材料中的S可能扩散进入记录层中，改变记录层的光学系数，从而使反射系数降低。另外，氧化铬，氧化钽，氧化铝和氮化锗可用作保护层的材料。在这些物质中，氧化铬的优点是光学系数大，从而借助多重干涉效应，增大非晶相和晶相之间反射系数的差别，缺陷是根据保护层沉积条件，应力较大。氧化钽的优点是其热容量较大，增大了加热和熔化记录层之后的冷却效果，缺陷是易于损失氧，从而氧化钽吸收光，使反射系数降低。氧化铝的优点是非常稳定，缺陷是与记录层的粘附力较小。氮化锗的优点是与记录层的粘附力较大，缺陷是大多数氮化锗易碎，从而难以通过溅射等形成一层氮化锗。这些保护层材料分别具有优点和缺点，但是它们的混合物弥补了缺点，从而只具有优点。例如，氧化铬和氮化锗的组合物，氧化铬和氮化锗的组合物，氧化钽和氧化铝的组合物，氧化铝和氮化锗的组合物等等是所需的混合物。此外，除了上面描述的材料之外，还可向上述保护层材料中加入另一材料。作为除去上述材料之外的另一材料，可使用CeO2,La2O3,SiO,In2O3,GeO,GeO2,PbO,SnO,SnO2,Bi2O3,TeO2,Sc2O3,Y2O3,TiO2,ZrO2,V2O5,Nb2O5,WO2,WO3,CdS,CdSe,ZnSe,In2S3,In2Se3,Sb2S3,Sb2Se3,Ga2S3,Ga2Se3,GeS,GeSe,GeSe2,SnS,SnS2,SnSe,SnSe2,PbS,PbSe,Bi2Se3,Bi2S3,MgF2,CeF3,CaF2,TaN,Si3N4,AlN,CrN,BN,Si,TiB2,B4C,SiC,B,C等等。
当氧浓度为单位体积中氧原子数与总原子数之比，并且记录层中的氧浓度沿记录层的厚度方向改变时，可合乎需要地设定记录层表面和接触记录层的薄层之间的成分扩散特性，并可合乎需要地设定记录层表面和记录层内部之间粘性和反射系数方向的变化。通过形成记录层之后，在包括氧气的气体中对记录层进行氧化处理，或者通过在记录层的沉积过程中，调节环境气体的氧浓度，可调节记录层中的氧浓度。
当氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝向记录层的相对两表面中的至少一个表面增大时，可限制记录层的该表面与接触记录层的薄层之间的成分扩散，并在非晶相条件下，使记录层的中点处的反射系数保持较高的水平。
当氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝向记录层的相对两表面中的每个表面增大时，可限制记录层表面与接触记录层的各个薄层之间的成分扩散，并在非晶相条件下，使记录层中点处的反射系数保持较高的水平。
最好使氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点到记录层相对两表面中的至少一个表面，增大到记录层中点处氧浓度的至少两倍。
当记录介质还包括用于反射光线的反射层时，记录层被布置在反射层和基体之间，沿记录层厚度方向，记录层具有更接近基体的第一表面和更接近反射层的第二表面，第一表面上的氧浓度(或者距离第一表面的第一深度处的氧浓度)低于第二表面上的氧浓度(或者距离第二表面的第二深度处的氧浓度，第二深度基本上和第一深度相等)，借助通过树脂基体的氧实现的第一表面的氧化，使第一表面上的氧浓度朝着第二表面上的氧浓度增大，从而使记录层厚度方向上的相对两表面上的氧浓度相同。反射层通常是金属反射层，其氧渗透性低于由树脂制成的基体的氧渗透性。
作为用于反射层的材料，优选Au,Ag,Cu,Al或者包括它们中的至少一种作为主成分的材料，因为它们的反射系数相当高。当只使用它们中的一种时，其反射系数非常高，但是由于其热导率相当大，因此记录灵敏性被降低。另一方面，包括Ti,Cr,Co,Ni,Sb,Bi,In,Te,Se,Si,Ge,Pb,Ga,As,Zn,Cd,Sc,V,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt，镧系元素和放射性元素中的至少一种作为其主成分的材料具有低的反射系数，但是具有对于记录灵敏性来说较好的低热导率。上面提及的元素组中的元素，例如Au和下面将提及的元素组中的元素，例如Ti的混合物使反射层具有高的反射系数和低的热导率。具体的例子有Au-Co,Au-Cr,Au-Ti,Au-Ni,Ag-Cr,Ag-Ti,Ag-Ru,Ag-Pd,Ag-Cu-Pd,Al-Ti,Al-Cr,Al-Co,Al-Ni,Al-Nb等。Au-Ag和Au-Cu还可形成高反射系数和低热导率的反射层。
当第一表面上的氧浓度(或者距离第一表面的第一深度处的氧浓度)高于第二表面上的氧浓度(或者距离第二表面的第二深度处的氧浓度，第二深度基本上等于第一深度)时，一对记录层被包括在信息记录介质中，和信息记录介质中的基体相比，反射层位于相对内侧，并且通过记录和/或再现，使信息记录介质中相对内侧位置处的温度高于相对外侧位置处的温度，借助从保护层开始的氧扩散，利用第二表面的氧化的进行，使第二表面上的氧浓度朝着第一表面上的氧浓度增大，从而使沿记录层厚度方向上的相对两表面上的氧浓度相同。
当氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝着第一表面增大时，可防止通过基体的氧到达记录层的中点位置。
当氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点位置朝着第二表面增大时，该对记录层被包含在信息记录介质中，和信息记录介质中的基体相比，反射层位于相对内侧，并且通过记录和/或再现，使信息记录介质中相对内侧位置处的温度高于相对外侧位置处的温度，记录层中点位置处的氧化的进行受到限制。
当记录层包括可记录信息的第一区域和只能再现先前记录的信息的第二区域时，第一区域和第二区域之间氧含量的差值最好不大于18％(原子百分比)。在第一区域上多次进行删除记录信号和录制信号，以致第一区域上至少一部分记录层在晶态和非晶态之间的转变被多次重复之后，第一区域和第二区域之间氧含量的差值最好不大于18％(原子百分比)。
当可如上所述记录信息的第一区域和只可再现先前记录的信息的第二区域之间氧含量的差值高于18％时，它们之间的反射系数的差值变大，以致难以利用类似的方法，再现第一区域和第二区域上的信息。通常，在通过溅射等方式在信息记录介质上形成包括如上所述的第一区域和第二区域的记录层之后，第一区域和第二区域的氧含量彼此大体相同，从而第一区域和第二区域的反射系数彼此大体相同，不会产生和再现相关的问题，但是当借助凹凸坑把信息记录在第二区域上时，由于相对于第一区域在形状方面的不同，在第一区域上，可形成凹槽及凹槽之间的用于记录的中间区域，会导致随着时间的流逝，氧扩散方面的差别，以及自外部渗入氧方面的差异。此外，由于当至少进行一次记录时，只在记录层的第一区域上发生原子构型的改变，因此和记录层的第二区域相比，氧化或氧化物的排出被加速。当记录层预先包含氧时，难以出现上述问题，并且在长时间或者多次记录之后，可把第一区域和第二区域之间氧含量方面的差值限制为不高于18％。
就通过在晶态和非晶态之间局部转变记录层，记录信号的信息记录方法而言，它包括下述步骤：加热要熔化的一部分记录层，并冷却固化被加热的记录层部分，从而形成由除去该部分记录层之外的另一部分记录层环绕的信号标志，记录信号包括“0”状态和“1”状态，由该部分记录层和所述另一部分记录层之间的至少一部分分界线确定要记录的“0”状态和“1”状态中的一种状态，并在所述至少一部分分界线处识别“0”状态和“1”状态中记录的一种状态。
当记录层以氧化物的形式包含氧，以便当加热该部分记录层，使之熔化时，借助该部分记录层包含的氧化物，使该部分记录层的粘性和表面张力保持较高的水平，从而所述另一部分记录层和熔化后被冷却固化的该部分记录层之间的至少一部分分界线是光滑的弧形，借助该部分记录层与所述另一部分记录层之间呈光滑弧形的至少一部分分界线，在信号的记录过程中，可把“0”状态和“1”状态中的一种状态清晰可靠地记录在记录介质上，并在信号的再现过程中，从信息记录介质中清晰可靠地识别该状态。冷却固化后的该部分记录层可以为非晶态，另一部分记录层可以为晶态，另一方面，冷却固化后的该部分记录层可为晶态，另一部分记录层可为非晶态。最好借助光束辐照，加热熔化该部分记录层。
记录层可包括第一记录层(4b)和第二记录层(4a)，在第一记录层和第二记录层之间，氧浓度可被急剧改变(与第一记录层和第二记录层中的氧浓度变化相比较)，第一记录层沿厚度方向的氧浓度的平均值不能大于第二记录层沿厚度方向的氧浓度的平均值的三分之一，第一记录层的厚度可大于第二记录层的厚度。记录层可包括多个第二记录层，第一记录层可被布置在第二记录层之间。
图1是相变(转变)型信息记录介质的结构的示意横截面图；
图2a是表示根据本发明的记录层上的具有凹槽和相对于凹槽升高的凸区的结构的径向横截面图；
图2b是表示根据本发明的记录层放置于其上的记录介质基体的两个实施例的前视图(构成径向并列的多个环形同心凹槽和凸区的同心表面形状，和构成径向并列的多个环形凹槽和凸区的螺旋表面形状)；
图3是表示记录标志与将从记录标志读出的或者由记录标志记录的信号的“1”状态和“0”状态之一之间的关系的示意图。当记录信号的电平被改变时，信号的“1”状态和“0”状态之一被读取或被记录；
图4是表示可由多层镀层构成，以致氧浓度沿厚度方向变化的记录层的局部示意截面图；
图5表示了加速试验之后，氧浓度与记录标志及信号抖动之间的关系；
图6表示了加速试验之后，氧浓度，磁道间距和信号抖动之间的关系。
下面将利用实施例，详细说明本发明。
[实施例1]
制备具有如图2中所示的径向并列的环形凹槽1′和凸区1″(即同心或螺旋形)的由直径120mm，厚度0.6mm的透明材料(例如，聚碳酸酯树脂，玻璃等等)构成的基体1a。在一个实施例中，凹槽1′的中心和相邻凸区1″的中心之间的径向距离为0.74微米。把该基体1a放入具有多个溅射室并提供良好的层厚均匀性和可再现性的溅射设备的第一溅射室中。通过利用ZnS和SiO2的混合物作为靶材，在氩气中溅射，在基体1a上形成厚度为90纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2。随后，在把该基体移入第二溅射室之后，通过利用Cr2O3作为靶材，在氩气中溅射沉积厚度20纳米的Cr2O3第一保护层3。此后，在把该基体移入第三溅射室之后，通过利用烧结的Ag2.5Ge20Sb22.5Te55(2.5,20,22.5和55表示原子百分比)作为靶材，在氩气中溅射沉积厚度16纳米的记录层4。随后，使氧气分压为10％的氩气和氧气的混合气体，以200SCCM的流速流入第三溅射室，持续一定的时间，以便氧化记录层4的表面。随后，把基体移入第四溅射室，并类似于第一覆盖层的形成，溅射沉积厚度18纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5。随后，在第五溅射室中，利用AlCr合金作为靶材，溅射沉积厚度为35纳米的Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6。最后，在第六溅射室中，利用AlTi合金作为靶材，溅射沉积厚度为35纳米的Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7。从溅射设备中取出其上沉积有保护层，反射层和覆盖层的基体，并通过旋转涂覆，在顶层上涂敷紫外线固化的树脂保护层8。
按照类似的方式，在另一类似基体1b上沉积(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2′,Cr2O3保护层3′,Ag2.5Ge20Sb22.5Te55记录层4′,(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5′,Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6′,Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7′及紫外线固化的树脂保护层8′，并通过利用粘结层9，以面对面的方式层叠这两个基体1a和1b，使紫外线固化的树脂保护层8,8′在层叠基体的内部。这时，当粘结层的直径不小于118毫米时，更不可能在粘结层处发生归因于由诸如落下之类原因引起的冲击而导致的分离。类似于记录层4，对记录层4′进行氧化处理。
在形成记录层4,4′之后，通过用波长810纳米，光束长度75毫米，光束宽度1毫米的椭圆形激光光束进行辐照，初始化通过改变在记录层上施加氩气和氧气的混合气体的时间而形成的，记录层中的氧含量或浓度各自不同的几种类型的盘样本。随后，旋转盘，以便获得约6米/秒的线速度，利用NA 0.6的物镜聚集波长660纳米的半导体激光光束，并使之通过基体辐照到记录层上，从而实现记录和再现。对于记录而言，使用激光功率被调整到5毫瓦和11毫瓦之间的波形，从而记录8-16个调制随机信号。利用n毫瓦的功率形成记录标志，并利用5毫瓦的功率进行用于实现删除的直接重写。但是，使用了把除最短的标志之外的记录脉冲分成两个或多个记录脉冲的多脉冲记录波形。既在凹槽上又在凸区上进行记录。
在测量如上所述记录的信号的抖动之后，进行在温度为90℃，相对湿度80％的环境下保存盘100小时的加速试验，并且随后再次测量信号的不稳定性。下表表示了在记录层中氧含量和浓度各自不同的情况下，加速试验前后的信号不稳定性。另外，Auger电子分析方法被用于测量记录层中的氧含量。
[表1]
混合气体流速(SCCM) 气体流入时间(秒) 氧含量(原子百分比)    信号不稳定性(％)
加速试验前 加速试验后
样本1     200     40     25  10.0  10.0
样本2     200     30     20  8.5  8.5
样本3     200     22     15  8.3  8.5
样本4     200     20     14  8.0  8.3
样本5     200     10     8  8.0  8.3
样本6     200     3     3  7.5  8.5
样本7     200     2     2  7.0  8.5
样本8     没有流入气体     1  7.0  18.5
与样本1-7相比，在加速试验之后，记录层未被充分氧化的样本8的信号不稳定性显著增大。另外，在加速试验前后，采用最长的气体流入时间的样本1的信号不稳定性没有表现出任何变化，但是其初始信号不稳定性比样本2-8的信号不稳定性差得多。此外，在上述样本1-7中，在形成记录层之后，供给包括氧气的混合气体，以便氧化记录层，但是还可在氩气和氧气的混合气体环境中，通过溅射形成记录层，氧化该记录层。
此外，就上述条件而言，在使用Ge含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，Sb含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，及Te含量在40～80％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，或者在使用Ge含量在35～65％(原子百分比)范围内变化，Sb含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，Te含量在35～65％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，得到与上面描述的结果类似的结果。
此外，在使用不包括Ag的记录层的情况下，或者在Ag含量在1～10％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，获得类似的结果。
此外，在所有或者部分Ag被替换，并加入1～10％(原子百分比)的选自Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se,Pt和N的至少一种元素的情况下，获得类似的结果。
此外，在记录层4的形成过程中，通过利用氩气和氧气的混合气体作为溅射气体，形成厚度2纳米的第二记录层4a，随后通过把溅射气体改变为氩气，形成厚度16纳米的第一记录层4b，并通过再次把溅射气体改变为氩气和氧气的混合气体，再次形成厚度2纳米的第二记录层4a，同时在形成记录层之后，不进行借助流入氩气-氧气混合气体实现的氧化处理的情况下，获得增大反射系数的效果。当改变形成第二记录层过程中的氧分压，以便把第二记录层的氧平均含量从第一记录层的2％(原子百分比)改变为20％(原子百分比)时，借助加速试验得到的信号不稳定性的增大表现出与表1中所示结果类似的结果。在第一记录层的氧含量为第二记录层的氧含量的1/3或小于第二记录层的氧含量的情况下，盘的反射系数增大2％。当只在第一记录层4b的一侧形成第二记录层4a时，获得的性能非常类似于在第一记录层4b的两侧都形成第二记录层4a时的性能。另外，当在1～10纳米的范围内改变第二记录层4a的厚度时，获得非常相似的性能，但是当厚度为5纳米或更大时，记录灵敏性降低，并且记录所需的功率增大约1毫瓦。
[实施例2]
把和实施例1相同的基体1a放入具有多个溅射室并提供良好的层厚均匀性和可再现性的溅射设备的第一溅射室中。利用ZnS和SiO2的混合物作为靶材，在氩气中通过溅射沉积，在基体1a上形成厚度90纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2。随后，在把该基体移入第二溅射室之后，利用Cr2O3作为靶材，在氩气中溅射沉积厚度20纳米的Cr2O3第一保护层3。此后，在把该基体移入第三溅射室之后，通过利用烧结的Ag2.5Ge20Sb22.5Te55(2.5,20,22.5和55表示原子百分比)作为靶材，在氩气中溅射沉积厚度16纳米的记录层4。随后，把基体移入氧化物形成室，并使之留在氧气气氛中一定的时间，以便氧化记录层4。随后，把基体移入第四溅射室，并类似于第一覆盖层的形成，溅射沉积厚度18纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5。随后，在第五溅射室中，利用AlCr合金作为靶材，溅射沉积厚度为35纳米的Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6。最后，在第六溅射室中，利用AlTi合金作为靶材，溅射沉积厚度为35纳米的Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7。从溅射设备中取出具有沉积的覆盖层，保护层，记录层和反射层的基体，并通过旋转涂覆，在第二反射层7上形成紫外线固化的树脂保护层8。
按照类似的方式，在另一类似基体1b上连续堆叠(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2′,Cr2O3保护层3′，记录层4′,(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5′,Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6′,Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7′及紫外线固化的树脂保护层8′，并借助粘结层9，以面对面的方式层叠这两个基体1a和1b，使紫外线固化的树脂保护层8,8′在层叠基体的内部。这时，当粘结层的直径为118毫米或更大时，更不可能在粘结层处发生归因于由诸如落下之类原因引起的冲击而导致的分离。类似于记录层4，在记录层4′上进行氧化处理。
在形成记录层4,4′之后，制备多个盘样本，根据不同的氧气分压和处理时间，改变记录层中两种或多种类型的Ge氧化物和Sb氧化物含量的每个含量，利用和实施例1相同的方法初始化每个盘样本，随后借助驱动器，在盘样本上记录8-16个调制随机信号。之后，进行在温度为70℃，相对湿度90％的环境下保存这些盘40天的加速试验，在加速试验之后，在驱动器中进行再现试验，研究了和加速试验之前相比，出错率增大一倍或更多倍的多个盘。此外，利用驱动器，在初始化后的每个盘样本上的恒定位置反复记录8-16个调制随机信号，研究了许多再现或记录错误。表2中表示了当改变记录层中的Ge氧化物和Sb氧化物的含量时，出错率增大一倍或更多倍的一些盘。表2中表示了当改变记录层中的Ge氧化物和Sb氧化物的含量时，重复记录的次数。利用XPS设备测量Ge氧化物和Sb氧化物的含量，并借助Ge和Sb的XPS光谱的峰值分离，确定Ge氧化物和Sb氧化物的含量。另外，在表2中，a,b,c和d分别表示氧化的锗的含量，金属或合金的未被氧化的锗的含量，氧化的锑的含量及金属和合金的未被氧化的锑的含量。
[表2]
氧气分压(10-5pa) 保持时间(分钟)     a/(a+b)     c/(c+d) 加速试验后，出错率增大一倍或更多倍的盘数目 重复记录的次数
样本1     10.0     60     0.6    0.26     0/10  30000
样本2     5.0     10     0.5    0.2     0/10  100000
样本3     3.0     10     0.4    0.14     0/10  110000
样本4     1.0     10     0.2    0.07     1/10  130000
样本5     1.0     2    0.04    0.02     2/10  150000
样本6     1.0     1    0.02    0.01     3/10  200000
样本7     未被氧化    0.01    0.005     8/10  200000
与样本1-6相比，在加速试验之后，记录层未被充分氧化的样本7的出错率显著增大，并且不仅10个样本中8个样本的出错率增大一倍或更多倍，而且就其中的4个样本而言，再现变得非常困难。
此外，就上述条件而言，在使用Ge含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，Sb含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，及Te含量在40～80％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，或者在使用Ge含量在35～65％(原子百分比)范围内变化，Sb含量在10～30％(原子百分比)范围内变化，Te含量在35～65％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，得到与上面描述的结果类似的结果。
此外，在使用不包含Ag的记录层的情况下，或者在Ag含量在1～10％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，获得类似的结果。
此外，在所有或者部分Ag被替换，并加入1～10％(原子百分比)的选自Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se,Pt和N的至少一种元素的情况下，获得类似的结果。
[实施例3]
除凹槽1′的中心与相邻凹槽的中心之间的径向距离为0.75微米外，其它技术限制与实施例1相同，把基体1a放入具有多个溅射室并提供良好的层厚均匀性和可再现性的溅射设备的第一溅射室中。利用ZnS和SiO2的混合物作为靶材，在氩气中通过溅射沉积，在基体1a上形成厚度90纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一保护层2。随后，在把该基体移入第二溅射室之后，利用烧结的Ag4In7Sb62Te27(4,7,62和27表示原子百分比)作为靶材，在氩气中溅射沉积厚度20纳米的记录层4。随后，把基体移入氧化物形成室，并使之留在氧气气氛中一定的时间，以便氧化记录层4。随后，把基体移入第三溅射室，并类似于第一保护层的形成，形成厚度20纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5。随后，在第四溅射室中，利用AlTi合金作为靶材，沉积厚度100纳米的Al99Ti1(99和1表示重量百分比)反射层7。从溅射设备中取出其上沉积有保护层，记录层和反射层的基体，并通过旋转涂覆，在其顶层上涂敷紫外线固化的树脂保护层8。
按照类似的方式，在另一类似基体1b上连续堆叠(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一保护层2′，记录层4′,(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第二保护层5′,Al99Ti1(99和1表示重量百分比)反射层6′及紫外线固化的树脂保护层8′，并借助粘结层9，以面对面的方式使这两个基体1a和1b相互粘结，使紫外线固化的树脂保护层8,8′在层叠基体的内部。这时，当粘结层的直径为118毫米或更大时，更不可能在粘结层处发生归因于由诸如落下之类原因引起的冲击而导致的分离。类似于记录层4，对记录层4′进行氧化处理。
在除只在凹槽上进行记录之外，其它技术限制与实施例1相同的情况下，测量如上所述记录的信号的不稳定性，随后，进行在温度为80℃，相对湿度90％的环境下保存这些盘200小时的加速试验，并在加速试验之后，测量信号的不稳定性。下面表示了在不同的氧分压，保持时间及记录层中In氧化物和Sb氧化物的不同含量的情况下，加速试验前后测得的信号不稳定性。利用XPS设备测量记录层中In氧化物和Sb氧化物的含量，并借助In和Sb的XPS光谱的峰值分离，确定In氧化物和Sb氧化物的含量。另外，在表3中，e,f,g和h分别表示氧化的铟的含量，金属或合金的未被氧化的铟的含量，氧化的锑的含量及金属和合金的未被氧化的锑的含量。
[表3]
氧气分压(10-5Pa) 保持时间(分钟)   e/(e+f)    G/(g+h) 信号不稳定性(％)
加速试验前 加速试验后
样本1     10.0     60   0.6   0.26  10.0     10.0
样本2     5.0     10   0.5    0.2   8.0     8.0
样本3     3.0     10   0.4   0.15   7.0     7.9
样本4     1.0     10   0.2   0.07   7.5     7.9
样本5     1.0     2   0.04   0.02   7.3     7.9
样本6     1.0     1   0.01   0.01   7.0     8.0
样本7      未被氧化  0.005   0.005   6.7     15.0
与样本1-6相比，在加速试验之后，在记录层未被充分氧化的样本7中，信号不稳定性显著增大。另外，在氧气气氛中的保持时间最长的样本1中，加速试验前后的信号不稳定性彼此相同，但是其初始信号不稳定性远远大于样本2-7的初始信号不稳定性。
此外，在上述样本1-6中，记录层被保持在氧气气氛中一定的时间，以便氧化记录层，但是也可通过在氩气和氧气的混合气体的环境中形成记录层，氧化记录层。
此外，在上面描述的条件下，在使用Ag含量在1～15％(原子百分比)范围内变化，In含量在1～15％(原子百分比)范围内变化，Sb含量在45～80％(原子百分比)范围内变化，及Te含量在20～40％(原子百分比)范围内变化的记录层的情况下，得到与上面描述的结果类似的结果。
此外，在加入1～10％(原子百分比)的选自Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Tl,S,Se,Pt和N的至少一种元素的情况下，获得类似的结果。
[实施例4]
把如同实施例1中使用的基体1a放入具有多个溅射室并提供良好的层厚均匀性和可再现性的溅射设备的第一溅射室中。利用ZnS和SiO2的混合物作为靶材，在氩气中形成厚度90纳米的(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2。随后，在把该基体移入第二溅射室之后，利用Cr2O3作为靶材，在氩气中形成厚度20纳米的Cr2O3第一保护层3。之后，在把该基体移入第三溅射室之后，利用烧结的Ag2.5Ge20Sb22.5Te55(2.5,20,22.5和55表示原子百分比)作为靶材，在氩气中形成厚度16纳米的记录层4。随后，使氧气分压为10％的氩气和氧气的混合气体以200SCCM的流速流入第三溅射室，持续一定的时间，以便氧化记录层4的表面。随后，把基体移入第四溅射室，在氩气和氮气的混合气体中，形成厚度18纳米的ZnS-SiO2-N第二保护层5。随后，在第五溅射室中，利用AlCr合金作为靶材，形成厚度35纳米的Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6。最后，在第六溅射室中，利用AlTi合金作为靶材，形成厚度35纳米的Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7。从溅射设备中取出具有堆叠的各层的基体，并通过旋转涂覆，在顶层上形成紫外线固化的树脂保护层8。按照类似的方式，在另一类似的基体1b上形成(ZnS)80(SiO2)20(80和20表示摩尔百分比)第一覆盖层2′,Cr2O3保护层3′,记录层4′,ZnS-SiO2-N第二保护层5′,Al94Cr6(94和6表示原子百分比)第一反射层6′,Al99Ti1(99和1表示重量百分比)第二反射层7′及紫外线固化的树脂保护层8′，并借助粘结层9，以面对面的方式粘附这两个基体1a和1b，使紫外线固化的树脂保护层8,8′在层叠基体的内部。这时，当粘结层的直径为118毫米或更大时，更不可能在粘结层处发生归因于由诸如落下之类原因引起的冲击而导致的分离。
制备如上所述的几种类型的盘，利用驱动器记录8-16个调制随机信号，以便测量出错率，随后，进行在温度为90℃，相对湿度80％的环境下保存这些盘100小时的加速试验，在加速试验之后，测量同一位置的出错率(再现出错率)，并在同一位置重写随机信号，以便测量出错率(重写出错率)。下表表示了当保持记录层中的氧含量恒定，即8％(原子百分比)，并在ZnS-SiO2-N第二保护层的形成过程中，设定氩气和氮气的混合气体中不同的氮气浓度，以便改变ZnS-SiO2-N第二保护层中的氮含量时，在加速试验之后，出错率增大一倍或更多倍的多个盘。此外，使用Auger电子能谱方法测量记录层中的氧含量，以及第二保护层中的氮含量。
[表4]
第二保护层中的氮含量 加速试验后，重写条件下，出错率增大一倍或更多倍的盘数目(10个盘中的数目) 加速试验后，再现条件下，出错率增大一倍或更多倍的盘数目(10个盘中的数目)
    0％      10/10      0/10
    1％      1/10      0/10
    2％      0/10      0/10
    15％      0/10      0/10
    25％      0/10      1/10
    50％      0/10      2/10
    60％      0/10      9/10
在第二保护层中的氮含量被设定为60％(原子百分比)的情况下，不仅10个盘中的9个盘的再现出错率增大一倍或更多倍，而且10个盘中的8个盘表现出自身再现非常困难的现象。另外，在氮含量为50％(原子百分比)和25％(原子百分比)的情况下，一些盘的再现出错率增大一倍或更多倍，但是在这些盘中，没有出现再现困难的现象。
[实施例5]
在改变最短标志长的情况下，在把各种最短标志长度的标志记录在类似于实施例1形成的盘上之后，进行在温度为90℃，相对湿度80％的环境下保存这些盘100小时的加速试验，并在加速试验后测量信号的不稳定性。凹槽1′的中心和相邻凸区1″的中心之间的径向距离被设定为0.74微米，在凹槽和凸区上进行记录。检查标志位置系统和标志边缘系统，在标志位置系统中，在标志处设定“1”状态信息，在除去标志之外的部分设定“0”状态信息，在标志边缘系统中，在标志边缘处设定“1”状态信息，在除去标志边缘之外的部分设定“0”状态信息。加速试验之后，记录层中氧含量各自不同的盘的信号不稳定性的变化情况如图5中所示。
[实施例6]
制备几种基体1a，这些基体由直径120毫米，厚度0.6毫米的透明材料(例如，聚碳酸酯树脂，玻璃等)构成，并包括由图2中所示的径向并列的环形凹槽1′和1″(即，在同心或螺旋表面形状上)，它们彼此的区别在于凹槽1′的中心和相邻凸区1″的中心之间的径向距离。在类似于实施例1，在这些基体上形成的盘上记录最短标志长度为0.7微米的标志之后，进行在温度为90℃，相对湿度80％的环境下保存这些盘100小时的加速试验，并在加速试验后测量信号的不稳定性。检查标志位置系统和标志边缘系统，在标志位置系统中，在标志处设定“1”状态信息，在除去标志之外的部分设定“0”状态信息，在标志边缘系统中，在标志边缘处设定“1”状态信息，在除去标志边缘之外的部分设定“0”状态信息。加速试验之后，记录层中氧含量各自不同的盘的信号不稳定性的变化情况如图6中所示。
[实施例7]
制备基体1a，该基体由直径120毫米，厚度0.6毫米的透明材料(例如，聚碳酸酯树脂，玻璃等)构成，并包括由图2中所示的径向并列的环形凹槽1′和1″(即，在同心或螺旋表面形状上)，在该基体上，凹槽1′或凸区1″沿环形方向被分成多个凹槽部分或凸区部分，并沿着凹槽1′或凸区1″延伸的环形方向，在凹槽部分或凸区部分之间形成表示地址信息的凹凸小坑。在类似于实施例1在这些基体上形成盘，并在作为记录磁道的凹槽1′和凸区1″上均进行10000记录之后，进行在温度为90℃，相对湿度80％的环境下保存这些盘100小时的加速试验。下表表示了在其上进行10000次记录的凹槽1′或凸区1″的区域，可其中可记录信息的第一区域上的记录层中的氧含量，和在其上形成表示地址信息等的凹凸坑的区域，即只用于再现预定信息的第二区域上的记录层中的氧含量之间的关系，以及第一区域和第二区域之间，随着加速条件下保存时间的变化而变化的反射系数的关系。
[表5]
保存时间 第一区域上的氧含量 第二区域上的氧含量 第一区域和第二区域之间氧含量的差值 第一区域和第二区域之间反射系数的差值
0小时     4％     2％     2％     0％
50小时     8％     2％     6％     0-1％
100小时     10％     2％     8％     1％
200小时     15％     2％     13％     2％
300小时     20％     3％     17％     4％
500小时     22％     4％     18％     5％
1000小时     25％     5％     20％     8％

Claims (42)

1．一种信息记录介质，它包括基体和基体上的记录层，借助局部加热和冷却，记录层可在晶态和非晶态之间局部转变，从而借助局部转变把信号记录在记录层中，其中记录层含有氧。
2．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中记录层包括Te和Se中的至少一种作为记录层的主要成分。
3．按照权利要求1或2所述的信息记录介质，其中记录层中的氧含量为记录层中所有原子的总含量的2～20％(原子百分比)。
4．按照权利要求1-3任一所述的信息记录介质，其中记录层以氧化物的形式含有氧。
5．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Ge，并且至少一部分Ge以氧化物的形式存在于记录层中。
6．按照权利要求5所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Ge的含量a和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Ge之外的另一部分Ge的含量b之间的关系，最好在由(0.02≤a/(a+b)≤0.5)确定的范围内。
7．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Sb，并且至少一部分Sb以氧化物的形式存在于记录层中。
8．按照权利要求7所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量c和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量d之间的关系，最好在由(0.01≤c/(c+d)≤0.2)确定的范围内。
9．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层含有Ag,In,Sb和Te，并且至少一部分In以氧化物的形式存在于记录层中。
10．按照权利要求9所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分In的含量e和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分In之外的另一部分In的含量f之间的关系，最好在由(0.01≤e/(e+f)≤0.5)确定的范围内。
11．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Ag,In,Sb和Te，并且至少一部分Sb以氧化物的形式存在于记录层中。
12．按照权利要求11所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量g和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量h之间的关系，最好在由(0.01≤g/(g+h)≤0.2)确定的范围内。
13．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中可借助光束局部加热记录层。
14．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中氧以记录层中氧化物的形式存在于记录层中，并且当加热以熔化一部分记录层时，由于该部分记录层中包含的氧化物，该部分记录层保持较高的粘性，从而该部分记录层保持较高的表面张力，以致熔化并且随后被冷却固化的该部分记录层和环绕该部分记录层的另一部分记录层之间的至少一部分分界线是光滑的弧形。
15．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中记录信号具有“0”状态和“1”状态，“0”状态和“1”状态中的一个状态由所述至少一部分分界线确定，并在所述至少一部分分界线处被识别。
16．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中冷却固化后的该部分记录层为非晶态，另一部分记录层为晶态。
17．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中冷却固化后的该部分记录层为晶态，另一部分记录层为非晶态。
18．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中基体包括径向并列的多个环形凹槽，和在凹槽之间环形延伸的，并沿径向方向并列的多个凸区，所述径向并列的多个凹槽和所述径向并列的多个凸区中的至少一个构成记录轨道，信号被记录在记录轨道上。
19．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中记录轨道之间的径向距离不大于1微米。
20．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中记录轨道之间的径向距离不大于0.7微米。
21．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中在圆周方向上，熔化并且随后冷却固化的记录层部分的最小长度不大于0.7微米。
22．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中在圆周方向上，熔化并且随后冷却固化的记录层部分的最小长度不大于0.5微米。
23．按照权利要求1所述的信息记录介质，还包括接触记录层的保护层，其中保护层至少包括氧和氮之一。
24．按照权利要求23所述的信息记录介质，其中保护层中氮含量为保护层中所有成分的总含量的1～50％(原子百分比)。
25．按照权利要求23所述的信息记录介质，其中保护层包括ZnS和SiO2。
26．按照权利要求23所述的信息记录介质，其中保护层至少包括氧化铬，氧化钽，氧化铝和氮化锗之一。
27．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中氧浓度为单位体积中氧原子数与总原子数之比，并且记录层中的氧浓度沿记录层的厚度方向变化。
28．按照权利要求27所述的信息记录介质，其中氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝向记录层的相对两表面中的至少一个表面增大。
29．按照权利要求27所述的信息记录介质，其中氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝向记录层的相对两表面中的每个表面增大。
30．按照权利要求27所述的信息记录介质，其中氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点到记录层相对两表面中的至少一个表面，增大为记录层中点处氧浓度的至少两倍。
31．按照权利要求27所述的信息记录介质，还包括用于反射光线的反射层，其中记录层被布置在反射层和基体之间，沿记录层厚度方向，记录层具有更接近基体的第一表面和更接近反射层的第二表面，并且第一表面上的氧浓度低于第二表面上的氧浓度。
32．按照权利要求27所述的信息记录介质，还包括用于反射光线的反射层，其中记录层被布置在反射层和基体之间，沿记录层厚度方向，记录层具有更接近基体的第一表面和更接近反射层的第二表面，并且第一表面上的氧浓度高于第二表面上的氧浓度。
33．按照权利要求27所述的住处记录介质，还包括用于反射光线的反射层，其中记录层被布置在反射层和基体之间，沿记录层厚度方向，记录层具有更接近基体的第一表面和更接近反射层的第二表面，并且氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝着第一表面增大。
34．按照权利要求27所述的住处记录介质，还包括用于反射光线的反射层，其中记录层被布置在反射层和基体之间，沿记录层厚度方向，记录层具有更接近基体的第一表面和更接近反射层的第二表面，氧浓度沿记录层的厚度方向，从记录层的中点朝着第二表面增大。
35．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中记录层包括可记录信息的第一区域和只能再现先前记录的信息的第二区域，并且第一区域和第二区域之间氧含量的差值不大于18％(原子百分比)。
36．按照权利要求35所述的信息记录介质，其中在第一区域上多次进行删除记录信号和录制信号，以致第一区域上至少一部分记录层在晶态和非晶态之间的转变被多次重复之后，第一区域和第二区域之间氧含量的差值不大于18％(原子百分比)。
37．一种通过在晶态和非晶态之间局部转变记录层，记录信号的信息记录方法，该方法包括下述步骤：
加热要熔化一部分记录层，
冷却固化被加热的该部分记录层，从而形成由除去该部分记录层之外的另一部分记录层环绕的信号标志，记录信号包括“0”状态和“1”状态，“0”状态和“1”状态中要记录的一个状态由所述一部分记录层和所述另一部分记录层之间的至少一部分分界线确定，并在所述至少一部分分界线处识别“0”状态和“1”状态中被记录的状态，
其中记录层包含呈氧化物形式的氧，以便当加热熔化一部分记录层时，由于该部分记录层中包含的氧化物，该部分记录层保持较高的粘性和表面张力，从而熔化后被冷却固化的该部分记录层和另一部分记录层之间的至少一部分分界线是光滑的弧形。
38．按照权利要求37所述的信息记录方法，其中冷却固化后的该部分记录层为非晶态，另一部分记录层为晶态。
39．按照权利要求37所述的信息记录方法，其中冷却固化后的该部分记录层为晶态，另一部分记录层为非晶态。
40．按照权利要求37所述的信息记录方法，其中借助光束的辐照，加热熔化所述一部分记录层。
41．按照权利要求37所述的信息记录方法，其中记录层包括第一记录层和第二记录层，在第一记录层和第二记录层之间，氧浓度发生急剧变化，第一记录层厚度方向上的氧浓度的平均值不大于第二记录层厚度方向上的氧浓度的平均值的三分之一，并且第一记录层的厚度大于第二记录层的厚度。
42．按照权利要求41所述的信息记录方法，其中记录层包括多个第二记录层，并且第一记录层被布置在第二记录层之间。
CNB998091456A 1998-07-31 1999-07-30 信息记录方法 Expired - Fee Related CN1180942C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP229535/1998 1998-07-31
JP22953598 1998-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1311739A true CN1311739A (zh) 2001-09-05
CN1180942C CN1180942C (zh) 2004-12-22

Family

ID=16893702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB998091456A Expired - Fee Related CN1180942C (zh) 1998-07-31 1999-07-30 信息记录方法

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN1180942C (zh)
AU (1) AU4931399A (zh)
TW (1) TW518588B (zh)
WO (1) WO2000006391A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7027382B2 (en) 2001-06-26 2006-04-11 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium having relation between reflection layer and pit lengths
JP2007141417A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Sony Corp 追記型光記録媒体およびその製造方法
JP2007293949A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Toshiba Corp 光記録媒体、情報記録再生装置及び方法
JP2008217858A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toshiba Corp 相変化記録媒体およびこの媒体を用いる情報記録再生装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6042095A (ja) * 1983-08-19 1985-03-06 Hitachi Ltd 情報の記録用部材およびその製造方法
JPS63173240A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録媒体
JP2827201B2 (ja) * 1987-03-18 1998-11-25 東レ株式会社 光記録媒体
JPH01303645A (ja) * 1988-05-31 1989-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学記録担体およびその製造方法
JPH04119885A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体と光記録媒体の製造方法
JP2512237B2 (ja) * 1991-02-07 1996-07-03 三菱化学株式会社 光学的情報記録用媒体
JPH04316887A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体及びスパッタリングターゲット並びにそれらの製造方法
JP3151848B2 (ja) * 1991-04-25 2001-04-03 松下電器産業株式会社 光学情報記録媒体
JPH05124353A (ja) * 1991-11-07 1993-05-21 Toray Ind Inc 光記録媒体
DE69729990T2 (de) * 1996-03-11 2004-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Optischer datenaufzeichnungsmedium, verfahren zur herstellung dasselbe und verfahren zur wiedergabe/löschen einer aufzeichnung
JPH09306029A (ja) * 1996-05-09 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学式情報媒体及びその製造方法
JPH10324063A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Teijin Ltd 相変化型光記録媒体およびその製造方法
JPH10326438A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Tdk Corp 光記録媒体の製造方法および光記録媒体
JP3761287B2 (ja) * 1997-05-29 2006-03-29 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体およびその製造方法
JPH11115315A (ja) * 1997-08-12 1999-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録媒体とその製造方法、及びこの媒体を用いた情報の記録再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1180942C (zh) 2004-12-22
TW518588B (en) 2003-01-21
WO2000006391A1 (en) 2000-02-10
AU4931399A (en) 2000-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6177166B1 (en) Optical information recording medium
USRE36383E (en) Optical recording medium and production process for the medium
US5479382A (en) Information recording medium comprising recording layer capable of recording under-exposure to recording laser beam
CN1218310C (zh) 光记录介质和这种光记录介质的使用
JP3185890B2 (ja) 光学情報記録媒体の製造方法、およびこの方法で製造された光学情報記録媒体
EP1406254B1 (en) Optical recording medium
JP2003054135A (ja) 光記録媒体および光記録方法
JP2000228032A (ja) 光情報媒体
US7485357B2 (en) Optical recording medium
CN1235200C (zh) 光学信息介质
CN1421851A (zh) 一次性写入应用的相变记录元件
CN1311739A (zh) 信息记录介质和信息记录方法
CN1132166C (zh) 可重写锗－锑－碲合金光信息介质
CN1014009B (zh) 光学记录介质和其制造方法
JP4271051B2 (ja) 相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
US20030124458A1 (en) Information recording medium and information recording method
JP4357144B2 (ja) 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
EP1058248A2 (en) Optical recording medium and recording method using the medium
CN101371305B (zh) 光学记录介质
JPH08315418A (ja) 光記録媒体及びその製造方法
JPH11321094A (ja) 相変化光記録媒体
JPH09198712A (ja) 光学的情報記録媒体及びその製造方法
JP3608934B2 (ja) 光記録媒体及び光記録媒体用保護膜
JP3955007B2 (ja) 相変化型光記録媒体
JPH11185289A (ja) 追記型光学情報記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20041222

Termination date: 20090831